Fsica experimental A1

Efeito Hall

Nomes:
Turma PB1



Introduo

Quando um fio condutor, percorrido por uma corrente eltrica, colocado
na presena de um campo magntico perpendicular direo de propagao,
as cargas deste condutor sofrero uma fora (fora de Lorentz) perpendicular
a sua direo de movimento e ao campo. A este fenmeno damos o nome
de efeito Hall. A magnitude da fora experimentada pelos portadores de
carga (eltrons ou buracos) dada pela seguinte relao, F = qv x B (em
negrito as grandezas vetoriais). Podemos observar por esta relao que tanto
os portadores de cargas negativos (eltrons e) quanto os portadores de carga
positivo (buracos) tero sofreram atuao da fora no mesmo sentido e
mesma direo conforme mostrado abaixo:
q = +e, e se movimentando para +x e o campo B esta no sentido +z (B
z
),
ento pelo produto vetorial, temos a fora na direo y, qv x B

= F(-)
A fora F
y
leva a trajetria dos portadores de carga a se curvar,
concentrando os eltrons na superfcie da frente da amostra, se o
semicondutor for do tipo n (ou buracos se for do tipo p), o excesso de
cargas positivas e negativas, funciona como um capacitor de placas
paralelas, com um campo eltrico conhecido como campo Hall. Chegar
um momento em que a fora Hall equilibra a fora magntica, E
y =
v
x
B
z
Desde que portadores de carga negativos e positivos em
semicondutores movem-se em direes opostas, amos so defletidos na
mesma direo, o tipo de portador de carga causador do fluxo de
corrente pode ser determinado a partir da tenso Hall. Para isto basta
conhecer a direo da corrente e a direo do campo magntico.
Um resultado muito til seria a medida da condutividade (

;
onde a mobilidade e R
H
a constante Hall)
Tanto a condutividade, a concentrao P do portadores de carga e a
mobilidade esto relacionados com a constante Hall da seguinte
maneira:

O que indica que a constante Hall pode ser obtida de duas maneiras, a partir
da medida da dependncia linear da tenso Hall em funo da corrente
aplicada com o campo B aplicado fixo. Ou fixando-se a corrente aplicada e
medindo-se a dependncia da tenso Hall com o campo B.
A condutividade do material estudado (GaAs) a temperatura ambiente
calculada a partir do comprimento da amostra (l), de sua seo transversal
(A) e de sua resistncia R
0
, atravs:

A concentrao dos portadores de carga :

Tendo como objetivo deste experimento o estudo do efeito Hall em um
semicondutor, a fim de determinar parmetros como mobilidade e
concentrao de portadores de carga. Para tanto foi utilizado um sensor Hall
colocado cuidadosamente no interior de uma bobina magntica. Para evitar
problemas de contato, o sensor Hall (modelo KSY 14 da Siemens-Infineon) foi
conectado a um soquete de onde saem 4 cabos de permitem a passagem da
corrente e a leitura da tenso Hall.
O campo magntico produzido pelas duas bobinas conectadas em serie,
alimentadas pela sada DC da fonte principal. A fonte de alimentao age
ento como uma fonte de corrente constante, assegurando que variaes na
temperatura induzidas pelas variaes na resistncia no afetem a
intensidade do campo.
Figura 1
Procedimento
Medida da tenso Hall versus campo magntico
Nesta etapa do procedimento fixamos a corrente em (6,100,5) mA
enquanto foi variado o valor de tenso com ajuda de um potencimetro
conectado a montagem do experimento (figura1) . Utilizando-se de dois
multmetros digitais foram coletados os seguintes dados abaixo:
Tenso Hall U
H
(mV) Campo magntico B (mT)
-147,0 -262
-131,0 -240
-115,0 -218
-94,0 -191
-77,0 -166
-58,0 -139
-42,0 -116
-25,0 -94
-5,0 -65
15,5 -36
27,7 -19
51,7 13
66,9 35
83,5 59
100,3 80
115,1 102
135,0 128
150,9 150
169,7 176
189,5 203
209,0 232
Obs.: as tolerncias para a tenso de 0,3 mV e para o campo de 1 mT,
informao tirado dos aparelhos utilizados.
Com base na tabela acima foi construdo um grfico de onde foi possvel
calcular os valores da constante Hall R
H,
a mobilidade Hall
H
e a
concentrao dos portadores de carga P.




















Medida da tenso Hall versus corrente

Como na etapa anterior fixamos uma das grandezas (neste caso o campo
magntico B; (2323) mT), enquanto foi variando a corrente e a tenso Hall.
Semelhante ao item anterior, os valores coletados constam da tabela abaixo

Tenso Hall U
H
(mV) Corrente i (mA)
0 0
18,6 0,52
38,3 1,08
54,2 1,54
72,3 2,05
88,4 2,53
105,6 3,02
122,8 3,51
142,4 4,08
155,7 4,51
172,9 5,02
191,0 5,53
207,0 6,02
222,0 6,55
239,0 7,05

Obs.: os valores das devidas tolerncias foram obtidos direto dos
instrumentos de medida ( 0,05 mA e 0,3mV).
Com os valores a cima foi feito um segundo grfico, no qual utilizamos os
valores fornecidos pelo programa gerador (origin) para determinar valores
da constante Hall R
H,
a mobilidade Hall
H
e a concentrao dos portadores
de carga P, conforme calculo abaixo.







Podemos observar concordncia entre os valores calculados atravs dos dois
mtodos. Ao comparar com os valores tabelados ( artigo descritivo que esta
posto junto ao experimento) verificamos que este experimento tambm tem
um boa concordncia com estes valores


Concluso
O efeito Hall desempenha um papel importante na compreenso da
conduo eltrica nos metais e semicondutores. Pode-se verificado que esses
dois resultados (dependncia da corrente e a dependncia do campo) so de
extrema importncia na indstria eletrnica, pois permite a fabricao de
dispositivos que dependem do tipo (eltrons ou buracos) e da quantidade de
portadores.
Este experimento apesar de trabalhoso em termos de coleta de dados, no
nos apresentou nenhuma dificuldade em relao a sua execuo, talvez a
nica dificuldade apresentada fosse manipulao do potencimetro, muito
sensvel ao toque, mas no implicou em perda de qualidade de dados.