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Eletrnica
Diodos.
Antes de entrarmos no assunto propriamente dito, necessrio fazermos algumas
consideraes sobre o material de que so feitos alguns importantssimos componentes
eletrnicos, tais como: diodos e transistores entre outros; este material conhecido
como semicondutor.
1o-Materiais Semicondutores.
Existem na natureza materiais que podem conduzir a corrente eltrica com facilidade: os
metais-Ex: cobre, alumnio, ferro etc.
Materiais que no permitem a passagem da corrente eltrica, pois o portador de
carga(eltrons), no tem mobilidade neles.So os isolantes. Ex.: mica, borracha,vidro
plsticos etc.
Em um grupo intermedirio, situado entre condutores e os isolantes esto os
semicondutores, que no so nem bons condutores e nem chega a ser isolantes.
Destacamos entre os semicondutores, pois sero alvos deste estudo o silcio(Si) e o
germnio(Ge). Existem outros elementos semicondutores tambm importantes para
eletrnica
So eles o selnio(Se), o Glio(Ga) etc.
As principal caracterstica que interessa no caso do Silcio e do Germnio que estes
elementos possuem tomos com 4 eltrons na sua ltima camada e que eles se dispe
numa estrutura geomtrica e ordenada.
O silcio e o germnio formam cristais onde os tomos se unem compartilhando os
eltrons da ltima camada.
Sabemos da qumica que os tomos de diversos elementos tm uma tendncia natural
em obter o equilbrio, quando sua ltima camada adquire o nmero mximo de 8
eltrons.
Desta forma formam, tanto o silcio quanto o germnio formam cristais quando os seus
tomos um ao lado do outro compartilham os eltrons havendo sempre 8 deles em torno
de cada ncleo, o que resulta num equilbrio bastante estvel para estes materiais.
Veja Fig.1, a seguir:
Figura 1
Nesta forma cristalina de grande pureza o silcio e o germnio no servem para
elaborao de dispositivos eletrnicos, mas a situao muda quando adicionamos certas
impurezasao material.
Estas impurezas consistem em tomos de algum elemento qumico que tenha na sua
ltima camada um numero diferente de 4 eltrons, e que sejam agregados a estrutura do
Germnio ou/e do silcio em propores extremamente pequenas da ordem de partes por
milho (ppm).
No nosso exemplo utilizaremos o silcio com as duas possibilidades de adio.
a)Elementos com tomos de 5 eltrons na ltima camada;
b)Elementos com tomos dotados de 3 eltrons na ltima camada.
No primeiro caso, mostrado na figura 2, a adio e utilizando o elemento arsnio (As).
Como os tomos vizinhos s podem compartilhar 8 eltrons na formao da estrutura
cristalina, sobrar um que no tendo a que se ligar, adquire mobilidade no material, e
por isso pode servir como portador de carga.
Figura 2
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pela adio deste tipo de impureza, recebe o nome de Semicondutor do tipo N (Nnegativo).
Na segunda possibilidade, agregamos ao cristal de silcio uma impureza, que contm 3
eltrons na sua ltima camada, no caso o ndio (In) obtendo-se ento uma estrutura
conforme mostrada na Figura 3.
Figura 3.
Observa-se que, no local em que se encontra o tomo de ndio no existem 8 eltrons
para serem compartilhados de modo que sobra uma vaga, que chamamos de lacuna.
Esta lacuna tambm funciona com portador de carga, pois os eltrons que queiram se
movimentar atravs do material podem saltarde lacuna para lacuna encontrando assim
um percurso com pouca resistncia.
Como os portadores de carga neste caso so lacunas, e a falta de eltrons corresponde ao
predomnio de uma carga positiva, dizemos que o material semicondutor assim obtido
do tipo P (P de positivo).
Podemos formar materiais semicondutores do tipo P e N tanto com os elementos como
o silcio e o germnio, como com alguns outros encontrados em diversas aplicaes na
eletr nica.
2o Junes PN.
Um importante dispositivo eletrnico obtido quando juntamos dois materiais
semicondutores de tipos diferentes formando entre eles uma juno semicondutora.
A juno semicondutora parte importante de diversos dispositivos como os diodos,
transistores, SCRs, circuitos intergrados, etc. Por este motivo, entender o seu
comportamento muito importante.
Supondo que tenhamos dois pedaos de materiais semicondutores, um do tipo P e o
outro do tipo N, se unimos os dois de modo a estarem num contato muito prximo,
formam uma juno, conforme se mostra na Figura 4, na sequncia.
Figura 4.
Esta juno apresenta propriedades muito importantes. Analisemos inicialmente o
ocorre na prpria juno.
No local da juno os eltrons que esto em excesso no material N e podem
movimentar-se procuram as lacunas, que esto tambm presentes no local da juno, no
lado do material P, preenchendo-as. O resultado e que estas cargas se neutralizam e ao
mesmo tempo aparece uma certa tenso entre os dois materiais(P e N).
Esta tenso que aparece na juno consiste numa verdadeira barreira que precisa ser
vencida para que possamos fazer circular a corrente entre os dois materiais. Esta
barreira chamada de Barreira de potencial ou ainda Tenso de Limiar ou ainda Tenso
de Conduo.
Para o Germnio esta tenso de 0,2 Volts e para o Silcio de 0,7 Volts.
Figura 5.
Smbolo:
Diodos Diversos:
Figura 6
3.2.2 Polarizao Inversa.-Quando invertemos a polaridade da bateria, em relao aos
semicondutores, ou seja, plo positivo da bateria ligado ao catodo (N) e o plo negativo.
Da bateria ligada ao anodo(P), o que ocorre uma atrao dos portadores de carga de N
para o plo positivo da bateria e dos portadores de P para o plo negativo da
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mesma.Ocorre ento um afastamento dos portadores de N e de P da juno. O resultado
que em lugar de termos uma aproximao das cargas na regio da juno temos um o
seu afastamento, com um aumento da barreira de potencial que impede a circulao de
qualquer corrente.O material polarizado desta forma, ou seja, inversa, no deixa passar a
corrente. Veja na figura 7, como ocorre esta situao:
Figura 7
4o Tipos de Diodos.
4.1-Diodos de silcio uso geral:- so aqueles usados em circuitos lgicos, circuitos de
proteo de transistores, polarizao etc. So fabricados para o trabalho com correntes
de pequena intensidade de no mximo 200mA e tenses que no ultrapassam 100V.
Simbologia:
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4.2- Diodos Retificadores.- sua funo de retificar corrente de AC para DC
pulsante.So destinada a conduo de correntes intensas e tambm operam com tenses
inversas elevadas que podem chegar 1000v ou 1200 no sentido inverso Conduzem
correntes diretas de at 1 A.
Simbologia:
Diodos Diversos
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Nessa condio dizemos que o diodo conduz e que est diretamente polarizado ou
ainda, ON.
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A tenso entre A e K idealmente est zero, porm isto no acontece na prtica, sendo
que para diodos de silcio esta tenso valer 0,7V e para diodos de germnio valer
0,2V.Esta tenso denominada de tenso de limiar ou tenso de conduo representada
por VL. O diodo ento ser representado no esquema por uma fonte de tenso de valor
VL
5.1.2- Polarizao Inversa.-nessa condio o anodo (A) estar menos positivo que o
catodo(K) e o componente no permitir a passagem da corrente. Na realidade passa
pelo componente uma pequena corrente, da ordem de nA (nanoampre) que
desprezvel.
:
O transformador constitudas por duas bobinas enroladas chamadas de primrio e
secundrio em um ncleo comum a ambas.Quando aplicada uma corrente alternada no
enrolamento primrio aparece em torno de sua bobina um campo magntico, cujas
linhas de fora se expandem e contraem na mesma freqncia da corrente.
O resultado que, cada vez que estas linhas de fora cortam as espiras do enrolamento
secundrio este induzido e uma tenso aparece em seus terminais.
A tenso tem a polaridade dada pelo movimento das linhas de fora de modo que ela
tambm se inverte na mesma freqncia da corrente do enrolamento primrio.
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Chega-se a concluso que a tenso alternada do enrolamento secundrio do
transformador
Tem a mesma freqncia que a aplicada no enrolamento primrio. Observe figura acima
que tanto no primrio como no secundrio os sinais (+) e (-) esto nos mesmos plos.
Importante: Quando a sinalizao do secundrio for igual ao correspondente do
primrio dizemos que o secundrio est em fase com o primrio quando a sinalizao
dos plos estiverem diferentes nos plos correspondentes, dizemos que o secundrio
est com fase invertida
Esta inverso de fase pode ser conseguida com um transformador que tenha
enrolamento duplo ou dotado de uma tomada central (CT=center tape)
5.3 Retificadores.
Os retificadores so circuitos que transformam as tenses e correntes alternadas em
tenses e correntes contnuas.
Existem trs tipos de retificadores conforme a forma de onda da tenso oferecida na
sada e o circuito de cada um.So eles:
1. Retificador de meia onda-RMO;
2. Retificador de onda completa com tomada central (Center tape)-ROCT;
3. Retificador de onda completa em ponte-ROCP.
5.3.1-Retificador de meia onda-RMO.
Em primeiro lugar vamos visualizar de uma forma geral como entra e como sai a
corrente
Nesse tipo de retificador.
5.3.1.1-Semi-ciclo positivo-SCP
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Observe nesse caso, que o ponto mais positivo do circuito est ligado ao anodo (A) do
diodo e este conduz.
5.3.1.2-Semiciclo negativo-SCN.
Nesse semiciclo temos a inverso da polaridade da tenso de entrada ocasionando um
potencial negativo no anodo(A) do diodo em relao ao seu catodo(K), o que ocasiona
sua no conduo, ou seja, no h passagem de corrente, representado por um circuito
aberto.
Veja a figura a seguir:
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Vamos as explicaes:
Este circuito apresenta dois diodos (D1 e D2) e uma tomada central (CT) de inverso de
fase.
Circuito:
5.3.2.1-Semi-ciclo positivo-SCP:
Nesse semiciclo observe que o anodo(A) do diodo D1 est ligado ao plo positivo do
secundrio do transformador e, portanto conduz. O diodo D2, no mesmo circuito neste
semiciclo est ligado a um plo negativo e neste caso abre, no conduz.
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5.3.2.2- Semi-ciclo negativo-SCN.
Neste semiciclo a tomada central inverte a fase do transformador para que o diodo D2
seja ligado a um terminal positivo e possa conduzir(observe a figura)Com esta inverso
os semiciclos negativos inverte e se tornam positivos.A inverso da fase simultnea
com a troca do semiciclo e faz com que sejam aproveitadas as ondas negativas do
semiciclo. Ao serem aproveitadas e tendo agora um s sentido no tem lgica falar em
positivo ou negativo. Estas ondas so incorporadas quelas aproveitadas no SCP
melhorando o rendimento do retificador e melhorando a qualidade da corrente
retificada.
Resumindo, neste semi-ciclo D2 estando com o seu anodo (A) ligado a um plo positivo
conduz; D1 tendo o seu anodo ligado a um plo negativo Abre.
5.3.2.3Anlise da corrente de entrada e sada em relao aos semi-ciclos.
.
Observe as ondas geradas no Semi-ciclo positivo-SCP e as ondas geradas no semi-ciclo
negativo-SCN estas ultima aproveitando as ondas negativas e invertendo-as.Observe
ainda que os espaos entre as ondas geradas no SCP devido ao corte das ondas
negativas, como visto no RMO, agora podem ser preenchidos por aquelas obtidas no
SCN quando estas ondas so recompostas. S que agora em um s sentido.Veja acima o
tipo de onda final que se obtm utilizando-se este tipo de retificador.
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Observe ainda, que neste caso a distncia entre as ondas so menores (tem uma
freqncia maior, ou seja, 120 ciclos/seg.)do que no caso anterior RMO. Neste processo
melhora-se a qualidade da onda, bem como o rendimento, (69% no caso) com o
aproveitamento das ondas negativas.Mesmo assim ainda no temos uma corrente
retificada 100% pura.Continuamos obtendo o que se chama uma corrente retificada
pulsante.
5.3.2-Retificador de Onda Completa em Ponte.-ROCP.
Na figura abaixo se visualiza, como nos outros tipos, como entra e como sai neste tipo
de retificador.
Explicaes:
Neste tipo, temos um retificador comum que utiliza para retificao uma ponte
retificadora, que um componente eletrnico com quatro diodos internos dispostos de
tal maneira a colocar dois diodos por ciclo ligados via seus anodos(A) ao plo positivo
do secundrio do transformador .Desta forma nos semiciclos positivo SCN- temos dois
diodos conduzindo e no semiciclo negativo os outros dois tambm conduzem. Neste
processo por termos 4 diodos obtemos um rendimento melhor que o ROCT ( cerca de
80%). Antes de prosseguirmos com as explicaes de funcionamento deste sistema,
mostramos nas figuras abaixo o aspecto, simbologia e esquema de uma ponte
retificadora.
Simbologia:
Circuito:
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O esquema de entrada e sada das ondas anlogo ao visto para o Retificador de Onda
Completa com Tomada. Neste processo tambm so aproveitadas as ondas de natureza
negativa obtendo-se um rendimento maior devido ao numero maior de diodos.Vale
salientar que ainda neste processo a corrente obtida ainda no 100% pura.A corrente
retificada pulsante com freqncia de 120ciclos /seg.
Observamos que para se obter uma corrente realmente retificada a mesma tem ainda de
passar por outros processos.
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Leitura
Condio
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Sentido direto Baixa
Sentido Inverso Alta
Bom
Curto
Aberto
Fugas
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Nos testes feitos diodo por diodo (D1 e D2 Direta ou inversamente), pode-se seguir a
tabela de defeitos acima. Se um dos diodos apresentar os defeitos acima o varicap est
estragado
Nos testes feitos, diodo por diodo (D1, D2, D3 e D4 Direta ou inversamente), pode-se
seguir a tabela de defeitos, acima. Se um dos diodos apresentar os defeitos constantes da
tabela acima, a ponte retificadora est estragada.