Diodo

3
Diodos

e

Transistores Bipolares:

Teoria e Prticas de
Laboratrio

Fabiola Fernandes Andrade
Francisco Jos Alves de Aquino

4

Fabiola Fernandes Andrade
Francisco Jos Alves de Aquino

Diodos e
Transistores Bipolares:
Teoria e Prticas de Laboratrio

IFCE
Fortaleza, 2010

5
Sumrio

CAPTULO 1 SEMICONDUTORES ................................................................................................................... 7
Introduo ............................................................................................................................................................. 7
1.1 Materiais semicondutores ............................................................................................................................... 7
1.1.1 O tomo de silcio .................................................................................................................................... 8
1.1.2 O tomo de germnio .............................................................................................................................. 9
Exerccios ........................................................................................................................................................... 10
1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ............................................................................................................... 11
1.1.4 O diodo .................................................................................................................................................. 12
1.2 Polarizao do diodo .................................................................................................................................... 13
1.2.1 Polarizao direta .................................................................................................................................. 14
1.2.2 Polarizao reversa ................................................................................................................................ 14
Exerccios ........................................................................................................................................................... 15
1.3 Informaes Prticas .................................................................................................................................... 16
Exerccios ........................................................................................................................................................... 18
Experincia no Laboratrio ................................................................................................................................ 19

CAPTULO 2 TEORIA DOS DIODOS .............................................................................................................. 21
Introduo ........................................................................................................................................................... 21
2.1 Curva caracterstica do diodo ....................................................................................................................... 21
2.2 Polarizao Direta ........................................................................................................................................ 22
2.3 Polarizao Reversa ................................................................................................................................. 22
2.4 Modelos Do Diodo ....................................................................................................................................... 22
2.4.1 Diodo Ideal ............................................................................................................................................ 22
2.4.3 Modelo linearizado ................................................................................................................................ 24
Exerccios ........................................................................................................................................................... 24

CAPTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS ...................................................................................................... 29
Introduo ........................................................................................................................................................... 29
3.1 Tenso Senoidal............................................................................................................................................ 29
3.2 Transformador .............................................................................................................................................. 30
3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda .............................................................................................................. 31
3.4 Circuito Retificador de Onda Completa ....................................................................................................... 35
3.5 Retificador Em Ponte ................................................................................................................................... 40
3.6 Comparao Entre As Frequncias Dos Circuitos Retificadores.................................................................. 43
Exerccios ........................................................................................................................................................... 44
Capacitor varivel ............................................................................................................................................... 49

CAPTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ........................................................................ 50
Introduo ........................................................................................................................................................... 50
4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo .......................................................................... 50
4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivao Central e Filtro Capacitivo ................................... 53
4.3 Retificador em Ponte com Filtro................................................................................................................... 56
Exerccios ........................................................................................................................................................... 59

CAPTULO 5 OUTRAS APLICAES PARA O DIODO ............................................................................... 66
Introduo ........................................................................................................................................................... 66
5.1 Rdio elementar ............................................................................................................................................ 66
5.2 Diodo nos circuitos de proteo ................................................................................................................... 66
5.3 Circuito Tanque ............................................................................................................................................ 67
5.3.1 Propriedades do indutor ............................................................................................................................. 67
6
5.4 Circuito ressonante ....................................................................................................................................... 68
5.5 Circuito tanque na gerao de sinais de rdio............................................................................................... 70
Exerccios ........................................................................................................................................................... 71

CAPTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES .................................... 74
Introduo ........................................................................................................................................................... 74
6.1 Circuitos Limitadores ................................................................................................................................... 74
6.2 Circuitos Grampeadores ............................................................................................................................... 80
Exerccios ........................................................................................................................................................... 84

CAPTULO 7 DIODOS ESPECIAIS .................................................................................................................. 88
Introduo ........................................................................................................................................................... 88
7.1 Diodo Zener .................................................................................................................................................. 88
7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ...................................................................................................................... 92
7.3 Diodo Tnel .................................................................................................................................................. 94
7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC)............................................................................................................... 96
Reviso ............................................................................................................................................................... 97
Experincia no Laboratrio .............................................................................................................................. 100

CAPTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR .......................................................................................................... 105
Introduo ......................................................................................................................................................... 105
8.1 Constituio de um transistor bipolar ......................................................................................................... 105
8.2 Polarizao do Transistor ........................................................................................................................... 106
8.3 Configuraes Bsicas do Transistor .......................................................................................................... 109
8.3.1 Configurao Emissor comum ............................................................................................................ 109
8.3.2 Configurao Base comum .................................................................................................................. 112
8.4 Transistor como Chave ............................................................................................................................... 125
8.5 Transistor como Fonte de Corrente ............................................................................................................ 126
Exerccios ......................................................................................................................................................... 131
Experincia no Laboratrio .............................................................................................................................. 138
Alarme para porta com transistor ..................................................................................................................... 140
Alarme de passagem ......................................................................................................................................... 141

CAPTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRNICOS.......................................................................... 143
Introduo ......................................................................................................................................................... 143
9.1 Transistor de Unijuno (TUJ) ................................................................................................................... 143
9.1.1 Funcionamento .................................................................................................................................... 143
9.1.2 Aplicao tpica: oscilador de relaxao ............................................................................................. 144
9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS .......................................................................................................... 145
9.2.1 Funcionamento .................................................................................................................................... 145
9.3 Diodo controlado de silcio (SCR) ............................................................................................................. 147
9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ..................................................................................................... 147
9.3.2 Aplicaes em CC tpicas para o SCR ................................................................................................ 148
9.4 Diac ............................................................................................................................................................ 149
9.5 Triac ........................................................................................................................................................... 150
9.4.2 Aplicaes tpicas para o TRIAC ........................................................................................................ 151
Exerccios ......................................................................................................................................................... 154

BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ...................................................................................................................... 155

7
CAPTULO 1 SEMICONDUTORES

Introduo

Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua
importncia e exemplos de aplicaes dos componentes que ser abordado neste livro.
O homem contemporneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrnicos, tais
como celular, computador, televiso e vrios outros dispositivos. Todos estes equipamentos,
no qual o homem faz uso constituda a base de materiais semicondutores.
Como ocorreu a descoberta destes materiais?
Na dcada de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratrio Bell
Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrnico para substituir os rels que
eram utilizados no sistema telefnico. O grupo era formado pelo fsico William Schockey, o
engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o fsico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns
materiais no se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora
conduzia corrente eltrica ora a bloqueava. Aps a descoberta dos materiais semicondutores,
foi possvel a implementao de diodos, transistores, CIs, etc.
Os pases que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avano em
sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indstria.
Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da dcada de 1970 era uma
economia agrcola, produzia arroz, cana-deacar e abacaxi. A partir da dcada de 1970
investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratgica para o
desenvolvimento de uma poltica industrial e tecnolgica foi baseada na experincia de
parques tecnolgicos (vale do silcio).
Na dcada de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e tambm investiu em
semicondutores com o objetivo de tornar a China o lder mundial em semicondutores em
2010.
Compreender a estrutura qumica dos materiais semicondutores de total importncia
para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrnica como
o diodo e o transistor que ser abordado com detalhes neste livro.

1.1 Materiais semicondutores

Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo
uma reviso sobre a estrutura atmica.
Um tomo formado por eltrons que giram ao redor de um ncleo composto por
prtons e nutrons.
Manter a liderana dos EUA em micoreletrnica
criticamente importante para a economia e a
segurana nacional dos EUA
Chinas Emerging Semiconductor Industry, Documento da
Semiconductor Industry Association, outubro de 2003.
8
Os eltrons giram em rbitas ou nveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O,
P e Q, que representa o modelo atmico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.

Figura 1.1 - Estrutura do tomo

A ltima rbita de um tomo define a sua valncia, ou seja, a quantidade de eltrons
desta rbita que pode se libertar do tomo atravs do bombardeio de energia externa (calor, luz
ou outro tipo de radiao) ou se ligar a outro tomo atravs de ligaes covalentes
(compartilhamento dos eltrons da camada de valncia com os eltrons da camada de valncia
de outro tomo).
Os materiais semicondutores apresentam 4 eltrons na sua camada de valncia
(tetravalentes). No sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores.
Os semicondutores mais utilizados so o silcio e o germnio.

1.1.1 O tomo de silcio

O tomo de silcio contm 14 prtons e 14 eltrons distribudos como indicado na
Figura 1.2.

Figura 1.2 tomo de silcio
ncleo
K
L
M
N
O
P
Q
rbitas
Quanto maior a
energia do eltron,
maior o seu raio.
1 rbita 2 eltrons
2 rbita 8 eltrons
3 rbita 4 eltrons
+14
9
1.1.2 O tomo de germnio

O tomo de germnio contm 32 prtons e 32 eltrons assim distribudos:

Figura1.3- tomo de gemnio

Devido os tomos de silcio e de germnio serem tetravalentes, ou seja, possuir quatro
eltrons na ltima camada, para conseguir a configurao de gs nobre necessitam de mais 4
eltrons para a sua estabilidade.
Quando se tem vrios tomos de silcio, cada tomo compartilha 4 eltrons com seus
tomos vizinhos atravs da ligao covalente formando uma estrutura molecular forte.

Figura 1.4 - Ligao dos tomos de silcio

+32
1 rbita 2 eltrons
2 rbita 8 eltrons
3 rbita 18 eltrons
4 rbita 4 eltrons
Forma-se ento uma
estrutura cristalina.

10
Uma estrutura cristalina caracterizada quando os tomos ficam bem organizados, ou
seja, em uma forma bem definida. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura
amorfa.
Quando o cristal de silcio colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (-
273 C), alguns eltrons da camada de valncia se tornam eltrons livres, ou seja, passam para
a camada de conduo (banda de conduo), sendo capazes de se movimentar pelo material.
So estes eltrons livres que, sob a ao de um campo eltrico, formam a corrente eltrica.
O eltron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna).
Na temperatura ambiente um cristal puro, ou seja, formado apenas por um tipo de
tomo, ocorre a formao de eltrons livres e lacunas, porm a quantidade de eltrons livres
igual ao nmero de lacunas, por isso, a neutralidade deste cristal se mantm. (O nmero de
cargas positivas igual ao nmero de cargas negativas).
Em um cristal formado por germnio na temperatura ambiente a quantidade de eltrons
livres e lacunas so maiores do que no cristal de silcio.
Vale ressaltar que a formao de eltrons livres chamada de GERAO, e quando se
tem um cristal puro, ele chamado de semicondutor INTRNSECO.
Em um semicondutor intrnseco, como existem eltrons livres e lacunas formadas pela
energia trmica, os eltrons livres se movem randomicamente atravs do cristal, que
ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atrado pela lacuna). Quando isto ocorre temos o que
chamado de RECOMBINAO. A recombinao o fenmeno que ocorre quando eltrons
livres ocupam a lacuna, neste caso, o desaparecimento da carga negativa acompanhado pelo
desaparecimento da carga positiva. A neutralidade do cristal, deste modo mantida.
O tempo entre a gerao e a recombinao chamado de TEMPO DE VIDA.
Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuio de sua
resistividade, dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura, ou
seja, qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuio de sua resistncia.
Sendo, portanto, diferente do comportamento eltrico dos metais comuns, uma vez que com o
aumento da temperatura a corrente ter maior dificuldade de passar, j que o nmero de
eltrons livres bastante elevado e qualquer aumento da temperatura no causar a libertao
de muitos eltrons a mais, mas contribuir de modo acentuado para um aumento da agitao
trmica dos tomos.
Nos metais com o aumento da temperatura a resistncia aumenta. Os metais tm,
portanto, coeficiente positivo de temperatura.

Exerccios

1. Complete

a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns so o ______________ e o
_____________.
b) O tomo de slicio contm ______________eltrons. Com _______eltrons na camada de
valncia.
c) O tomo de germnio contm_____________eltrons. Com________eltrons na camada
de valncia.
11
d) Os tomos de silcio e de germnio por serem _____________, necessitam de
mais________ eltrons para conseguir a configurao de gs nobre.
e) Cada tomo compartilha ______eltrons com seus tomos vizinhos atravs da ligao
___________________.
f) Na temperatura ambiente, alguns eltrons da camada de valncia se tornam
____________________________.
g) A formao de eltrons livres chamada ________________________.
h) A ocupao de um eltron livre na lacuna chamada __________________________.
i) O tempo entre a gerao e recombinao chamado ______________________.

1.1.3 Semicondutores do tipo P e N

Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de
eltrons livres ou excesso de lacunas.
O silcio e o germnio so tetravalentes, isto possuem 4 eltrons na camada de
valncia.
Quanto substncias pentavalentes (possuem 5 eltrons na camada de valncia), so
adicionadas ao cristal puro, a configurao de gs nobre no obtida, como se observa na
Figura 1.5.

Figura 1.5 Estrutura de silcio dopada com antimnio (Sb).

A cada tomo pentavalente que adicionado, sobra um eltron, pois apenas 4 eltrons
se ligam aos tomo de silcio, pois o silcio possui 4 eltrons e s necessita de mais 4 eltrons
para conseguir a configurao de gs nobre.
Sb
Si
Si
Si
Si
Eltron
livre
12
Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N, pois em toda a sua estrutura, a
quantidade de eltrons livres superior quantidade de lacunas, como indica a Figura 1.6.

Figura 1.6 Material tipo N.

Como a quantidade de eltrons livres maior do que a quantidade de lacunas, os
eltrons livres so chamados portadores majoritrios e as lacunas portadores minoritrios.
Se, no entanto, acrescentarmos impurezas trivalentes, para que ocorra a estabilidade,
ir faltar um eltron, ou seja, sobra uma lacuna, como mostra a Figura 1.7. Temos a formao
de um material tipo P, onde as lacunas so os portadores majoritrios e os eltrons livres
portadores minoritrios.

Figura 1.7 (a) Estrutura de silcio dopada com boro (B), (b) material tipo P correspondente.

1.1.4 O diodo

Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N, temos a formao do
componente eletrnico chamado diodo, como mostra a Figura 1.8. Componente este que ser
de grande importncia para a construo de fontes de alimentao e muitas outras aplicaes
posteriormente discutidas.
B
Si
Si
Si
Si

Lacuna
P
N
13

Figura 1.8 Diodo formado pela juno dos materiais tipo N e tipo P.

Na juno PN os eltrons livres do material tipo N atrado pelas lacunas do material
tipo P. Ento alguns eltrons passa do material tipo N para o material tipo P, os tomo que
perde o eltron fica ionizado positivamente (ctions) e os que recebem ficam ionizado
negativamente (nions). Na juno cria-se um campo eltrico impedindo que outros eltrons
passem do material tipo N para o material tipo P.
Observe que no material tipo N, embora tenham eltrons livres em excesso quem perde
eltrons so os tomos, e como no tomo o nmero de lacunas ficar maior que o nmero de
eltrons, ficar ionizado positivamente.
Na juno PN, temos o que chamado de camada de depleo, ou seja, a camada de
depleo definida como a juno PN onde se encontra os ctions e nions. Devido camada
de depleo, ocorre a barreira de potencial, diferena de potencial na juno.
A barreira de potencial na temperatura de 25C de aproximadamente 0,7V para os
diodos de silcio e 0,3V para os diodos de germnio.
Simbologia do diodo mostrada na Figura 1.9.

Figura 1.9 Smbolo do diodo de juno PN.

1.2 Polarizao do diodo

Para o seu funcionamento, o diodo precisa ser polarizado. Diferentemente do que
ocorre com um resistor, na operao do diodo essencial saber a polaridade da fonte de
tenso.

_
_
_
+
+
+
Juno
PN
anodo
catodo
Anodo- material tipo P
Catodo material tipo N
14
1.2.1 Polarizao direta

Na polarizao direta, o potencial positivo da fonte ligado ao anodo (material tipo P)
e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N), como mostra a Figura 1.10.
O potencial negativo repele os eltrons do material tipo N, onde se a tenso da fonte de
alimentao for maior do que a barreira de potencial os eltrons atravessam a juno PN, passa
pelo material tipo P e atrado pelo potencial positivo da fonte.
Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada,
isto , ir circular uma corrente eltrica pelo dispositivo.

Figura 1.10 Diodo polarizado diretamente.

1.2.2 Polarizao reversa

Na polarizao reversa o potencial positivo da fonte ligado ao catodo (material tipo
N) e o potencial negativo da fonte ligado ao anodo (material tipo P), como mostra a Figura
1.11.
Na polarizao reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta. No
entanto, na prtica, temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. A corrente de
saturao e a corrente de fuga de superfcie.
A corrente de saturao existe devido energia trmica uma vez que so gerados pares
de eltrons livres e lacunas. Os portadores minoritrios podem dentro da camada depleo,
atravessar a juno ocasionando uma pequena corrente.
A corrente de fuga de superfcie ocorre na camada mais externa do diodo. Os tomos
na superfcie no possuem vizinhos para fazer a ligao covalente, esta quebra forma na
superfcie lacunas se comportando como um material tipo P. Por isso, os eltrons podem entrar
no material N atravessar toda a superfcie do diodo passado pelo material tipo P indo para a
polaridade positiva da fonte.

_
_
_
+
+
+
N P
15

Figura 1.11 Diodo polarizado inversamente.

Exerccios

1. Dado os circuitos, indique qual das lmpadas ir acender.

a)

b)

_
_
_
+
+
+
N P

16
1.3 Informaes Prticas

- Diodo de germnio

Este tipo de diodo utilizado com correntes muito fracas, mas pode operar em velocidades
muito altas, assim ele utilizado principalmente na deteco de sinais de altas frequncias
(rdio). Tipos conhecidos desta famlia so o 1N34, 1N60, OA79 etc.
Estes diodos so especificados segundo uma codificao: para os diodos de origem
americana temos a sigla 1N, enquanto que para os diodos de origem europia temos a sigla
AO ou ainda BA.

- Diodo de silcio de uso geral

So diodos de silcio fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade, da
ordem de no mximo 200mA e tenses inversas que no vo alm dos 100 V. So utilizados
em circuitos lgicos, circuitos de proteo de transistores, polarizao etc. O 1N4148 um dos
tipos mais populares deste grupo de silcio de uso geral.

- Diodos retificadores de silcio

Estes so destinados conduo de correntes intensas e tambm operam com tenses
relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V, quando polarizando
reversamente.
Uma srie muito importante destes diodos a formada pelo 1N4000e que comea com o
1N4001. Todos os diodos da srie podem conduzir uma corrente direta de at 1 A, mas a
tenso reversa vai aumentando medida que o nmero do componente tambm aumenta. A
Tabela 1 indica essa variao. A Figura 1.12 mostra a pgina de um datasheet do fabricante
Fairchild para esta srie de diodos.

Tabela 1. Diodos Retificadores.
Tipo PIV
1N4001 50V
1N4002 100V
1N4003 200V
1N4004 400V
1N4005 600V
1N4006 800V
1N4007 1000V

17

Figura 1.12. Caractersticas eltricas dos diodos da srie 1N4000.

18
Exerccios

1.Complete

a) Quando tomos pentavalentes so adicionados ao cristal puro, temos a formao de um
semicondutor do tipo __________.
b) Quando tomos trivalentes so adicionados ao cristal puro, temos a formao de um
semicondutor do tipo ___________.
c) No material do tipo P as lacunas so portadores________________________.
d) No material do tipo N as lacunas so portadores_______________________.
e) Na juno PN temos a camada de ___________________.
f) Na camada de depleo origina a barreira de _________________________.
g) Se o diodo for de silcio a barreira de potencial de_______________V.
h) Se o diodo dor de germnio a barreira de potencial de___________V.
j) Na polarizao direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________.
k) Na polarizao reversa o diodo ideal se comporta como ________________________.
l) Na polarizao reversa, na prtica temos duas correntes a corrente de
____________________________ e a corrente _________________________.

2.(CHESF 2002) Dispositivos eltricos e eletrnicos so construdos com os mais variados
tipos de materiais eltricos e magnticos. Os diodos e os transistores, sejam os bipolares de
juno ou os de efeito de campo, utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. A
respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrnicos, julgue os itens
subseqentes.

I Ao longo da histria da eletrnica, o germnio e o silcio podem ser citados como
importantes materiais semicondutores.

II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores mveis de carga.

III Cristal semicondutor extrnseco aquele dopado com elementos denominados impurezas.

IV Um transistor bipolar de juno basicamente caracteriza-se por possuir trs junes pn.

V O diodo semicondutor apresenta uma juno pn.

Esto certos apenas os itens

A I, II e IV. C I, III e V. E III, IV e V.
B I, II e V. D II, III e IV.

2. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1, D2 e D3 do circuito abaixo so
ideais, possvel afirmar que:

19
a. D1, D2 e D3 esto cortados;
b. D1, D2 e D3 esto conduzindo;
c. D1 e D2 esto conduzindo e D3 est cortado;
d. D1 est cortado e D2 e D3 esto conduzindo;
e. D1 est conduzindo e D2 e D3 esto cortados.

Experincia no Laboratrio

Experincia 1 Compreendendo a polarizao em um diodo

Neste circuito, devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o
auxlio de um multmetro digital. Posteriormente, deve-se montar um circuito simples para
compreender a polarizao em um diodo.

Material necessrio:

- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);
- 1 led;
- 1 resistor de 470; w
- 1 Fonte de alimentao de 6V;
- 1 multmetro digital.

Procedimento 1: Identificao dos terminais anodo e catodo

1. Coloque a chave seletora do multmetro na indicao do diodo.
2. Segure uma ponta de prova do multmetro em perna do diodo.
3. Observe que:
Se o valor que aparecer no display for de 600mV, significa que voc est polarizando
diodo diretamente, logo, onde est ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de
prova preta ao catodo.
Se o valor que aparece no display se refere o infinito, significa que voc est polarizando
diodo reversamente, logo, onde est ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta
de prova preta ao anodo.

Procedimento 2: Compreendendo a polarizao direta e reversa em um diodo

1. Monte o circuito da figura 1.12

20

Figura 1.12 Polarizao reversa

2. Inverta o diodo, veja a figura 1.13.

Figura 1.13 Polarizao direta

21

CAPTULO 2 TEORIA DOS DIODOS

Introduo

A tenso que chega a nossas residncias uma tenso alternada de 220V (regio
nordeste do Brasil). No entanto, a maioria dos equipamentos eletrnicos necessita de uma
tenso contnua para funcionar. O que fazer?
A tenso para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte
de alimentao. Esta fonte transforma o sinal que alternado em uma tenso contnua, como
mostra a Figura 2.1.

Figura 2.1 Fonte de alimentao DC

Uma das principais aplicaes do diodo, no qual, iremos estudar servir para a
montagem de uma fonte de alimentao.

2.1 Curva caracterstica do diodo

A curva caracterstica do diodo um grfico(figura 2.2), no qual, relaciona a tenso
que aplicada com a corrente que circula pelo diodo.

Figura 2.2 Curva caracterstica do diodo
V
I
Joelho (0,7V) para diodo de silcio
ruptura
Polarizao
direta
Polarizao
reversa
22
2.2 Polarizao Direta

Na polarizao direta, ser aplicada uma fonte de tenso contnua no diodo, no qual, o
plo positivo da fonte ser ligado ao anodo do diodo e o plo negativo da fonte ao catodo,
como mostra a figura 2.3.

Figura 2.3 Polarizao direta

Observe no grfico(figura 2.2), do lado direito, a polarizao direta. Quando a tenso
for maior do que a barreira de potencial (0,7V para o diodo de silcio), a corrente circula
livremente.

2.3 Polarizao Reversa

Na polarizao reversa, ser aplicada uma fonte de tenso contnua no diodo, no qual, o
plo positivo da fonte ser ligado ao catodo do diodo e o plo negativo da fonte ao anodo
como mostra a figura 2.4.

Figura 2.4 Polarizao reversa

Na polarizao reversa, o diodo funciona basicamente como uma chave aberta,
existindo apenas duas pequenas correntes, como j foi visto no captulo1, a corrente de
saturao e a corrente de fuga da superfcie. Se continuarmos aumentando a tenso da fonte,
ir chegar um instante em que o diodo no suporta e termina queimando (ruptura) ento a
corrente passa a circular livremente. Esta tenso mxima em que o diodo suporta
denominada tenso de pico inversa (PIV).

2.4 Modelos Do Diodo

2.4.1 Diodo Ideal

Um diodo ideal, na polarizao direta, a barreira de potencial e a resistncia de corpo
no so considerados. Na polarizao reversa, a corrente de fuga de superfcie e a corrente de
saturao so desprezados.
23
Na polarizao direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na
polarizao reversa como uma chave aberta, como mostra a figura 2.5b e 2.6b.

POLARIZAO DIRETA

Na figura 2.5(a), temos o circuito em que o diodo est polarizado diretamente, na
figura 2.5(b), o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente.

Figura 2.5(a) Polarizao direta, (b)Circuito equivalente do diodo na polarizao direta

POLARIZAO REVERSA

Figura 2.6(a) Polarizao reversa, (b)Circuito equivalente do diodo na polarizao reversa

2.4.2 Modelo Simplificado

Considera-se a barreira de potencial. Para o silcio a barreira de potencial de 0,7V e para
o germnio a barreira de potencial de 0,3V.

POLARIZAO DIRETA

Na figura 2.7(a), temos o circuito em que o diodo est polarizado diretamente e a figura
2.7(b), o circuito equivalente para a polarizao direta, no qual foi considerado a barreira
de potencial de 0,7V para o diodo de silcio.

24

Figura 2.7(a) Polarizao direta (b) Circuito polarizao direta para o segundo modelo do
diodo

POLARIZAO REVERSA

Na figura 2.8(a), temos o circuito em que o diodo est polarizado reversamente e a figura
2.8(b), o circuito equivalente para a polarizao reversa.

Figura 2.8(a) Polarizao reversa (b) Circuito polarizao reversa para o segundo modelo do
diodo

2.4.3 Modelo linearizado

Considera-se a barreira de potencial e a resistncia de corpo. Como a resistncia de corpo
so valores muito baixos, podendo variar de 0,1 a 10 dependendo da dopagem. No iremos
usar este modelo neste livro.

Exerccios

1. Considere o segundo modelo para o diodo, calcule a corrente que passa no
ampermetro (Figura 2.9).

2.
3.
4.

Figura 2.9

0.7V
3,9K
5,6K
5V
25
2. Considerando o segundo modelo para o diodo, calcule a tenso que o voltmetro deve
indicar (Figura 2.10).

Figura 2.10

3.Considere o diodo ideal, calcule a tenso no resistor de 1k (Figura 2.11).

Figura 2.11


Experincia 1- A curva do Diodo

Nesta experincia, vamos montar o circuito bsico com o diodo e polarizar diretamente
e reversamente para que possamos medir a tenso e a corrente e, consequentemente desenhar a
curva caracterstica do diodo.

Material necessrio:

- 1 Fonte de alimentao cc varivel de 0 a 10V;
- 1 resistor de 10K, 0,25W;
- 1 multmetro (analgico ou digital);

26
Procedimento:

1- Monte o circuito abaixo (Figura 2.12):

Figura 2.12

2- Preencha a tabela abaixo:

VF A V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

27
Monte o circuito abaixo:

Figura 2.13

4- Preencha a tabela abaixo:

VF A V
1
2
3
4
5

DIVERTINDO-SE COM A ELETRNICA

Sequncia de Leds

Neste circuito, voc ir observar atravs de leds a influncia da barreira de potencial em cada
diodo.

Matrial necessrio:

-1 bateria de 12 V;
- 1 capacitor de 2200F, 16V;
- 1 resistor de 1,2K; 1/4W;
- 4 leds;
- 4 diodo 1N4001.

O circuito apresentado na Figura 2.14.

28

Figura 2.14

Neste circuito, quando a chave estiver na posio 1 o capacitor deve carregar
instantaneamente. Ao colocar a chave na posio 2 os quatros leds devem acender, a medida
que o capacitor ir de descarregar os led iro apagar na sequncia 4,3,2 e 1.

29

CAPTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS

Introduo

Neste captulo, vamos estudar os circuitos retificadores que serviro para a montagem
de uma fonte de alimentao.

3.1 Tenso Senoidal

Uma tenso senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domnios
temporal e angular como mostram as Figuras 3.1 e 3.2, respectivamente.

Figura 3.1 Domnio temporal

Figura 3.2 Domnio Angular

Onde:
Vp tenso de pico (amplitude mxima positiva ou negativa, que a tenso senoidal
pode atingir).
Vpp Tenso de pico a pico (amplitude total, entre os valores mximos positivo e
negativo).

2
Wt = (rd)
Vp
-Vp
T/2
T
T(s)
Vp
-Vp
30
Matematicamente, os grficos da tenso senoidal nos domnios temporal e angular
podem ser representados, respectivamente, por:

V(T) = Vpsen wt e V() = Vp sent

Onde:

V(t) = V() = valor da tenso no instante t ou para o ngulo (em V)

3.2 Transformador

O transformador um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tenso
alternada, aumentando ou diminuindo-a. Pode-se tambm utilizar para isolar o circuito do lado
do primrio, do circuito do lado do secundrio, neste caso, a amplitude no ser alterada.
Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente, montadas em um mesmo ncleo
de ferro (usado para concentrar as linhas de campo).

Figura 3.3 transformador

Na figura 3.3, observamos que a bobina no qual recebe a tenso a ser transformada
(Vp) denomina-se primrio, e segunda bobina, no qual foi criado a tenso induzida (Vs)
denomina-se secundrio.

Funcionamento.

Ele funciona a partir do fenmeno da induo mtua. Quando uma corrente alternada
ou pulsante passa no enrolamento primrio o fluxo magntico varivel que ele cria envolve as
espiras do enrolamento secundrio, causando o aparecimento de uma f.e.m induzida nos
terminais do secundrio.

Em um transformador ideal (que no possui perdas), a potncia entregue ao
primrio(Pp) igual potncia que o secundrio (Ps) entrega carga, ou seja:
Vs Vp
Voc sabe o que flybacks?

Os flybacks so
transformadores de alta
tenso presentes nos
televisores comuns de todos
os tipos e tambm nos
monitores de vdeo de
computadores.
31

Ps = Pp

Pp = Vp.Ip

Logo:

Vp.Ip = Vs.Is

Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns

Valor eficaz

Para sinais senoidais, existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou
rms.
O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tenso alternada a tenso que equivale a uma
tenso contnua, de tal forma que, ao aplicar uma tenso contnua a uma resistncia faria com
que ela dissipasse a mesma potncia mdia caso fosse aplicado essa tenso alternada.

Vp =

3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda

O circuito retificador de meia-onda constitudo por um transformador, um diodo e a
carga, como mostra a Figura 3.4.

Figura 3.4 Circuito retificador de mei-onda

Funcionamento

No semiciclo positivo, o diodo conduz (polarizao direta) e a tenso no resistor a
mesma do secundrio do transformador. Observe as Figuras 3.5(a) e3.5(b).
2 Veficaz
32

Figura 3.5 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor no semiciclo
positivo.

No semiciclo negativo o diodo estar reversamente polarizado, portanto funcionando
como uma chave aberta, logo a corrente no passar no resistor e a tenso na carga ser zero,
como mostra as Figura 3.6(a) e 3.6(b).

Figura 3.6 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor.

Observe que a onda na qual era alternada no secundrio do transformar ao passar pelo
diodo fica contnua, mais precisamente contnua pulsante.
A finalidade deste circuito transformar a tenso que era alternada(primrio do
transformador) em contnua( sinal na carga).
Qual valor o multmetro indicar ao ler a tenso no resistor, j que a tenso pulsante.?
O multmetro indicar o valor mdio, calculado da seguinte forma:

( )
=
T
med
dt t f
T
V
0
1

33
onde f(t) = V
p
sen no intervalo de 0 a e o perodo de 2

Logo:
2
0
2
1
Vpsenwtdt Vdc

Wt =

dt
d
dt
dwt
= logo:
w
d
dt

=

0
2
1
d Vpsen
w
Vdc

T
w
2
= , e T = 2, logo w = 1

I
Vp
Vdc

0
cos
2
=

[ [ ] ] = 0 cos cos
2

Vp
Vdc

Vdc =
Vp

Exemplo:

1) Em um circuito retificador de meia-onda, a tenso no secundrio do transformador 12V.
Calcule a tenso no resistor.

Soluo:

Vst refere-se a tenso no secundrio do transformador

Vp = Vst

Vp = . 12 = 16,97V

Vdc = Vp Vdc = 16,97 Vdc = 5,4V

2
2

34

ESPECIFICAES DO DIODO

Qual diodo poder ser colocado neste circuito?

O diodo dever suportar a tenso mxima que ficar nele quando reversamente
polarizado e a corrente mdia quando diretamente polarizado.

Logo temos duas especificaes:

PIV Tenso de pico inversa
Io Quantidade de corrente que o diodo deve suportar

PIV O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo), funcionar como uma
chave aberta, com mostra a Figura 3.7.

Figura 3.7 Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo

PIV = Vpst (Tenso de pico do secundrio do transformador)

Determinao do Io

Io - a corrente mdia, quando o diodo est diretamente polarizado, logo a corrente que passa
por ele igual a corrente que passa no resistor.
No semiciclo positivo o diodo conduz. Tem corrente passando no diodo e tem corrente
no resistor.
No semiciclo negativo o diodo no conduz. No tem corrente passando no diodo e
tambm no tem corrente no resistor.
Toda a tenso do secundrio do
transformador deve estar no
diodo.
35

Logo:

Io = Idc

A quantidade de corrente que passa no diodo igual a quantidade de corrente que
passa no resistor. Logo: Idc = Vdc/R

Exemplo:

1)Em um circuito retificador de meia-onda a tenso no secundrio do transformador 9V.
Calcule as especificaes do diodo. Dado: R= 3.9K

Soluo:

Vp = Vst

Vp = . 9 = 12,72V

Vdc = Vp Vdc = 12,72 Vdc = 4,05V

PIV = 12,72V

Io = Idc = Vdc Io = 4,05 = 1,03mA

3.4 Circuito Retificador de Onda Completa

No circuito retificador de onda completa com derivao central(Figura3.8), deve-se
utilizar um transformador com derivao central, dois diodos e a carga.

Figura 3.8 Circuito retificador de onda-completa com derivao central

2
2

R 3,9K

Rl
36
Na montagem do circuito, utiliza-se de um transformador com derivao central,
conhecido tambm como tomada central ou, em ingls central tap( Figura 3.9).
Nestes transformadores, o enrolamento secundrio apresenta uma derivao no centro.
Esta derivao far com que a tenso fique dividida igualmente da metade para uma das
estremidades.

Ex:

Figura 3.9 Transformador com derivao central

Funcionamento do circuito

No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre, como mostram as Figura 3.8(a) e 3.8(b).

Figura 3.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivao central, (b) Forma de onda no
resistor no semiciclo positivo.

A tenso no resistor ser a metade da tenso total do transformador.

No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz, como mostra as Figuras 3.11(a) e 3.11(b).

9V
9V
18V

+
-
Vst
+
Vdc
T
T
37

Figura 3.11(a) Circuito retificador de onda completa com derivao central, (b) Forma de onda no
resistor no semiciclo negativo

Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqncia em relao a
tenso no secundrio do transformador o dobro pois o perodo a metade.

A tenso Vdc ser:

( )
=
T
dc
dt t f
T
V
0
1

onde:

f(t) = Vp sen para o intervalo de 0 a e Vp sen para o intervalo de a 2

Devemos integrar o sinal at 2, logo W = 2 f = 1

+ =

0
2
2
1
Vpsen Vpsen Vdc

[ ] 2 2
2
+ =
Vp
Vdc logo:
Vp
Vdc 2 =

+

-
Vst
+
Vdc
T
-
T
38

OBS: Como apenas a metade da tenso no secundrio ir para o resistor temos que:

Vp =

Exemplo;

1) Em um circuito retificador de onda completa com derivao central a tenso no secundrio
do transformador 16V. Calcule a tenso no resistor de 5,6K.

Soluo:

Vp = =

Vp = 11,31V

Vdc = 2.(11,31)/ = 7,2V


PIV Quando D1 est aberto D2 est conduzindo e a tenso que fica em D1 a tenso total
do secundrio do transformador.

Figura 3.12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivao central no
semiciclo positivo

2 . Vst
2
2 . Vst
2 2
2 . 16

+
-
39

PIV = Vpst

Io No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor, no semiciclo negativo D1
estar aberto mais D2 conduz e existir corrente no resistor logo: A quantidade de corrente
que passa no diodo a metade da quantidade de corrente que passa do resistor.

Io = Idc

Exemplo:

1) Em um circuito retificador de onda completa com derivao central , a tenso no
secundrio do transformador 12V . Calcule as especificaes do diodo para um resistor de
2,7 K.

Soluo:

Vp = =

Vp = 8,48V

Vdc = 2.(8,48)/ = 5,4V

PIV = . 12 = 16,97V

Io = Idc Idc = 5,4/2,7K = 2mA

Io = 2m/2 = 1mA

2
2 . Vst
2 2
2 . 12
2
2
40
3.5 Retificador Em Ponte

No circuito retificador em ponte (Figura 3.13), ser utilizado quatro diodos para
aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. Outrosim, toda a tenso do
secundrio do transformador chegue na carga.

Figura 3.13 Circuito retificador em ponte

Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionaro como uma
chave aberta, como mostram as Figuras 3.14(a) e 3.14(b).

Figura 3.14 (a)Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo positivo

Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem, D2 e D3 funcionaro como uma
chave aberta, como mostram as Figura 3.15(a) e 3.15(b).

Rl
D2
D4
D1
D3

41

Figura 3.15 (a) Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo negativo

Como a forma de onda igual a do circuito retificador de onda completa com
derivao central, o clculo da tenso Vdc igual.

Vdc = 2Vp

A vantagem do circuito retificador em ponte em relao ao circuito retificador de onda
completa com derivao central que no necessita de um transformador com derivao
central e a tenso total do transformador aproveitada.

Exemplo:

1) Em um circuito retificador em ponte a tenso no secundrio do transformador de 12V.
Calcule a tenso na carga.

Soluo:

Vdc = 2VP/

Vp = . 12 = 16,97V

Vdc = 2.16,97/ = 10,8V

2
42


So duas as especificaes do diodo: Tenso mxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo est inversamente polarizado, denominado PIV(Tenso de pico inversa) e o valor
mdio a corrente no diodo quando o mesmo est diretamente polarizado, denominado Io.

PIV- No semiciclo positivo D1 est funcionando como uma chave aberta e D3 est
conduzindo, observe na Figura 3.12, que a tenso em D1 igual a tenso total do secundrio
do transformador.

PIV = Vpst

Io Durante o semiciclo positivo a corrente no passa sobre D1, mas tem corrente no resistor.
No semiciclo negativo tem corrente no diodo e tambm tem corrente no resistor, logo:

Io = Idc

Exemplo

1)Em um circuito retificador em ponte, a tenso no secundrio do transformador 9V. Calcule
as especificaes do diodo sabendo que o resistor de 2,7K.

Soluo:

Vdc = 2VP/

Vp = . 9 = 12,72V

Vdc = 2.12,72/ = 8,1V

PIV = 12,72V

Io = Idc/2 Idc = Vdc/R = 8,1/2,7K = 3mA

Io = 3m/2 = 1,5mA

2
2
43
3.6 Comparao Entre As Frequncias Dos Circuitos Retificadores

Para compreender a freqncia do sinal na carga, vamos analisar o perodo entre o
sinal no secundrio do transformador e o sinal na carga.

Na comparao entre o perodo do sinal no secundrio do transformador e o perodo do
sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda, observando a Figura 3.16, verificamos
que o perodo do sinal no secundrio do transformador ter o mesmo perodo do sinal no
resistor em um circuito retificador de meia-onda.

Figura 3.16 Comparao entre o perodo da onda no secundrio do transformador e na carga no circuito
retificador de meia onda.

Na Figura 3.16, verificamos que ao comparar o perodo do sinal da linha com a do
circuito retificador de meia-onda , o perodo permanece o mesmo, ou seja 2. Logo, a
frequncia, a mesma . Se a frequncia da linha for de 60Hz, em um circuito retificador de
meia-onda, a frequncia tambm ser de 60Hz.

Na comparao entre o perodo do sinal no secundrio do transformador e o perodo
do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa, (Figura 3.17) iremos fazer a
seguinte anlise:

+
Vdc
T
-
Vst
FORMA DE ONDA DA LINHA
FORMA DE ONDA NO RESISTOR
PARA O CIRCUITO RETIFICADOR
DE MEIA-ONDA
2
2
44

Figura 3.17 Comparao entre o perodo da onda no secundrio do transformador e na carga no circuito
retificador de onda-completa.

O perodo da linha 2, porm, nos circuitos retificadores de onda completa, no
resistor, o perodo , logo, a frequncia no circuito retificador de onda completa o dobro da
frequncia da linha. Exemplificando, se na linha a frequncia for de 60Hz, em um circuito
retificador de onda completa a freqncia na carga ser de 120Hz.

Exerccios

1. Preencha os espaos em branco.

A . Em um circuito retificador de meia-onda a tenso no resistor ser calculado pela seguinte
equao: Vdc =___________
B . Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________
C . Em um circuito retificador de onda completa com derivao central a tenso no resistor
ser calculado pela seguinte equao: Vdc =__________, onde Vp = _________ da tenso no
secundrio do transformador.
D . Em um circuito retificador de onda completa com derivao central temos: PIV =
___________ e Io = ______________.
E . Em um circuito retificador em ponte a tenso no resistor ser calculado pela seguinte
equao: Vdc = ______________
F . Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________
G . Se a frequencia da linha for de 50Hz, em um circuito retificador de meia-onda a frequncia
ser de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivao central a
frequncia ser de _________e no circuito retificador em ponte a frequncia ser de
___________.

Vst
+
Vdc
T
-
T
FORMA DE ONDA DA LINHA.
FORMA DE ONDA NO CIRCUITO
RETIFICADOR DE ONDA
COMPLETA COM TAP CENTRAL E
RETIFICADOR EM PONTE.
2
2
45
2. Em um circuito retificador de meia-onda a tenso no secundrio do transformador de
18V, sabendo que Rl = 6,8K. Calcule as especificaes do diodo.
3. Em um circuito retificador de onda-completa com derivao central a tenso no secundrio
do transformador de 25V. Sabendo que Rl = 5,6K. Calcule as especificaes do diodo.
4. Em um circuito retificador em ponte a tenso no secundrio do transformador de 16V,
sabendo que Rl = 8,2K. Calcule as especificaes do diodo.

5. Um aluno montou em laboratrio o circuito da Figura 3.18, no qual verificou a forma de
onda no resistor com o osciloscpio, como mostra a figura. Se o aluno utilizasse o multmetro
para medir a tenso no resistor, qual tenso ele iria ler?

Figura 3.18

6. Dado o circuito(Figura 3.19) determine a tenso V1. Dado: Vst = 25V, R1 = 10k, R2 =
15k e R3 = 22K.

Figura 3.19

7. Dado o circuito (Figura 3.20), determine a tenso V1 e as especificaes do diodo. Dado:
Vst = 26V, R1 = 1K, R2 = 3,3K e R3 = 5,7K
46

Figura 3.20

8- Dado o circuito (Figura 3.21), determine a forma de onda no diodo D1.

Figura 3.21

9. Um aluno montou em laboratrio o circuito (Figura 3.22), no qual observou a forma de
onda com o osciloscpio no resistor, como mostra a figura. Determine a tenso que ele ir ler
ao medir a tenso no resistor com o multmetro.

Figura 3.22

V1
47

Experincia 2 Circuito retificador de meia-onda

Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de meia-onda, para observar o
sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc.

Material necessrio:

- 1 transformador, 110V/220V 9V, 500mA
- 1 Osciloscpio.

Procedimento:

1- Monte o circuito da Figura 3.23:

Figura 3.23

2- Com o uso do osciloscpio, observe a forma de onda no resistor.
3- Utilize as expresses matemticas e calcule a tenso Vdc.
4- Com o multmetro mea a tenso no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.
5- Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor.

Experincia 3 Circuito retificador de onda completa com derivao central

Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivao
central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc.

Material necessrio:

48
- 1 transformador com derivao central, 110V/220V 12V+12V, 500mA
- 2 diodos 1N4001 (ou equivalente);
- 1 Osciloscpio.

Procedimento:

1.Monte o circuito da Figura 3.24:

Figura 3.24

2. Com o uso do osciloscpio, observe a forma de onda no resistor.
3. Utilize as expresses matemticas e calcule a tenso Vdc.
4. Com o multmetro mea a tenso no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.
5. Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.

Experincia 4 Circuito retificador em Ponte


Material necessrio:

- 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA
- 1 Osciloscpio.

Rl
49
Procedimento:

1.Monte o circuito da Figura 3.25:

Figura 3.25

2.Com o uso do osciloscpio, observe a forma de onda no resistor.
3.Utilize as expresses matemticas e calcule a tenso Vdc.
4.Com o multmetro mea a tenso no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.
5.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.


Capacitor varivel

Neste circuito ser construdo um capacitor varivel de estado slido, servindo para
substituir capacitores variveis comuns em circuito de sintonia.

Material necessrio:

2 baterias de 12V;
1 resistor de 8,2K 1/4W;
1 resistor de 1M;
1 potencimetro de 1M;
1 diodo varicap ( qualquer um serve);
1 capacitor 10nF

Circuito da Figura 3.26:

Figura 3.26

Rl
D2
D4
D1
D3
50

CAPTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM
FILTRO

Introduo

Nos circuitos retificadores visto at agora, verificamos que a tenso j contnua, no
entanto, o sinal continua pulsando. O prximo passo para construirmos uma fonte de
alimentao aplicar um filtro capacitivo, para que o sinal fique o mais prximo de uma
tenso contnua constante.

4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo

No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo, foi introduzido um capacitor
em paralelo a carga como mostra a Figura 4.1

Figura 4.1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo

No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor comea a carregar at atingir a
tenso de pico no secundrio do transformador.
Quando a tenso do secundrio do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o
diodo abre, pois a tenso no capacitor ser maior do que a tenso no secundrio do
transformador (o diodo estar polarizado reversamente). Ento o capacitor comea a
descarregar pelo resistor, para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C, de
tal forma que = RC, ser maior do que o perodo da onda no secundrio do transformador
(T= 1/60 s).
Durante o semiciclo negativo o diodo est polarizado reversamente e o capacitor
continua descarregando pelo resistor.
Novamente no semiciclo positivo, quando Vst > Vc (tenso no secundrio do
transformador maior do que a tenso no capacitor) , o diodo conduz e o capacitor carrega at
atingir a tenso de pico do secundrio do transformador, como mostra a Figura 4.2.
51

Figura 4.2 Forma de onda no resistor

Vdc = Vp - Vond

Vond = I

Onde:

I = Corrente no resistor, no entanto iremos aproximar a Vp/R
F = frequncia da forma de onda no resistor
C = Capacitncia

Obs: Quanto maior = RC, menor ser a tenso de ondulao, logo maior ser a tenso Vdc e
mais contnua ser a forma de onda no resistor.
Vst
Vdc
T
T
2
FC
De: I = C dV
dt
dV = Vond
52



PIV

A tenso no diodo ter o maior valor, quando em um circuito o capacitor tiver um
valor muito elevado no tendo tempo para descarregar e a tenso no secundrio do
transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4.3.

Figura 4.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo

Ao fechar a malha, a tenso mxima que chegar ao diodo ser:

PIV= 2Vps

Io

A quantidade de corrente que passa no diodo ser a maior possvel quando em um
circuito o valor da resistncia e o valor do capacitor forrem muito baixo, de tal forma que o
capacitor de descarrega quase que totalmente, ficando a forma de onda muito parecida com a
do circuito retificador de meia-onda.

Exemplo:

1)Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V e
Flinha = 60Hz
Io = Idc

53

Figura 4.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo

Soluo:

Vdc = Vp - Vond onde : Vond = I

Para o circuito retificador de meia-onda a frequncia da onda no resistor igual a
frequncia da linha logo:

F= 60Hz

Vp = . 12 = 16,97V

I Vp/R = 16,97/5,6K = 3mA

Vond = 3 = 0,5V

Vdc = 16,97 0,5/2 = 16,7V

PIV = 2(16,97) = 33,94V

Io = Idc = 16,7/5,6K = 2,98mA

4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivao Central e Filtro
Capacitivo

No circuito retificador de onda completa com derivao central e filtro capacitivo, foi
introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.5.

2 FC
2
60.100
54

Figura 4.5 Circuito retificador de onda completa com derivao central e filtro capacitivo

Durante o primeiro semiciclo positivo, D1 conduz e o capacitor comea a carregar at
atingir a tenso no secundrio do transformador.
Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor comea a descarregar pelo resistor.
No semiciclo negativo, quando Vst > Vc , D2 conduz e o capacitor carrega at atingir
Vpst. Quando Vst for menor do que Vpst, D2 abre e o capacitor novamente comea a
descarregar pelo resistor.
No semiciclo positivo quando Vst > Vc, D1 conduz e o capacitor carrega at atingir
Vpst. Novamente quando Vst< Vp, o diodo abre e o capacitor comea a descarregar pelo
resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4.6.


C

Rl
D1
D2

Vst
Vdc
T
T
55
Logo:

Vdc = Vp - Vond

OBS: A frequncia o dobro da frequncia da linha



PIV = Vpst

Io = Idc

Exemplo:

1) Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V
Flinha = 60Hz

Figura 4.7

2

2

100F
5,6K
D1
D2

56
Soluo:

Vp = =

Vp = 8,48V

I = Vp/R = 8,48/5,6K = 1,51mA

Vond = 1,51m = 0,12V

Vdc = 8,48 0,12/2 = 8,41V

PIV = . 12 = 16,97V

Io = Idc/2 Idc = Vdc/R = 8,41/5,6K = 1,5mA

Io = 1,5m/2 = 0,75mA

4.3 Retificador em Ponte com Filtro

No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo, foi introduzido um capacitor em
paralelo a carga como mostra a Figura 4.8.

Figura 4.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo
120.100
2

Rl
D2
D4
D1
D3
C
2 . Vst
2 2
2 . 12
57

No incio do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem, logo o capacitor comea
a carregar at atingir a tenso de pico do secundrio do transformador. Quando Vst<Vpst, D2
e D3 abrem e o capacitor comea a descarregar pelo resistor.
No semiciclo negativo, quando Vst > Vc, D1 e D4 conduzem e o capacitor comea a
carregar at atingir Vpst.
Novamente, quando Vst < Vp, D1 e D4 abrem e o capacitor comea a descarregar pelo
resistor.
No semiciclo positivo, quando Vst> Vc, D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega at
atingir Vpst, quando Vst<Vp =Vc, D2 e D3 abrem e o capacitor comea a descarregar pelo
resistor e assim sucessivamente. como mostra a Figura 4.9.


Logo:

Vdc = Vp - Vond

OBS: A frequncia o dobro da frequncia da linha

Vst
Vdc
T
T
2
58


PIV = Vpst

Io = Idc

Exemplo:

1)Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V
Flinha = 60Hz

Figura 4.10

Soluo:

Vp = =

Vp = 16,97V

I = Vp/R = 16,97/5,6K = 3 mA

2
2 . Vst 2 . 12

5,6K
D2
D4
D1
D3
100F
59
Vond = 3 m = 0,25V

Vdc = 16,97 0,25/2 = 16.84V

PIV = . 12 = 16,97V

Io = Idc/2 Idc = Vdc/R = 16,84/5,6K = 3mA

Io = 3m/2 = 1,5mA

Exerccios

1. Preencha os espaos em branco.

A . Em todos os circuitos retificadores com filtro, observa-se que a forma de onda a mesma
sendo calculado a tenso Vdc pela seguinte equao_________________________
Onde Vond = ________________
B . O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda
do circuito retificador de onda completa a __________________________
C. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequncia da linha for de 60Hz, a
frequncia ser_________ e no circuito retificador de onda completa a frequncia
ser__________________.
D. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro ser igual a ______________
E . O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro ser igual a__________

F. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro igual a____________
G.O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro ser igual a ___________

2. Dado os circuitos das Figura 4.11, 4.12 e 4.12, calcule a tenso Vdc e as especificaes do
diodo. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz

a)

Figura 4.11

120.100
2

47F
2,7 K
60

Figura 4.12

c)

Figura 4.13

3. Dado o circuito da Figura 4.14, determine Vdc. Dado: Vst= 24sen100t, Rl = 15K e C=
1F

Figura 4.14

4. Dado o circuito da Figura 4.15, determine a tenso Vdc e as especificaes do diodo.
D1
b)

47F
2,7K
D2

2,7K
D2
D4
D1
D3
47F

61
Dado: Vst = 40V, Rl = 3,9K.

Figura 4.15

5. A Figura 4.16, mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idnticas,
alimentados por fontes de tenso senoidal V(t), com mesmas especificaes e utilizando
diodos considerados ideais. Medidas de tenso e freqncias foram efetuadas nas sadas dos
circuitos em cima das cargas Rl, obtendo:
V1 e f1 para C1
V2 e f2 para C2
Com relao s medidas obtidas, correto afirmar que:
a) V2 = 2V1 e f2 = f1
b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1
c) V2 = 0,5 e f2 = f1
d) V2 = 0,5 e f2 = 0,5f1
e) V2 = V1 e f2 = f1

Figura 4.16

62


Experincia 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo

Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro
capacitivo, no qual, ser observado como a tenso de sada ser influenciada de acordo com o
valor do capacitor.

Material necessrio:

- 1 transformador, 110V/220V 9V, 500mA
- 3 Capacitores; 1F,10F,47F;
- 1 Osciloscpio.

Procedimento:

1.Monte o circuito da Figura 4.17, primeiramente, utilize o capacitor de 1F.

Figura 4.17

5.Troque o capacitor pelo valor de 10 F e novamente observe a forma de onda no resistor.
6. Troque o capacitor pelo valor de 47F e novamente observe a forma de onda no resistor

63
Experincia 6 Circuito retificador de onda completa com derivao central com filtro
capacitivo


Material necessrio:

- 1 transformador com derivao central, 110V/220V 12V+12V, 500mA
- 3 Capacitores; 1F,10F,47F;
- 1 Osciloscpio.

Procedimento:

1.Monte o circuito da Figura 4.18.

Figura 4.18


64
Experincia 7 Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo


Material necessrio:

- 1 Osciloscpio.

Procedimento:


Figura 4.19


Rl
D2
D4
D1
D3
C
65


Acendendo um led com energia elica

Material necessrio:

1- Alternador ( pode ser um dnamo para bicicleta);
1- capacitor eletroltico de 220F,16V;
1- resistor 470, 1/8W;
1 led;
4- diodos 1N4001 ou equivalente.

Circuito da Figura 4.20.

Figura 4.20

Neste circuito, a energia elica fornecida pelo ventilador, servir para mover um
alternador e desta forma gerar energia eltrica. Como a tenso gerada pelo dnamo uma
tenso alternada de baixo valor (aproximadamente 6V), ao passar pelo circuito retificador em
ponte com filtro capacitivo, a tenso servir para acender um led.

O estado do Cear vem se tornando referncia no
Brasil, como geradora de fonte de energia limpa e
renovvel, a energia elica. Neste circuito, temos um
exemplo da utilizao da energia elica para acender
um led.

Parque Elico na Prainha, em Aquiraz, a
maior usina do gnero da Amrica Latina e produz
10 Megawatts .

(Foto: Fco. Fontenele)
66

CAPTULO 5 OUTRAS APLICAES PARA O DIODO

Introduo

Existem muitas outras aplicaes para os diodos alm da retificao. Os diodos de
pequena capacidade de corrente, por exemplo, chamados de diodo de sinal podem ser usados
como detectores de envolvente em circuitos de rdio.

5.1 Rdio elementar

Como exemplo, utilizaremos o circuito de rdio elementar mostrado na Figura 5.1.

Figura 5.1. Rdio elementar ou rdio de galena.

A antena capta os sinais emitidos pela estao, havendo ento a induo de uma
corrente de alta frequncia, que deve circular em direo terra passando pela bobina e
capacitor que formam o circuito de sintonia:
Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma nica frequncia,
ou seja, da estao sintonizada, que so desviados para o diodo. O diodo funciona como
retificador de alta frequncia, deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal, ou seja,
fazendo sua deteco. Este sinal que composto de duas partes, uma de alta frequncia que a
portadora, e outra baixa que a modulada, pode ser levado a um processo de separao.
O capacitor depois do diodo filtra o sinal, desviando para a terra a componente de alta
frequncia e deixando apenas a envolvente, ou seja, a modulada, que corresponde justamente
ao som que captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas.
Aplicando este sinal de baixa frequncia a um fone de ouvido ou ento a um
amplificador, podemos ouvir os sons transmitidos pela estao de rdio.

5.2 Diodo nos circuitos de proteo

Outra funo importante do diodo nos circuitos de proteo. Quando uma carga
indutiva como, por exemplo, a bobina de um rel ou ainda um pequeno motor acionado,
criado um forte campo magntico. Ao ser desligado, com a contrao magntica, induzida na
carga uma tenso oposta.
CV
filtro fone
Diodo detector
antena
67

Figura 5.2. Diodo usado como proteo em circuitos indutivos.

Dependendo do tipo de carga, ou seja, de sua indutncia quando no desligamento pode
ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos. O componente que faz o
acionamento pode ento ser danificado com a presena desta tenso, com a ligao de um
diodo, temos uma proteo contra este fenmeno.

Leitura Complementar

5.3 Circuito Tanque

O estudo do circuito tanque ser de grande importncia para que possamos
compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rdio, alm de alguns circuitos
osciladores e outras aplicaes no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor.
Iniciamos fazendo uma reviso sobre as propriedades do indutor.

5.3.1 Propriedades do indutor

O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado.
Quando uma corrente contnua circula por um indutor ou bobina criado um campo
magntico, no qual cria uma tenso induzida na bobina. Como experincia podemos mostrar a
Figura 5.3. No qual o indutor funciona como eletrom sendo capaz de atrair materiais
condutores.

Figura 5.3. Atrao de um prego (material ferromagntico) pelo indutor

Carga indutiva
Circuito de
comutao
(+)
Diodo de
proteo
68
Ao abrir o circuito da Figura 5.4. A energia armazenada no indutor volta ao circuito. A
tenso criada uma tenso auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos, mesmo
com a tenso na bobina de valor baixo.

Figura 5.4. Circuito RL srie

De acordo com a expresso 1, ao abrir o circuito, ocorre uma variao bastante alta da
corrente em pouqussimo tempo (abertura da chave).

i
v L
t
(1)

Exemplo: Se L= 10H, R = 3, VF= 12V, temos:

Durante o perodo no qual a chave est fechada, im = VF/R = 12/3 = 4. Aps a
abertura da chave e decorrido 0,00004 segundos, a corrente no circuito foi reduzida para:

= L/R = 10/3 = 3,33s

t
il ime

=
=
0,0004
3,33
4e
= 3,999A
Logo:

i = 4-3,999=1mA
t = 0,00004s

A tenso auto-induzida ser:

L i
v
t
= -250V

Uma tenso bastante elevada nos contatos da chave.

5.4 Circuito ressonante

O capacitor e o indutor possuem a caracterstica de armazenar energia eltrica. A
associao em paralelo da indutncia com a capacitncia conhecida como circuito tanque. A
Figura 5.5 ilustra um exemplo de circuito tanque.
69

Figura 5.5. Circuito tanque.

O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a
capacitncia e a indutncia. Quando uma tenso momentaneamente aplicada a um circuito
tanque, ocorre o procedimento descrito a seguir.
C se carrega a esse valor de tenso; removendo-se a tenso aplicada, C se descarrega
atravs de L, e a corrente de descarga cria um campo magntico em torno de L. Esse campo,
possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz).
Quando C tiver se descarregado, o campo magntico se anula e essa variao induz
uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. Portanto, essa corrente
carregar o capacitor no sentido oposto ao anterior.
Quando o campo em torno de L desaparecer, C ir se descarregar novamente, mas a
corrente ser oposta em relao primeira descarga.
Essa corrente de descarga originar, novamente, um campo magntico em torno de L;
este, quando se anular, far com que C se carregue novamente, no mesmo sentido da primeira
carga. A Figura 5.6 resume toda essa explicao.

Figura 5.6. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque.

A troca de energia e a corrente circulante continuariam, indefinidamente, produzindo
uma srie de onda senoidais, se o circuito tanque fosse ideal e no apresentasse resistncia.
Entretanto, a resistncia est sempre presente, fazendo com que a corrente circulante diminua
gradativamente, devido dissipao de energia no circuito na forma de calor. Isto faz com que
a corrente senoidal seja amortecida e desaparea, aps um nmero finito de oscilaes. Se
aplicarmos, novamente, um pulso de tenso ao circuito, o processo voltar a se estabelecer.
A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqncia, no qual,
denominado freqncia de ressonncia.
A frequncia de ressonncia a nica frequncia, no qual a reatncia capacitiva igual
a reatncia indutiva.

Xc = Xl 1/(2F
r
C) = 2F
r
L

F
r
= 1/(2LC)
1/2

70
Na frequncia de ressonncia, a impedncia infinita, ou seja, a oposio passagem
de corrente infinita.
Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque, observamos que medida que nos
aproximamos da freqncia de ressonncia, a oposio comea a crescer at atingir o mximo
no valor exato desta freqncia. Depois deste ponto, a oposio comea novamente a diminuir.
Este circuito utilizado num receptor de rdio em que deve ser feita a separao dos
sinais da estao que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam antena. Se o
sinal corresponde freqncia para o qual o circuito est sintonizado, ele encontra forte
resistncia e desviado para as etapas que fazem seu processamento. J se o sinal no
corresponde a esta freqncia, ela no encontra nenhuma oposio do circuito e curto-
circuitado para o terra. Na Figura 5.7, temos um sintonizador de rdio simples.

Figura 5.7- Sintonizador LC.

Das milhares de ondas senoidais de diferentes estaes de rdio que chegam antena, a
onda senoidal que corresponde freqncia de ressonncia ser amplificada, sendo as demais
desviadas para o terra.
Em um rdio, o circuito tanque possui um capacitor varivel, no qual, ao girar o boto
que altera o valor do capacitor, muda a freqncia de ressonncia e, portanto, muda a
freqncia da onda senoidal que o ressonador amplifica. desta forma que este circuito
sintoniza as diferentes estaes no rdio.
5.5 Circuito tanque na gerao de sinais de rdio
Aprendemos que em um circuito tanque, ao aplicar uma onda senoidal, ocorre uma
troca de energia entre o capacitor e o indutor, produzindo uma oscilao amortecida, com a
alternncia de campo eltrico em magntico. Se este circuito for ligado a uma antena, a
energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagntica, ou seja,
ondas de rdio.
Para que a produo destas oscilaes continue, deve-se repor a energia que vai sendo
perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor, quer seja porque irradiada por uma
antena, quer seja porque perde em calor nos prximos elementos do circuito. Isto pode ser
feito com um amplificador.
71
Exerccios
1. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5.8):

Figura 5.8
(A) um oscilador ideal;
(B) tem fator de qualidade unitrio;
(C) tem ressonncia na freqncia de 1 Hz;
(D) na ressonncia tem impedncia equivalente a um circuito
aberto;
(E) na ressonncia tem impedncia equivalente a um curto-circuito.


Experincia 8 Rdio elementar ou rdio Galena

Neste circuito, vamos montar um rdio bastante simples.
O rdio um dos meios de comunicaes mais utilizado pelo homem moderno.
Compreender o funcionamento de um simples rdio ajudar a compreenso dos rdios mais
complexos e mais bem elaborado.
O rdio Galena foi o primeiro rdio inventado pelo homem. Foi implementado na
Frana por Radiguet e Massiot. O rdio Galena bastante simples, os resultados obtidos na
prtica no so muito satisfatrios, pois no apresenta uma etapa para a amplificao do sinal
captado pela antena.
A idia fundamental em um rdio Galena captar ondas eletromagnticas por um
receptor eltrico simples e reproduzir em um fone de ouvido.
De onde vm estas ondas eletromagnticas?
As estaes de rdio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas
eletromagnticas em diversas freqncias.

Material necessrio

1 Diodo de Germnio ( qualquer tipo de diodo de Germnio);
1 Fone de cristal;
1 capacitor varivel;
1 indutor 10mH;
1 antena.

72
Procedimento:


Figura 5.9

2. Varie o valor do capacitor para sintonizar o rdio.


Rdio artesanal elementar

Neste circuito voc ir montar um rdio, no qual a bobina ser artesanal.

Material necessrio:

1 Diodo de Germnio ( qualquer tipo de diodo de Germnio);
1 Fone de cristal (fone de alta impedncia acima de 2000);
100 gramas de fio esmaltado com nmero AWG entre 18 e 24 (dimetros entre 1,0 a
0,5 mm) para a bobina;
1 cabo de vassoura (madeira ou plstico) para enrolar a bobina de 18cm;
1 capacitor polister de 1nF;
1 antena.

Fazendo a bobina

Pegue o cabo de vassoura e deixe um espao de um centmetro de cada lado. Prenda no
incio, o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio. Comece a enrolar, prestando
ateno para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e no passe por cima. Enrole
para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio. Lixe o esmalte do fio que est sobrando os
10cm de cada lado.
73
Deixe um espao de mais ou menos um centmetro de cada lado do tubo ou pedao do
cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. As voltas devem ficar bem prximas uma da outra,
encostadas mesmo, e uma volta no pode passar por cima da outra. Caso voc esteja usando o
tubo, faa um ou dois furos para prender o fio antes de comear a enrolar e mais um ou dois
furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rdio acima). Se voc
est usando o cabo de vassoura, prenda o incio e o fio do enrolamento com uma fita isolante.
Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centmetros de fio.
Antena
Como o rdio no possui uma etapa de amplificao, a antena deve ser bastante
comprida para captar o mximo de energia da estao. Pode ser um fio esticado de 10m de
comprimento.

Faa a seguinte montagem (Figura 5.10).

Figura 5.10

A seta que est ligada na bobina deve ser mvel e percorrer toda a bobina para
sintonizar em uma determinada frequncia.

74

CAPTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES
(CEIFADORES) E GRAMPEADORES

Introduo

Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tenso de sada, sendo til em
circuitos no qual o sinal de sada necessita ser limitado.
Os circuitos grampeadores possuem como objetivo, acrescentar um nvel DC ao sinal
alterando, deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial. Uma das utilizaes
do circuito grampeador em um amplificador classe C.

6.1 Circuitos Limitadores

As aplicaes incluem a limitao de amplitude excessivas formao de ondas e o
controle da quantidade de potncia entregue a uma carga.

Na Figura 6.1(a), temos um limitador positivo, no qual limita a tenso positiva, s
deixa passar a tenso negativa, como mostra a Figura 6.1(b). Observe que o funcionamento
igual ao circuito retificador de meia-onda.

Figura 6.1 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga

R
Rl
Vsada Vent
Vent
Vsada
T
T
+Vp
-Vp
-Vp
75

Anlise do circuito limitador positivo

No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsada =0
No semiciclo negativo o diodo abre, logo : Vsada Vent , uma vez que Rl >> R

Na Figura 6.2(a), temos um outro limitador positivo, no qual foi inserida uma fonte de
tenso em serie com o diodo. A limitao da tenso ser para tenses acima de V como mostra
a Figura 6.2(b).

Figura 6.2 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga

Anlise do Circuito limitador positivo polarizado

No semiciclo positivo, quando vent > V o diodo conduz , logo: Vsada = V
No semiciclo como o diodo est sempre aberto, pois V e Vent polarizam reversamente
o diodo temos: Vsada = Vent

- Outros circuitos limitadores

Nas Figuras 6.3, 6.4, 6.5, 6.6, 6.7, 7.8, 6.9 e 6.10 temos exemplos de outros circuitos
limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga., no qual o funcionamento
semelhante aos circuitos j analisados.

R
Rl
Vsada Vent
V
Vp
Vsada
T

V
T
-Vp
-Vp
Vent
76

Figura 6.3 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga

Figura 6.4 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga

Vsada Vent
Rl
Vent
Vsada
T
T
Vp
-Vp
Vsada Vent
Rl
Vent
Vsada
T
T
+Vp
-Vp
77


Figura 6.6 (a) Circuito limitador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga

Vsada Vent
Rl
V
Vent
Vsada
T
T

+Vp
-Vp
-V+Vp
-V

Vsada Vent Rl
Vent
T
T
-V
-V
- Vp -V
+Vp
-Vp
V
78


Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga

Vsada Vent
Rl
V
Vent
Vsada
T
T
+Vp
-Vp

+V-Vp
R
Rl
Vsada Vent
Vent
Vsada
T
T
+Vp
-Vp
+Vp
79

Figura 6.9 (a) Circuito limitador polarizado, (b) Forma de onda na carga

Figura 6.10 (a) Associao de limitadores, (b) Forma de onda na carga

R
Rl
Vsada Vent
V
Vent
Vsada
T
T

+Vp
-Vp
+Vp
V
R
Vent
V1
Rl
V2
Vsada
Vent
Vsada
T
T
+Vp
-Vp

V2
V1
80

6.2 Circuitos Grampeadores

Algumas vezes, um projeto de circuito requer a combinao de uma tenso CA com
uma tenso CC. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda, a operao modifica o nvel da
tenso de referncia CC. Chamamos esse processo de grampeamento ou restaurao CC.
Em todas as anlises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em
cinco constantes e tempo.

Na Figura 6.11(a), temos um circuito grampeador positivo, no qual no sinal CA(Vent)
adicionado uma tenso CC, com a polarizao do capacitor. O sinal deslocado para acima
do eixo como mostra a Figura 6.11(b).

Figura 6.11 (a) Circuito grampeador positivo, (b) Forma de onda na carga

O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp, posteriormente no se
descarrega mais, uma vez que o diodo ir permanecer sempre aberto e a constante de tempo
RC>>Tentrada, no havendo condies de descarregar por Rl.

O circuito se resume como mostra a Figura 6.12.

Rl
Vent
C
Vsada
Vent
Vsada
T
T

+Vp
-Vp
+2Vp
81

Figura 6.12 Circuito grampeador positivo

Anlise do circuito grampeador positivo

No semiciclo positivo:

Vsada = Vc + Vent

Quando Vent = 0 Vsada = Vc = Vp
Quando Vent aumenta a tenso de sada tambm aumenta.
Quando Vent = Vp. Vsada = 2Vp
Quando Vent diminui , Vsada diminui at Vp

No semiciclo negativo:

Vsada = Vc Vent

Quando Vent diminui, Vsada diminui
Quando Vent = - Vp , Vsada = 0
Quando Vent aumenta, Vsada tambm aumenta.

Outros Circuitos grampeadores

Nas Figuras 6.13, 6.14, 6.15, 6.16 e 6.17, temos mais exemplos de circuitos
grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. A anlise semelhante as
anlises j realizadas.

Rl
Vent
Vp
Vsada
+ -
82

Figura 6.13 (a) Circuito grampeador negativo, (b) Forma de onda na carga

Figura 6.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga

Vent
R
Vent
C
Vsada
Vent
Vsada
T
T

+Vp
-Vp
-2Vp
R
Vent
V
C
Vsada
Vsada
T
T

+Vp
V
-2Vp+V
-Vp
83
Obs: O capacitor se carrega com - ( Vp V )

Figura 6.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga

Figura 6.16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga

R
Vent
V
C
Vsada
Vent
Vsada
T
T

+Vp
-Vp
V
+2Vp+V
R
Vent
V
C
Vsada
Vent
Vsada
T
T

+Vp
-Vp
-V
-V-2Vp
84

Figura 6.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga

Exerccios

1- Dado o circuito determine a forma de onda na sada.

Figura 6.18

2- Dado da Figura 6.19, determine a forma de onda na sada.

7V
R
Vent
V
C
Vsada
Vent
Vsada
T
T

Vp
+ 2Vp -V
-V
R
Rl
Vsada Vent
4V
30V
Vsada
T

T
-30V
Vent
85

Figura 6.19


Experincia 9 Circuito Grampeador

Neste circuito, deve-se montar um circuito grampeador, com o objetivo de analisar e
observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio.

Material necessrio:

- 1 gerador de udio
- 1 resistor de 1M, 0,25W;
- 1 capacitor 470F;
- 1 Osciloscpio.

Procedimento:

1. Monte o circuito da Figura 6.20, no qual vent corresponde o sinal do gerador de udio em
1KHz e amplitude de 5V.

86

Figura 6.20

2. Com o uso do osciloscpio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece
com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir.


Fonte de alimentao para CIs da famlia TTL

Neste circuito, voc ir montar uma fonte de alimentao para alimentar CIs da famlia
TTL.
Os CIs da famlia TTL necessitam de uma fonte de 5V.

Material necessrio

- 1 transformador -110V/220V ,12V, 500mA;
- 1 capacitor de 220F;
- 1 capacitor 0,01F;
- 1 CI 7805.


R
Vent
C
Vsada
87

Figura 6.21

88
CAPTULO 7 DIODOS ESPECIAIS

Introduo

O diodo zener um diodo especial, no qual, a sua principal aplicao regular a tenso
na carga, ou seja, mantm a tenso constante na carga. Constitui o ltimo componente em uma
fonte de alimentao.

7.1 Diodo Zener

O diodo zener um dispositivo semicondutor, fabricado especialmente para trabalhar
na regio de ruptura o que no ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal.

Figura 7.1- Smbolo do diodo zener.

Na figura 7.2, temos o grfico que relaciona a corrente e a tenso para o diodo zener,
ou seja, este grfica representa o funcionamento do diodo zener.

Figura 7.2- Curva caracterstica de um diodo zener.

anodo
catodo
v
I
Ruptura
ou Vz
Polarizao
direta
Polarizao
reversa
Iz(mn)
Iz(mx)
89

Quando se polariza diretamente o diodo zener, ele se comporta da mesma forma que
um diodo retificador, ou seja, conduz a partir do momento em que vence a barreira de
potencial.
Na polarizao reversa, enquanto a tenso que est sendo aplicada for menor do que a
tenso de zener , ele funciona como uma chave aberta.
Quando a tenso que est sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tenso de
zener, ele passa a conduzir, observando que a tenso nele permanece a mesma aumentando
apenas a corrente que passa por ele, e existe a corrente mxima que o diodo zener suporta,
maior do que esta corrente o diodo zener ser danificado.

CIRCUITO BSICO

O menor circuito para a montagem com o diodo zener apresentado na Figura
7.3, constituindo de uma fonte de alimentao e um resistor

Figura 7.3

Exemplo:

Se montssemos o circuito da Figura 7.4, e medssemos a tenso no diodo zener
e a corrente que passa por ele ao aplicar a tenso V, montaramos a tabela 7.1. Esta tabela
importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener.

Tabela 7.1

Figura 7.4
Ve
Rs
Vz
Ve = RsIs +Vz
Ve
1K
5V6
Quando Ve = 1V Vz = 1V e Is = 0
Quando Ve = 6V Vz = 5,6V e Is = 0,4m A
Quando Ve = 7V Vz = 5,6V e Is = 1,4mA
Vz
90

Is = Ve- Vz

Especificao do diodo zener

Pz(mx) = Vz .Iz(mx)

CIRCUITO REGULADOR DE TENSO

A Figura 7.4, mosta o circuito regulador de tenso, para que possamos fazer
uma anlise matemtica e poder calcular as corrente que circulam no circuito.

Figura 7.5 Circuito regulador de tenso

Clculo da tenso de Thevenin

Vamos calcular a tenso que chega ao diodo zener, fazendo o equivalente de
Thevenim. ( retira o diodo zener do circuito e calcula a tenso visto a apartir do diodo zener ou
seja para este circuito ser a tenso no resistor Rl )

Vth = R1 .Ve

Se Vth > Vz (significa que o diodo zener est operando)
Rs
Rl + Rs
Ve
Rs
Vz Rl
Is
Iz
Il Vl
91

Logo:

Is = Il + Iz

Onde:

Il = Vl Vl = Vz e Is = Ve - Vz

Ex: Dado o circuito (Figura 7.6), calcule Is, Iz e Il

Figura 7.6

Soluo:

Vth = R1 .Ve Vth = 5,6K . 15

Vth = 10V Vth > Vz logo: O diodo zener est regulando.

Il = 3,2/5,6K = 0,57mA

Is = 15 3,2 Is = 4,3mA

Is = Il + Iz Iz = Is Il = 4,3m 0,57m = 3,73 mA

Rl Rs
Rl + Rs Rl + Rs 5,6K+2,7K
15V
2,7K
3V2 5,6K
Is
Iz
Il
2,7K
92
Aplicao do Diodo Zener

Uma das principais aplicaes do diodo zener na construo de fonte de alimentao
pelo qual servir para manter a tenso na carga constante. A Figura 7.7, mostra uma fonte de
alimentao.

Figura 7.7 Fonte de alimentao

Exemplo:

1)Se a tenso no capacitor oscilada de 5,6V 6,3V e o diodo zener de 3,2V, considerando
que a queda em Rs seja de 0,8V ou seja a tenso que chega no diodo zener 4,8 5,5V, ento
a tenso depois que passa pelo diodo zener ser constante em 3,2V.

7.2 Diodo Emissor De Luz (LED)

Os diodos emissores de luz so fabricados a partir do GaAs( arsenieto de glio)
acrescidos de fsforo que, dependendo da quantidade, podem irradiar luzes vermelha, laranja,
amarela, verde ou azul, so muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrnicos
ou na fabricao de displays.
Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente, ocorre a liberao de
energia em forma de calor, em um LED a liberao de energia na forma de luz visvel.
A simbologia para o led apresentado na Figura 7.8.

SIMBOLOGIA

Figura 7.8
anodo
catodo

D2
D4
D1
D3
C
Rs
Vz Rl
93

Na Figura 7.9, temos a curva caracterstica para o led.

Figura 7.9

Os LEDs apresentam as mesmas caractersticas dos diodos comuns, ou seja s
conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tenso maior do que a barreira de
potencial, no entanto a barreira de potencial varia de 1,5V a 2,5V dependendo da cor.
Comercialmente, o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA.

CIRCUITO BSICO:

O menor circuito que podemos construir com um led apresentado na Figura
7.9. No se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentao, pois danifica
facilemnte, uma vez que a resistncia da fonte desprezvel e a corrente que passar no led
ter valor elevado.

v
I

Polarizao
direta
Polarizao
reversa
1,5 a 2,5V
Para se polarizar um LED, deve-se utilizar um resistor
limitador de corrente para que o mesmo no se
danifique.
94

Figura 7.9

OBS: como Vled varia de 1,5 a 2,5V vamos adotar 2V

Exemplo:

1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7.10), fique polarizado no seu ponto
quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA)

Figura 7.10

Soluo:

Rs = 200

7.3 Diodo Tnel

Este dispositivo possui uma caracterstica no encontrada em nenhum outro de sua
famlia, que a regio negativa.
Este fato implica que, se este componente estiver polarizado em uma determinada
regio de sua curva caracterstica, se aumentarmos a tenso entre seus terminais, a corrente
que atravessa diminuir.
Ve
Rs
Is
Is = Ve - Vled
Rs
6V
Is
= Ve Vled
Rs
Is
Rs = 6 2
20m
95
Ele foi desenvolvido pelo Dr. Leo Esaki em 1958 e , as vezes chamado de diodo
Esaki, em homenagem ao seu descobridor.

SIMBOLOGIAS

7.11 Simbologia para diodo tnel

A Figura 7.12, mostra a curva caracterstica para o diodo tnel.

Figura 7.12

Por ser um diodo muito dopado, ao se polarizar diretamente conduz imediatamente, a
corrente produz um valor mximo Ip. Um aumento de tenso maior do que Vp produz uma
diminuio na corrente e a regio entre os pontos de pico e do vale chamado regio de
resistncia negativa.
Na polarizao reversa a ruptura ocorre prximo de 0V.

APLICAES

As caractersticas de resistncia negativa os tornam teis em circuitos de microondas,
amplificadores, conversores, osciladores e circuitos de chaveamentos.
O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos, faz
com que ele seja encontrado tambm em circuitos de alta frequncia e alta velocidade,
especialmente em computadores, onde os tempos de comutao so da ordem de nano ou
picossegundos.
So tambm encontrados em circuitos capazes de converter potncia cc em ca.

V
I
Ip
Iv
VP Vv
96
7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC)

Este diodo aproveita alm dos efeitos na juno PN utilizados nos diodos comuns, o
fato da capacitncia existente na juno ser funo da tenso de polarizao. A Figura 7.14
mostra a simbologia para o diodo varicap.

Figura 7.14 Simbologia

A Figura 7.15, temos a curva caracterstica para o diodo varicap.

Figura 7.15

Na polarizao reversa em circuito de alta frequncia, como o diodo funciona
basicamente como um capacitor (as regies P e N so como placas do capacitor e a camada de
depleo se compara ao dieltrico) ao aumentar a tenso reversa a capacitncia ir diminuir.

APLICAES

O Varactor muito til em diversas aplicaes como em circuitos LC com sintonia por
tenso, circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramtricos, dispositivos de
controle de frequncia automticos, filtros de banda passante ajustveis etc.

V
C
97
Reviso

1. Dado o circuito da Figura 7.16, calcule as correntes Is, Iz e Il.

Figura 7.16

2. Explique o que voc entende por LED.
3. Cite algumas aplicaes do diodo tnel.
4. Cite algumas aplicaes do Varactor.

5. No circuito da Figura 7.18, V1 = 15V e no LED D1, Imin = 1mA, Imx = 25mA e
Vled = 2V.

Figura 7.18

Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110, 1400 e 690K, correto,
que o LEd:

a) acende normalmente nos 3 casos.
b) Acende normalmente para 110 e 1400, mas no ir acender quando R1 for de
690K.
c) Acende normalmente para 1400, mas com 690K no ir acender e quando R1 for
de 110 pode queimar.
d) No acende normalmente quando R1 vale 690K e pode queimar quando R1 for de
110 ou de 1400.
e) No acende normalmente quando R1 for de 1400 ou de 690 e pode queimar
quando R1 vale 110.

20V
3,9K
5V6 10K
Is
Iz
Il
98
6. A Figura 7.19, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tenso senoidal da forma
Ve(t) = 20sen(wt), onde Z1 um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. O sinal de sada
Vs(t) dever ser, aproximadamente, da forma:

Figura 7.19

7. A Figura 7.120, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tenso senoidal, cujo valor
de pico superior tenso de diodo zener Z1, que pode ser considerado ideal. O sinal de
tenso Vs(t) dever ter, aproximadamente, a forma:

99

Figura 7.20

8. (ELETRONORTE 2006) Na fonte da Figura 7.21, a tenso de entrada N V no regulada,
e varia de 15 a 20 V; o diodo zener tem tenso nominal Z V de 10 V, e requer no mnimo 5
mA de corrente para garantir a regulao; a carga L R variante no tempo, e consome de 0 a 5
mA.

Figura 7.21

Em condies normais de funcionamento:
(A) Rl < 2 k ;
(B) R > 500 ;
(C) se R = 500 , a corrente mxima no diodo zener de 10 mA;
(D) se R = 500 , a potncia mxima exigida da fonte no regulada de 400mW;
(E) se R = 500 , pode ser um resistor de 1/8 W.

100

Experincia 10 O diodo Zener

Neste circuito, deve-se montar um circuito bsico com o diodo zener para compreender
o seu funcionamento.

Material necessrio:

- 1 Fonte de alimentao varivel (0-15V)
- 1 diodo zener 5V6, 0,5W;

Procedimento:


Figura 7.22

3. Preencha a tabela abaixo:

Vf A Vz
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

101
4. Qual o valor da tenso que se manteve constante? _________

Experincia 11 Fonte de alimentao (eliminador de pilhas)

Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentao.

Material necessrio:

- 1 resistor de 10K, 3,3K e 470 (0,25W);
- 1 capacitor de 220F, 64V
- 1 diodo zener 5,6V, 0,5W;
- 1 multmetro (analgico ou digital).

Procedimento:


Figura 7.23

2. Mea a tenso no resistor de 10K.
3. Substitua o resistor de 10K pelo resistor de 470 e um led, como mostra a Figura 7.24.

Figura 7.24
102


Alarme de subtenso

Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtenso. No primeiro, quando a
tenso diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porm, se a tenso voltar a aumentar o
led ir apagar. No segundo circuito, quando a tenso diminuir abaixo de 12V, uma lmpada ir
acender, e mesmo que a tenso volte a aumentar, a lmpada permanecer acesa.

Circuito 1

Material necessrio

-1 fonte de tenso varivel;
- 1 diodo 1N4004;
- 1 led;
- 1 diodo zener 12V, 0,5w;
- 1 resistor 470;5,6K; 1K;
- 1 transistor BC338.


Figura 7.25

O nico componente no estudado at aqui o transistor. Neste circuito, o transistor ir
funcionar uma chave.
103
O funcionamento do circuito ser da seguinte forma:
Como a tenso de alimentao 14V, o diodo zener estar regulando, ficando 12V no diodo
zener e 2V no resistor de 1K. O transistor, neste caso, estar funcionado como uma chave
fechada e toda a corrente passar por ele, como mostra a Figura 7.26.

Figura 7.26

Quando a tenso diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa
no diodo zener ser zero, logo, a tenso no resistor de 1K ser zero e o transistor funcionar
como uma chave aberta. Toda a corrente passar pelo led e acender.

Neste circuito quando a tenso cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tenso
voltar a aumentar o led apaga.
Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tenso baixar e voltar a aumentar
uma lmpada ficar acesa.

Material necessrio

-1 fonte de tenso varivel;
- 1 diodo 1N4004;
- 1 lmpada de 12V;
- 1 diodo zener 12V, 0,5w;
- 1 resistor 2,2K, 10K;
- 2 resistores 1K;
- 1 transistor BC338;
- 1 capacitor 1F, 16V
- 1 SCR ( TIC106D);
-1 rel 12V.

Circuito 2 (Figura 7.27)

104

Figura 7.27

Neste circuito, figura , foi utilizado um SRC, no qual, quando a tenso cair abaixo de
12V, o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do
capacitor que dispara o SCR. A bobina do rel acionada e o contato normalmente aberto do
rel fechado, a lmpada acesa.

105

CAPTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR

Introduo

O transistor um componente eletrnico formado por materiais semicondutores. Foi
desenvolvido no laboratrio Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por
John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. Estes foram laureados
com o prmio Nobel da Fsica em 1956. O transistor comeou a se popularizar na dcada de
1950 e ocasionou a revoluo da eletrnica na dcada de 1960. As principais aplicaes do
transistor so: amplificar sinais eltricos e chavear circuitos.

8.1 Constituio de um transistor bipolar

A Figura 8.1 mostra a constituio do transistor, no qual formado pela combinao de
materiais semicondutores dopados com tomos trivalentes ou pentavalentes. A adio de
tomos trivalentes no semicondutor constitui a formao do material do tipo P, e a adio de
tomos pentavalentes a formao do material do tipo N. Um transistor formado pela
combinao do material N+P+N ou P+N+P, o que se denomina transistor NPN (Figura 8.3) e
PNP (Figura 8.4), respectivamente (LALOND e ROSS, 1999).
Figura 8.1 Estrutura fsica do transistor de juno bipolar NPN

As extremidades so chamadas emissor e coletor e a camada central denominada
base. O emissor fortemente dopado e tem como funo emitir portadores de carga para a
base (eltrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP). A base levemente dopada e
muito fina. Ela permite que a maioria dos eltrons injetados pelo emissor passe para o coletor.
O nvel de dopagem do coletor intermedirio entre a dopagem forte do emissor e fraca da
base. O coletor, como o nome diz, recebe os portadores que vm da base. a camada mais
extensa, pois nela que se dissipa a maior parte da potncia gerada pelos circuitos
transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY, 1998).

Fluxo de
lacunas
n
p
n
Emissor Base Coletor
Fluxo de eltrons
106

.
Na Figura 8.2, o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito. Comparando as trs
camadas do transistor, elas no possui tamanhos iguais, nem apresentam a mesma dopagem.
O emissor o mais dopado dos trs, o que significa que, na formao do materal do tipo N, a
quantidade de impurezas (tomos pentavelentes) superior a quantidade de impurezas do
coletor. Portanto, no emissor temos uma maior quantidade de eltrons livres do que no coletor.
A base levemente dopada e o coletor o mais extenso dos trs.

Figura 8.2 Transistor Bipolar

Figura 8.3 - Transistor NPN Figura 8.4- Transistor PNP

8.2 Polarizao do Transistor

Polarizar um transistor aplicar fontes de alimentao em seus terminais para que
possamos analisar o que acontece, e desta forma, compreender o seu funcionamento.

- Polarizao emissor -base reversamente e coletor base reversamente.

coletor
emissor
base
coletor
emissor
base
107

Figura 8.5- Polarizao emissor-base reversamente e coletor-base reversamente

Pela Figura 8.5, observa-se que tenso aplicada no emissor para a base (Veb) e a tenso
aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente. Uma forma de
visualizar este tipo de polarizao considerar entre o emissor e a base um diodo em que o
catodo est no emissor e o anodo na base. A tenso positiva externa atrae o eltrons do
emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae
as lacunas, com isto aumenta a camada de depleo. Entre o coletor e base acontece o mesmo
procedimento. O positivo da fonte externa atrae os eltrons do coletor e o negativo que est
ligado na base atrae as lacunas, aumentando desta forma a barreira de potencial at se igualar a
fonte Vcb. Neste tipo de polarizao no haver circulao de corrente se desprezar as
corrente de fuga de superfcie e a corrente produzido termicamente.

- Polarizao emissor base diretamente e coletor- base diretamente

.

Figura 8.6 Polarizao emissor base diretamente e coletor- base diretamente

108
Na Figura 8.6, a tenso aplicada no emissor para a base(Veb) e a tenso aplicada do coletor
para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. Neste caso, haver uma grande circulao
de corrente circulando pela base do transistor.

- Polarizao emissor base, diretamente e coletor- base, reversamente

Figura 8.7- Polarizao emissor base, diretamente e coletor- base, reversamente

Este tipo de polarizao o mais utilizado dos trs. A fonte de tenso externa aplicada
entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tenso aplicada do coletor para a
base polariza o transistor reversamente, como mostra a Figura 8.7. A tenso Vcb faz com que
aumente a camada de depleo entre a base e o coletor. A tenso Veb ao polarizar o transistor
diretamente, faz o menos da fonte repelir os eltrons do emissor. Se a tenso Veb for maior do
que a barreira de potencial , os eltrons passam do emissor para a base. Ao chegar na base
ocorre o inesperado, a maior parte dos eltrons passam para o coletor , sendo atrado pelos
ons positivo. Estes eltrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. Apenas uma pequena
parcela desce pela base. Pode-se dizer que, na maioria das vezes aproximadamente de 95% a
99% dos eltrons que passaram do emissor para a base vo para o coletor e apenas 5% a 1%
desce pela base. Neste tipo de polarizao verifica-se que o nome coletor est indicando que
ele coleta os eltrons e o emissor tem como funo emitir eltrons. O emissor o mais dopado
ele tem com funo emitir eltrons.

-Tenses e correntes no transistor

A Figura 8.8 e 8.9 mostram os sentidos das tenses e das correntes em um transistor
NPN e PNP respectivamente.

109

Figura 8.8 Transistor NPN Figura 8.9 Transistor PNP

Podemos tirar as seguinte concluses:

Transistor NPN

Ie = Ic +Ib
Vce = Vcb +Vbe

Transistor PNP

Ie = Ic + Ib
Vec = Vbc +Veb

8.3 Configuraes Bsicas do Transistor

Os transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: base comum,
emissor comum e coletor comum. O termo comum se refere ao terminal que ser comum ao
sinal de entrada e ao sinal de sada.

8.3.1 Configurao Emissor comum

Um transistor encontra-se na configurao emissor comum (Figura8.10), quando o
sinal de entrada est na base e o sinal de sada est no coletor. O emissor comum aos sinais
de entrada e sada.

110

Figura 8.10 Configurao Emissor comum

Nesta configurao na entrada temos ib, na sada Ic. Ie comum ao sinal de entrada e de
sada.
Ganho de corrente
O ganho de corrente relaciona a corrente de sada com relao a corrente de entrada.
O ganho de corrente para este tipo de configurao Ic/Ib
Como esta configurao a mais utilizada, os manuais dos fabricantes mostram este
ganho de corrente, pelo qual simbolizado pela letra beta cc.
Logo: = Ic/Ib
Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configurao emissor
comum, este parmetro serve tambm para o clculo dos resistores de polarizao para as
outras configuraes.
Devido a configurao emissor comum ser a mais utilizada, entraremos com mais
detalhes estudando as curvas caractersticas de entrada e de sada.
Curva caracterstica do sinal de entrada
A curva caracterstica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com
relao a tenso Vbe (Figura 8.11).
111

Figura 8.11 Curva caracterstica do sinal de entrada

Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. Para que os eltrons do
emissor passem para a base, deve-se vencer esta barreira. Com o transistor construdo com
tomos de silcio o valor da barreira de potencial de 0,7V.
O que observamos que quando uma fonte de tenso contnua aplicada entre o
emissor e a base, o funcionamento semelhante a de um diodo.
Curva caracterstica de sada
A curva caracterstica do sinal de sada, mostra o comportamento da corrente Ic com
relao a tenso Vce (Figura 8.12).

Figura 8.12 Curva caracterstica do sinal na sada
Como a corrente que flui para o coletor depende tambm da quantidade de eltrons que
flui do emissor para base, ou seja, da corrente da base, o grfico construdo para os vrios
valores da corrente da base.
112
Observamos que, se a tenso entre o emissor e a base for zero, mesmo que a tenso
entre o coletor e o emissor seja um valor elevado, como no h corrente na base, tambm no
haver corrente no coletor. O fato que, a tenso entre o coletor e base, polariza o coletor e a
base reversamente, aumentando a camada de depleo. Quando uma tenso entre o emissor e a
base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente, a maior parte
dos eltrons atrada pelo coletor devido aos ctions da camada de depleo. Quanto maior
for a corrente que passa para a base, maior ser a corrente que tambm passa para o coletor.
Logo, a corrente do coletor no depende somente da tenso Vce, mas tambm da corrente Ib.

8.3.2 Configurao Base comum

Nesta configurao, a base est na entrada e na sada do circuito, ou seja, a base o
eletrodo comum. (Figura 8.13).

Figura 8.13 Configurao base comum
Definimos como entrada a tenso Vbe e a corrente Ie. Na sada est a tenso Vcb e a
corrente Ic.
Ganho de corrente
= Ic/Ie
Definimos o ganho de corrente para este tipo de configurao, pois ser til para
anlise de circuitos para outras configuraes.

Circuitos de polarizao tendo como base a configurao emissor comum

Polarizao da base
A Figura 8.15, mostra o circuito polarizao da base
113

Figura 8.14 Circuito polarizao da base

Malha de entrada
-Vbb + RbIb + Vbe = 0
Adotaremos Vbe sempre igual a 0,7V, qaunto a tenso Vbb for maior do que 0,7V, pois, entre
a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tenso contnua.
Logo:
Vbb = RbIb + 0,7
Malha de sada
- Vce + RcIc + Vce = 0

Exerccio Resolvido
Dado o circuito (Figura 8.15). determine Vce e Ic. Dado: Vbb = 6V, Rb = 220K, Rc = 3,3K,
Vcc = 12V e o ganho de corrente igual a 100.

Figura 8.15
Soluo:

114
- Malha de entrada
6 = 220KIb + 0,7
Ib = 0,024mA
Ic = Ib logo: Ic = 0,024mx 100 Ic = 2,4mA
Malha de sada
12 = Rc.2,4m +Vce
12 = 3,3K. 2,4m + Vce
Vce = 4,08V

Reta de carga cc
Para saber os pontos de operao do transistor, faz-se necessrio esboar uma reta na
curva caracterstica de sada do transistor na configurao emissor comum, que intercepte
todos os possveis pontos de operao do transistor. Esta reta definida como reta de carga cc.
(Figura 8.16).

Figura 8.16 Reta de carga CC
Regio de corte
A regio de corte definida como a regio no qual a corrente da base zero
(idealmente) consequentemente, Ic tambm zero. Neste caso, o transistor funciona como
uma chave aberta.
115
Exemplo:
1) Dado o circuito (Figura 8.17), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 0,3V, Rb = 10K, Vcc =
10V, Rc = 2,2K e = 100.

Figura 8.17
Soluo:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7. onde a tenso Vbb no suficiente para vencer a barreira de potencial, pois
entre a base e o emissor, o transistor funciona como um diodo. Logo Ib = 0
Como Ic = Ib e Ib = 0, Ic = 0, mesmo tendo um valor de tenso Vcc. Vce = Vcc = 10V
Neste caso, o transistor funciona como uma chave aberta e est operando na regio de corte.
Imagina-se o circuito da Figura 8.18.

Figura 8.18

Regio de saturao
Um transistor est operando na regio de saturao, quando a corrente Ib for um valor
to elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada.
Exemplo
- Dado o circuito (Figura 8.19), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 12V, Rb = 3,3K, Vcc = 15V,
Rc = 2,2K e = 100.
116

Figura 8.19
Soluo:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7.
12 = 3,3KIb +0,7 Ib = 3,42mA
Ic = 100. 3,42m = 342mA
Malha de sada
15 = 2,2K. 342m + Vce Vce = - 737,4V
Como um transistor no gera tenso. A nica tenso que temos na malha de sada de
15V para ser divida pelo resistor e transistor.
O que temos neste caso, que a corrente da base um valor bastante elevado, sendo
suficiente para saturar o transistor. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada
como mostra a Figura 8.20.

Figura 8.20
A corrente Ic ser igual a Vcc/Rc, j que o transistor funciona como uma chave
fechada e desta forma a tenso Vce ser zero. Observe que a corrente que circula no coletor
o maior valor possvel para este circuito.
Regio ativa
A regio ativa a regio intermediria entre a regio de corte e saturao. Na regio de
corte a corrente Ic igual a zero e a tenso Vce o valor mximo possvel. Na saturao a
tenso Vce igual a zero e a corrente Ic o valor mximo possvel para o circuito. Na regio
ativa, existe um valor de corrente Ic e tenso Vce que no so zero e tambm no possui o
mximo valor possvel para o circuito.
117
Exemplo
1) Dado o circuito (Figura 8.21).determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 10V, Rb = 330K, Vcc =
15V, Rc = 2,2K e = 100.

Figura 8.21
Soluo:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7.
10 = 330KIb + 0,7
Ib = 0.028mA
Ic = 2,8mA
Malha de sada
15 = 2.2K Ic + Vce Vce = 8,84V
Observe que, temos um valor positivo de corrente Ic e tenso Vce, que no so zero
nem o mximo, logo, o transistor est operando na regio ativa.
O transistor operando na regio ativa ser til na construo de circuitos para
amplificar um sinal, ou seja, na construo de amplificadores.

Clculo da reta de carga cc
Para o circuito da Figura 8.22, o clculo da reta de carga cc deve ser processado da
seguinte forma:

118

Figura 8.22
Para determinar a reta de carga, deve-se calcular dois pontos. Iremos calcular na regio
de corte e na regio de saturao.
Na regio de corte:
Ic = 0
Vce = Vcc

Na regio de saturao
Vce= 0
Fechando a malha temos:
Vcc = Rc i c + Vce
Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc

Ex: Dado o circuito(Figura 8.23), determine a reta de carga cc.
Dado: Rc= 3,3K; Rb = 270K; Vbb = 4V e Vce = 15V

Figura 8.23
Soluo:
Na regio de corte
119
Ic = 0
Vce = 15V

Na regio de Saturao
Icsat = 15/3,3K = 4,54mA
Vce = 0

A reta de carga cc mostrado na Figura 8.24.

Figura 8.24
Polarizao da base
O circuito polarizao da base apresentado na Figura 8.25.

No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarizao da base o circuito mais
utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
120
transistor esteja funcionando na regio de saturao ou na regio de corte. Geralmente, a fonte
de alimentao da base a mesma que alimenta o coletor, isto , Vbb = Vcc. O circuito ento,
desenhado como mostra a Figura 8.26.

Este tipo de polarizao, porm, no utilizado quando se deseja utilizar o transistor
para que opere na regio ativa. Coloca-se o transistor na regio ativa quando deseja construir
um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor
para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente
alterado indo para a saturao.
Demonstrao
Na primeira malha temos:
Vcc = Rb ib + Vbe

Na segunda malha:
Vcc = Rc ic + Vce
Para que o transistor opere na regio ativa, o ideal que ele opere no meio da reta de
carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc.
Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic
tambm aumenta, uma vez que, ic = ib.
Da segunda malha como Vcc e Rc so valores fixo, ou seja, no sofrem influncia com
a alterao da temperatura ambiente. Para que a equao continue vlida, Vce diminui. Vce
diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a
saturao.
Para polarizar o transistor na regio ativa, foram implementados vrios circuitos, at
conseguir o circuito mais utilizado, que o circuito polarizao por divisor de tenso. Iremos
analisar a evoluo dos circuitos.
Polarizao com realimentao do emissor
121
Na figura 8.27, temos o circuito polarizao com realimentao do
emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.

Figura 8.27 Polarizao com realimentao do emissor
Malha I Temos:
Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie
Malha II temos
Vcc = Rc ic + Vce + Re ie
Exerccio resolvido
Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce.
Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470K, Rc = 2,7K e Re = 800, = 120.

Figura 8.28
122

Soluo:
Vbb = RbIb + Vbe 6 = 470K ib + 0,7
Ib = 0,0112mA
Ic = Ib Ic = 1,34mA
Ie = Ic + Ib Ie = 1,34m + 0,011m Ie = 1,35mA
Vcc = RcIc + Vce + ReIe
12 = 2,7K. 1,34m + Vce + 800. 1,35m
Vce = 7,3V
Polarizao por divisor de Tenso

Na Figura 8.29, temos o circuito polarizao por divisor de tenso.

Figura 8.29 Circuito polarizao por divisor de tenso
Para simplificar os clculos, devemos determinar o equivalente de Thevenin, visto da
base para o terra.
Rth = R1//R2
2 1
2 . 1
R R
R R
Rth
+
=
123
Vcc
R R
R
Vth
2 1
2
+
=

Circuito aps o equivalente de Thvenin apresentado na Figura 8.30.

Figura 8.30 Circuito equivalente de Thevenin
Malha I Temos:
VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie
Malha II temos
Vcc = Rc ic + Vce + Re ie

Exerccios resolvidos
1.Dado o circuito (Figura 8.31), determine Vce e Ic. O ganho de corrente igual a 100

124
Figura 8.31
Soluo:
Rth = =
+
K
K K
K K
3
3 , 3 33
3 , 3 . 33

V
K K
K
Vth 09 , 1 12
3 , 3 33
3 , 3
=
+
=

O circuito pode ser substitudo pelo circuito da Figura 8.32.

Figura 8.32 Circuito equivalente

1,09 = 3K ib + 0,7 + 1,8Kie
Ie = ic + ib, onde: ic = ib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo:

1,09 = 3Kib + 0,7 + 1,8K( 101ib)

0,39 = 184,8K ib ib = 0,002mA logo: ic = 0,21mA e ie = 0,213mA
Malha 2
12= 3,3Kic + Vce + 1,8K ie
12 = 3,3K (0,02m) + Vce + 1,8K (0,213m)
Vce = 11,55V
125

8.4 Transistor como Chave

A regra para projeto

Uma saturao leve significa que levamos o transistor apenas no incio da saturao,
isto , a corrente da base o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo
superior da reta de carga. No muito utilizado o transistor na saturao leve por causa da
variao do ganho de corrente.
A saturao forte a utilizada em circuitos, pois o transistor continua na saturao
mesmo no pior caso de variao do ganho de corrente com a variao da temperatura.
Para colocar o transistor para na saturao forte deve-se fazer com que a corrente da
base seja aproximadamente um dcimo do valor da corrente de saturao.

Figura 8.33 Transistor como chave

Analisando a Figura 8.33 temos:

Na saturao forte:

Ib = 0,1ic

Malha de entrada:

Vcc = Rb.ib+0,7

Malha de sada

Vcc =Rcic + Vce como na saturao Vce = 0, Temos:

Vcc = Rc. ic

Igualando as duas equaes temos:

Rb. Ib + 0 ,7 = Rc.ic
126

Desprezando 0,7V temos;

Rb. Ib = Rc. Ic

Na saturao forte ib = 0,1ic, logo:
Rb. 0,1ic = Rc. Ic , logo: Rb = 10Rc

8.5 Transistor como Fonte de Corrente

Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema.

- Os leds L-1 e L-2, da figura 9.5.1,necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa
luminosidade. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto l-2 uma queda de
2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de mais tenso? (Figura
8.34).

Figura 34. Transistor como fonte de corrente

Observando a Figura 8.34, verificamos que na base existe uma tenso de 3V. Esta
tenso faz com que fixe a tenso no emissor de 3- 0,7. ou seja, a base amarra a tenso do
emissor.
Neste circuito, o transistor est funcionando como fonte de corrente, pois mesmo
alterando a queda de tenso nos leds a corrente permanece a mesma.

127
Os clculos a seguir demonstram isto:

Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em
10mA, dimensionando o valor de Re.

Re = (3-0,7)/10mA Re = 230

Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. Logo, a
luminosidade do led2 no ser diminuda.

Leitura Complementar

Modelagem do transistor para anlise CA

O transistor em um circuito eltrico substitudo pela combinao de elementos
apropriadamente escolhidos, que se aproximam melhor do funcionamento real, tendo-se o que
denominado modelagem do transistor. O objetivo de modelar o transistor facilitar a anlise
para sinais alternados em funo das tenses, correntes e freqncias envolvidas.
H vrios modelos para representar o transistor em um circuito eltrico. Os mais
utilizados so o modelo de Erbers Moll e o modelo hbrido (MALVINO, 1995).

8 3 Modelo de Erbers Moll

Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll, os clculos envolvidos no
circuito ficam mais simples, por isto, utilizado com freqncia.
O modelo hbrido requer clculos mais complexos, porm sem obtm maior
preciso.
No modelo de Ebers Moll, tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor
(CIPELLI e SANDRINI, 2001).
128
Figura 35 - Transistor NPN Figura 36 - Modelo Erbers Moll

Onde:

re = resistncia a passagem do sinal alternado no emissor, pode ser deduzida
como segue:

A equao da juno PN retangular deduzida por Shockley (substituda pela
resistncia re no modelo) :
Onde:

I = corrente total do diodo
I
s
= corrente de saturao reversa
V = tenso total atravs da camada de depleo
q = carga de um eltron (1,6 10
-19
Coulomb)
k = constante de Boltzmann (1,38 10
-23
Joules/Kelvin)
T = temperatura absoluta (K)

A descrio da Eq.1 no inclui a resistncia de corpo de cada lado da juno, por
isso aplicada ao diodo somente quando a tenso atravs da resistncia for desprezvel.
temperatura de 25
C, q/kT aproximadamente igual a 40 (CIPELLI,

SANDRINI, 2001: 98) e a Eq.1 torna-se:

I = I
s
(e
40V
1)

Para obter re`, do modelo de Erbers Moll, diferencia-se a Eq.1 com relao a V.
dI/dV = 40I
s
e
40V

Pode-se escrever na forma

dI/dV = 40( I + I
s
)
coletor
emissor
base
emissor
coletor
base
re`
|
|
\
|
= 1
.
.
T k
V q
e Is I
( 1 )
129

Tomando-se o inverso resulta o valor de re`

re= dV/dI = 1/40( I + I
s
) = 25mV/ (I + I
s
)

Em um amplificador linear prtico, I muito maior do que I
s
(caso contrrio a
polarizao instvel). Por isso, o valor prtico de re` :

re = 25mV/ I

Como se est tratando da camada de depleo do emissor, acrescenta-se o ndice e
na corrente.

re = 25mV/Ie

5.4 Modelo Hbrido

No modelo hbrido (MARQUES et al, 1996), o transistor substitudo por um
nico dispositivo denominado quadripolo, de tal forma que ele possa ser modelado
matematicamente:

Variveis:
v
1
= tenso de entrada
v
2
= tenso de sada
i
1
= corrente de entrada
i
2
= corrente de sada

Conveno:

Tenso positiva para cima
Corrente positiva para dentro

Figura 36 - Quadripolo Genrico

Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de
funes lineares, fixando-se duas variveis dependentes e duas independentes.
De acordo com essa escolha, tem-se modelo matemtico de quadripolos. Para o
modelamento do transistor, a forma adotada fixar v
1
e i
2
como variveis dependentes e i
1
e v
2

como variveis independentes (CUTLER,1997).
Circuito
Eltrico
i
1

+
v
1
_
+
v
2

_
i
2

130

5.4.1 Modelamento matemtico do quadripolo

v
1
= f
1
(i
1
,v
2
)
i
2
= f
2
(i1, v
2
)

Este tipo de modelo que fixa a tenso de entrada v
1
e a corrente de sada i
2
como
variveis dependentes, e a corrente de entrada i
1
e a tenso de sada v
2
como variveis
independentes, denominado modelo hbrido, exatamente por misturar tenso e corrente como
variveis dependentes e independentes (BADHERT, 1995).
Para relacionar essas tenses e correntes, o quadripolo deve ser formado por
quatro parmetros h internos e constantes, denominados h
11
, h
12
, h
21
e h
22
, definindo as duas
funes lineares f
1
e f
2
da seguinte forma :
v
1
= h
11
.i
1
+ h
12
.v
2

i
2
= h
21
.i
1
+ h
22
.v
2

Assim, os parmetros h e seus significados fsicos podem ser obtidos fixando-se o
valor de uma das variveis independentes, como segue:
- h
11
e h
21

Para v
2
= 0. As equaes se reduzem a:
v
1
=h
11
.i
1

e
i
2
= h
21
.i
1

Logo:
h
11
= v
1
/i
1
(sada em curto)
h
11
(hi) a impedncia de entrada quando a sada est em curto.
h
21
=i
2
/i
1
(sada em curto)
h
21
(hf) o ganho de corrente quando a sada est em curto.

- h
12
e h
22

Para i
1
= 0. As equaes se reduzem a
v
1
= h
12
.v
2

e
i
2
= h
22
.v
2

Logo:

h
12
=v
1
/v
2
(entrada aberta)
h
12
(hr) Ganho de tenso reverso com entrada aberta
h
22
= i
2
/v
2
(entrada aberta)
h
22
(ho) Admitncia de sada com entrada aberta

Conhecidos os parmetros h do quadripolo, seu modelo eltrico fica determinado
como segue.
131
Figura 37 Modelo hbrido para o transistor

As equaes de Kirchhoff para este modelo so:

v
1
= hi.i
1
+ hr.v
2

i
2
= hf.i
1
+ ho.v
2

Neste modelo eltrico, tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na sada o
teorema de Norton.
No teorema de Thevenin, um circuito com mltiplas malhas reduzido para uma
fonte de tenso em srie com uma resistncia . No teorema de Norton, um circuito com muitas
malhas substitudo por uma fonte de corrente e uma resistncia em paralelo (MALVINO,
1995).

Exerccios

1. Dado o circuito da Figura 8.38, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
Dado: R1= 10K, R2 = 3,9K, R3 = 2,2K , R4 = 820 , Vcc = 12V e beta = 100.

Figura 8.38

2. Dado o circuito da Figura 8.39, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
h
i

h
r
v
2
h
f
i
1
h
0

i
2

v
1

+
_
v
2

+
_
i
1

132
Dado: Rc = 3,7K; Rb = 330K; Re = 820; Vcc = +12V; Vee = -5V e ganho de corrente de
120

Figura 8.39

3. Considere o circuito da Figura 8.40. O beta na regio ativa de 100. Determine a reta de
carga cc , indique o ponto quiescente na reta e determine Vc.

Figura 9.40

4. Dado o circuito da Figura 8.41, determine a corrente Ie2.
Dado: Rb = 2,7M; Re2 = 1,2K; Vbb = 6V ; Vcc = 12V, 1 = 100 e 2 = 130.

133

figura 8.41

6. Observe o circuito, Figura 8.42 e o grfico, Figura 8.43.

Figura 8.42 Figura 8.43

Sabendo-se, no Transistor Tr1, Beta = 40 e Vbe = 0,6V, qual a corrente, em Amperes, exibida
pelo Ampermetro A1, para temperatura de 50C no RTD?

6. A Figura 8.55, mostra um circuito transistorizado operando na regio ativa com Vbe = 0,7V
e as curvas caractersticas do transistor com a reta de carga correspondente. Determine:
a) O ganho de corrente (cc).
b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110K, R2 = 40K e Re = 340,. Determine
os valores aproximadamente de Rc em , e Ib, em A.

134

Figura 8.44

7. A figura8.45 ilustra o sinal de tenso de entrada V, submetido no circuito transitorizado.
Considere, na curva, os seguintes intervalos de tempo:

T1 de 0s a 1s
T2 de 1s a 3s
T3 de 4s a 6s

correto afirmar que os estados do transistor, nos intervalos T1, T2 e T3, respectivamente,
so:

a) saturado, cortado e operando na regio linear.
b) saturado, operando na regio linear e cortado.
c) operando na regio linear, cortado e saturado.
d) cortado, saturado e operando na regio linear.
e) cortado, operando na regio linear e saturado.

Figura 8.45

8. No esquema da Figura 8.46, temos o circuito de um transmissor eletrnico analgico de
informao. Nele, a sada est localizada onde est o Ampermetro A1 e a sua entrada S1,
que a chave do sensor de fim de curso de uma vlvula.

135

Figura 8.46

Este transmissor deve enviar as seguintes informaes:

S1 Aberta = 4mA em A1;
S2 Fechada = 20mA em A1;

Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0,7V, Quais os valores
dos potencimetros P1 e P2 em KOhms?

9. Foi montado em laboratrio o circuito da Figura 8.47. Algum led ir aceder? Explique o que
acontecer.
Dado: Vcc = 12V. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1,7V.
Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada
led.

Figura 8.47

10. A figura 8.48, mostra um simples provador de continuidade. Determine Vce e Ic no
transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso, no qual a placa no
apresenta defeito. A continuidade indicada pelo led. Considere a barreira de potencial no led
de 2V e o beta para os dois transistores de 100. A chave S1 deve est fechada.

136

Figura 8.48

11. O circuito da figura 8.49, mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de
tenso nominal de 8,2V e um transistor com = 100 e Vbe = 0,7V. Determine, os valores de
tenso de sada Vo, em volts, e da corrente Iz no Zener, em mA.

Figura 8.49

12. Dado o circuito(Figura 8.50), determine a tabela da verdade e indique qual porta lgica o
circuito est representando.

Figura 8.50

13- Dado o circuito (Figura 8.51), calcule o valor do resistor da base, para que a corrente que
circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado.

OBS. O ganho de corrente do transistor de 100 e o sensor uma chave reed switch. Existem
chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. No circuito foi utilizada uma
137
chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente est aberta e ao
aproximar do im a chave fecha.

Figura 8.51

14- Projete o circuito para que o transistor funcione como chave. No circuito foi utilizado um
LDR, no qual com a incidncia de luz a resistncia de 400 e na ausncia de luz a
resistncia de 1M. Para o circuito deseja que com a incidncia de luz o rel seja
energizado. A resistncia do rel de 100. (Figura 8.52).

Figura 8.52

15. Um motor CC opera com tenso de 5V e corrente de 100mA. Ele deve ser acionado por um
circuito de controle que fornece 12V de tenso na sada, conforme o esquema abaixo. Usando
a mesma tenso de alimentao do circuito de controle e o transistor Darlington, especifique
os resistores Rb eRc. (Figura 8.53).

Parmetros do transistor Darlington

Ganho de corrente 1500
Ic mx = 150mA
Vbe sat = 1.4V
Vce sat= 1V

138

Figura 8.53


Experincia 12 Transistor como chave

Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor ir operar como chave.

Material necessrio:

- 1 Fonte de alimentao 10V;
- 1 transistor NPN (BC338);
- 1 resistor de 5,6K, 560 (0,25W);
- 1 led;

Procedimento:


139

Figura 8.54

2. Coloque a chave na posio 1 e mea Ib,Ic,Ie, Vbe,Vce e Vcb;

3. Coloque a chave na posio 2 e mea Ib,Ic,Ie, Vbe,Vce e Vcb.

Experincia 13 Transistor como Fonte de corrente

Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor ir operar como fonte de
corrente.

Material necessrio:

- 2 Fontes de alimentao 8V;
- 1 transistor NPN (BC338);
- 1 resistor de 330 (0,25W);
- 1 led;

Procedimento:

1.Monte o circuito da Figura 8.55, no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V:

140

Figura 8.55

2. Aumente progressivamente a tenso na base at igualar a tensoVcc(8). Explique porque o
led apagou.


Alarme para porta com transistor

Neste circuito, voc vai montar um alarme para porta, no qual a porta deve estar
fechada e ao abri-la, deve acionar um buzzer.

Material necessrio:

- 4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em srie e duas em paralelo);
- 1 Buzzer de 6V;
- 1 Chave reed swich (normalmente fechada);
- 1 resistor 5,6K (0,25W);
-1 Transistor BC338, (ou equivalente).

Circuito (Figura 8.56).

141

Figura 8.56

0 ma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.

Figura 8.57

A chave reed swich normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente
est fechada e o im fica prximo a chave reed swich, a chave reed swich fica aberta. Ao abrir
a porta, afasta o im da chave reed swich e a chave reed swich fecha, fazendo com que circule
corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na regio de saturao e acionar o
buzzer.

Alarme de passagem

Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao
bloquear esta emisso de luz, uma lmpada ser acesa.

Material necessrio
142

-1 bateria de 12V;
- 1 diodo 1N4004;
- 1 lmpada de 12V;
- 1 resistores de 68K, 1/4W;
- 2 resistores 1K; 1/4W;
- 1 transistor BC338;
- 1 capacitor 100F, 16V;
- 1 capacitor 0,01F, 16V;
- 1 fototransistor (qualquer um serve);
- 1 CI 555;
- 1 rel 12V.

Circuito

Figura 8.58

Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no
fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor est funcionando como uma chave
fechada. A tenso de 12V est sobre o resistor de 1K. No pino 2 do CI 555, tem-se uma
alimentao de 12V. A sada (pino 3)fica em 0V.
Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na regio de corte e
entra 0V, sobre o pino 2. A sada do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prtica sai
uma tenso menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na regio de saturao. O rel
acionado e a lmpada de 12V acesa.
O tempo em que a lmpada permanece acesa calculado pela seguinte expresso:

T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100 = 7,48s.

Aps este tempo a lmpada apaga.

143

CAPTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRNICOS

Introduo

Alm dos diodos e transistores bipolares, existem vrios outros componentes
eletrnicos. Alguns desses componentes so usados em eletrnica de potncia ou em circuitos
osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles j estudados.
Neste captulo iremos explorar alguns desses componentes.

9.1 Transistor de Unijuno (TUJ)

Os transistores de unijuno (TUJ) so projetados para trabalharem em osciladores,
circuitos temporizadores e disparadores (triggering). Embora sejam chamados de
transistores e possurem trs terminais, sua constituio fsica muito diferente de um
transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ dispositivo
de baixa potncia, com dissipao mxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente
eltrico para o TUJ e um circuito de teste. So exemplos de TUJ os seguintes componentes:
2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.

(a) (b)
Figura 9.1 TUJ: (a) construo bsica, (b) smbolo.

9.1.1 Funcionamento

Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tenso V
E
do emissor for menor que 0,7 + V
RB1
o
diodo se encontrar inversamente polarizado, I
E
ser praticamente nula e corrente que circula
pelo componente ser dada pela tenso de alimentao divida pela resistncia interbase R
BB
. O
valor de R
BB
fica normalmente entre 4 k e 9 k.
Nessa situao, quando I
E
= 0, a tenso V
RB1
calculada por:
BB BB
B B
B
RB
V V
R R
R
V =
+
=
2 1
1
1
.
E
B
2

B
1

Juno pn
B
2

B
1

E
Basto de
alumnio

Silcio tipo n
144

(a) (b)
Figura 9.2 TUJ: (a) equivalente eltrico, (b) circuito de teste.

O valor (eta) a razo intrnseca do TUJ, isto , a razo entre R
B1
e R
BB
. O valor
de pode variar, tipicamente, entre 0,55 e 0,85. Quando a tenso V
E
se aproxima de V
RB1
mais
a tenso de polarizao do diodo do emissor, ocorre uma reduo drstica no valor de R
B1
e
passa a circular uma corrente maior pelo TUJ.

9.1.2 Aplicao tpica: oscilador de relaxao

Na Figura 9.2 (b) temos uma aplicao tpica para o TUJ. Nesse circuito, o capacitor
vai se carregando atravs do resistor R
1
. Quando a tenso do capacitor atinge o valor crtico
para a conduo, isto , quando V
E
> V
D
+ V
RB1
, ocorre uma injeo de lacunas na regio N
correspondente a R
B1
e a tenso do emissor cai rapidamente. Isso faz com que o capacitor se
descarregue rapidamente atravs do resistor Rb1. A frequncia desse oscilador
aproximadamente dada por:

|
|
\
|
1
1
ln
1
1 1
C R
f .

A deduo dessa frmula envolve algum conhecimento de clculo e de transitrios CC,
estando fora do escopo deste livro.
Note que na base 1 so gerados pulsos peridicos. Esses pulsos podem ser usados para
ativar um outro dispositivo, o SCR (silicon controlled rectifier), que ser estudado mais
adiante. Antes, porm, estudaremos um componente mais simples, o diodo de quatro
camadas Schockley.
V
BB

R
B2

E
R
B1

B
2

B
1

V
BB

I
E

V
E

R
BB
= R
B1
+ R
B2

(I
E
= 0)
145
9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS
O estudo dos tiristores deve comear pelo dispositivo que origina toda a famlia, o
diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (no confundir com o diodo Schottky, diodo com
duas camadas, usado em aplicaes que exigem altas freqncias, como, por exemplo, em
computadores). A Figura 9.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos
estudar) e do diodo Schottly.

(a) (c) (b)
Figura 9.3 (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas), (b) representao das quatro
camadas PNPN, (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas).
9.2.1 Funcionamento
Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento
do circuito conhecido como trava ideal, indicado na Figura 9.4.

(a) (b) (c) .
Figura 9.4 (a) Dispositivo de quatro camadas, (b) modelo de estudo para a trava ideal, (c)
trava formada por dois transistores.
146
Analisado a Figura 9.3-(c), observamos que o coletor do transistor PNP ligado na
base do transistor NPN. O coletor do transistor NPN ligado na base do transistor PNP.
Temos uma realimentao positiva conhecido como regenerao. Se a corrente da base do
transistor NPN aumentar, a corrente do coletor do transistor tambm NPN aumentar,
consequentemente, a corrente na base do transistor PNP tambm aumentar. A corrente na
base do transistor NPN aumentar mais e o ciclo continua at os dois transistores entrarem em
saturao, funcionado como uma chave fechada.
Por outro lado, se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir, a
corrente do coletor tambm diminura. Como conseqncia, a corrente da base do transistor
PNP tambm diminuir ocasionando uma diminuio na corrente do coletor do transistor PNP.
O ciclo ir se repetir at que os dois transistores entrem na regio de corte. Teremos uma
chave aberta.
O modo mais comum de disparar do diodo Schockley atravs da interrupo,
conhecida como tenso de breakover (U
BO
). A tenso de breakover significa aplicar uma
tenso de alimentao suficientemente grande no emissor do transistor PNP, de forma a
saturar os dois transistores. O efeito o mesmo que aplicar um disparo, ou aplicar uma
corrente na base do transistor NPN. Desta forma o diodo Schockey ir funcionar como uma
chave fechada.
O nico modo de abri-lo atravs do desligamento por baixa corrente. Significa
reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manuteno (I
H
) ou tenso de
manuteno (U
H
). A curva caracterstica do diodo Schockley mostrada na Figura 9.5.

Figura 9.5. Curva caracterstica do diodo de quatro camadas Schockley.
Com polarizao reversa o diodo se comporta como um diodo comum, apresentando
altssima resistncia. Se a tenso reversa exceder a tenso de breakdown (U
BK
) o diodo ser
destrudo. Com polarizao direta o diodo apresenta alta resistncia enquanto a tenso for
menor do que um valor chamado de tenso de breakover (U
BO
). Acima deste valor o
dispositivo dispara passando a conduzir, somente voltando a cortar quando a tenso (corrente)
de anodo cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, U
H
(I
H
).

147
9.3 Diodo controlado de silcio (SCR)

O SCR um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no Bell Telephone
Laboratory (EUA) em 1957. um dos mais usados e difundidos tiristores. Tiristor um nome
genrico dado a uma famlia de componentes semicondutores formado por quatro camadas
(PNPN). Esses componentes so aplicados principalmente na rea de eletrnica de potncia.
Um SCR basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado
um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por
injeo de corrente. A estrutura bsica de um SCR mostrada na Figura 9.6 e seu
funcionamento explicado a seguir.

(a) (b) (c)

Figura 9.6 (a) Camadas e junes do SCR, (b) smbolo do componente, (c) exemplo de
encapsulamento (TO220).

9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR

O funcionamento de um SCR semelhante de um diodo de silcio aps o disparo
de sua porta (gate). Sem esse disparo, o SCR permanece bloqueado mesmo quando est
diretamente polarizado.

Figura 9.7 SCR polarizado diretamente, mas com corrente de porta nula.
148
Quando o circuito mostrado na Figura 9.7 montado em laboratrio, verifica-se que o
SCR funciona como uma chave aberta. Este estado alterado aps um disparo de corrente no
gate. A porta de um SCR aproximadamente equivalente a um diodo. Por esta razo,
necessrio pelo menos uma tenso de 0,7V para disparar o SCR. Alm disso, ser necessrio
uma corrente mnima, que ir depender do SCR utilizado, ou seja, a corrente de disparo ser
especificada pelo fabricante.
Aps disparar, o SCR passa da condio de alta resistncia para baixa resistncia. A
tenso de anodo cai para um valor baixo (0,5V a 1,5V ). O SCR s volta a cortar quando a
tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, U
H

(I
H
) cujo valor depende do tipo de SCR. Por exemplo, o TIC106 tem I
H
0,5mA enquanto o
TIC116 tem I
H
15mA.
Como vimos anteriormente, um diodo de quatro camadas pode ser representado por
dois transistores ligados com realimentao de um para o outro. Se adicionarmos um terceiro
eletrodo, a porta, poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro
camadas. A corrente de gate necessria para disparar o SCR designada I
GT
e pode ser da
ordem de A no caso do TIC 106.

9.3.2 Aplicaes em CC tpicas para o SCR

Em CC deve ser previsto circuito de reset aps o SCR disparar. No circuito da Figura
9.8, a chave A usada para disparar e a chave B para resetar o SCR.

Figura 9.8 SCR em circuito CC.
Bloqueio por capacitor. Para o circuito mostrado na Figura 9.9, a analise de funcionamento
leve em conta os seguintes passos:
a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas;
b) fechando a chave Ch1;
c) fechando a chave Ch2;
149

Figura 9.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor.

9.4 Diac

O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) um dispositivo de quatro
camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tenso aplicada, com qualquer
polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tenso de breakover (U
BO
),
voltando a cortar quando a tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso
(corrente) de manuteno, U
H
(I
H
). O smbolo do diac e a sua estrutura interna so mostrados
na Figura 9.10. J a Figura 9.11 mostra a sua curva caracterstica.

(a) (b) .
Figura 9.10. (a) Smbolo do diac e (b) sua estrutura interna.

150

Figura 9.11. Curva caracterstica do diac.
O DIAC no conduz at que a tenso atravs dele exceder a tenso de interrupo em
qualquer sentido. Uma vez que o diac est conduzindo, a nica forma de abri-lo atravs de
um desligamento por baixa corrente. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de
manuteno especificada pelo componente.

9.5 Triac

Quando necessrio controlar a potncia em uma carga AC, com corrente nos dois
sentidos, pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo, como mostra a
Figura 9.12, ou usar um TRIAC, tambm mostrado na Figura 9.12. O TRIAC, desta forma,
pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCRs ligados em antiparalelo.

Figura 9.12. (a) Hipottico circuito de controle de carga AC usando dois SCRs, (b) smbolo do TRIAC.

O TRIAC tambm pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um
terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tenso. Como
o TRIAC dispara com tenso positiva ou negativa no tem mais sentido em falar em anodo
(terminal +) e catodo (terminal - ), ao invs disso os dois terminais so chamados de terminal
principal 1 (T
1
) e terminal principal 2 (T
2
).

151
9.4.2 Aplicaes tpicas para o TRIAC
A seguir, apresentamos algumas aplicaes tpicas para o TRIAC.
CHAVE ESTTICA ASSINCRONA
O uso do TRIAC como chave assncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em
relao chave mecnica. Permite, por exemplo, controlar grandes potncias a partir de
potncias relativamente pequenas, TRIAC no apresenta trepidao (o que acontece com
um rel) ao conduzir, no h aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um rel),
permitindo um grande nmero de operaes. A grande desvantagem a dissipao de calor,
sendo necessrio o uso de um dissipador. Outra desvantagem a possibilidade de
aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez, principalmente
no caso de circuitos resistivos. A Figura 9.13 ilustra essa aplicao.

Figura 9.13. Chave assncrona com TRIAC.
CHAVE ESTTICA SNCRONA
O TRIAC operando no modo assncrono tem como principal inconveniente o fato da
possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC
chaveado, principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tenso da rede estiver
passando por um pico e a carga for resistiva. No modo sncrono o TRIAC somente ser levado
conduo quando a tenso da rede estiver passando prximo do zero, da os circuitos que
efetuam este tipo de controle ser chamados de Zero Voltage Switching (ZVS). Na Figura
9.14, o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tenso de entrada
estiver passando prximo de zero, no deixando o TRIAC disparar se a tenso de entrada for
muito alta.
152

Figura 9.14. Chave sncrona com TRIAC.

Controle de Potncia Dimmer.
A luminosidade de uma lmpada pode ser controlada atravs da variao da potncia
eltrica que lhe entregue, e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada
semi ciclo. A Figura 9.15 mostra um circuito simples que controla a potncia de uma lmpada
usando o TRIAC. O seu funcionamento, em linhas gerais, dados logo a seguir.

Figura 9.15. Circuito de controle de potncia Dimmer.
O capacitor C1 carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) atravs do
potencimetro de controle Rv e a resistncia R1, C2 se carrega depois gerando um atraso.
Aps um tempo, o DIAC dispara quando a tenso no capacitor C2 atingir a tenso de disparo
(breakover). O capacitor C2 se descarrega atravs do DIAC e no gate do TRIAC disparando-o
para um determinado ngulo de disparo.
153
A mudana brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rdio
freqncia (RF) que causa interferncias em aparelhos de rdio colocados na mesma rede. O
indutor Lf e o capacitor Cf, mostrados na Figura 9.16, funcionam como um filtro que reduzem
essas interferncias a nveis aceitveis.
A Figura 9.17 mostra as formas de onda da tenso na carga para um determinado
angulo de disparo.

Figura 9.16. Circuito de controle de potncia com filtro de RF (Lf e Cf).

Figura 9.17. Formas de onda da tenso na carga para um ngulo de disparo.

154
Exerccios
Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. Considere a tenso de interrupo do
diodo de 12V e a queda tenso de 1,2V; R = 1,2 k.
a) Para Vf = 8V
b) Para Vf = 20V

Ex2: Dado o circuito determine o valor da tenso de alimentao que produz o desligamento
do diodo por baixa corrente. Considere a corrente de manuteno no diodo de 6mA e a queda
de tenso de 0,6V no ponto de desligamento. R= 2,2K.

Ex3: O circuito abaixo um detector de sobretenso. Explique o funcionamento. Dado: Fonte
de alimentao = 10V, Tenso de interrupo do diodo de 12V.

155
BIBLIOGRAFIA CONSULTADA

BOYLESTAD, Robert; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos .
Rio de Janeiro (RJ): Prentice-Hall do Brasil, 1984. 700 p. 6.ed. Rio de Janeiro: LTC, 1999.
ISBN 85-7054-008.
CIPELLI, Antnio Marco Vicari; SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e desenvolvimento de
projetos de circuitos eletrnicos. So Paulo (SP): rica, 1986. 580 p.
FERNANDES, Fabola Soares. Ambiente computacional para o ensino de amplificadores
para pequenos sinais. 2002. 150p. Fortaleza (CE), 2002.
MALVINO, Albert Paul; LEACH, Donald P. Eletrnica - v.1 . So Paulo (SP): Makron
Books, 1987. v.1. ISBN 85-346-0455-X.
MILLMAN, Jacob; GRABEL, Arvin. Microelectronica. Lisboa (Portugal): McGraw-Hill,
1992. 2 v. ISBN 972-9241-16-3.
MILLMAN, Jacob; HALKIAS, Christos C. Eletrnica: dispositivos e circuitos - v.1 . So
Paulo (SP): McGraw-Hill do Brasil, 1981. v.1.
SCHILLING, Donald, L.; BELOVE, Charles. Circuitos eletrnicos discretos e integrados.
Rio de Janeiro (RJ): Guanabara Dois, 1979. 629 p.
SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletrnica . So Paulo (SP): Pearson Education
do Brasil, 2000. ISBN 85.346.1044-4.

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3

C, q/kT aproximadamente igual a 40 (CIPELLI,

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