UNIVERSIDADE TCNICA DE LISBOA

INSTITUTO SUPERIOR TCNICO

DEEC / rea Cientfica de Energia

Energias Renovveis e Produo Descentralizada

INTRODUO ENERGIA FOTOVOLTAICA

Rui M.G. Castro


Maio de 2008 (edio 2.2)
BREVE NOTA BIOGRFICA DO AUTOR

Rui Castro recebeu em 1985, 1989 e 1994 no Instituto Superior Tcnico da Uni-
versidade Tcnica de Lisboa os graus de Licenciado, Mestre e Doutor em Enge-
nharia Electrotcnica e de Computadores, respectivamente.
docente do Instituto Superior Tcnico desde 1985, sendo presentemente Profes-
sor Auxiliar na rea Cientfica de Energia do Departamento de Engenharia Elec-
trotcnica e de Computadores.
Os seus principais interesses cientficos tm motivado uma actividade de investi-
gao centrada na rea das energias renovveis e na sua interligao com o sis-
tema de energia elctrica, na rea da anlise da dinmica dos sistemas de ener-
gia elctrica e do seu controlo, e, mais recentemente, em aspectos relacionados
com a economia da energia elctrica.
Complementarmente actividade de investigao, tem tido uma actividade regu-
lar de prestao de servios sociedade no mbito de projectos de consultoria
tcnica.
Publicou mais de cinco dezenas de artigos em conferncias nacionais e internaci-
onais e participou na elaborao de mais de trs dezenas de relatrios de activi-
dades desenvolvidas no mbito de projectos em que esteve envolvido. autor de
diversas publicaes de ndole pedaggica, designadamente de uma coleco sobre
Energias Renovveis e Produo Descentralizada.
Rui Castro
rcastro@ist.utl.pt
http://energia.ist.utl.pt/ruicastro
Foto da capa: Central fotovoltaica de Serpa (11 MWp) inaugurada em Maro de 2007.

NDICE



1. INTRODUO 5
1.1. Aplicaes de Mdia Potncia 6
1.2. Situao do Fotovoltaico no Mundo e em Portugal 8
1.3. Custos 12
2. CLULA FOTOVOLTAICA 17
2.1. Estrutura Microscpica 17
2.2. Estrutura Macroscpica 19
2.3. Modelo Matemtico 20
2.3.1. Estabelecimento do modelo 20
2.3.2. Comparao com resultados experimentais 23
2.3.3. Condies de referncia 24
2.3.4. Potncia elctrica e rendimento 24
2.3.5. Desenvolvimento do modelo e aplicao 26
2.3.6. Influncia da temperatura e da radiao incidente 30
2.3.7. Introduo ao modelo detalhado 36
2.4. Tipos de Clulas 37
3. MDULOS E PAINIS 39
4. APLICAES LIGADAS REDE 46
4.1. Potncia Mxima Modelo Simplificado 46
4.2. Seguidor de Potncia Mxima (MPPT) e Inversor 48
4.3. Radiao e Temperatura 49
4.3.1. Radiao 49
4.3.2. Temperatura 52
4.4. Estimativa da Energia Produzida 54
4.5. Estimativa Rpida da Energia Produzida 57
5. ANEXO 60
6. REFERNCIAS 62
Introduo

5
1. INTRODUO
As clulas fotovoltaicas so constitudas por um material semicondutor o silcio
ao qual so adicionadas substncias, ditas dopantes, de modo a criar um meio
adequado ao estabelecimento do efeito fotovoltaico, isto , converso directa da
potncia associada radiao solar em potncia elctrica DC.
A clula o elemento mais pequeno do sistema fotovoltaico, produzindo tipica-
mente potncias elctricas da ordem de 1,5 Wp
1
(correspondentes a uma tenso
de 0,5 V e uma corrente de 3 A). Para obter potncias maiores, as clulas so li-
gadas em srie e/ou em paralelo, formando mdulos (tipicamente com potncias
da ordem de 50 a 100 Wp) e painis fotovoltaicos (com potncias superiores).
Hoje em dia, os sistemas fotovoltaicos so usados num conjunto vasto de aplica-
es, de que se destacam:
Aplicaes de mdia potncia (dezenas ou centenas de quilowatt)
- Electrificao rural: abastecimento de cargas domsticas em locais
remotos sem rede, bombagem de gua e irrigao, complemento de
abastecimento de locais remotos com ou sem rede
- Produo descentralizada ligada rede
Aplicaes de pequena potncia (dcimas ou unidades de quilowatt)
- Relgios e calculadoras
- Acessrios de veculos automveis, por exemplo, alimentao de ven-
toinhas para refrigerao de automveis estacionados, ou car-
regamento de baterias em veculos de campismo
- Sinais rodovirios (mveis e estticos) e parqumetros

1
Wp significa Watt-pico unidade que mede a potncia de pico, potncia mxima nas condies
de referncia, isto , radiao incidente igual a 1.000 W/m
2
e temperatura da clula de 25 C (ver
Captulo 2).
Introduo

6
- Telefones de emergncia, transmissores de TV e de telemvel
- Frigorficos mdicos em locais remotos
Em muitas destas aplicaes, os sistemas fotovoltaicos substituem com vantagem
outros meios de produo alternativos, designadamente nas aplicaes de peque-
na potncia, onde a sua difuso muito significativa. Por outro lado, foi por in-
termdio da indstria espacial, onde a vantagem competitiva dos sistemas foto-
voltaicos significativa, que estes iniciaram o seu desenvolvimento.
1.1. APLICAES DE MDIA POTNCIA
As aplicaes de mdia potncia (entre as dezenas e as centenas de quilowatt-
pico) so aquelas que naturalmente mais interessam aos engenheiros electrotc-
nicos. Os sistemas fotovoltaicos, sozinhos ou em associao com outras renov-
veis, so j competitivos para alimentao de certos locais remotos onde as solu-
es alternativas convencionais gerador diesel ou rede elctrica so claramen-
te inferiores do ponto de vista econmico e apresentam inconvenientes ambien-
tais no neglicenciveis.
J no modo de funcionamento em produo descentralizada ligada rede de
energia elctrica, a situao completamente diferente: os sistemas fotovoltaicos
esto ainda longe de ser competitivos, quer com as fontes de produo convencio-
nais, quer principalmente com outras energias renovveis. O elevado investimen-
to e a baixa utilizao anual da potncia instalada so as principais razes para a
fraca penetrao que se verifica nos sistemas ligados rede.
Em aplicaes de mdia potncia, os painis fotovoltaicos podem ser operados
principalmente de trs formas:
Ligados rede de energia elctrica, qual entregam toda a energia que
a radiao solar lhes permite produzir; para este efeito necessrio um
inversor que serve de elemento de interface entre o painel e a rede, de
modo a adequar as formas de onda das grandezas elctricas DC do pai-
nel s formas de onda AC exigidas pela rede.
Introduo

7
Em sistema isolado, alimentando directamente cargas; neste modo de
funcionamento, o critrio de dimensionamento a radiao disponvel
no ms com menos sol, uma vez que necessrio assegurar o abasteci-
mento durante todo o ano; em associao com os colectores fotovoltaicos
ainda necessrio dispor de:
- Baterias, de modo a assegurar o abastecimento nos perodos em que
o recurso insuficiente ou no est disponvel; as baterias so carre-
gadas quando o recurso disponvel permite obter uma potncia supe-
rior potncia de carga.
- Regulador de carga, que efectua a gesto da carga por forma a obter
perfis compatveis com a radiao disponvel e com a capacidade das
baterias.
- Inversor, requerido se houver cargas alimentadas em AC.
Em sistema hbrido, alimentando directamente cargas isoladas, em
conjunto com outros conversores de energias renovveis, por exemplo, o
elico; neste modo de operao os dispositivos requeridos so os menci-
onados para o funcionamento em sistema isolado, podendo existir tam-
bm um meio de produo convencional, geralmente o gerador diesel,
para apoio e reserva.
Problema FV 1.
Portugal consumiu em 2006 cerca de 50 TWh de energia elctrica.
Admita que: 1) os painis fotovoltaicos tm um rendimento mdio de 10% e so colocados em Lis-
boa; 2) a radiao global mdia anual recebida em Lisboa de 1.750 kWh/m2; 3) a energia anual-
mente recebida do sol nunca menor do que 90% da que recebida em ano mdio; 4) o terreno
ocupado pelo conjunto das instalaes o dobro da rea til dos painis.
Calcule: a) a rea de terreno necessria para, usando painis fotovoltaicos, fornecer toda a energia
elctrica consumida em Portugal em 2006; b) a potncia total a instalar em painis fotovoltaicos.
Soluo:
a) A = 634,92 km2
b) Pp = 31,75 GWp
Introduo

8
Problema FV 2.
Para fornecer gua a uma aldeia necessrio elevar, diariamente, 20 m3 de gua a 15 m. Pretende-
se estudar a soluo fotovoltaica em dois locais: vora e Sul do Egipto.
Sabe-se que: 1) o rendimento mdio do sistema de elevao 60%; 2) o rendimento mdio da con-
verso fotovoltaica 10%; 3) no h regularizao com baterias; 4) as energias incidentes (mxima e
mnima) so:
vora 180 kWh/m2 (Agosto) 108 kWh/m2 (Janeiro)
Sul do Egipto 274 kWh/m2 (Maio) 228 kWh/m2 (Dezembro)
Para cada um destes dois casos, calcule: a) a superfcie dos painis a instalar; b) a potncia de pico
dos painis.
Soluo:
a) vora: A = 3,78 m2, Pp = 378 Wp
b) Sul do Egipto: A = 1,79 m2, Pp = 179 Wp


1.2. SITUAO DO FOTOVOLTAICO NO MUNDO E EM PORTUGAL
A situao dos sistemas fotovoltaicos no mundo, no que diz respeito a potncia
total instalada e a custos indicativos, pode ser avaliada atravs de dados estats-
ticos publicados pela Agncia Internacional de Energia (AIE) [IEA-PVPS].
A AIE organiza os dados que publica de acordo com a seguinte classificao para
os sistemas fotovoltaicos:
Off-grid domestic (sistemas isolados domsticos): sistemas que forne-
cem energia elctrica para iluminao, refrigerao e outras pequenas
cargas em locais isolados.
Off-grid non-domestic (sistemas isolados no domsticos): sistemas que
fornecem energia elctrica a servios, tais como, telecomunicaes,
bombagem de gua, frigorficos mdicos, ajuda navegao area e
martima, estaes de recolha de dados meteorolgicos.
Introduo

9
Grid-connected distributed (sistemas distribudos ligados rede): sis-
temas que fornecem energia elctrica a edifcios (comerciais ou indus-
triais) ou outras cargas que tambm esto ligadas rede, para onde a
energia em excesso enviada. A potncia tpica para este tipo de apli-
caes varia entre 0,5 kW e 100 kW.
Grid-connected centralized (sistemas centralizados ligados rede): sis-
temas que fornecem exclusivamente energia elctrica rede.
Pode observar-se no Quadro 1 que nos pases do IEA-PVPS a potncia total insta-
lada em sistemas fotovoltaicos ascendia no final de 2005 a quase 3.700 MWp. In-
felizmente, estes dados no incluem a situao em Portugal.
Quadro 1 Potncia instalada cumulativa em sistemas fotovoltaicos
nos pases da IEA-PVPS no final de 2005 [IEA-PVPS].
Table 1: Cumulative installed PV power as of the end of 2005
Table downloaded from the IEA-PVPS website, http://www.iea-pvps.org
Data may be reproduced with acknowledgement to the IEA Photovoltaic Power Systems Programme
Total
installed PV
power
Total
installed per
capita
PV power
installed in
2005
Grid-
connected
PV power
installed in
2005
[kW] [W/Capita] [kW] [kW]
Domestic Non-
domestic
Distributed Centralized
AUS 8.768 33.073 6.860 1.880 60.581 2,97 8.280 1.980
AUT 19.973 1.153 24.021 2,93 2.961 2.711
CAN 5.903 9.719 1.059 65 16.746 0,52 2.862 612
CHE 2.930 320 21.240 2.560 27.050 3,66 3.950 3.800
DEU 1.429.000 17,32 635.000 632.000
DNK 70 225 2.355 0 2.650 0,49 360 320
ESP 57.400 1,32 20.400 18.600
FRA 13.844 6.232 12.967 0 33.043 0,54 7.020 5.900
GBR 227 697 9.953 0 10.877 0,18 2.732 2.567
ISR 809 210 11 14 1.044 0,15 158 2
ITA 5.300 7.000 8.500 6.700 37.500 0,64 6.800 6.500
JPN 1.148 85.909 1.331.951 2.900 1.421.908 11,13 289.917 287.105
KOR 853 4.810 8.028 1.330 15.021 0,31 6.487 6.183
MEX 14.476 4.178 40 0 18.694 0,17 513 30
NLD 43.377 2.480 50.776 3,12 1.697 1.547
NOR 6.800 377 75 0 7.252 1,58 362 0
SWE 3.350 633 254 0 4.237 0,47 371 0
USA 100.000 133.000 219.000 27.000 479.000 1,62 103.000 70.000
Estimated
total 202.276 311.199 3.022.416 160.909 3.696.800 1.092.851 1.039.917
Notes: Portugal not included. ISO country codes are outlined in Table 12
Some countries are experiencing difficulties in estimating and/or apportioning off-grid domestic and non-domestic; in some markets the distinction between grid-connected
distributed and centralized is no longer clear (eg MW scale plant in the urban environment), and mini-grids using PV are also emerging, with other problems of definition.
Where definition has not been made in a national report this is shown in this table, however the totals have been estimated using the most recently available ratio fromthe
national reports applied to the current national data.
Country Cumulative off-grid PV
capacity
Cumulative grid-connected
PV capacity
[kW] [kW]
4.919
2.895
29.000 1.400.000
15.800 41.600

Pode observar-se a clara predominncia da Alemanha e do Japo com cerca de
1.400 MWp instalados cada um.
Introduo

10
As aplicaes ligadas rede tm vindo a ganhar cada vez mais importncia, como
se pode verificar na Figura 1: no final de 2005 este tipo de aplicaes representa-
va mais de 80% do total das instalaes fotovoltaicas.

Figura 1 Repartio percentual entre as aplicaes isoladas e as aplicaes ligadas rede
nos pases da IEA-PVPS no final de 2005 [IEA-PVPS]
Em relao situao em Portugal, as ltimas estatsticas nacionais conhecidas
apontavam para cerca de 2,6 MWp de potncia total instalada no final de 2004.
Em Maro de 2007 foi inaugurada em Brinches, concelho de Serpa, uma central
fotovoltaica de 11 MWp, com 52.000 mdulos dispostos ao longo de uma rea de
60 ha (600.000 m
2
), dos quais os painis ocupam cerca de metade (foto da capa).
Com esta central, a potncia fotovoltaica actualmente instalada em Portugal si-
tua-se em cerca de 13,5 MWp.
No incio de 2008 foi ligada rede, a ttulo experimental, a primeira fase
(2,75 MWp) da central da Amareleja, concelho de Moura. Esta central, com en-
trada em operao prevista para o final de 2008, ter instalados 46 MWp, num
total de 260 mil mdulos, ocupando uma rea de 250 ha (Figura 2 e Figura 3).
Introduo

11

Figura 2 Central fotovoltaica da Amareleja vista geral (cortesia do Eng. Jos Silva).

Figura 3 Central fotovoltaica da Amareleja sistema seguidor da posio solar
(cortesia do Eng. Jos Silva).
Segundo a DirecoGeral de Geologia e Energia, foram j aprovados pedidos de
informao prvia que totalizam cerca de 128 MWp, o que o que praticamente es-
gota a meta de 150 MWp estabelecida pelo Governo para o horizonte temporal de
2010. De entre as instalaes j aprovadas merecem destaque, para alm de
Moura, Ourique (2 MWp), Albufeira (10 MWp), Lisboa (6 MWp) e Freixo de Es-
pada Cinta (2 MWp).
Introduo

12
1.3. CUSTOS
O custo de investimento de sistemas fotovoltaicos normalmente referido em cus-
to por watt de pico (/Wp, por exemplo). O custo inclui tanto os mdulos propria-
mente ditos, como os dispositivos de interface e regulao entre os colectores e a
carga ou a rede. Estes dispositivos
2
so tipicamente a bateria, regulador de carga
e, eventualmente, inversor, no caso de sistemas isolados e apenas o inversor para
os sistemas ligados rede. As estruturas de suporte dos mdulos tambm se in-
cluem nos dispositivos de interface e regulao.
Segundo a AIE, a evoluo dos preos dos mdulos e dos sistemas fotovoltaicos
tem sofrido a evoluo que se mostra na Figura 4. Pode observar-se que o custo
dos mdulos se situa entre 4 e 5 USD/Wp (cerca de 3,2 /Wp e 4 /Wp, a preos de
2006), enquanto o custo do sistema completo de cerca de 7 USD/Wp (cerca de
5,6 /Wp, a preos de 2006). Tambm se pode verificar que a descida dos preos
tem sido bem mais lenta do que o previsto, sendo, contudo, mais sensvel no preo
do sistema fotovoltaico do que no dos mdulos.
Embora o custo dos dispositivos de interface e regulao e os custos de instalao
possam variar muito, pode afirmar-se que, em termos mdios, cerca de 50% do
investimento total se refere aos colectores, incluindo-se nos restantes 50% o custo
dos dispositivos de interface e regulao e respectivas ligaes elctricas e os cus-
tos de instalao.
Os custos de operao e manuteno (O&M) so tambm muito variveis, mas
pode estimar-se que se situem, em mdia, em torno de 1 a 2% do investimento to-
tal.

2
Balance Of Systems BOS.
Introduo

13

Figura 4 Evoluo dos preos dos mdulos e dos sistemas fotovoltaicos,
incluindo o efeito da inflao, em pases seleccionados [IEA-PVPS]
Em Portugal, dados de 2004 [IEA-PVPS] indicam que podem ser tomados como
custos tpicos de sistemas fotovoltaicos, os valores de 5 a 7 /Wp, para os sistemas
ligados rede
3
, e de 7 a 11 /Wp, para os sistemas isolados.
Estudos realizados em Portugal de avaliao do potencial solar para produo de
electricidade [Aguiar], conduziram ao mapa de isolinhas de um ndice de desem-
penho de sistemas fotovoltaicos kWh fornecidos por ano por Watt-pico instala-
do, que se reproduz na Figura 5. Salienta-se que este ndice no mais do que a
conhecida utilizao anual da potncia instalada (tambm designada no contexto
da energia fotovoltaica como utilizao anual da potncia de pico) aqui expressa
em kh.

3
Dados de projecto da central de Moura e de Serpa indicam um investimento de 235 M (aprox.
5,1 /Wp) e 62 M (aprox. 5,6 /Wp), respectivamente.
Introduo

14
Grosso modo, pode afirmar-se que a utilizao anual varia entre as 1.600 h no
sul
4
, 1.500 h no centro e 1.400 h no norte (incluindo as perdas, designadamente
no inversor).

Figura 5 ndice kWh/Wp (ha expresso em kh) em sistemas fotovoltaicos ligados rede [Aguiar]
A aplicao de um modelo simplificado do custo mdio anual actualizado de pro-
duo conduz a c =I
01
(i+d
om
)/h
a
, em que i o inverso do factor presente da anuida-
de, d
om
so os encargos de O&M e custos diversos, em percentagem do investi-
mento total, I
01
custo de investimento por Wp e h
a
utilizao anual da potncia
instalada.

4
Dados de projecto da central de Moura e de Serpa reportam uma produo anual de energia
elctrica de 90 GWh (aprox. ha = 1.950 h) e 20 GWh (aprox. ha = 1.800 h), respectivamente. Estas
centrais possuem um sistema de controlo da inclinao dos painis que segue a posio do sol ao
longo do dia, o que ajuda a perceber os valores projectados para a produo elctrica e para o in-
vestimento (Figura 3).
Introduo

15
Na Figura 6 ilustra-se a curva de variao do custo mdio anual actualizado da
unidade de energia produzida em funo da utilizao anual da potncia instala-
da (ou da potncia de pico), parametrizada em funo do investimento por unida-
de de potncia instalada.
Para o investimento unitrio consideraram-se valores que se situam nos extre-
mos da gama de variao actualmente aceite como representativa de sistemas li-
gados rede: um valor baixo (optimista) de 4,5 /Wp e um valor alto de 6,5 /Wp.
Para os encargos de O&M tomou-se o valor de 1% do investimento total e a taxa
de actualizao considerada foi de 7%.
De acordo com a legislao em vigor que estabelece a frmula de clculo da re-
munerao da energia entregue rede pblica pelos PRE que usam recursos re-
novveis (chamado tarifrio verde) pode estimar-se (2008) que cada unidade de
energia injectada na rede pblica com origem em parques fotovoltaicos paga a
um valor que se situar em torno de 380 /MWh, durante um mximo de 15 anos.
A propsito, nota-se que o perodo em anlise na Figura 6 foi reduzido precisa-
mente para 15 anos para corresponder ao perodo em que o tarifrio verde bonifi-
cado garantido pelo Estado. Esta opo conduz naturalmente a resultados de
viabilidade econmica pessimistas, uma vez que a vida til de um parque fotovol-
taico , em geral, estimada num perodo superior a 15 anos.
Introduo

16
300
400
500
600
700
1200 1400 1600 1800
Utilizao anual da potncia instalada (h)

/

M
W
h
I01 =6,5 /Wp
I01 =4,5 /Wp
320 /MWh

Figura 6 Custo mdio anual actualizado do MWh; a =7%, n =15 anos, d
om
=1%I
t

A anlise da Figura 6 mostra que para a gama de variao da utilizao anual da
potncia de pico esperada em Portugal (entre 1.400 e 1.600 horas anuais) abso-
lutamente essencial que o investimento por unidade de potncia de pico em insta-
laes ligadas rede no ultrapasse o valor de referncia 4,5 /Wp por forma
a assegurar a rentabilidade do projecto.
Clula Fotovoltaica

17
2. CLULA FOTOVOLTAICA
2.1. ESTRUTURA MICROSCPICA
Um tomo de silcio formado por catorze protes e catorze electres. Na camada
mais exterior, conhecida como banda de valncia, existem quatro electres.
Quando se constitui um cristal de silcio, os tomos alinham-se segundo uma es-
trutura em teia (chamada teia de diamante), formando quatro ligaes covalentes
com quatro tomos vizinhos, como se mostra na Figura 7.

Figura 7 Estrutura em teia de diamante de um cristal de silcio [NREL].
Em cada ligao covalente, um tomo partilha um dos seus electres de valncia
com um dos electres de valncia do tomo vizinho. Como resultado desta parti-
lha de electres, a banda de valncia, que pode conter at oito electres, fica
cheia: os electres ficam presos na banda de valncia e o tomo est num estado
estvel.
Para que os electres se possam deslocar tm de adquirir energia suficiente para
passarem da banda de valncia para a banda de conduo. Esta energia desi-
gnada por hiato
5
e no caso do cristal de silcio vale 1,12 eV.
Quando um foto da radiao solar contendo energia suficiente atinge um elec-
tro da banda de valncia, este move-se para a banda de conduo, deixando um

5
Band gap energy.
Clula Fotovoltaica

18
buraco
6
o seu lugar, a qual se comporta como uma carga positiva. Neste caso, diz-
se que o foto criou um par electro-buraco.
Uma clula fotovoltaica constituda por cristais de silcio puro no produziria
energia elctrica. Os electres passariam para a banda de conduo mas acabari-
am por se recombinar com os buracos, no dando origem a qualquer corrente elc-
trica.
Para haver corrente elctrica necessrio que exista um campo elctrico, isto ,
uma diferena de potencial entre duas zonas da clula. Atravs do processo co-
nhecido como dopagem do silcio, que consiste na introduo de elementos estra-
nhos com o objectivo de alterar as suas propriedades elctricas, possvel criar
duas camadas na clula: a camada tipo p e a camada tipo n, que possuem, respec-
tivamente, um excesso de cargas positivas e um excesso de cargas negativas, re-
lativamente ao silcio puro.
O boro o dopante normalmente usado para criar a regio tipo p. Um tomo de
boro forma quatro ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos de silcio, mas
como s possui trs electres na banda de valncia, existe uma ligao apenas
com um electro, enquanto as restantes trs ligaes possuem dois electres. A
ausncia deste electro considerada um buraco, a qual se comporta como uma
carga positiva que viaja atravs do material, pois de cada vez que um electro vi-
zinho a preenche, outro buraco se cria. A razo entre tomos de boro e tomos de
silcio normalmente da ordem de 1 para 10 milhes.
O fsforo o material usado para criar a regio n. Um tomo de fsforo tem cinco
electres na sua banda de valncia, pelo que cria quatro ligaes covalentes com
os tomos de silcio e deixa um electro livre, que viaja atravs do material. A ra-
zo entre tomos de fsforo e de silcio prxima de 1 para 1000.
Na regio onde os dois materiais se encontram, designada juno p-n, cria-se,
portanto, um campo elctrico que separa os portadores de carga que a atingem: os
electres, excitados pelos fotes com energia suficiente para excitar electres da

6
Hole.
Clula Fotovoltaica

19
banda de valncia para a banda de conduo, so acelerados para um terminal
negativo, ao passo que os buracos so enviadas para um terminal positivo. Nestas
condies, ligando os terminais a um circuito que se fecha exteriormente atravs
de uma carga, circular corrente elctrica.
2.2. ESTRUTURA MACROSCPICA
A Figura 8 mostra a superfcie activa de uma clula fotovoltaica tpica de silcio
cristalino. Tem a forma de um quadrado com cerca de 10 cm de lado e pesa apro-
ximadamente 10 gramas.
a)

b)
Figura 8 a) Superfcie activa de uma clula fotovoltaica tpica [CREST];
b) Pormenor da grelha colectora metlica na superfcie [DOE].
A Figura 9 ilustra a constituio interna de uma clula fotovoltaica tpica.
A legenda da Figura 9 a seguinte:
Grelha e contactos frontais (grid, front contacts): os contactos fron-
tais, em cobre, constituem os terminais negativos.
Pelcula anti-reflexo (anti-reflection coating): esta pelcula, reduz a
reflexo da radiao incidente para valores abaixo de 5%; em conjunto
com textura especiais usadas em clulas de alto rendimento a reflexo
pode ser reduzida para valores da ordem de 2%; sem este revestimento
a clula reflectiria cerca de um tero da radiao.
Clula Fotovoltaica

20
Camada tipo n (n-type silicon): silcio dopado com fsforo, constituin-
do a regio negativa da clula; a espessura desta camada cerca de
300 nm.
Camada tipo p (p-type silicon): silcio dopado com boro, constituindo a
regio positiva da clula; a espessura desta camada cerca de
250.000 nm.
Contacto traseiro (back contact): contacto metlico localizado na par-
te posterior da clula, que constitui o terminal positivo.

a)

b)
Figura 9 a) Constituio interna de uma clula fotovoltaica tpica [ILSE]
b) Pormenor da constituio da grelha metlica [Stone].
2.3. MODELO MATEMTICO
2.3.1. Estabelecimento do modelo
Em termos de modelo matemtico simplificado, uma clula pode ser descrita
atravs do circuito elctrico equivalente que se mostra na Figura 10.
Clula Fotovoltaica

21

Figura 10 Circuito elctrico equivalente de uma clula fotovoltaica
alimentando uma carga Z.
A fonte de corrente I
S
representa a corrente elctrica gerada pelo feixe de radia-
o luminosa, constitudo por fotes, ao atingir a superfcie activa da clula (efeito
fotovoltaico); esta corrente unidireccional constante para uma dada radiao
incidente. A juno p-n funciona como um dodo que atravessado por uma cor-
rente interna unidireccional I
D
, que depende da tenso V aos terminais da clula.
A corrente I
D
que se fecha atravs do dodo :

= 1 e I I
T
mV
V
0 D
equao 1
em que:
I
0
corrente inversa mxima de saturao do dodo
V tenso aos terminais da clula
m factor de idealidade do dodo (dodo ideal: m =1; dodo real: m >1)
V
T
designado por potencial trmico
q
KT
V
T
=
7

- K: constante de Boltzmann (K =1,38x10
-23
J /K)

7
Para T =298,16 K ( =25 C), obtm-se V
T
=25,7 mV.
V Z
I
I
D
I
S
Clula Fotovoltaica

22
- T: temperatura absoluta da clula em K (0C =273,16 K)
- q: carga elctrica do electro (q =1,6x10
-19
C)
A corrente I que se fecha pela carga , portanto (ver Figura 10):

= = 1 e I I I I I
T
mV
V
0 s D s
equao 2
Dois pontos de operao da clula merecem ateno particular:
Curto-circuito exterior
Neste caso :

cc S
D
I I I
0 I
0 V
= =
=
=
equao 3
A corrente de curto-circuito I
cc
o valor mximo da corrente de carga, igual, por-
tanto, corrente gerada por efeito fotovoltaico. O seu valor uma caracterstica
da clula, sendo um dado fornecido pelo fabricante para determinadas condies
de radiao incidente e temperatura.
Circuito aberto
Neste caso :

+ =
=
0
s
T ca
I
I
1 ln mV V
0 I
equao 4
A tenso em vazio V
ca
o valor mximo da tenso aos terminais da clula, que
ocorre quando esta est em vazio. O seu valor uma caracterstica da clula,
sendo um dado fornecido pelo fabricante para determinadas condies de radia-
o incidente e temperatura.

Clula Fotovoltaica

23
2.3.2. Comparao com resultados experimentais
Tem interesse avaliar o desempenho do modelo apresentado, por comparao com
resultados experimentais. Na Figura 11 mostram-se os resultados experimentais
e os resultados da simulao para a caracterstica I-V de uma clula fotovoltaica
de silcio cristalino de 10x10 cm
2
. As condies de teste experimental e de simula-
o esto indicadas no Quadro 2.
Na simulao, I
0
(corrente inversa mxima de saturao do dodo) foi calculado
recorrendo s condies fronteira conhecidas (curto-circuito e circuito aberto). Da
equao 4 retira-se que:

1 e
I
I
T
ca
mV
V
cc
0

= equao 5
Realizaram-se duas simulaes: uma considerando um dodo ideal (m =1) e outra
considerando um dodo real (m =2).
Quadro 2 Condies de teste experimental [TU-Berlin] e de simulao;
G: radiao incidente; A: rea da clula.
Teste Si mul . 1 Si mul . 2
G (W/m2) 430
A (m2) 0,01
(C) 25 25 25
Icc (A) 1,28 1,28 1,28
Vca (V) 0,56 0,56 0,56
I0 (A) 4,40E-10 2,37E-05
m 1 2

Pode verificar-se na Figura 11 que o modelo que considera o dodo ideal conduz a
uma aproximao dos resultados experimentais que se caracteriza por desvios re-
lativamente acentuados. Os resultados comparativos melhoram substancialmen-
te quando se considera o dodo real.

Clula Fotovoltaica

24
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tenso V (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

I

(
A
)
Experimental Simulao (m=1) Simulao (m=2)

Figura 11 Curva I-V de uma clula fotovoltaica: comparao de resultados experimentais
[TU-Berlin] com resultados de simulao.
2.3.3. Condies de referncia
As condies nominais de teste
8
, normalizadas para a realizao das medidas dos
parmetros caractersticos da clula, designadas condies de referncia, so:
Temperatura, K 16 , 298 T C 25
r r
= =
Radiao incidente,
2 r
m / W 1000 G =
Na sequncia, as grandezas referenciadas pelo ndice superior r consideram-se
medidas nas condies de referncia STC.
2.3.4. Potncia elctrica e rendimento
A potncia elctrica de sada P :

= = ) 1 e ( I I V VI P
T
mV
V
0 cc
equao 6

8
Standard Test Conditions STC.
Clula Fotovoltaica

25
A potncia mxima obtm-se para 0 dV dP = , o que equivalente a:

T
0
cc
mV
V
mV
V
T
mV
V
0 cc
mV
V
1
1
I
I
e
0 e
mV
V
e 1 I I
T
T T
+
+
=
=

+
equao 7
A soluo da equao 7 (que, no caso geral, se obtm por mtodos iterativos)
V =V
max
e a correspondente corrente I
max
. O ponto de potncia mxima
max max max
I V P = . Nas condies de referncia ser
r
max
V V = ,
r
max
I I = e
r
max
P P = .
Os valores de
r
ca
V ,
r
cc
I e
r
max
P so caractersticos da clula, sendo dados fornecidos
pelo fabricante para as condies de referncia. A maioria dos fabricantes indica
tambm os valores de
r
max
V e
r
max
I .
A potncia mxima de sada obtida nas condies STC, designa-se potncia de
pico
9
. O rendimento nas condies de referncia a relao entre a potncia de
pico e a potncia da radiao incidente:

r
r
max r
AG
P
= equao 8
em que A a rea da clula. Naturalmente que, para outras condies de funcio-
namento, ser:

AG
P
max
= equao 9
em que G a radiao solar incidente por unidade de superfcie.



9
Peak power ou Maximum Power Point MPP.
Clula Fotovoltaica

26
O quociente entre a potncia de pico e o produto
r
cc
r
ca
I V chama-se factor de forma
10
:

r
cc
r
ca
r
max
I V
P
FF = equao 10
Para as clulas do mesmo tipo, os valores de
r
ca
V e
r
cc
I so aproximadamente cons-
tantes, mas a forma da curva I-V pode variar consideravelmente. As clulas em
uso comercial apresentam um factor de forma entre 0,7 e 0,85. Naturalmente que
ser desejvel trabalhar com clulas em que o factor de forma seja o maior poss-
vel.
Na Figura 12 mostram-se as curvas I-V para duas clulas com factores de forma
diferentes. Pode observar-se a sensvel reduo na potncia mxima verificada na
clula 2.

Figura 12 Curvas I-V de duas clulas com factores de forma diferentes [CREST].
2.3.5. Desenvolvimento do modelo e aplicao
Quando esto apenas disponveis os valores de
r
ca
V ,
r
cc
I e
r
max
P o modelo desen-
volvido substituindo a equao 3 e a equao 5 na equao 2
11
, o que permite es-
crever, para as condies de referncia:

10
Fill factor.
11
Considerando que 1 e
r
T
r
ca
mV
V
>> e que 1 e
r
T
mV
V
>> .
Clula Fotovoltaica

27

=

r
T
r
ca
mV
V V
r
cc
e 1 I I equao 11
Neste caso, o factor m um parmetro de ajuste da curva I-V.
Se, como habitual, tambm estiverem disponveis os valores de
r
max
V e
r
max
I , o
modelo pode ser refinado, do modo como se indica a seguir.
Para as condies de referncia, a equao 2 aplica-se nos pontos de circuito aber-
to, curto-circuito e potncia mxima, obtendo-se, respectivamente:

= 1 e I I 0
r
T
r
ca
mV
V
r
0
r
s
equao 12

r
s
r
cc
I I = equao 13

= 1 e I I I
r
T
r
max
mV
V
r
0
r
s
r
max
equao 14
Da equao 14 obtm-se para o factor de idealidade do dodo
12
:

=
r
cc
r
max r
T
r
ca
r
max
I
I
1 ln V
V V
m equao 15
A equao 15 permite calcular o factor de idealidade do dodo apenas em funo
dos parmetros caractersticos da clula fornecidos pelos fabricantes. Este modelo
considera o factor m como constante.
Uma vez determinado m, a corrente inversa de saturao nas condies de refe-
rncia, calcula-se facilmente pela equao 12:

12
Resolvendo a equao 12 em ordem a
r
0
I , substituindo depois na equao 15, e tendo em conta a
equao 13 e que 1 e
r
T
r
ca
mV
V
>> e que 1 e
r
T
r
max
mV
V
>> .
Clula Fotovoltaica

28

1 e
I
I
r
T
r
ca
mV
V
r
cc r
0

= equao 16
Na Figura 13 mostra-se a curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino.

Figura 13 Curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino; resultados experimentais;
condies de referncia:
r
=25 C,
r
G =1000 W/m
2
; A =0,01 m
2
[CREST].
Exemplo FV1
Considere a clula fotovoltaica representada na Figura 13 que tem uma rea de 100 cm
2
e uma po-
tncia de pico de 1,4 Wp. Atravs de ensaios experimentais, registaram-se os seguintes valores me-
didos nas condies de referncia STC (os valores so tpicos para o mesmo tipo de clulas):
Corrente de curto circuito (I
sc
)
r
cc
I = 3,15 A
Tenso de vazio (V
oc
)
r
ca
V = 0,59 V
Potncia mxima (P
max
)
r
max
P = 1,40 W
Corrente no ponto de potncia mxima
r
max
I = 2,91 A
Tenso no ponto de potncia mxima
r
max
V = 0,48 V
Calcule: a) as grandezas caractersticas do mdulo rendimento mximo e factor de forma; b) os pa-
rmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros m, I
0
e I
S
; c) as caractersticas
I-V e P-V; d) os valores mximos de tenso, corrente e potncia.
Resoluo:
a)
A rea da clula de 1,4 Wp 0,01 m
2
.
O rendimento mximo nas condies de referncia e o factor de forma calculam-se ento, respecti-
vamente, por:
Clula Fotovoltaica

29
% 14
1000 01 , 0
4 , 1
r
=

= ; 753 , 0
15 , 3 59 , 0
4 , 1
FF =

=
b)
Os parmetros caractersticos da clula fotovoltaica so constantes (m) ou calculados para as condi-
es de referncia (I
0
e I
cc
).
Nas condies de referncia, o potencial trmico vale:
V 10 7 , 25
10 60 , 1
16 , 298 10 38 , 1
q
KT
V
3
19
23 r
r
T

= =
Substituindo valores, obtm-se:
66 , 1 m = ; A 10 17 , 3 I
6 r
0

= ; A 15 , 3 I I
r
cc S
= =
c)
Para obter a caracterstica I-V traa-se a curva:

=


1 e 10 17 , 3 15 , 3 I
3
10 7 , 25 66 , 1
V
6

Por seu turno, a caracterstica P-V obtm-se fazendo:
P = V I
Os resultados obtidos (em condies STC) mostram-se na Figura 14.
d)
O clculo da potncia mxima obriga primeiro determinao da tenso mxima,
r
max
V , resolvendo,
por um mtodo iterativo, a equao:

+

+
=

+

+
=

3
r
max
6
3 r
max
3
r
max
6
10 25,7 1,66
V
10 25,7 1,66
V
1
10 3,17
3,15
1
ln 10 25,7 1,66 V
10 25,7 1,66
V
1
10 3,17
3,15
1
e
3
r
max

A soluo V 48 , 0 V
r
max
= , a qual foi obtida usando o mtodo de Gauss.
A correspondente corrente mxima :
A 89 , 2 1 e 10 17 , 3 15 , 3 I
3
10 7 , 25 66 , 1
48 , 0
6 r
max
=

=



e a potncia mxima vem:
W 4 , 1 I V P
r
max
r
max
r
max
= =
Estes resultados constituem uma boa aproximao dos valores obtidos por via experimental.
Clula Fotovoltaica

30
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tenso V (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

I

(
A
)

/

P
o
t

n
c
i
a

P

(
W
)
Corrente I
Potncia P
Pmax
Vmax
Imax
Vca
Icc

Figura 14 Curvas I-V e P-V da clula tpica de silcio cristalino; condies STC.
2.3.6. Influncia da temperatura e da radiao incidente
Na Figura 15 ilustra-se a variao da curva I-V com a temperatura para a clula
que tem vindo a servir de exemplo.

Figura 15 Variao da curva I-V com a temperatura; resultados experimentais [CREST].
Na Figura 15 pode observar-se que:
A potncia de sada decresce com o aumento da temperatura.
A tenso de circuito aberto decresce com a temperatura (aproximada-
mente 2,3 mV/C)
A corrente de curto-circuito varia muito pouco com a temperatura, sen-
do esta variao habitualmente desprezada nos clculos.
Clula Fotovoltaica

31
Na Figura 16 ilustra-se a variao da curva I-V com a radiao incidente para a
clula que tem vindo a ser analisada.
A Figura 16 mostra que:
A potncia de sada aumenta com o aumento da radiao incidente.
A corrente de curto-circuito varia linearmente com a radiao inciden-
te
13
.
A tenso de circuito aberto varia pouco com a radiao incidente, sendo
esta variao, no entanto, mais importante para valores baixos de ra-
diao incidente.

Figura 16 Variao da curva I-V com a radiao incidente; resultados experimentais [CREST].
A validade do modelo simplificado pode ser testada, analisando o seu comporta-
mento em face de variaes de temperatura e de radiao incidente.
Para o efeito, nota-se que a corrente inversa de saturao pode ser escrita em
termos das caractersticas do material e da temperatura, atravs de:

T
V ' m 3
0
e DT I

= equao 17

13
Facilmente se pode verificar que o grfico da Figura 16 tem um erro: onde est 750 W/m
2
deve-
ria estar 700 W/m
2
.
Clula Fotovoltaica

32
em que:
I
0
corrente inversa mxima de saturao do dodo
D constante
hiato do silcio: =1,12 eV
m factor de idealidade equivalente
SM
N
m
' m= em que N
SM
o nmero
de clulas ligadas em srie
T temperatura da clula em K
V
T
potencial trmico em V
A equao 17 permite estabelecer a variao de I
0
com a temperatura a partir do
seu conhecimento para as condies de referncia:

=
T
r
T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0 0
e
T
T
I I equao 18
J a corrente de curto-circuito funo da radiao incidente, podendo o seu valor
ser calculado a partir de:

r
r
cc cc
G
G
I I = equao 19
Exemplo FV2
Considere de novo a clula fotovoltaica do Exemplo FV1 com uma rea de 100 cm
2
e uma potncia
de pico de 1,4 Wp.
Trace as curvas I-V parametrizadas em funo de: a) temperatura da clula (25, 50 e 75 C), conside-
rando a radiao constante e igual radiao de referncia G
r
= 1000 W/m
2
; b) radiao incidente
(1000, 700, 450, 300 e 100 W/m
2
), considerando a temperatura constante e igual temperatura de
referncia
r
= 25 C.
Compare os resultados obtidos com as caractersticas da Figura 15 e da Figura 16, respectivamente.
Use o modelo de um dodo e trs parmetros.

Clula Fotovoltaica

33
Resoluo:
a)
O potencial trmico varia com a temperatura e, nas hipteses admitidas no desenvolvimento do mo-
delo de um dodo e trs parmetros, a corrente de saturao inversa varia com a temperatura e com
o potencial trmico. Admite-se que a corrente de curto-circuito invariante com a temperatura.
O potencial trmico nas condies de referncia :
V 10 7 , 25 V
3 r
T

=
Para a temperatura T (K) vale:
q
KT
) T ( V
T
=
A corrente de saturao inversa escreve-se como:

=
) T ( V
1
10 7 , 25
1
66 , 1
12 , 1
3
6
0
T
3
e
16 , 298
T
10 17 , 3 ) T ( I
Para radiao constante e temperatura varivel, a caracterstica I-V traa-se pela curva:

=

1 e ) T ( I 15 , 3 I
) T ( V 66 , 1
V
0
T

b)
O potencial trmico e a corrente de saturao inversa so invariantes com a radiao, permanecendo
nos seus valores de referncia.
A corrente de curto-circuito depende da radiao incidente atravs de:
15 , 3
1000
G
) G ( I
cc
=
temperatura constante, a caracterstica I-V parametrizada em funo da radiao obtm-se traan-
do a curva:

=


1 e 10 17 , 3 ) G ( I I
3
10 7 , 25 66 , 1
V
6
cc

Os resultados de simulao da influncia da temperatura e da radiao incidente na curva I-V da c-
lula so apresentados na Figura 17 e na Figura 18, respectivamente.
A observao da Figura 17 e da Figura 18 permite comprovar o bom desempenho do modelo na re-
produo das curvas I-V (comparar com a Figura 15 e a Figura 16, respectivamente).
Clula Fotovoltaica

34
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tenso V (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

I

(
A
)
T =25C
T =75C
T =50C

Figura 17 Curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino; variao com a temperatura;
r
G G = .
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tenso V (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

I

(
A
)
G =1000W/m2
G =700W/m2
G =450W/m2
G =300W/m2
G =100W/m2

Figura 18 Curva I-V de uma clula tpica de silcio cristalino; variao com a radiao incidente;
r
T T = .
Exemplo FV3
Retome o Exemplo FV2 e para cada uma das condies de temperatura e radiao estudadas, obte-
nha o respectivo valor da potncia mxima.
Resoluo:
Vamos exemplificar o processo de clculo para:
a) Temperatura de 50 C e radiao igual radiao de referncia de 1000 W/m
2

Nestas condies, tem-se:
V 10 9 , 27 ) 16 , 323 ( V
3
T

=
A 10 07 , 3 ) 16 , 323 ( I
5
0

=
A corrente de curto-circuito toma o seu valor de referncia I
cc
r
= 3,15 A.
Clula Fotovoltaica

35
A soluo da equao:

+

+
=

+
3
(k)
max
5
3 1) (k
max
10 27,9 1,66
V
1
10 3,07
3,15
1
xln 10 1,66x27,9 V

V
max
= 0,43 V, obtida com recurso ao mtodo iterativo de Gauss (convergncia obtida ao fim de 3
iteraes com erro inferior a 0,0005 V e Vmax(0) = 0,48 V)
A corrente mxima e a potncia mxima so, respectivamente:
I
max
= 2,84 A e P
max
= 1,21 W
b) Radiao igual a 450 W/m
2
e temperatura igual temperatura de referncia de 25 C
O potencial trmico e a corrente de saturao inversa tomam os respectivos valores de referncia.
A corrente de curto-circuito ser:
A 42 , 1 ) 450 ( I
cc
=
Seguindo uma metodologia idntica usada em a) e substituindo valores obtm-se, sucessivamente,
V
max
= 0,45 V, I
max
= 1,29 A e P
max
= 0,58 W
Os resultados obtidos para as condies pretendidas so apresentados na Figura 19 e na Figura 20,
respectivamente.
A concluso principal a acentuada dependncia da potncia mxima com a radiao incidente, o
que provoca um impacto relevante na energia produzida.

100%
87%
74%
61%
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
25 50 75 100
Temperatura T (C)
P
/
P
m
a
x

Figura 19 Variao da potncia mxima com a temperatura;
r
G G = .
Clula Fotovoltaica

36
100%
68%
42%
27%
8%
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
1000 700 450 300 100
Radiao incidente G (W/m2)
P
/
P
m
a
x

Figura 20 Variao da potncia mxima com a radiao incidente;
r
T T = .
2.3.7. Introduo ao modelo detalhado
O modelo simplificado no , como o prprio nome indica, uma representao ri-
gorosa da clula fotovoltaica. Nas clulas reais observa-se uma queda de tenso
no circuito at aos contactos exteriores, a qual pode ser representada por uma re-
sistncia srie R
s
. Do mesmo modo, tambm existem correntes de fuga, que po-
dem ser descritas por uma resistncia paralelo, R
p
. O circuito elctrico equivalen-
te o que se representa na Figura 21.

Figura 21 Circuito elctrico equivalente detalhado de uma clula fotovoltaica
alimentando uma carga Z.
A corrente I que se fecha pela carga :
V
R
s
I
I
D
I
S
R
p
Z
I
p
Clula Fotovoltaica

37

p
s
mV
I R V
0 s p D s
R
I R V
1 e I I I I I I
T
s
+

= =
+
equao 20
A equao 20 traduz uma equao transcendente, implcita em I, que resolvida
com recurso a mtodos iterativos. O clculo de R
s
e R
p
sai fora do mbito deste
curso introdutrio.
2.4. TIPOS DE CLULAS
O silcio monocristalino o material mais usado na composio das clulas foto-
voltaicas, atingindo cerca de 60% do mercado. A uniformidade da estrutura mole-
cular resultante da utilizao de um cristal nico ideal para potenciar o efeito
fotovoltaico. O rendimento mximo atingido em laboratrio ronda os 24%, o qual
em utilizao prtica se reduz para cerca de 15%. A produo de silcio cristalino
cara.
O silcio policristalino, constitudo por um nmero muito elevado de pequenos
cristais da espessura de um cabelo humano, dispe de uma quota de mercado de
cerca de 30%. As descontinuidades da estrutura molecular dificultam o movimen-
to de electres e encorajam a recombinao com os buracos, o que reduz a potn-
cia de sada.
Por este motivo os rendimentos em laboratrio e em utilizao prtica no exce-
dem os 18% e 12%, respectivamente. Em contrapartida, o processo de fabricao
mais barato do que o do silcio cristalino.
O silcio amorfo no tem estrutura cristalina, apresentando defeitos estruturais
que, em princpio, impediriam a sua utilizao em clulas fotovoltaicas, uma vez
que aqueles defeitos potenciavam a recombinao dos pares electro-buraco.
No entanto, se ao silcio amorfo for adicionada uma pequena quantidade de hi-
drognio, por um processo chamado hidrogenizao, os tomos de hidrognio
combinam-se quimicamente de forma a minimizar os efeitos negativos dos defei-
tos estruturais. O silcio amorfo absorve a radiao solar de uma maneira muito
mais eficiente do que o silcio cristalino, pelo que possvel depositar uma fina
Clula Fotovoltaica

38
pelcula
14
de silcio amorfo sobre um substracto (metal, vidro, plstico). Este pro-
cesso de fabrico ainda mais barato do que o do silcio policristalino.
Os equipamentos solares domsticos (calculadoras, relgios) so habitualmente
feitos com clulas de silcio amorfo, representando cerca de 4% do mercado. Em
laboratrio possvel obter rendimentos da ordem de 13%, mas as propriedades
conversoras do material deterioram-se em utilizao prtica, pelo que os rendi-
mentos descem para cerca de 6%.

14
Thin films.
Mdulos e Painis

39
3. MDULOS E PAINIS
A potncia mxima de uma nica clula fotovoltaica no excede 2 W, o que ma-
nifestamente insuficiente para a maioria das aplicaes. Por este motivo, as clu-
las so agrupadas em srie e em paralelo formando mdulos.
Um mdulo consiste num conjunto de N
PM
ramos ligados em paralelo, cada um
deles constitudo por N
SM
clulas ligadas em srie, como se mostra na Figura 22.
I
M
1
2
V
M
NSM C
NSM1
C
NSMNPM
1 2 NPM
C
11
C
1NPM

Figura 22 Mdulo fotovoltaico.
Em termos de modelo dos mdulos fotovoltaicos, pode aplicar-se o modelo apre-
sentado no Captulo 2 para caracterizar o comportamento de uma nica clula
fotovoltaica, considerando o mdulo como uma clula fotovoltaica equivalente. A
sequncia de clculo esquematizada abaixo, em que as grandezas referenciadas
dizem respeito ao mdulo:
Parmetros constantes:

=
r
cc
r
max r
T
r
ca
r
max
I
I
1 ln V
V V
m equao 21

Mdulos e Painis

40
Parmetros que dependem da radiao:

r
r
cc cc
G
G
I I = equao 22
Parmetros que dependem da temperatura:

=
T
r
T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0 0
e
T
T
I I equao 23
Corrente em funo da tenso:

= 1 e I I I
T .
mV
V
0 cc
equao 24
Tenso mxima:

+
+
=
T
max
0
cc
T max
mV
V
1
1
I
I
ln mV V equao 25
Corrente mxima:

= 1 e I I I
T
max
mV
V
0 cc max
equao 26
Potncia mxima:

max max max
I V P = equao 27
Naturalmente que a razo entre a corrente correspondente ao mdulo e a corren-
te de cada clula dada pelo nmero de ramos ligados em paralelo, N
PM
, e a razo
entre a tenso do mdulo e a tenso da clula o nmero de clulas ligadas em
srie, N
SM
.

Mdulos e Painis

41
O nmero de clulas num mdulo determinado pelas necessidades de tenso e
corrente da carga a alimentar. Tipicamente um mdulo pode ser constitudo por
cerca de 33 a 36 clulas ligadas em srie, porque comum haver necessidade de
carregar uma bateria de 12 V.
A Figura 23 mostra uma fotografia de um mdulo fotovoltaico.

Figura 23 Um mdulo fotovoltaico de 100 W,
para alimentao de um candeeiro pblico usando baterias de 12 V [DOE].
Os mdulos podem tambm ser associados em srie e paralelo para obter mais
potncia, formando painis
15
(Figura 24).

Figura 24 Painis fotovoltaicos da companhia elctrica de Sacramento, EUA [DOE].

15
Arrays.
Mdulos e Painis

42
Exemplo FV4
Considere um mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 de 100 Wp, cujo catlogo reporta as caractersti-
cas indicadas no Quadro 3.
Quadro 3 Caractersticas do mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 [Shell].
Silcio monocristalino
Potncia de pico Pmax 100,3 W
Corrente mxima Imax 5,9 A
Tenso mxima Vmax 17,0 V
Corrente de curto-circuito Icc 6,5 A
Tenso de circuito aberto Vca 21,0 V
Temperatura normal de funcionamento NOCT 45 C
Coeficiente de temperatura de Icc Icc 2,8E-03 A/K
Coeficiente de temperatura de Vca Vca -7,6E-02 V/K
Nmero de clulas em srie NSM 36
Comprimento C 1,316 m
Largura L 0,660 m

Calcule: a) os parmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros m, I
0
e I
S
e o
factor de idealidade equivalente, m; b) as grandezas caractersticas do mdulo rendimento mximo
e factor de forma.
Resoluo:
a) e b)
O mtodo de clculo em tudo idntico ao seguido no Exemplo FV1, com a diferena de que agora
se trata de um mdulo fotovoltaico de 100 Wp com rea de 0,869 m
2
, em vez de uma nica clula.
Nos quadros seguintes esto representados os resultados numricos obtidos:
Factor de idealidade m 65,28
Factor de idealidade equivalente m' 1,81
Corrente de curto-circuito Icc 6,50 A
Corrente de saturao inversa I0ref 2,4E-05 A

Rendimento mximo ref 11,55%
Factor de forma FF 0,735

Exemplo FV5
Considere de novo o mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 de 100 Wp do Exemplo FV4. O catlogo do
fabricante indica a potncia mxima, P
max
= 72,3 W, para condies tpicas de funcionamento:
G = 800 W/m
2
;
c
= 45 C.
Recorrendo ao modelo de um dodo e trs parmetros, calcule a potncia mxima e o respectivo erro,
nas condies de radiao e temperatura referidas.

Mdulos e Painis

43
Resoluo:
Consideramos que a radiao incidente afecta a corrente de curto-circuito e a temperatura do mdulo
influencia o potencial trmico e a corrente de saturao inversa. Para as condies de radiao e
temperatura requeridas, os respectivos valores so:
A 20 , 5 ) 800 ( I
cc
=
V 10 4 , 27 ) 16 , 318 ( V
3
T

=
A 10 32 , 1 ) 16 , 318 ( I
4
0

=
A soluo da equao:

+

+
=

+
3
(k)
max
4
3 1) (k
max
10 27,4 65,28
V
1
10 1,32
5,20
1
xln x10 65,28x27,4 V

V
max
= 14,95 V, obtida com recurso ao mtodo iterativo de Gauss (convergncia ao fim de 3 itera-
es com erro inferior a 0,025 V e Vmax(0) = 17 V)
A corrente mxima e a potncia mxima so, respectivamente:
I
max
= 4,64 A e P
max
= 69,43 W
O erro cometido (69,43 72,3) / 72,3 = 4%, o que constitui uma boa indicao acerca da validade
do modelo.
Exemplo FV6
Para o mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 de 100 Wp do Exemplo FV4, trace a variao de P
max

com: a) a radiao incidente (entre G = 0 W/m
2
e G = 1000 W/m
2
), considerando a temperatura cons-
tante e igual temperatura de referncia
r
= 25 C; b) a temperatura do mdulo (entre = 0 C e
= 75 C), considerando a radiao constante e igual radiao de referncia G
r
= 1000 W/m
2
.
Use o modelo de um dodo e trs parmetros.
Resoluo:
O processo de clculo idntico ao do Exemplo FV5, mas considerando variaes separadas para a
radiao incidente e para a temperatura.
a)
Neste caso V
T
= V
T
r
= 25,7x10
-3
V e I
0
= I
0
r
= 2,40x10
-5
A; a corrente de curto-circuito varia linear-
mente com a radiao incidente.
A Figura 25 mostra os resultados obtidos por simulao para a variao da potncia mxima com a
radiao incidente, usando o modelo de um dodo e trs parmetros e recorrendo funo Solver do
Excel (apenas por facilidade, dado o nmero de clculos a efectuar) para obter a soluo da equa-
o no-linear em V
max
.
Mdulos e Painis

44
b)
Neste caso I
cc
= I
cc
r
= 6,5 A e tanto o potencial trmico como a corrente saturao inversa variam
com a temperatura do mdulo.
Usando o modelo de um dodo e trs parmetros e recorrendo funo Solver do Excel para obter
a soluo da equao no-linear em V
max
, obtiveram-se, para a variao da potncia mxima com a
temperatura, os resultados da Figura 26.
100,30
78,47
57,15
36,50
16,89
0,00
0
20
40
60
80
100
0 200 400 600 800 1000
Radiao G (W/m2)
P
o
t

n
c
i
a

m

x
i
m
a

(
W
)

Figura 25 Variao da potncia mxima com a radiao incidente; = 25C; mdulo Shell SM100-12.
114,48
100,30
86,34
72,68
0
25
50
75
100
125
0 25 50 75
Temperatura T (C)
P
o
t

n
c
i
a

m

x
i
m
a

(
W
)

Figura 26 Variao da potncia mxima com a temperatura; G = 1.000 W/m
2
; mdulo Shell SM100-12.
Pode comprovar-se a acentuada diminuio da potncia mxima quando a radiao solar incidente
baixa; a diminuio da potncia mxima com o aumento da temperatura menos acentuada.




Mdulos e Painis

45
Problema FV 3.
O catlogo do painel fotovoltaico BP 5170 indica as seguintes caractersticas, para as condies de
referncia:
Silcio monocristalino
Potncia de pico Pmax 170 W
Corrente mxima Imax 4,72 A
Tenso mxima Vmax 36,0 V
Corrente de curto-circuito Icc 5,0 A
Tenso de circuito aberto Vca 44,2 V
Temperatura normal de funcionamento NOCT 47 C
Coeficiente de temperatura de Icc Icc 3,3E-03 A/K
Coeficiente de temperatura de Vca Vca -1,6E-01 V/K
Nmero de clulas em srie NSM 72
Comprimento C 1,580 m
Largura L 0,783 m

Das curvas I-V fornecidas pelo fabricante para diversas temperaturas, retiram-se os seguintes valores
para a variao da tenso de circuito aberto com a temperatura, com G = Gr = 1000 W/m2:

(C) Vca (V)
0 48,5
25 44,2
50 39,5
75 35,0

Usando o modelo de um dodo e trs parmetros, determine para o painel fotovoltaico: a) o rendimen-
to nas condies de referncia e o factor de forma; b) o rendimento para a radiao incidente,
G = 250 W/m2, temperatura de referncia, r = 25 C; c) o erro cometido no clculo da tenso de
circuito aberto para a temperatura = 75 C, radiao de referncia Gr = 1000 W/m2 e a potncia
de sada do mdulo nestas condies.
Soluo:
a) r = 13,73%, FFr = 0,77
b) = 12,30%
c) erro = 4,41%; Pmax = 130,04 W

Aplicaes Ligadas Rede

46
4. APLICAES LIGADAS REDE
Em aplicaes ligadas rede de energia elctrica, o gerador fotovoltaico entrega
rede a mxima potncia que, em cada instante, pode produzir. Entre o mdulo e a
rede existem equipamentos de regulao e interface que optimizam as condies
de gerao e as adaptam s condies de recepo impostas pela rede. Em termos
esquemticos, a situao pode ser descrita como se ilustra na Figura 27.

Figura 27 Esquema de um gerador fotovoltaico ligado rede.
4.1. POTNCIA MXIMA MODELO SIMPLIFICADO
O modelo da clula fotovoltaica de um dodo e trs parmetros (m, I
0
e I
S
), apre-
sentado no captulo anterior, permite calcular a corrente de sada em funo da
tenso. A potncia mxima calculada atravs da resoluo de uma equao no-
linear para obteno da tenso mxima (equao 25), recorrendo a mtodos itera-
tivos.
A estimao desta caracterstica especialmente importante no caso de aplica-
es fotovoltaicas em rede isolada, directamente a alimentar cargas ou a carregar
baterias. Para aplicaes fotovoltaicas ligadas ao sistema de energia elctrica, a
curva I-V menos importante, sendo a potncia mxima a grandeza chave a cal-
cular. Nestas condies, conveniente dispor de uma forma expedita de a calcu-
lar atravs de uma expresso algbrica, cujos parmetros possam ser obtidos a
partir dos dados fornecidos pelos fabricantes; por outro lado, tal expresso deve
apresentar o menor erro possvel relativamente ao clculo exacto dado por
0 dV dP = , expresso que envolve mtodos iterativos para resoluo de equaes
no-lineares.
P
ac

Resto
da rede
I
dc

V
dc

T
P
max
G
Painel
fotovoltaico
MPPT Inversor
Aplicaes Ligadas Rede

47
Para o caso do modelo que tem vindo a ser apresentado, o clculo da potncia m-
xima pode ser efectuado a partir de uma expresso analtica relativamente sim-
ples, dispensando a resoluo da equao no linear. Deve ter-se presente que as
grandezas referenciadas dizem respeito ao mdulo.
Os resultados experimentais e de simulao mostram que a corrente de curto-
circuito, I
cc
, depende fundamentalmente da radiao. Admitindo idntica lei de
variao para a corrente mxima, I
max
, pode escrever-se:

r
max r max
I
G
G
I = equao 28
o que imediatamente define a corrente mxima em funo da radiao.
A tenso mxima, V
max
, pode ser determinada a partir da equao 14, tendo em
conta a dependncia das correntes de curto-circuito e mxima com a radiao
(equao 19 e equao 28, respectivamente) e a variao da corrente inversa de
saturao com a temperatura (equao 18). A expresso obtida :

( )

T
r
T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0
r
max
r
cc r
T max
e
T
T
I
I I
G
G
ln mV V equao 29
A potncia mxima , portanto:

( )
r
max
r
V
1
V
1
' m
3
r
r
0
r
max
r
cc r
T max max max
I
G
G
e
T
T
I
I I
G
G
ln mV I V P
T
r
T

= =

equao 30
O desempenho do modelo simplificado de clculo da potncia mxima foi compa-
rado com o modelo que envolve a resoluo de uma equao no-linear recorrendo
a mtodos iterativos, para diversos mdulos fotovoltaicos. Os resultados obtidos
permitem observar um erro normalmente inferior a 2%.
Aplicaes Ligadas Rede

48
4.2. SEGUIDOR DE POTNCIA MXIMA (MPPT) E INVERSOR
A potncia mxima varia com as condies ambientais (temperatura e radiao) e
com a tenso aos terminais do mdulo, sendo naturalmente desejvel o funcio-
namento sempre mxima potncia possvel.
Por forma a colocar o mdulo fotovoltaico no ponto de operao correspondente
potncia mxima, os conversores fotovoltaicos possuem um sistema digital de cl-
culo da tenso potncia mxima (para cada par de valores radiao tempera-
tura), designado por seguidor de potncia mxima (MPPT)
16
.
Este valor de referncia da tenso calculado atravs de um modelo de simulao
do comportamento do mdulo fotovoltaico e constitui uma entrada de um conver-
sor DC/DC
17
, o qual usado para ajustar o nvel da tenso de sada tenso de
entrada do inversor. Muitas vezes, o prprio conversor DC/DC designado (de
forma no muito rigorosa) por MPPT. Ao controlar a tenso de sada do mdulo,
automaticamente se impe o valor de corrente, que depende da tenso de acordo
com a curva I-V do mdulo fotovoltaico e com o modelo adoptado para a sua re-
presentao.
O facto de todos os conversores fotovoltaicos estarem equipados com este disposi-
tivo refora a necessidade de dispor de um mtodo eficiente de clculo da potncia
mxima (para as condies de temperatura e radiao existentes), pois suposto
que os mdulos funcionem sempre nesse ponto de operao.
Em aplicaes ligadas ao sistema de energia elctrica, necessrio tambm um
inversor para colocar na rede a energia produzida pelo mdulo fotovoltaico. Uma
vez que estamos interessados neste tipo de aplicaes, designaremos doravante o
conjunto MPPT + inversor, apenas por inversor.
O rendimento do inversor :

16
Maximum Power Point Tracker MPPT.
17
Chopper.
Aplicaes Ligadas Rede

49

max max
AC
inv
I V
P
= equao 31
em que P
AC
a potncia entregue rede.
A consulta de catlogos de fabricantes e de literatura que reporta os resultados
de testes levados a cabo para medir o rendimento de diversos inversores [Ris],
permite concluir que o rendimento do inversor pouco sensvel a variaes de
carga, mantendo-se sensivelmente constante numa faixa bastante alargada de
regimes de funcionamento.
Um valor normalmente tomado como referncia para o conjunto de dispositivos
electrnicos de regulao e interface (MPPT e inversor) % 90
inv
= . Natural-
mente que este valor s ser adoptado se no estiver disponvel a curva de varia-
o do rendimento do conjunto MPPT + inversor com a sua potncia de entrada.
4.3. RADIAO E TEMPERATURA
A equao 30 mostra a dependncia da potncia mxima com a radiao inciden-
te e com a temperatura da clula. Os clculos energticos tm como ponto de par-
tida o conhecimento de medidas das grandezas radiao incidente e temperatura
ambiente.
4.3.1. Radiao
A radiao incidente obtida atravs de medies, que so habitualmente reali-
zadas sobre um plano horizontal; no entanto, outras medies efectuadas e esti-
maes realizadas para planos inclinados sugerem que a maximizao da energia
solar absorvida em Portugal atingida com grandes inclinaes (entre 50 e 60)
no inverno e pequenas inclinaes (entre 5 e 10) no vero. Como no prtico
nem econmico mudar a inclinao das superfcies colectoras consoante a estao
do ano, usam-se normalmente planos com inclinao fixa.
Na Figura 28 mostram-se os resultados de medies efectuadas ao longo de um
ano da radiao global incidente (kWh/m2/ms) na zona de Lisboa sobre plano
horizontal e inclinado.
Aplicaes Ligadas Rede

50
Radiao global sobre plano horizontal e inclinado, Lisboa
68
90
135
178
213
228
246
220
163
118
77
64
98
119
155
184
202
207
228
222
183
152
110
98
108
124
146
156 157
153
171
180
166
155
121
112
J an Fev Mar Abr Mai J un J ul Ago Set Out Nov Dez
I
g
m

(
k
W
h
/
m
2
/
m

s
)
0 30 60
0 - 1800 kWh/m2/ano
30 - 1958 kWh/m2/ano
60 - 1749 kWh/m2/ano

Figura 28 Radiao global (kWh/m2/ms) sobre plano horizontal e inclinado em Lisboa
A literatura da especialidade reporta que o plano inclinado fixo que globalmente
maximiza a radiao solar absorvida tem uma inclinao aproximadamente igual
latitude do local. Deve tambm notar-se que no hemisfrio norte os conversores
fotovoltaicos devem ser orientados a sul.
Recentemente comearam a ser comercializados os primeiros sistemas de controlo
da inclinao dos painis de modo a seguirem a posio do sol ao longo do dia. Es-
tima-se que o ganho de produo anual seja da ordem de 20%, o qual , no entan-
to, conseguido custa de um aumento do investimento.
Na Figura 29 ilustram-se os resultados da medio da radiao solar mdia men-
sal obtida em Lisboa, sobre plano inclinado com inclinao igual latitude (lati-
tude = 38,7). Estas medies foram efectuadas durante um nmero significativo
de anos.
Aplicaes Ligadas Rede

51
77,0
111,9
177,2
217,2
262,9
300,2
307,0
273,9
209,6
135,5
87,8
63,6
0
100
200
300
400
J an Fev Mar Abr Mai J un J ul Ago Set Out Nov Dez
R
a
d
i
a

o

s
o
l
a
r

i
n
c
i
d
e
n
t
e

G

(
W
/
m
2
)

Figura 29 Radiao mdia mensal em plano inclinado (inclinao = latitude) em Lisboa,
Fonte: INETI.
Pode observar-se que o valor mximo da radiao incidente atingido em Julho,
atingido apenas cerca de 30% da radiao incidente nas condies de referncia.
A radiao mdia anual 185 W/m
2
, pelo que a potncia de pico indicada pelos
fabricantes (nas condies de referncia) deve ser encarada com prudncia.
Outro dado interessante de analisar a frequncia de ocorrncia das diversas ra-
diaes. Na Figura 30 est a frequncia de ocorrncia da radiao mdia horria
em Lisboa, distribuda em classes de 100 W/m2. A figura permite concluir que
radiaes mdias horrias entre 900 e 1.000 W/m2 ocorrem em apenas 159 horas
por ano. O valor mximo atingido foi de 974 W/m2, mas nota-se que este valor
uma mdia horria, pelo que possvel que transitoriamente tenham sido atingi-
dos valores superiores a 1.000 W/m2.
Aplicaes Ligadas Rede

52
Lisboa
4170
1093
598
568
484
523
322 332
275
235
159
0
1000
2000
3000
4000
5000
0 0-100 100-200 200-300 300-400 400-500 500-600 600-700 700-800 800-900 900-1000
Radiao (W/m2)
F
r
e
q
u

n
c
i
a

d
e

o
c
o
r
r

n
c
i
a

(
h
)

Figura 30 Frequncia de ocorrncia da radiao mdia horria em Lisboa,
distribuda em classes de 100 W/m2
4.3.2. Temperatura
Na fase de projecto, a temperatura da clula no est disponvel, apenas se po-
dendo medir o valor da temperatura ambiente. A temperatura ambiente mdia
mensal medida em Lisboa est representada na Figura 31.
A temperatura na clula pode ser relacionada com a temperatura ambiente e com
a radiao incidente atravs da expresso:

800
) 20 NOCT ( G
a c

+ = equao 32
em que:

c
temperatura da clula (C)

a
temperatura ambiente (C)
G radiao solar incidente (W/m
2
)
Aplicaes Ligadas Rede

53
NOCT temperatura normal de funcionamento da clula
18
; este valor
dado pelo fabricante e representa a temperatura atingida pela clula
em condies normalizadas de funcionamento, definidas como

a
=20 C (temperatura ambiente) e G =800 W/m
2

6,7
8,2
11,7
12,5
16,3
21,6
25,1
24,9
21,6
15,1
10,3
7,6
0
10
20
30
J an Fev Mar Abr Mai J un J ul Ago Set Out Nov Dez
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

a
m
b
i
e
n
t
e

(

C
)

Figura 31 Temperatura mdia mensal ambiente em Lisboa, Fonte: INETI.
Exemplo FV7
A partir dos dados da radiao incidente (Figura 29) e da temperatura ambiente (Figura 31) em Lis-
boa, obtenha a temperatura mdia mensal atingida pelo mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 de
100 Wp, referido no Exemplo FV4.
Resoluo:
A temperatura mdia atingida pelo mdulo em Lisboa no ms de Janeiro, por exemplo, :
C 2 , 9
800
) 20 45 ( 77
7 , 6
c
=

+ =
Os valores obtidos para a temperatura mdia mensal do mdulo esto representados na Figura 32.

18
NOCT Normal Operating Cell Temperature.
Aplicaes Ligadas Rede

54
9,2
11,7
17,2
19,2
24,5
31,0
34,7
33,4
28,2
19,4
13,0
9,6
0
10
20
30
40
J an Fev Mar Abr Mai J un J ul Ago Set Out Nov Dez
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

d
o

m

d
u
l
o

(

C
)

Figura 32 Temperatura mdia mensal do mdulo fotovoltaico Shell SM100-12 em Lisboa.
4.4. ESTIMATIVA DA ENERGIA PRODUZIDA
Uma estimativa da energia produzida pode ser obtida a partir de:

=
=
n
1 i
i i max inv
t ) T , G ( P E equao 33
em que:

inv
rendimento do MPPT+inversor
n nmero de perodos de tempo considerado
t intervalo de tempo considerado
P
max
(G,T) potncia mxima do mdulo em funo da radiao solar
incidente e da temperatura da clula no intervalo de tempo considera-
do
Quando se calcula a energia anual produzida por um mdulo fotovoltaico, podem
usar-se valores mdios mensais; assim, n =12, t
i
=nmero de horas do ms i,
P
max
(G,T)
i
=valor mdio da potncia mxima no ms i (ver equao 30).
Exemplo FV8
Considere de novo o mdulo Shell SM100-12 do Exemplo FV4, instalado em Lisboa. Este mdulo
ligado rede atravs de um conjunto MPPT+inversor com rendimento global de 90%.
Aplicaes Ligadas Rede

55
Calcule: a) a potncia mxima mdia mensal e respectiva energia produzida; b) a energia produzida
anualmente e a respectiva utilizao da potncia de pico.
Use a expresso simplificada de clculo da potncia mxima.
Resoluo:
Como exemplo do processo de clculo, vamos tomar o ms de Maro.
a)
Recordam-se os parmetros caractersticos do mdulo fotovoltaico em anlise:
m = 65,28; I
0
r
= 2,40x10
5
A; m = 1,81
Em Maro G(Maro) = 177,2 W/m
2
e T
c
(Maro) = (17,2 + 273,16) = 290,36 K
Para estas condies de radiao e temperatura, tem-se:
A 15 , 1 50 , 6
1000
2 , 177
) 2 , 177 ( I
cc
= =
V 10 0 , 25
10 60 , 1
36 , 290 10 38 , 1
) 36 , 290 ( V
3
19
23
T

=
A 10 16 , 1 e
16 , 298
36 , 290
10 40 , 2 ) 36 , 290 ( I
5 10 0 , 25
1
10 7 , 25
1
81 , 1
12 , 1
3
5
0
3 3

=


Neste modelo, faz-se a aproximao de considerar que:
A 05 , 1 90 , 5
1000
2 , 177
) 2 , 177 ( I
max
= =
O clculo da tenso mxima dispensa agora o recurso a mtodos iterativos:
V 91 , 14
10 16 , 1
05 , 1 15 , 1
ln 10 0 , 25 28 , 65 V
5
3
max
=

A potncia mxima em Maro , portanto:
P
max
(Maro) = 14,91 x 1,05 = 15,59 W
e a energia produzida :
E(Maro) = 0,9 x 15,59 x 31 x 24 / 1000 = 10,44 kWh
Na Figura 33 reportam-se os valores obtidos para a potncia mdia mensal sada do mdulo foto-
voltaico e para a correspondente energia entregue rede (aps inverso) pelo mdulo fotovoltaico
em anlise, colocado em Lisboa.
Aplicaes Ligadas Rede

56
0
5
10
15
20
25
30
P
o
t

n
c
i
a

m

d
i
a

m
e
n
s
a
l

(
W
)
0
3
6
9
12
15
18
E
n
e
r
g
i
a

m

d
i
a

m
e
n
s
a
l

(
k
W
h
)
Pmax(W) E (kWh)
Pmax (W) 6,55 9,74 15,59 19,26 22,97 25,45 25,40 22,56 17,37 11,38 7,36 5,28
E (kWh) 4,387 5,890 10,438 12,483 15,383 16,495 17,009 15,108 11,258 7,623 4,768 3,536
J an Fev Mar Abr Mai J un J ul Ago Set Out Nov Dez

Figura 33 Potncia mdia mensal e correspondente energia do mdulo Shell SM100-12, colocado em Lisboa.
b)
Os resultados mdios anuais obtidos esto sistematizados no Quadro 4. Naturalmente que a energia
produzida anualmente se obtm somando os dozes valores correspondentes energia produzida
mensalmente e a utilizao anual da potncia de pico o quociente entre a energia produzida anual-
mente e a potncia de pico do mdulo.
Quadro 4 Principais grandezas mdias anuais.
Radiao mdia anual G 185,31 W/m2
Temperatura mdia anual do mdulo T 20,92 C
Potncia mxima mdia anual Pmax 15,96 W
Energia mdia anual E 124,38 kWh
Utilizao anual da potncia de pico h 1.240 h

Em face da radiao incidente em Lisboa, verifica-se que a potncia mxima mdia anual sada do
mdulo igual a 16% da potncia mxima nas condies de referncia. O valor obtido para a utiliza-
o anual da potncia de pico (1.240 horas = 14%) inferior aos resultados obtidos noutros estudos,
que reportam valores da ordem de 1.500 horas [Aguiar], mesmo considerando que o valor calculado
inclui o rendimento do inversor.

Observa-se que modelo adoptado bastante conservador, conduzindo a estimati-
vas por defeito. Esta caracterstica do modelo deve-se ao facto de o clculo do coe-
ficiente de idealidade do dodo, m, que se mantm sempre constante ao longo da
simulao, ter sido calculado (equao 21) com base nas condies de referncia,
as quais esto longe de se verificarem em Lisboa e, em geral, em Portugal. Por
forma a tentar ultrapassar esta limitao, um mtodo alternativo de clculo do
Aplicaes Ligadas Rede

57
factor m baseia-se num dado habitualmente fornecido nos catlogos, o coeficiente
de temperatura da tenso de circuito aberto,
r
V
ca
. Este modelo apresentado no
Anexo.
4.5. ESTIMATIVA RPIDA DA ENERGIA PRODUZIDA
Um modelo muito simplificado que permite obter uma estimativa rpida da ener-
gia anual desenvolve-se desprezando a influncia da temperatura e considerando
que o valor mdio da potncia mxima anual directamente proporcional radi-
ao mdia incidente anualmente:
Assim, tem-se, em termos anuais:

r
max
r
med
max
P
G
G
P = equao 34
e, portanto, a energia produzida anualmente :

A G 8760 E
P 8760 E
r
med inv a
max inv a
=
=
equao 35
em que G
med
a radiao incidente mdia anual e A a rea do mdulo.
Exemplo FV9
Determine uma estimativa rpida da energia produzida anualmente pelo mdulo Shell SM100-12 do
Exemplo FV4, considerando que o mesmo se encontra instalado em Lisboa. Este mdulo ligado
rede atravs de um conjunto MPPT+inversor com rendimento global de 90%.
Resoluo:
Recordam-se os valores das grandezas relevantes para a resoluo do problema:
G
med
= 185,31 W/m
2

r
= 11,55 %
A = 0,869 m
2

Uma estimativa rpida da energia produzida anualmente pode ser obtida atravs de:
E
a
= (0,9 x 8760 x 185,31 x 0,1155 x 0,869) / 1000 = 146,54 kWh
O erro associado 17,8% o que particularmente inconveniente uma vez que por excesso.

Aplicaes Ligadas Rede

58
Problema FV 4.
O catlogo do painel fotovoltaico Shell SP150-P indica as seguintes caractersticas, paras as condi-
es de referncia:
Silcio monocristalino
Potncia de pico Pmax 150 W
Corrente mxima Imax 4,41 A
Tenso mxima Vmax 34,0 V
Corrente de curto-circuito Icc 4,8 A
Tenso de circuito aberto Vca 43,4 V
Temperatura normal de funcionamento NOCT 45 C
Coeficiente de temperatura de Icc Icc 2,0E-03 A/K
Coeficiente de temperatura de Vca Vca -1,5E-01 V/K
Nmero de clulas em srie NSM 72
Comprimento C 1,622 m
Largura L 0,814 m

A radiao mensal mdia incidente no local X apresentada na tabela seguinte:

Meses G (W/m2) Meses G (W/m2)
J an 99,5 J ul 334,7
Fev 141,4 Ago 297,0
Mar 188,2 Set 237,5
Abr 259,7 Out 169,4
Mai 307,8 Nov 112,5
J un 325,0 Dez 95,4

Considere que nos meses de Vero a temperatura do mdulo igual sua temperatura normal de
operao e nos meses de Inverno igual temperatura das condies de referncia. Use o modelo
de um dodo e trs parmetros, e tome para rendimento do conjunto MPPT+inversor o valor de 90%.
Calcule: a) as energias elctricas produzidas nos meses de Julho e de Dezembro e as respectivas
utilizaes mensais da potncia de pico expressas em percentagem; b) o erro cometido no clculo
das energias referidas em a) se for usada a estimativa rpida.
Soluo:
a) E_Jul = 25,42 kWh; E_Dez = 7,10 kWh; h_Jul = 22,78%; h_Dez = 6,36%
b) erro_Jul = 32,25%; erro_Dez = 34,97%

Problema FV 5. (Teste de 2005/06)
O catlogo do mdulo fotovoltaico SHELL SP150-P indica os seguintes valores:
P = 150 Wp V = 34 V Icc = 4,8 A Vca = 43,4 V
NOCT = 45 C NSM = 72 c = 1,586 m l = 0,769 m
Aplicaes Ligadas Rede

59
O mesmo catlogo refere que: The relative reduction of module efficiency at an irradiance of
200 W/m2 in relation to 1000 W/m2 both at 25C cell temperature is 7%.
O catlogo do fabricante indica ainda que o coeficiente de temperatura da tenso de circuito aberto
Vca = 0,152V/C.
a) calcule o rendimento do mdulo nas condies de referncia (STC); b) para as condies,
G=200W/m2 e c=25C, calcule: rendimento do mdulo indicado pelo fabricante, potncia mxima
prevista teoricamente e rendimento do mdulo previsto teoricamente; c) para a temperatura do mdu-
lo, c=50C (mantendo a radiao de referncia), calcule: tenso de circuito aberto indicada pelo fa-
bricante e tenso de circuito aberto prevista teoricamente.
Soluo:
a) r = 12,30%
b) fab = 11,44%; Pmax = 24,69 W; teo = 10,12%
c) Vca_fab = 39,60 V; Vca_teo = 39,30 V

Problema FV 6. (Exame de 2004/05)
O catlogo de um mdulo fotovoltaico indica os seguintes valores para as condies de referncia
para a realizao de testes (STC):
P = 150 Wp V = 34 V Icc = 4,8 A Vca = 43,4 V
NOCT = 45 C NSM = 72 c = 1,622 m l = 0,814 m
O mesmo catlogo indica tambm os seguintes valores para as condies normais de operao do
mdulo (NOCT):
P = 109 W V = 31,2 V Icc = 3,8 A Vca = 39,9 V
Use o modelo de um dodo e trs parmetros para calcular: a) os trs parmetros do modelo; b) para
as condies NOCT, o erro cometido no clculo da potncia e da tenso de circuito aberto; c) a rela-
o entre o factor de forma nas condies NOCT e o factor de forma nas condies STC.
Soluo:
a) m = 145,35; I0ref = 4,35x10
5
A; Iccref = 4,80 A
b) erro_Pmax = 5,4%; erro_Vca = 1,7%
c) relFF = 95,01%

Anexo

60
5. ANEXO
MTODO ALTERNATIVO DE CLCULO
DO FACTOR DE IDEALIDADE
Um mtodo alternativo de clculo do factor m baseia-se num dado habitualmente
fornecido nos catlogos, o coeficiente de temperatura da tenso de circuito aberto,
r
V
ca
, o qual se mantm aproximadamente constante numa gama alargada de
temperaturas e radiaes.

r
r ca
G G
T T
ca r
V
dT
dV
=
=

= equao 36
A partir da equao 29, tendo em conta que nas condies de circuito aberto
I =0, pode escrever-se, para G =G
r
:

T
r
T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0
r
cc
T ca
e
T
T
I
I
ln mV V equao 37
Derivando, obtm-se, considerando que a corrente de curto-circuito no depende
da temperatura:

T
V
1
V
1
' m
3
r
r
0
r
cc ca
V ' m
3
e
T
T
I
I
ln
q
K
m
T
V
T
r
T
equao 38
Para T =T
r
vem:

=
=
r
T
r
0
r
cc
T T
ca r
V
V ' m
3
I
I
ln
q
K
m
T
V
r
ca
equao 39
Tendo em conta que:
Anexo

61

r
T
r
ca
mV
V
r
0
r
cc
e
I
I
= equao 40
e resolvendo em ordem a m, tem-se:

K 3
q
T
N V
m
r
V r
SM
r
ca
ca

= equao 41
Com base nesta metodologia alternativa que usa o valor de catlogo do coeficiente
de temperatura da tenso de circuito aberto, calcularam-se os parmetros carac-
tersticos do modelo de um dodo e trs parmetros (m, I
0
e I
S
) que tem vindo a ser
seguido:
Quadro 5 Parmetros caractersticos do modelo de um dodo e trs parmetros;
modelo alternativo.
Factor de idealidade m 43,29
Factor de idealidade equivalente m' 1,20
Corrente de curto-circuito Icc 6,5 A
Corrente de saturao inversa I0ref 4,2E-08 A

Os resultados mdios anuais obtidos esto sistematizados no Quadro 6.
Quadro 6 Principais grandezas mdias anuais; modelo alternativo.
Potncia mxima mdia anual Pmax 18,41 W
Energia mdia anual E 143,62 kWh
Utilizao anual da potncia de pico h 1.432 h

Pode verificar-se que o valor obtido para a utilizao anual da potncia de pico j
est mais prximo do valor reportado noutros estudos, o que parece revelar que o
parmetro m obtido com a metodologia alternativa mais adequado para modelar
mdulos fotovoltaicos instalados em Lisboa, e em geral, em Portugal.
Referncias

62
6. REFERNCIAS

[Aguiar] Ricardo Aguiar, Susana Castro Viana, Antnio Joyce, Estimativas Instan-
tneas do Desempenho de Sistemas Solares Fotovoltaicos para Portugal Con-
tinental, XI Congresso Ibrico / VI Congresso IberoAmericano de Energia
Solar, Albufeira, Setembro 2002.
[BPSolar] BP Solar
http://www.bpsolar.com/
[CREST] United States Department of Energy, Center for Renewable Energy and Sus-
tainable Technology, Aurora educational web site
http://aurora.crest.org/
[DOE] US Department of Energy, Photovoltaics
http://www.eren.doe.gov/pv/
[ESTSetbal] Alexandre Cerdeira, Mrio Alves, Maximizao da Energia Fornecida por
um Painel Fotovoltaico, Trabalho Final de Curso, Escola Superior de Tecno-
logia do Instituto Politcnico de Setbal, Dezembro 2001.
[Frum] Frum Energias Renovveis em Portugal, Relatrio Sntese, Agncia de
Energia & Instituto Nacional de Engenharia e Tecnologia Industrial
ADENE & INETI, Lisboa, Novembro 2001.
[Fry] B. Fry, Simulation of Grid-Tied Building Integrated Photovoltaic Systems,
University of Wisconsin Madison, College of Engineering's Solar Energy
Lab (SEL), MSc Thesis, 1998.
http://sel.me.wisc.edu/Publications/Theses/theses2.html
[IEA-PVPS] International Energy Agency Photovoltaics Power Systems, Trends in
Photovoltaic Applications in Selected IEA Countries between 1992 and 2001.
http://www.iea-pvps.org/
[ILSE] ILSE The Interactive Learning System for Renewable Energy, Institute of
Electrical Power Engineering, Renewable Energy Section, Technical Univer-
sity of Berlin (TU-Berlin)
http://emsolar.ee.tu-berlin.de/~ilse/
[NREL] National Renewable Energy Laboratory
http://www.nrel.gov/

Referncias

63
[Ris] Anca D. Hansen, Poul Sorensen, Lars Hansen, Henrik Bindner, Models for
Stand-Alone PV System, Ris National Laboratory, December 2002.
[Shell] Shell Solar, Shell SM100-12 Photovoltaic Solar Module,
http://www.shell.com/solar
[SOLARPV] Siemens Solar Industries
http://www.solarpv.com/
[Stone] Jack L. Stone, Photovoltaics: Unlimited Electrical Energy From the Sun,
US Department of Energy
http://www.eren.doe.gov/pv/onlinelrn.html
[TU-Berlin] Photovoltaic Energy Systems Experiment PE1: Solar-Modules, Institute of
Electrical Power Engineering, Renewable Energy Section, Technical Univer-
sity of Berlin (TU-Berlin)
http://emsolar.ee.tu-berlin.de/lehre/english/pv1/