UNIVERSIDADE TCNICA DE LISBOA

INSTITUTO SUPERIOR TCNICO

DEEC / Seco de Energia

Energias Renovveis e Produo Descentralizada

INTRODUO ENERGIA FOTOVOLTAICA





Rui M.G. Castro


Novembro de 2002 (edio 0)


OUTROS VOLUMES DISPONVEIS



Introduo Energia Mini-Hdrica, Dezembro 2002 (edio 1)
Introduo Energia Elica, Janeiro 2003 (edio 1)
Condies Tcnicas e Econmicas da Produo em Regime Especial
Renovvel, Fevereiro 2003 (edio 2)


Rui Castro
rcastro@ist.utl.pt
http://enerp4.ist.utl.pt/ruicastro


NDICE
1. INTRODUO 1
1.1. Aplicaes de Mdia Potncia 2
1.2. Situao em Portugal 3
1.3. Custos 7
2. CLULA FOTOVOLTAICA 11
2.1. Estrutura Microscpica 11
2.2. Estrutura Macroscpica 13
2.3. Modelo Matemtico 15
2.3.1. Estabelecimento do modelo simplificado 15
2.3.2. Comparao com resultados experimentais 17
2.3.3. Condies de referncia 18
2.3.4. Potncia elctrica e rendimento 19
2.3.5. Desenvolvimento do modelo e aplicao 21
2.3.6. Influncia da temperatura e da radiao incidente 24
2.3.7. Introduo ao modelo detalhado 29
2.4. Tipos de Clulas 30
3. MDULOS E PAINIS 31
4. APLICAES LIGADAS REDE 37
4.1. Potncia Mxima 37
4.2. Seguidor de Potncia Mxima (MPPT) 39
4.3. Inversor 39
4.4. Radiao e Temperatura 40
4.5. Estimativa da Energia Produzida 42
5. ANEXO 44
6. REFERNCIAS 47
Introduo

1
1. INTRODUO
As clulas fotovoltaicas so constitudas por um material semicondutor o
silcio ao qual so adicionadas substncias, ditas dopantes, de modo a criar um
meio adequado ao estabelecimento do efeito fotovoltaico, isto , converso directa
da potncia associada radiao solar em potncia elctrica DC.
A clula o elemento mais pequeno do sistema fotovoltaico, produzindo tipi-
camente potncias elctricas da ordem de 1,5 W (correspondentes a uma tenso
de 0,5 V e uma corrente de 3 A). Para obter potncias maiores, as clulas so li-
gadas em srie e/ou em paralelo, formando mdulos (tipicamente com potncias
da ordem de 50 a 100 W) e painis fotovoltaicos (com potncias superiores).
Hoje em dia, os sistemas fotovoltaicos so usados num conjunto vasto de
aplicaes, de que se destacam:
Aplicaes de mdia potncia (dezenas ou centenas de quilowatt)
- Electrificao rural: abastecimento de cargas domsticas em locais
remotos sem rede, bombagem de gua e irrigao, complemento de
abastecimento de locais remotos com ou sem rede
- Produo descentralizada ligada rede
Aplicaes de pequena potncia (dcimas ou unidades de quilowatt)
- Relgios e calculadoras
- Acessrios de veculos automveis
1

- Sinais rodovirios (mveis e estticos) e parqumetros
- Telefones de emergncia, transmissores de TV e de telemvel
- Frigorficos mdicos em locais remotos

1
Por exemplo, alimentao de ventoinhas para refrigerao de automveis estacionados, ou car-
regamento de baterias em veculos de campismo.
Introduo

2
Em muitas destas aplicaes, os sistemas fotovoltaicos substituem com van-
tagem outros meios de produo alternativos, designadamente nas aplicaes de
pequena potncia, onde a sua difuso muito significativa. Por outro lado, foi por
intermdio da indstria espacial, onde a vantagem competitiva dos sistemas foto-
voltaicos significativa, que estes iniciaram o seu desenvolvimento.
1.1. APLICAES DE MDIA POTNCIA
As aplicaes de mdia potncia (entre as dezenas e as centenas de qui-
lowatt) so aquelas que naturalmente mais interessam aos engenheiros electro-
tcnicos. Os sistemas fotovoltaicos, sozinhos ou em associao com outras renov-
veis, so j competitivos para alimentao de certos locais remotos onde as solu-
es alternativas convencionais gerador diesel ou rede elctrica so claramen-
te inferiores do ponto de vista econmico e apresentam inconvenientes ambien-
tais no neglicenciveis.
J no modo de funcionamento em produo descentralizada ligada rede de
energia elctrica, a situao completamente diferente: os sistemas fotovoltaicos
esto ainda longe de ser competitivos, quer com as fontes de produo convencio-
nais, quer principalmente com outras energias renovveis. O elevado investimen-
to e a baixa utilizao anual da potncia instalada so as principais razes para a
fraca penetrao que se verifica nos sistemas ligados rede.
Em aplicaes de mdia potncia, os painis fotovoltaicos podem ser opera-
dos principalmente de trs formas:
Ligados rede de energia elctrica, qual entregam toda a energia que
a radiao solar lhes permite produzir; para este efeito necessrio um
inversor que serve de elemento de interface entre o painel e a rede, de
modo a adequar as formas de onda das grandezas elctricas DC do pai-
nel s formas de onda AC exigidas pela rede.
Introduo

3
Em sistema isolado, alimentando directamente cargas; neste modo de
funcionamento, o critrio de dimensionamento a radiao disponvel
no ms com menos sol, uma vez que necessrio assegurar o abasteci-
mento durante todo o ano; em associao com os colectores fotovoltaicos
ainda necessrio dispor de:
- Baterias, de modo a assegurar o abastecimento nos perodos em que
o recurso insuficiente ou no est disponvel; as baterias so carre-
gadas quando o recurso disponvel permite obter uma potncia supe-
rior potncia de carga.
- Regulador de carga, que efectua a gesto da carga por forma a obter
perfis compatveis com a radiao disponvel e com a capacidade das
baterias.
- Inversor, requerido se houver cargas alimentadas em AC.
Em sistema hbrido, alimentando directamente cargas isoladas, em
conjunto com outros conversores de energias renovveis, por exemplo, o
elico; neste modo de operao os dispositivos requeridos so os menci-
onados para o funcionamento em sistema isolado, podendo existir tam-
bm um meio de produo convencional, geralmente o gerador diesel,
para apoio e reserva.
1.2. SITUAO EM PORTUGAL
Em relao situao em Portugal, as ltimas estatsticas nacionais conhe-
cidas [Frum] apontam para cerca de 1 MW de potncia total instalada no final
de 2000, com a seguinte repartio: 52% em sistemas isolados de electrificao
rural, 20% nos servios (telefones SOS, emissores das redes de telemvel, par-
qumetros, ), 26% em sistemas ligados rede e 2% em instalaes de I&D.
Para cada uma das categorias indicam-se a seguir algumas das instalaes
mais significativas localizadas em Portugal Continental [ESTSetbal], [BPSolar]:
Introduo

4
Sistemas isolados
Ourique: instalao hbrida constituda por trs sistemas produtores
usando duas tecnologias elico e fotovoltaico para fornecimento de
energia elctrica a aglomerados habitacionais isolados, perto de Santa-
na da Serra; a potncia total instalada de 97 kW, repartidos em
42 kW fotovoltaicos e 55 kW elicos, apoiados por trs grupos motor-
gerador diesel de 15 kVA cada.
Vale da Rosa: instalao fotovoltaica isolada na aldeia de Vale da Rosa,
concelho de Alcoutim, constituda por dois conjuntos fotovoltaicos: um
sistema de 1,1 kW para electrificao rural e outro de igual potncia
para bombagem de gua, perfazendo a potncia total instalada de
2,2 kW.
Outras instalaes: Castro dAire (electricidade rural 19,3 kW), Ber-
lengas (casa e bombagem de gua 13 kW), Aljezur (casas de turismo
9 kW), Palmela (bombagem de gua 10 kW), Alter do Cho (bomba-
gem de gua na Escola Agrcola 0,8 kW).
Sistemas ligados rede
2

Faro: instalao, localizada na cobertura de um edifcio de servios, li-
gada rede de distribuio em 1998, com uma potncia de 5 kW
3
.
Setbal: instalao de 10 kW, propriedade da EDP, e que foi pioneira
na ligao de sistemas fotovoltaicos rede elctrica.

2
Em Toledo, Espanha, est em funcionamento desde 1994 a maior central fotovoltaica da Europa
ligada rede com 1 MW de potncia de pico, que produz, em mdia, 1.600 MWh/ano de energia
elctrica [BPSolar].
3
No primeiro ano de operao a energia injectada na rede foi de 7.800 kWh, a que corresponde
uma utilizao anual da potncia de ponta de 1560 horas, valor coerente com as estimativas de
produo naquela zona do pas [Aguiar].
Introduo

5
Servios
BP Solar em diversos postos de abastecimento de combustveis, sendo a
energia excedente vendida rede.
Grndola: emissor de rede de telemvel da Vodafone (1 kW fotovoltaico
+ 1 kW elico).
Vila do Bispo: todo o equipamento elctrico do restaurante Castelejo
(3 kW).
Ria Formosa (Algarve): bias de sinalizao martima (5 kW no total).
Outras instalaes: postes de iluminao pblica, parqumetros, telefo-
nes SOS nas auto-estradas, semforos e cancelas em passagens de n-
vel de comboios, repetidores de TV, ...
A situao dos sistemas fotovoltaicos no mundo, no que diz respeito a potn-
cia total instalada e a custos indicativos, pode ser avaliada atravs de uma publi-
cao recente da Agncia Internacional de Energia (AIE) [IEA-PVPS] de onde se
transcrevem o Quadro 1 e o Quadro 2.
Nesta publicao da AIE sugere-se uma nova classificao para os sistemas
fotovoltaicos:
Sistemas isolados domsticos (Off-grid domestic): sistemas que forne-
cem energia elctrica para iluminao, refrigerao e outras pequenas
cargas em locais isolados.
Sistemas isolados domsticos (Off-grid non-domestic): sistemas que
fornecem energia elctrica a servios, tais como, telecomunicaes,
bombagem de gua, frigorficos mdicos, ajuda navegao area e
martima, estaes de recolha de dados meteorolgicos.
Introduo

6
Sistemas distribudos ligados rede (Grid-connected distributed): sis-
temas que fornecem energia elctrica a edifcios (comerciais ou indus-
triais) ou outras cargas que tambm esto ligadas rede, para onde a
energia em excesso enviada. A potncia tpica para este tipo de apli-
caes varia entre 0,5 kW e 100 kW.
Sistemas centralizados ligados rede (Grid-connected centralized): sis-
temas que fornecem exclusivamente energia elctrica rede.
Pode observar-se no Quadro 1 que nos pases do IEA-PVPS a potncia total
instalada em sistemas fotovoltaicos ascendia no final de 2001 a quase 1.000 MW.
Quanto aos custos associados, a disperso relativamente elevada, como se pode
verificar no Quadro 2, situando-se a mdia para sistemas isolados em volta de
13 /W e para sistemas ligados rede em cerca de 7 /W.
Quadro 1 Potncia instalada cumulativa em sistemas fotovoltaicos
nos pases da IEA-PVPS no final de 2001 [IEA-PVPS].
Off-grid
domestic
Off-grid non-
domestic
Grid-connected
distributed
Grid-connected
centralized
Total
Total installed
per capita
Power installed
in 2001
[kW] [kW] [kW] [kW] [kW] [W/Capita] [kW]
Australia 10.916 19.170 2.800 650 33.580 1,73 4.370
Austria 1.955 4.440 241 6.636 0,81 1.762
Canada 3.322 5.162 341 11 8.836 0,28 1.682
Switzerland 2.480 220 13.340 1.560 17.600 2,42 2.300
Denmark 50 160 1.290 0 1.500 0,28 40
Germany 6.200 10.500 162.000 16.000 194.700 2,34 80.900
Spain
1
5.900 1.100 600 1.480 9.080 0,23 -
Finland 2.392 249 87 30 2.758 0,53 206
France 8.912 3.972 972 0 13.856 0,23 2.525
the United Kingdom 135 385 2.226 0 2.746 0,05 817
Israel 253 200 6 14 473 0,08 32
Italy 5.300 6.350 1.635 6.715 20.000 0,35 1.000
Japan 600 68.960 379.770 2.900 452.230 3,57 122.010
Korea 376 3.857 524 0 4.757 0,1 797
Mexico 12.349 2.614 9 0 14.972 0,15 1.043
the Netherlands 0 4.330 13.699 2.480 20.509 1,28 7.750
Norway 5.810 335 65 0 6.210 1,38 180
Portugal
2
484 176 268 0 928 0,09 84
Sweden 2.376 507 149 0 3.032 0,34 227
the United States 50.500 64.700 40.600 12.000 167.800 0,6 29.000
Total 118.399 194.902 624.821 44.081 982.203 1,01 256.641
1
No data available for 2001 or 2000. Installed PV power as at 31 December 1999
2
No data available for 2001. Installed PV power as at 31 December 2000
Country


Introduo

7
Quadro 2 Custos indicativos de sistemas fotovoltaicos em alguns pases do
IEA-PVPS em 2001 [IEA-PVPS].
< 1 kW > 1 kW < 10 kW > 10 kW
USD per W USD per W USD per W USD per W
Australia 11,7 9,4 7,1 6,3
Austria - - 6,8 6,2
Switzerland 11,3 9 7 6,1
Denmark 9,2 20 6,9 10,9
Germany 7 7,8 5,5 4,7
Finland 13,2 - 6,8 6,8
France 12,8 19,6 - -
the United Kingdom 14 11,9 10,6 9,4
Italy 11,5 11,1 6,3 6,1
Japan - - 6,2 7,6
Korea 18,1 17,4 11,5 10,3
Mexico 13,3 - - -
the Netherlands - - 5,6 5,3
Norway 10,7 10,7 - -
Sweden 16,6 - 6,2 -
the United States 18,5 16 10 8,5
Note: These prices are indicative installed system prices and exclude sales taxation
Country
Off-grid Grid-connected

1.3. CUSTOS
O custo de investimento de sistemas fotovoltaicos normalmente referido
em custo por watt de pico (/Wp, por exemplo), em que a potncia de pico a po-
tncia mxima nas condies de referncia
4
. O custo inclui tanto os mdulos pro-
priamente ditos, como os dispositivos de interface e regulao entre os colectores
e a carga ou a rede. Estes dispositivos
5
so tipicamente a bateria, regulador de
carga e, eventualmente, inversor, no caso de sistemas isolados e apenas o inver-
sor para os sistemas ligados rede. As estruturas de suporte dos mdulos (Figura
1) tambm se incluem nos dispositivos de interface e regulao.

4
As condies de referncia so radiao incidente igual a 1.000 W/m
2
e temperatura da clula de
25 C (ver Captulo 2).
5
Balance Of Systems BOS.
Introduo

8

Figura 1 Estruturas de suporte dos mdulos fotovoltaicos [DOE].
Em Portugal, so actualmente tomados como custos tpicos de sistemas foto-
voltaicos [Frum] os valores de 6 /Wp, para os sistemas ligados rede e 10 /Wp,
para os sistemas isolados. Embora o custo dos dispositivos de interface e regula-
o e os custos de instalao possam variar muito, pode afirmar-se que, em ter-
mos mdios, cerca de 50% do investimento total se refere aos colectores, incluin-
do-se nos restantes 50% o custo dos dispositivos de interface e regulao e respec-
tivas ligaes elctricas e os custos de instalao.
Os custos de operao e manuteno (O&M) so tambm muito variveis,
mas pode estimar-se que se situem, em mdia, em torno de 1 a 2% do investimen-
to total.
O custo mdio anual actualizado (/kWh) dado por:

( )
a
p d
h
c c i
c
+
= equao 1
em que:
i inverso do factor presente da anuidade, dado por
( )
( ) 1 a 1
a a 1
i
n
n
+
+
= , sen-
do a a taxa de actualizao e n o nmero de anos de vida til da insta-
lao
Introduo

9
c
p
custo de investimento por kW instalado, que no caso dos sistemas
fotovoltaicos o custo por kW de pico (/kWp)
h
a
utilizao anual da potncia de pico (h)
c
d
custos diversos, onde se incluem, como parcela dominante, os en-
cargos de O&M em percentagem do investimento total
Na Figura 2 ilustra-se a curva de variao do custo mdio anual da unidade
de energia produzida com a utilizao anual da potncia de pico, parametrizada
em funo do investimento por unidade de potncia de pico. O perodo de vida til
da instalao foi tomado igual a 20 anos; para os encargos de O&M tomou-se o
valor de 1% do investimento total; a taxa de actualizao considerada foi de 8%.
0,00
0,25
0,50
0,75
1,00
1,25
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800
Utilizao anual da potncia de pico (h)
E
u
r
o

/

k
W
h
cp = 10.000 /kWp
cp = 6.000 /kWp
cp = 8.000 /kWp
a = 8%
n = 20 anos
cd = 1%

Figura 2 Custo mdio anual da unidade de energia em funo da
utilizao anual da potncia de pico, parametrizado em funo do
investimento por unidade de potncia de pico;
a = 8%, n = 20 anos, c
d
= 1%c
p
.
Introduo

10
O preo mdio actualmente pago pela rede receptora por cada unidade de
energia de origem fotovoltaica ronda os 0,5 , para instalaes com potncia de
pico inferior a 5 kW, e os 0,3 , para as restantes instalaes [Frum]. As estima-
tivas disponveis para a utilizao anual da potncia de pico de instalaes foto-
voltaicas em Portugal [Aguiar] apontam para valores mdios da ordem de 1.400
horas, na regio norte, 1.500 horas, na regio centro, e 1.600 horas na regio sul.
A anlise da Figura 2 mostra que para esta gama de variao da utilizao
anual da potncia de pico (entre 1.400 e 1.600 horas anuais) absolutamente es-
sencial que o investimento por unidade de potncia de pico em instalaes ligadas
rede no ultrapasse o valor de referncia 6 /Wp por forma a assegurar a
rentabilidade do projecto.
Clula Fotovoltaica

11
2. CLULA FOTOVOLTAICA
2.1. ESTRUTURA MICROSCPICA
Um tomo de silcio formado por catorze protes e catorze electres. Na
camada mais exterior, conhecida como banda de valncia, existem quatro elec-
tres.
Quando se constitui um cristal de silcio, os tomos alinham-se segundo uma
estrutura em teia (chamada teia de diamante), formando quatro ligaes covalen-
tes com quatro tomos vizinhos, como se mostra na Figura 3.

Figura 3 Estrutura em teia de diamante de um cristal de silcio [NREL].
Em cada ligao covalente, um tomo partilha um dos seus electres de va-
lncia com um dos electres de valncia do tomo vizinho. Como resultado desta
partilha de electres, a banda de valncia, que pode conter at oito electres, fica
cheia: os electres ficam presos na banda de valncia e o tomo est num estado
estvel.
Para que os electres se possam deslocar tm de adquirir energia suficiente
para passarem da banda de valncia para a banda de conduo. Esta energia
designada por hiato
6
e no caso do cristal de silcio vale 1,12 eV.

6
Band gap energy.
Clula Fotovoltaica

12
Quando um foto da radiao solar contendo energia suficiente atinge um
electro da banda de valncia, este move-se para a banda de conduo, deixando
uma lacuna no seu lugar, a qual se comporta como uma carga positiva. Neste
caso, diz-se que o foto criou um par electro-lacuna.
Uma clula fotovoltaica constituda por cristais de silcio puro no produzi-
ria energia elctrica. Os electres passariam para a banda de conduo mas aca-
bariam por se recombinar com as lacunas, no dando origem a qualquer corrente
elctrica.
Para haver corrente elctrica necessrio que exista um campo elctrico,
isto , uma diferena de potencial entre duas zonas da clula. Atravs do processo
conhecido como dopagem do silcio, que consiste na introduo de elementos es-
tranhos com o objectivo de alterar as suas propriedades elctricas, possvel criar
duas camadas na clula: a camada tipo p e a camada tipo n, que possuem, respec-
tivamente, um excesso de cargas positivas e um excesso de cargas negativas, re-
lativamente ao silcio puro.
O boro o dopante normalmente usado para criar a regio tipo p. Um tomo
de boro forma quatro ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos de silcio,
mas como s possui trs electres na banda de valncia, existe uma ligao ape-
nas com um electro, enquanto as restantes trs ligaes possuem dois electres.
A ausncia deste electro considerada uma lacuna, a qual se comporta como
uma carga positiva que viaja atravs do material, pois de cada vez que um elec-
tro vizinho a preenche, outra lacuna se cria. A razo entre tomos de boro e
tomos de silcio normalmente da ordem de 1 para 10 milhes.
O fsforo o material usado para criar a regio n. Um tomo de fsforo tem
cinco electres na sua banda de valncia, pelo que cria quatro ligaes covalentes
com os tomos de silcio e deixa um electro livre, que viaja atravs do material.
A razo entre tomos de fsforo e de silcio prxima de 1 para 1.000.
Clula Fotovoltaica

13
Na regio onde os dois materiais se encontram, designada juno p-n, cria-
se, portanto, um campo elctrico que separa os portadores de carga que a atin-
gem: os electres, excitados pelos fotes com energia suficiente para excitar elec-
tres da banda de valncia para a banda de conduo, so acelerados para um
terminal negativo, ao passo que as lacunas so enviadas para um terminal posi-
tivo. Nestas condies, ligando os terminais a um circuito que se fecha exterior-
mente atravs de uma carga, circular corrente elctrica.
2.2. ESTRUTURA MACROSCPICA
A Figura 4 mostra a superfcie activa de uma clula fotovoltaica tpica de si-
lcio cristalino. Tem a forma de um quadrado com cerca de 10 cm de lado e pesa
aproximadamente 10 gramas.
a)

b)
Figura 4 a) Superfcie activa de uma clula fotovoltaica tpica [CREST];
b) Pormenor da grelha colectora metlica na superfcie [DOE].
A Figura 5 ilustra a constituio interna de uma clula fotovoltaica tpica.
A legenda da Figura 5 a seguinte:
Grelha e contactos frontais (grid, front contacts): os contactos fron-
tais, em cobre, constituem os terminais negativos.
Clula Fotovoltaica

14
Pelcula anti-reflexo (anti-reflection coating): esta pelcula, reduz a
reflexo da radiao incidente para valores abaixo de 5%; em conjunto
com textura especiais usadas em clulas de alto rendimento a reflexo
pode ser reduzida para valores da ordem de 2%; sem este revestimento
a clula reflectiria cerca de um tero da radiao.
Camada tipo n (n-type silicon): silcio dopado com fsforo, constituin-
do a regio negativa da clula; a espessura desta camada cerca de
300 nm.
Camada tipo p (p-type silicon): silcio dopado com boro, constituindo a
regio positiva da clula; a espessura desta camada cerca de
250.000 nm.
Contacto traseiro (back contact): contacto metlico localizado na par-
te posterior da clula, que constitui o terminal positivo.

a)

b)
Figura 5 a) Constituio interna de uma clula fotovoltaica tpica [ILSE]
b) Pormenor da constituio da grelha metlica [Stone].
Clula Fotovoltaica

15
2.3. MODELO MATEMTICO
2.3.1. Estabelecimento do modelo simplificado
Em termos de modelo matemtico simplificado, uma clula pode ser descrita
atravs do circuito elctrico equivalente que se mostra na Figura 6.

Figura 6 Circuito elctrico equivalente de uma clula fotovoltaica
alimentando uma carga Z; modelo simplificado.
A fonte de corrente I
S
representa a corrente elctrica gerada pelo feixe de
radiao luminosa, constitudo por fotes, ao atingir a superfcie activa da clula
(efeito fotovoltaico); esta corrente unidireccional constante para uma dada radi-
ao incidente. A juno p-n funciona como um dodo que atravessado por uma
corrente interna unidireccional I
D
, que depende da tenso V aos terminais da c-
lula.
A corrente I
D
que se fecha atravs do dodo :

|
|
.
|

\
|
= 1 e I I
T
mV
V
0 D
equao 2
em que:
I
0
corrente inversa mxima de saturao do dodo
V tenso aos terminais da clula
m factor de idealidade do dodo (dodo ideal: m = 1; dodo real: m > 1)
V Z
I
I
D
I
S
Clula Fotovoltaica

16
V
T
designado por potencial trmico
q
KT
V
T
=
7

- K: constante de Boltzmann (K = 1,38x10
-23
J/K)
- T: temperatura absoluta da clula em K (0C = 273,16 K)
- q: carga elctrica do electro (q = 1,6x10
-19
C)
A corrente I que se fecha pela carga , portanto:

|
|
.
|

\
|
= = 1 e I I I I I
T
mV
V
0 s D s
equao 3
Dois pontos de operao da clula merecem ateno particular:
Curto-circuito exterior
Neste caso :

cc S
D
I I I
0 I
0 V
= =
=
=
equao 4
I
cc
(corrente de curto-circuito) o valor mximo da corrente de carga, igual,
portanto, corrente gerada por efeito fotovoltaico. O seu valor uma caractersti-
ca da clula, sendo um dado fornecido pelo fabricante para determinadas condi-
es de radiao incidente e temperatura.
Circuito aberto
Neste caso :

|
|
.
|

\
|
+ =
=
0
s
T ca
I
I
1 ln mV V
0 I
equao 5

7
Para T = 298,16 K ( = 25 C), obtm-se V
T
= 25,7 mV.
Clula Fotovoltaica

17
V
ca
(tenso em vazio) o valor mximo da tenso aos terminais da clula,
que ocorre quando esta est em vazio. O seu valor uma caracterstica da clula,
sendo um dado fornecido pelo fabricante para determinadas condies de radia-
o incidente e temperatura.
2.3.2. Comparao com resultados experimentais
Tem interesse avaliar o desempenho do modelo apresentado, por compara-
o com resultados experimentais. Na Figura 7 mostram-se os resultados expe-
rimentais e os resultados da simulao para a caracterstica I-V de uma clula
fotovoltaica de silcio cristalino de 10x10 cm
2
. As condies de teste experimental
e de simulao esto indicadas no Quadro 3.
Na simulao, I
0
(corrente inversa mxima de saturao do dodo) foi calcu-
lado recorrendo s condies fronteira conhecidas (curto-circuito e circuito aber-
to). Da equao 5 retira-se que:

1 e
I
I
T
ca
mV
V
cc
0

= equao 6
Realizaram-se duas simulaes: uma considerando um dodo ideal (m = 1) e
outra considerando um dodo real (m = 2).
Quadro 3 Condies de teste experimental [TU-Berlin] e de simulao;
G: radiao incidente; A: rea da clula.
Teste Simul. 1 Simul. 2
G (W/m2) 430
A (m2) 0,01
(C) 25 25 25
Icc (A) 1,28 1,28 1,28
Vca (V) 0,56 0,56 0,56
I0 (A) 4,40E-10 2,37E-05
m 1 2


Clula Fotovoltaica

18
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tenso V (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

I

(
A
)
Experimental Simulao (m=1) Simulao (m=2)

Figura 7 Curva I-V de uma clula fotovoltaica: comparao de resultados experimentais
[TU-Berlin] com resultados de simulao.
Pode verificar-se na Figura 7 que o modelo simplificado que considera o do-
do ideal conduz a uma aproximao dos resultados experimentais que se caracte-
riza por desvios relativamente acentuados. Os resultados comparativos melho-
ram substancialmente quando se considera o dodo real.
2.3.3. Condies de referncia
As condies nominais de teste
8
, normalizadas para a realizao das medi-
das dos parmetros caractersticos da clula, designadas condies de referncia,
so:
Temperatura, K 16 , 298 T C 25
r r
= =
Radiao incidente,
2 r
m / W 000 . 1 G =
Na sequncia, as grandezas referenciadas pelo ndice superior r consideram-
se medidas nas condies de referncia STC.

8
Standard Test Conditions STC.
Clula Fotovoltaica

19
2.3.4. Potncia elctrica e rendimento
A potncia elctrica de sada P :

(
(

|
|
.
|

\
|
= = ) 1 e ( I I V VI P
T
mV
V
0 cc
equao 7
A potncia mxima obtm-se para 0 dV dP = , o que :

T
0
cc
mV
V
mV
V
T
mV
V
0 cc
mV
V
1
1
I
I
e
0 e
mV
V
e 1 I I
T
T T
+
+
=
=
|
|
.
|

\
|
+
equao 8
A soluo da equao 8 (que, no caso geral, se obtm por mtodos iterativos)
V = V
max
e a correspondente corrente I
max
. O ponto de potncia mxima
max max max
I V P = . Nas condies de referncia ser
r
max
V V = ,
r
max
I I = e
r
max
P P = .
r
ca
V ,
r
cc
I e
r
max
P so valores caractersticos da clula, sendo dados fornecidos
pelo fabricante para as condies de referncia. A maioria dos fabricantes indica
tambm os valores de
r
max
V e
r
max
I .
A potncia mxima de sada obtida nas condies STC, designa-se potncia
de ponta
9
. O rendimento nas condies de referncia a relao entre a potncia
de ponta e a potncia da radiao incidente:

r
r
max r
AG
P
= equao 9
em que A a rea da clula. Naturalmente que, para outras condies de funcio-
namento, ser:

9
Peak power ou Maximum Power Point MPP.
Clula Fotovoltaica

20

AG
P
max
= equao 10
em que G a radiao solar incidente por unidade de superfcie.
O quociente entre a potncia de ponta e o produto
r
cc
r
ca
I V chama-se factor de
forma
10
:

r
cc
r
ca
r
max
I V
P
FF = equao 11
Para as clulas do mesmo tipo, os valores de
r
ca
V e
r
cc
I so aproximadamente
constantes, mas a forma da curva I-V pode variar consideravelmente. As clulas
em uso comercial apresentam um factor de forma entre 0,7 e 0,85. Naturalmente
que ser desejvel trabalhar com clulas em que o factor de forma seja o maior
possvel.
Na Figura 8 mostram-se as curvas I-V para duas clulas com factores de
forma diferentes. Pode observar-se a sensvel reduo na potncia mxima verifi-
cada na clula 2.

Figura 8 Curvas I-V de duas clulas com factores de forma diferentes [CREST].

10
Fill factor.
Clula Fotovoltaica

21
2.3.5. Desenvolvimento do modelo e aplicao
Quando esto apenas disponveis os valores de
r
ca
V ,
r
cc
I e
r
max
P o modelo des-
envolvido substituindo a equao 4 e a equao 6 na equao 3
11
, o que permite
escrever, para as condies de referncia:

|
|
|
.
|

\
|
=

r
T
r
ca
mV
V V
r
cc
e 1 I I equao 12
O factor m um parmetro de ajuste da curva I-V.
Se, como habitual, tambm estiverem disponveis os valores de
r
max
V e
r
max
I ,
o modelo pode ser refinado, do modo como se indica a seguir.
Para as condies de referncia, a equao 3 aplica-se nos pontos de circuito
aberto, curto-circuito e potncia mxima, obtendo-se respectivamente:

|
|
|
.
|

\
|
= 1 e I I 0
r
T
r
ca
mV
V
r
0
r
s
equao 13

r
s
r
cc
I I = equao 14

|
|
|
.
|

\
|
= 1 e I I I
r
T
r
max
mV
V
r
0
r
s
r
max
equao 15
Da equao 15 obtm-se para o factor de idealidade do dodo
12
:

|
|
.
|

\
|

=
r
cc
r
max
r
T
r
ca
r
max
I
I
1 ln V
V V
m equao 16

11
Considerando que 1 e
r
T
r
ca
mV
V
>> e que 1 e
r
T
mV
V
>> .
12
Resolvendo a equao 13 em ordem a
r
0
I , substituindo depois na equao 15, e tendo em conta a
equao 14 e que 1 e
r
T
r
ca
mV
V
>> e que 1 e
r
T
r
max
mV
V
>> .
Clula Fotovoltaica

22
A equao 16 permite calcular o factor de idealidade do dodo apenas em
funo dos parmetros caractersticos da clula fornecidos pelos fabricantes. Este
modelo considera o factor m como constante.
Uma vez determinado m, a corrente inversa de saturao nas condies de
referncia, calcula-se facilmente pela equao 13:

1 e
I
I
r
T
r
ca
mV
V
r
cc r
0

= equao 17
Na Figura 9 mostra-se a curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino.

Figura 9 Curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino; resultados experimentais;
condies de referncia:
r
= 25 C,
r
G = 1.000 W/m
2
; A = 0,01 m
2
[CREST].
As caractersticas medidas para esta clula, nas condies STC, foram: (os
valores so tpicos para o mesmo tipo de clulas)
Corrente de curto circuito (I
sc
)
r
cc
I = 3,15 A
Tenso de vazio (V
oc
)
r
ca
V = 0,59 V
Potncia mxima (P
max
)
r
max
P = 1,40 W
Corrente no ponto de potncia mxima
r
max
I = 2,91 A
Clula Fotovoltaica

23
Tenso no ponto de potncia mxima
r
max
V = 0,48 V
Usando as caractersticas da clula nas condies de referncia pode calcu-
lar-se
r
= 13,97 % e FF = 0,75.
O modelo simplificado apresentado pode ser de novo usado, agora para ten-
tar reproduzir a curva I-V obtida por via experimental e mostrada na Figura 9.
Os resultados obtidos (em condies STC) mostram-se na Figura 10.
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tenso V (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

I

(
A
)

/

P
o
t

n
c
i
a

P

(
W
)
Corrente I
Potncia P
Pmax
Vmax
Imax
Vca
Icc

Figura 10 Simulao da curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino;
modelo simplificado; condies STC; parmetros calculados: m = 1,66, I
0
= 3,17x10
-6
A.
Na Figura 10 mostra-se tambm a variao da potncia de sada P com a
tenso V. Pode comprovar-se a existncia de um mximo
r
max
P = 1,40 W, proporci-
onal maior rea rectangular inscrita na curva, que ocorre para
r
max
V = 0,48 V e
r
max
I = 2,89 A
13
. Estes resultados constituem uma boa aproximao dos valores ob-
tidos por via experimental.

13
Resultados obtidos com a funo Solver do Excel.
Clula Fotovoltaica

24
2.3.6. Influncia da temperatura e da radiao incidente
Na Figura 11 ilustra-se a variao da curva I-V com a temperatura para a
clula que tem vindo a ser analisada.

Figura 11 Variao da curva I-V com a temperatura; resultados experimentais [CREST].
Na Figura 11 pode observar-se que:
A potncia de sada decresce com o aumento da temperatura.
A tenso de circuito aberto decresce com a temperatura (aproximada-
mente 2,3 mV/C)
A corrente de curto-circuito varia muito pouco com a temperatura, sen-
do esta variao habitualmente desprezada nos clculos.
Na Figura 12 ilustra-se a variao da curva I-V com a radiao incidente
para a clula que tem vindo a ser analisada.
A Figura 12 mostra que:
A potncia de sada aumenta com o aumento da radiao incidente.
Clula Fotovoltaica

25
A corrente de curto-circuito varia linearmente com a radiao inciden-
te
14
.
A tenso de circuito aberto varia pouco com a radiao incidente, sendo
esta variao, no entanto, mais importante para valores baixos de ra-
diao incidente.

Figura 12 Variao da curva I-V com a radiao incidente; resultados experimentais [CREST].
A validade do modelo simplificado pode ser testada, analisando o seu com-
portamento em face de variaes de temperatura e de radiao incidente.
Para o efeito, nota-se que a corrente inversa de saturao pode ser escrita
em termos das caractersticas do material e da temperatura, atravs de:

T
V ' m 3
0
e DT I

= equao 18
em que:
I
0
corrente inversa mxima de saturao do dodo
D constante
hiato do silcio: = 1,12 eV

14
Facilmente se pode verificar que o grfico da Figura 12 tem um erro: onde est 750 W/m
2
deve-
ria estar 700 W/m
2
.
Clula Fotovoltaica

26
m factor de idealidade equivalente
SM
N
m
' m = em que N
SM
o nmero
de clulas ligadas em srie
T temperatura da clula em K
V
T
potencial trmico em V
A equao 18 permite estabelecer a variao de I
0
com a temperatura a par-
tir do seu conhecimento para as condies de referncia:

|
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
T
r
T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0 0
e
T
T
I I equao 19
J a corrente de curto-circuito funo da radiao incidente, podendo o seu
valor ser calculado a partir de:

r
r
cc cc
G
G
I I = equao 20
Os resultados de simulao da influncia da temperatura e da radiao inci-
dente na curva I-V da clula so apresentados na Figura 13 e na Figura 14, res-
pectivamente.
A observao da Figura 13 e da Figura 14 permite comprovar o bom desem-
penho do modelo na reproduo das curvas I-V (comparar com a Figura 11 e a Fi-
gura 12, respectivamente).
A partir das simulaes realizadas pode calcular-se a variao da potncia
mxima com a temperatura e com a radiao incidente. Os resultados obtidos
15

so apresentados na Figura 15 e na Figura 16, respectivamente.
A concluso principal a acentuada dependncia da potncia mxima com a
radiao incidente, o que provoca um impacto relevante na energia produzida.

15
Resultados obtidos com a funo Solver do Excel.
Clula Fotovoltaica

27
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tenso V (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

I

(
A
)
T = 25C
T = 75C
T = 50C

Figura 13 Simulao da curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino;
modelo simplificado; variao com a temperatura;
r
G G = .
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tenso V (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

I

(
A
)
G = 1000W/m2
G = 700W/m2
G = 450W/m2
G = 300W/m2
G = 100W/m2

Figura 14 Simulao da curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino;
modelo simplificado; variao com a radiao incidente;
r
T T = .
Clula Fotovoltaica

28
100%
87%
74%
61%
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
25 50 75 100
Temperatura T (C)
P
/
P
m
a
x

Figura 15 Simulao da variao da potncia mxima com a temperatura;
modelo simplificado;
r
G G = .
100%
68%
42%
27%
8%
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
1000 700 450 300 100
Radiao incidente G (W/m2)
P
/
P
m
a
x

Figura 16 Simulao da variao da potncia mxima com a radiao incidente;
modelo simplificado;
r
T T = .
Clula Fotovoltaica

29
2.3.7. Introduo ao modelo detalhado
O modelo simplificado no , como o prprio nome indica, uma representa-
o rigorosa da clula fotovoltaica. Nas clulas reais observa-se uma queda de
tenso no circuito at aos contactos exteriores, a qual pode ser representada por
uma resistncia srie R
s
. Do mesmo modo, tambm existem correntes de fuga,
que podem ser descritas por uma resistncia paralelo, R
p
. O circuito elctrico
equivalente o que se representa na Figura 17.

Figura 17 Circuito elctrico equivalente detalhado de uma clula fotovoltaica
alimentando uma carga Z.
A corrente I que se fecha pela carga :

p
s
mV
I R V
0 s p D s
R
I R V
1 e I I I I I I
T
s
+

|
|
.
|

\
|
= =
+
equao 21
A equao 21 traduz uma equao transcendente, implcita em I, que re-
solvida com recurso a mtodos iterativos. O clculo de R
s
e R
p
sai fora do mbito
deste curso introdutrio.
V
R
s
I
I
D
I
S
R
p
Z
I
p
Clula Fotovoltaica

30
2.4. TIPOS DE CLULAS
O silcio monocristalino o material mais usado na composio das clulas
fotovoltaicas, atingindo cerca de 60% do mercado. A uniformidade da estrutura
molecular resultante da utilizao de um cristal nico ideal para potenciar o
efeito fotovoltaico. O rendimento mximo atingido em laboratrio ronda os 24%, o
qual em utilizao prtica se reduz para cerca de 15%. A produo de silcio cris-
talino cara.
O silcio policristalino, constitudo por um nmero muito elevado de peque-
nos cristais da espessura de um cabelo humano, dispe de uma quota de mercado
de cerca de 30%. As descontinuidades da estrutura molecular dificultam o movi-
mento de electres e encorajam a recombinao com as lacunas, o que reduz a po-
tncia de sada. Por este motivo os rendimentos em laboratrio e em utilizao
prtica no excedem os 18% e 12%, respectivamente. Em contrapartida, o proces-
so de fabricao mais barato do que o do silcio cristalino.
O silcio amorfo no tem estrutura cristalina, apresentando defeitos estru-
turais que, em princpio, impediriam a sua utilizao em clulas fotovoltaicas,
uma vez que aqueles defeitos potenciavam a recombinao dos pares electro-
lacuna. No entanto, se ao silcio amorfo for adicionada uma pequena quantidade
de hidrognio, por um processo chamado hidrogenizao, os tomos de hidrognio
combinam-se quimicamente de forma a minimizar os efeitos negativos dos defei-
tos estruturais. O silcio amorfo absorve a radiao solar de uma maneira muito
mais eficiente do que o silcio cristalino, pelo que possvel depositar uma fina
pelcula
16
de silcio amorfo sobre um substracto (metal, vidro, plstico). Este pro-
cesso de fabrico ainda mais barato do que o do silcio policristalino. Os equipa-
mentos solares domsticos (calculadoras, relgios) so habitualmente feitos com
clulas de silcio amorfo, representando cerca de 4% do mercado. Em laboratrio
possvel obter rendimentos da ordem de 13%, mas as propriedades conversoras do
material deterioram-se em utilizao prtica, pelo que os rendimentos descem
para cerca de 6%.

16
Thin films.
Mdulos e Painis

31
3. MDULOS E PAINIS
A potncia mxima de uma nica clula fotovoltaica no excede 2 W, o que
manifestamente insuficiente para a maioria das aplicaes. Por este motivo, as
clulas so agrupadas em srie e em paralelo formando mdulos.
Um mdulo consiste num conjunto de N
PM
ramos ligados em paralelo, cada
um deles constitudo por N
SM
clulas ligadas em srie, como se mostra na Figura
18.
I
M
1
2
V
M
NSM C
NSM1
C
NSMNPM
1 2 NPM
C
11
C
1NPM

Figura 18 Mdulo fotovoltaico.
Em termos de modelo dos mdulos fotovoltaicos, pode aplicar-se o modelo
apresentado no Captulo 2 para caracterizar o comportamento de uma nica clu-
la fotovoltaica, considerando o mdulo como uma clula fotovoltaica equivalente.
A sequncia de clculo esquematizada abaixo, em que as grandezas referencia-
das dizem respeito ao mdulo:
Parmetros constantes:

|
|
.
|

\
|

=
r
cc
r
max r
T
r
ca
r
max
I
I
1 ln V
V V
m equao 22
Mdulos e Painis

32
Parmetros que dependem da radiao:

r
r
cc cc
G
G
I I = equao 23
Parmetros que dependem da temperatura:

|
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
T
r
T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0 0
e
T
T
I I equao 24
Corrente em funo da tenso:

|
|
.
|

\
|
= 1 e I I I
T .
mV
V
0 cc
equao 25
Tenso mxima:

T
max
0
cc
mV
V
mV
V
1
1
I
I
e
T
max
+
+
= equao 26
Corrente mxima:

|
|
.
|

\
|
= 1 e I I I
T
max
mV
V
0 cc max
equao 27
Potncia mxima:

max max max
I V P = equao 28
Naturalmente que a razo entre a corrente correspondente ao mdulo e a
corrente de cada clula dada pelo nmero de ramos ligados em paralelo, N
PM
, e
a razo entre a tenso do mdulo e a tenso da clula o nmero de clulas liga-
das em srie, N
SM
.
Mdulos e Painis

33
O nmero de clulas num mdulo determinado pelas necessidades de ten-
so e corrente da carga a alimentar. Tipicamente um mdulo pode ser constitudo
por cerca de 33 a 36 clulas ligadas em srie, porque comum haver necessidade
de carregar uma bateria de 12 V.
A Figura 19 mostra uma fotografia de um mdulo fotovoltaico.

Figura 19 Um mdulo fotovoltaico de 100 W,
para alimentao de um candeeiro pblico usando baterias de 12 V [DOE].
Os mdulos podem tambm ser associados em srie e paralelo para obter
mais potncia, formando painis
17
(Figura 20).

Figura 20 Painis fotovoltaicos da companhia elctrica de Sacramento, EUA [DOE].

17
Arrays.
Mdulos e Painis

34
Para exemplificar a aplicao do modelo, considere-se um mdulo fotovoltai-
co tpico, Shell SM100-12, com as caractersticas de catlogo indicadas no Quadro
4:
Quadro 4 Caractersticas do mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 [Shell].
Silcio monocristalino
Potncia de pico Pmax 100 W
Corrente mxima Imax 5,9 A
Tenso mxima Vmax 17,0 V
Corrente de curto-circuito Icc 6,5 A
Tenso de circuito aberto Vca 21,4 V
Temperatura normal de funcionamento NOCT 45 C
Coeficiente de temperatura de Icc

Icc 2,8E-03 A/K
Coeficiente de temperatura de Vca

Vca -7,6E-02 V/K
Nmero de clulas em srie NSM 36
Nmero de ramos em paralelo NPM 2
Comprimento C 1,316 m
Largura L 0,66 m
rea A 0,869 m2

Com base nestes valores de catlogo, calcularam-se os parmetros caracte-
rsticos do modelo de um dodo e trs parmetros (m, I
0
e I
S
) que tem vindo a ser
seguido:
Quadro 5 Parmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros.
Factor de idealidade m 65,28
Factor de idealidade equivalente m' 1,81
Corrente de curto-circuito Icc 6,50 A
Corrente de saturao inversa I0ref 2,4E-05 A

Calcularam-se tambm algumas grandezas caractersticas do mdulo:
Quadro 6 Grandezas caractersticas do mdulo.
Rendimento mximo ref 11,55%
Factor de forma FF 0,735

Mdulos e Painis

35
O catlogo do fabricante indica tambm a potncia mxima, P
max
= 72,3 W,
para condies tpicas de funcionamento: G = 800 W/m
2
; = 45 C. Para estas
mesmas condies de funcionamento, o modelo reporta um valor de P
max
= 69,3 W,
o que corresponde a um erro de 4%. Este resultado constitui uma boa indicao
acerca da validade do modelo.
A Figura 21 e a Figura 22 mostram os resultados obtidos por simulao para
a variao da potncia mxima com a radiao incidente e com a temperatura,
respectivamente
18
.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Radiao G (W/m2)
P
o
t

n
c
i
a

m

x
i
m
a

(
W
)

Figura 21 Variao da potncia mxima com a radiao incidente; = 25C;
mdulo Shell SM100-12; resultados da simulao.

18
Resultados obtidos com a funo Solver do Excel.
Mdulos e Painis

36
0
20
40
60
80
100
120
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
Temperatura T (C)
P
o
t

n
c
i
a

m

x
i
m
a

(
W
)

Figura 22 Variao da potncia mxima com a temperatura; G = 1.000 W/m
2
;
mdulo Shell SM100-12; resultados da simulao.
Pode comprovar-se a acentuada diminuio da potncia mxima quando a
radiao solar incidente baixa; a diminuio da potncia mxima com o aumento
da temperatura menos acentuada.


Aplicaes Ligadas Rede

37
4. APLICAES LIGADAS REDE
Em aplicaes ligadas rede de energia elctrica, o gerador fotovoltaico en-
trega rede a mxima potncia que, em cada instante, pode produzir. Entre o
mdulo e a rede existem equipamentos de regulao e interface que optimizam as
condies de gerao e as adaptam s condies de recepo impostas pela rede.
Em termos esquemticos, a situao pode ser descrita como se ilustra na Figura
23.

Figura 23 Esquema de um gerador fotovoltaico ligado rede.
4.1. POTNCIA MXIMA
O modelo da clula fotovoltaica de um dodo e trs parmetros (m, I
0
e I
S
),
apresentado no captulo anterior, permite calcular a corrente de sada em funo
da tenso. A potncia mxima calculada atravs da resoluo de uma equao
no-linear para obteno da tenso mxima (equao 26), recorrendo a mtodos
iterativos.
A estimao desta caracterstica especialmente importante no caso de apli-
caes fotovoltaicas em rede isolada, directamente a alimentar cargas ou a carre-
gar baterias. Para aplicaes fotovoltaicas ligadas ao sistema de energia elctrica,
a curva I-V menos importante, sendo a potncia mxima a grandeza chave a
calcular. Nestas condies, conveniente dispor de uma forma expedita de a cal-
cular atravs de uma expresso algbrica, cujos parmetros possam ser obtidos a
partir dos dados fornecidos pelos fabricantes; por outro lado, tal expresso deve
apresentar o menor erro possvel relativamente ao clculo exacto dado por
0 dV dP = , expresso que envolve mtodos iterativos para resoluo de equaes
no-lineares.
P
ac

Resto
da rede I
dc

V
dc

T
P
max

G
Painel
fotovoltaico
MPPT Inversor
Aplicaes Ligadas Rede

38
Para o caso do modelo que tem vindo a ser apresentado, o clculo da potn-
cia mxima pode ser efectuado a partir de uma expresso analtica relativamente
simples, dispensando a resoluo da equao no linear. Deve ter-se presente que
as grandezas referenciadas dizem respeito ao mdulo.
Os resultados experimentais e de simulao mostram que a corrente de cur-
to-circuito, I
cc
, depende fundamentalmente da radiao. Admitindo idntica lei de
variao para a corrente mxima, I
max
, pode escrever-se:

r
max r max
I
G
G
I = equao 29
o que imediatamente define a corrente mxima em funo da radiao.
A tenso mxima, V
max
, pode ser determinada a partir da equao 15, tendo
em conta a dependncia das correntes de curto-circuito e mxima com a radiao
(equao 20 e equao 29, respectivamente) e a variao da corrente inversa de
saturao com a temperatura (equao 19). A expresso obtida :

( )
(
(
(
(
(

|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|

T
r
T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0
r
max
r
cc r
T max
e
T
T
I
I I
G
G
ln mV V equao 30
A potncia mxima , portanto:

( )
r
max
r
V
1
V
1
' m
3
r
r
0
r
max
r
cc r
T max max max
I
G
G
e
T
T
I
I I
G
G
ln mV I V P
T
r
T
|
.
|

\
|
(
(
(
(
(

|
.
|

\
|

= =
|
|
.
|

\
|

equao 31
Aplicaes Ligadas Rede

39
4.2. SEGUIDOR DE POTNCIA MXIMA (MPPT)
A potncia mxima varia com as condies ambientais (temperatura e radi-
ao) e com a tenso aos terminais do mdulo, sendo naturalmente desejvel o
funcionamento sempre mxima potncia. Por forma a colocar o mdulo fotovol-
taico no ponto de operao correspondente potncia mxima, os conversores fo-
tovoltaicos so equipados com um sistema electrnico designado seguidor de po-
tncia mxima
19
.
Estes dispositivos so especialmente indicados no caso de sistemas isolados,
devido tenso ser constante e imposta pela bateria, mas tambm so usados nas
aplicaes ligadas rede. O MPPT consiste num conversor DC/DC
20
que, de acor-
do com as condies ambientais de temperatura e radiao e com as condies
impostas pela rede, ajusta a tenso de sada do mdulo de modo a que o funcio-
namento se processe no ponto correspondente potncia mxima.
O facto de todos os conversores fotovoltaicos estarem equipados com este
dispositivo refora a necessidade de dispor de um mtodo eficiente de clculo da
potncia mxima (para as condies de temperatura e radiao existentes), pois
suposto que os mdulos funcionem sempre nesse ponto de operao.
A literatura da especialidade reporta o valor de 95% como sendo o rendi-
mento tpico dos sistemas seguidores de potncia mxima.
4.3. INVERSOR
Em aplicaes ligadas ao sistema de energia elctrica, necessrio um in-
versor para colocar na rede a energia produzida pelo mdulo fotovoltaico.
O rendimento do inversor :

max max
AC
inv
I V
P
= equao 32

19
Maximum Power Point Tracker MPPT.
20
Chopper.
Aplicaes Ligadas Rede

40
em que P
AC
a potncia entregue rede.
A consulta de catlogos de fabricantes e de literatura que reporta os resul-
tados de testes levados a cabo para medir o rendimento de diversos inversores
[Ris], permite concluir que o rendimento do inversor pouco sensvel a variaes
de carga, mantendo-se sensivelmente constante numa faixa bastante alargada de
regimes de funcionamento.
Um valor normalmente tomado como referncia para o conjunto de disposi-
tivos electrnicos de regulao e interface (MPPT e inversor) e que adoptaremos
neste estudo % 90
inv
= .
4.4. RADIAO E TEMPERATURA
A equao 31 mostra a dependncia da potncia mxima com a radiao in-
cidente e com a temperatura da clula.
A radiao incidente obtida atravs de medies, que so habitualmente
realizadas sobre um plano horizontal; no entanto, outras medies efectuadas e
estimaes realizadas para planos inclinados sugerem que a maximizao da
energia solar absorvida em Portugal atingida com grandes inclinaes (entre
50 e 60) no inverno e pequenas inclinaes (entre 5 e 10) no vero. Como no
prtico nem econmico mudar a inclinao das superfcies colectoras consoante a
estao do ano, usam-se planos com inclinao fixa.
A literatura da especialidade reporta que o plano inclinado fixo que global-
mente maximiza a radiao solar absorvida tem uma inclinao aproximadamen-
te igual latitude do local. Deve tambm notar-se que no hemisfrio norte os
conversores fotovoltaicos devem ser orientados a sul.
A projeco da radiao solar incidente em plano inclinado a partir de medi-
es efectuadas sobre plano horizontal sai fora do mbito deste curso introdut-
rio. A Figura 24 ilustra uma estimativa da radiao solar mdia mensal obtida
em Lisboa sobre plano inclinado com inclinao igual latitude (latitude = 38,7).
Aplicaes Ligadas Rede

41
77,0
111,9
177,2
217,2
262,9
300,2
307,0
273,9
209,6
135,5
87,8
63,6
0
100
200
300
400
Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez
R
a
d
i
a

o

s
o
l
a
r

i
n
c
i
d
e
n
t
e

G

(
W
/
m
2
)

Figura 24 Radiao mdia mensal em plano inclinado (inclinao = latitude) em Lisboa.
Fonte: INETI.
Pode observar-se que o valor mximo da radiao incidente atingido em
Julho, atingido apenas cerca de 30% da radiao incidente nas condies de refe-
rncia. A radiao mdia anual 185 W/m
2
, pelo que a potncia de pico indicada
pelos fabricantes (nas condies de referncia) deve ser encarada com prudncia.
Na fase de projecto, a temperatura da clula no est disponvel, apenas se
podendo medir o valor da temperatura ambiente. A temperatura na clula pode
ser relacionada com a temperatura ambiente e com a radiao incidente atravs
da expresso:

800
) 20 NOCT ( G
a c

+ = equao 33
em que:

c
temperatura da clula (C)

a
temperatura ambiente (C)
G radiao solar incidente (W/m
2
)
Aplicaes Ligadas Rede

42
NOCT temperatura normal de funcionamento da clula
21
; este valor
dado pelo fabricante e representa a temperatura atingida pela clula
em condies normalizadas de funcionamento, definidas como

a
= 20 C (temperatura ambiente) e G = 800 W/m
2

A Figura 25 ilustra a temperatura mdia mensal atingida pelo mdulo foto-
voltaico Shell SM100-12 (NOCT = 45 C) colocado em Lisboa em face da radiao
mdia mensal e da temperatura ambiente mdia mensal (fonte: INETI).
9,2
11,7
17,2
19,2
24,5
31,0
34,7
33,4
28,2
19,4
13,0
9,6
0
10
20
30
40
Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

(

C
)

Figura 25 Temperatura mdia mensal do mdulo fotovoltaico Shell SM100-12
colocado em Lisboa.
4.5. ESTIMATIVA DA ENERGIA PRODUZIDA
Uma estimativa da energia produzida pode ser obtida a partir de:

=
=
n
1 i
i i max inv
t ) T , G ( P E equao 34
em que:

21
NOCT Normal Operating Cell Temperature.
Aplicaes Ligadas Rede

43

inv
rendimento do inversor
n nmero de perodos de tempo considerado
t intervalo de tempo considerado
P
max
(G,T) potncia mxima do mdulo em funo da radiao solar
incidente e da temperatura da clula no intervalo de tempo considera-
do
Quando se calcula a energia anual produzida por um mdulo fotovoltaico,
podem usar-se valores mdios mensais; assim, n = 12, t
i
= nmero de horas do
ms i, P
max
(G,T)
i
= valor mdio da potncia mxima no ms i (ver equao 31).
Na Figura 26 reportam-se as estimativas obtidas para a potncia mdia
mensal sada do mdulo fotovoltaico e para a correspondente energia entregue
rede (aps inverso) pelo mdulo fotovoltaico em anlise, colocado em Lisboa.
0
5
10
15
20
25
30
P
o
t

n
c
i
a

m

d
i
a

m
e
n
s
a
l

(
W
)
0
3
6
9
12
15
18
E
n
e
r
g
i
a

m

d
i
a

m
e
n
s
a
l

(
k
W
h
)
Pmax (W) E (kWh)
Pmax (W) 6,55 9,74 15,59 19,26 22,97 25,45 25,40 22,56 17,37 11,38 7,36 5,28
E (kWh) 4,387 5,890 10,438 12,483 15,383 16,495 17,009 15,108 11,258 7,623 4,768 3,536
Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez

Figura 26 Potncia mdia mensal e correspondente energia mdia mensal do
mdulo Shell SM100-12, colocado em Lisboa.
Os resultados mdios anuais obtidos esto sistematizados no Quadro 7.
Aplicaes Ligadas Rede

44
Quadro 7 Principais grandezas mdias anuais.
Radiao mdia anual G 185,31 W/m2
Temperatura mdia anual do mdulo T 20,92 C
Potncia mxima mdia anual Pmax 15,96 W
Energia mdia anual E 124,38 kWh
Utilizao anual da potncia de pico h 1.240 h

Em face da radiao incidente em Lisboa, verifica-se que a potncia mxima
mdia anual sada do mdulo igual a 16% da potncia mxima nas condies
de referncia. O valor obtido para a utilizao anual da potncia de pico (1.240
horas = 14%
22
) inferior aos resultados obtidos noutros estudos, que reportam
valores da ordem de 1.500 horas [Aguiar].
A discrepncia mostra que o modelo adoptado bastante conservador, con-
duzindo a estimativas por defeito. Esta caracterstica do modelo deve-se ao facto
de o clculo do coeficiente de idealidade do dodo, m, que se mantm sempre cons-
tante ao longo da simulao, ter sido calculado (equao 22) com base nas condi-
es de referncia, as quais esto longe de se verificarem em Lisboa e, em geral,
em Portugal. Por forma a tentar ultrapassar esta limitao, um mtodo alterna-
tivo de clculo do factor m baseia-se num dado habitualmente fornecido nos cat-
logos, o coeficiente de temperatura da tenso de circuito aberto,
r
V
ca
. Este modelo
apresentado no Anexo.
Tem interesse chamar a ateno para o erro associado ao clculo aproxima-
do que, por vezes, se emprega para estimar de forma rpida a energia produzida
por um mdulo. A estimativa rpida da energia anual pode ser obtida por:
A G 8760 E
r
max med inv
= equao 35
em que G
med
a radiao incidente mdia anual e A a rea do mdulo.
No caso vertente, a estimativa rpida conduz a um resultado de
146,54 kWh, o que corresponde a um erro por excesso de 17,8%.

22
Este valor inclui o rendimento do inversor.
Anexo

45
5. ANEXO
MTODO ALTERNATIVO DE CLCULO
DO FACTOR DE IDEALIDADE
Um mtodo alternativo de clculo do factor m baseia-se num dado habitual-
mente fornecido nos catlogos, o coeficiente de temperatura da tenso de circuito
aberto,
r
V
ca
, o qual se mantm aproximadamente constante numa gama alargada
de temperaturas e radiaes.

r
r ca
G G
T T
ca r
V
dT
dV
=
=
|
.
|

\
|
= equao 36
A partir da equao 30, tendo em conta que nas condies de circuito aberto
I = 0, pode escrever-se, para G = G
r
:

|
|
|
|
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|

T
r
T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0
r
cc
T ca
e
T
T
I
I
ln mV V equao 37
Derivando, obtm-se, considerando que a corrente de curto-circuito no de-
pende da temperatura:

(
(
(
(
(

|
|
.
|

\
|
+
|
|
|
|
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
=

|
|
.
|

\
|

T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0
r
cc ca
V ' m
3
e
T
T
I
I
ln
q
K
m
T
V
T
r
T
equao 38
Para T = T
r
vem:

(

|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=

=
=
r
T
r
0
r
cc
T T
ca r
V
V ' m
3
I
I
ln
q
K
m
T
V
r
ca
equao 39
Tendo em conta que:
Anexo

46

r
T
r
ca
mV
V
r
0
r
cc
e
I
I
= equao 40
e resolvendo em ordem a m, tem-se:

K 3
q
T
N V
m
r
V r
SM
r
ca
ca |
|
.
|

\
|


= equao 41
Com base nesta metodologia alternativa que usa o valor de catlogo do coefi-
ciente de temperatura da tenso de circuito aberto, calcularam-se os parmetros
caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros (m, I
0
e I
S
) que tem vindo
a ser seguido:
Quadro 8 Parmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros;
modelo alternativo.
Factor de idealidade m 43,29
Factor de idealidade equivalente m' 1,20
Corrente de curto-circuito Icc 6,5 A
Corrente de saturao inversa I0ref 4,2E-08 A

Os resultados mdios anuais obtidos esto sistematizados no Quadro 9.
Quadro 9 Principais grandezas mdias anuais; modelo alternativo.
Potncia mxima mdia anual Pmax 18,41 W
Energia mdia anual E 143,62 kWh
Utilizao anual da potncia de pico h 1.432 h

Pode verificar-se que o valor obtido para a utilizao anual da potncia de
pico j est mais prximo do valor reportado noutros estudos, o que parece reve-
lar que o parmetro m obtido com a metodologia alternativa mais adequado
para modelar mdulos fotovoltaicos instalados em Lisboa, e em geral, em Portu-
gal.
Referncias

47
6. REFERNCIAS

[Aguiar] Ricardo Aguiar, Susana Castro Viana, Antnio Joyce, Estimativas Instan-
tneas do Desempenho de Sistemas Solares Fotovoltaicos para Portugal Con-
tinental, XI Congresso Ibrico / VI Congresso IberoAmericano de Energia
Solar, Albufeira, Setembro 2002.
[BPSolar] BP Solar
http://www.bpsolar.com/
[CREST] United States Department of Energy, Center for Renewable Energy and Sus-
tainable Technology, Aurora educational web site
http://aurora.crest.org/
[DOE] US Department of Energy, Photovoltaics
http://www.eren.doe.gov/pv/
[ESTSetbal] Alexandre Cerdeira, Mrio Alves, Maximizao da Energia Fornecida por
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logia do Instituto Politcnico de Setbal, Dezembro 2001.
[Frum] Frum Energias Renovveis em Portugal, Relatrio Sntese, Agncia de
Energia & Instituto Nacional de Engenharia e Tecnologia Industrial
ADENE & INETI, Lisboa, Novembro 2001.
[Fry] B. Fry, Simulation of Grid-Tied Building Integrated Photovoltaic Systems,
University of Wisconsin Madison, College of Engineering's Solar Energy
Lab (SEL), MSc Thesis, 1998.
http://sel.me.wisc.edu/Publications/Theses/theses2.html
[IEA-PVPS] International Energy Agency Photovoltaics Power Systems, Trends in
Photovoltaic Applications in Selected IEA Countries between 1992 and 2001.
http://www.iea-pvps.org/
[ILSE] ILSE The Interactive Learning System for Renewable Energy, Institute of
Electrical Power Engineering, Renewable Energy Section, Technical Univer-
sity of Berlin (TU-Berlin)
http://emsolar.ee.tu-berlin.de/~ilse/
[NREL] National Renewable Energy Laboratory
http://www.nrel.gov/

Referncias

48
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Stand-Alone PV System, Ris National Laboratory, December 2002.
[Shell] Shell Solar, Shell SM100-12 Photovoltaic Solar Module,
http://www.shell.com/solar
[SOLARPV] Siemens Solar Industries
http://www.solarpv.com/
[Stone] Jack L. Stone, Photovoltaics: Unlimited Electrical Energy From the Sun,
US Department of Energy
http://www.eren.doe.gov/pv/onlinelrn.html
[TU-Berlin] Photovoltaic Energy Systems Experiment PE1: Solar-Modules, Institute of
Electrical Power Engineering, Renewable Energy Section, Technical Univer-
sity of Berlin (TU-Berlin)
http://emsolar.ee.tu-berlin.de/lehre/english/pv1/