Aula -12

Curso de Fsica Geral F-428

Conduo eltrica em slidos
A diversidade atmica
Os slidos cristalinos
Os slidos cristalinos:
Exemplos em uma pequena janela
Os slidos cristalinos:
Exemplos em uma pequena janela
A diversidade das ligas
Os estados qunticos num cristal
) ( ) ( ) (
) (
2
2
2 2
x E x x U
x
x
m
= +
c
c

a
Potencial real
Potencial de
Kronig-Penney
Solues
Auto energias &
Novos nmeros qunticos:
os vetores de onda
Abertura de intervalos
proibidos : os gaps
m
k
m
p
E
2 2
2 2 2

= =
Soluo para o eltron livre
Um outro jeito de representar
Um exemplo em 3-D:
GaAs
Observe: transio poo quntico - potencial peridico
Largura das bandas: largura das barreiras ou distncia entre poos
Tamanho dos gaps: idem
Periodicidade da densidade de estados
http://www.falstad.com/qm1dcrystal/
Solues simuladas
Suponha que cada poo (tomo) contribua com dois eltrons:
Como os estados so preenchidos?
Temos um semicondutor ou isolante
Suponha que cada poo (tomo) contribua com 3 eltrons:
Como esses estados so preenchidos?
E
F

Temos um metal!
Banda de valncia
Eltrons de caroo
Eltrons de caroo
Banda de conduo
Um exemplo em 3-D:
GaAs
Propriedades de transporte
(ex.: condutividade) dependem de...
Estrutura eletrnica +
ocupao dos estados;
Densidade dos portadores de
carga;
Espalhamento dos
portadores de carga;
Resposta aos campos
externos.
E J

=o
n
m
e
*
2
t
o =
Sistema isotrpico
Tempo de espalhamento
Densidade de portadores
Estrutura eletrnica (massa efetiva)
Condutividade versus temperatura
o
Temperatura
Isolantes e semicondutores
( aumento do nmero de portadores )
Metais
( nmero de portadores
constante com T )
Nmeros tpicos a temperatura ambiente
Tipo Unidade Metal
(Cobre)
Semicondutor
(Silcio)
resistividade
. m 2 x 10
-8
3 x 10
3

Concentrao de
portadores de
carga
m
-3
9 x 10
28
1 x 10
16

o

1
=
Avogadro
molar
amostra
at
N
M
M
n . =
.
. .
Vol
n
n
cond el
=
. . . . . val el at cond el
n n n =
onde:
Densidade de portadores I
T k
E E
B
F
e
E f
) (
1
1
) (

+
=
Distribuio de Fermi Dirac:
Metal
Semicondutor
E
F

Densidade de estados qunticos [ N
o.
de estados / (m
3
.Joule) ] :
2 / 1
3
2 / 3
2 8
) ( E
h
m
E N
t
=
T k E E
B F
e
E P
/ ) (
1
1
) (

+
=
Probabilidade de ocupao P(E) [ Estatstica de Fermi-Dirac] :
Portanto, em T = 0: 3 / 2
2
3 / 2
2
3 / 2
121 . 0
2 16
3
n
m
h
n
m
h
E
F
=
|
|
.
|

\
|
t
=
) ( ) ( ) (
0
E P E N E N = Densidade de estados ocupados:
Para T = 0, o N
o.
de eltrons de conduo do metal (p. unid. de vol.) ser:
3
2 2 8 2 8
) (
2 / 3
0
3
2 / 3
2 / 1
0
3
2 / 3
0
F
E E
E
h
m
dE E
h
m
dE E N n
F F
} }
= = =
t t
Onde usamos que N
0
(E) = N(E), pois P(E) = 1 em T = 0
2 / 1
3
2 / 3
2 8
) ( E
h
m
E N
t
=
Densidade de portadores II
Em metais n no varia com T
Em metais qualquer perturbao faz as cargas se deslocarem
Em semicondutores n varia com T
Em semicondutores os portadores precisam ser criados com
gasto finito de energia
o
Temperatura
Isolantes e semicondutores
( aumento do nmero de portadores )
Metais ( nmero de
portadores constante
com T )
Densidade de portadores III
Como aumentar o nmero
de portadores de carga em
semicondutores ?
Semicondutores dopados
Nova energia de Fermi
Semicondutor
Semicondutor tipo n
Semicondutor
Semicondutor tipo p
-
-
+
+
Portadores em maioria e minoria
Semicondutor n Semicondutor p
T finita
Portadores
majoritrios
Portadores
minoritrios
Ainda assim :
1/1000
do cobre !
Semicondutores dopados II
Concentrao de portadores de carga em
semicondutores intrnsecos:
10
16
m
-3

Concentrao de portadores de carga em
semicondutores dopados:
10
25
m
-3

Junes p-n
Semicondutor n
-
+
Semicondutor p
+
-
Semicondutor n
Junes p-n
-
+
Semicondutor p
-
+
Semicondutor n
Junes p-n
p n
p n
-
+
Semicondutor p
-
+
O Diodo Retificador
p p
n n
Circuito Retificador
O Diodo Emissor de Luz (LED: Light-Emitting Diode)
p
p
g g
E
hc
h E
c
f
c
= = =
/
n
Recombinao
Corte de um LED (detalhe)
O Laser Semicondutor
p
g g
E
hc
h E
c
f
c
= = =
/
n
Recombinao
Coerente
Espelho
Espelho semi-
transparente
Transistores de efeito de campo
http://tech-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/cmosdemo.html