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Transistor de
Efeito de Campo
Trabalho de Eletrnica I
TRABALHO ELETRNICA I -
Sumrio
1
Introduo
1.1
1.2
Caractersticas do FET
2.1.1
Operaes Bsicas
2.1.2
11
2.2
Configuraes do FET
14
2.3
15
2.4
A curva de Transcondutncia
17
2.5
A curva do Dreno
19
2.6
REGIO DE OPERAO
20
2.7
Especificaes de um JFET
21
Funcionamento
21
Aplicaes
23
4.1
Fonte de Corrente
23
4.2
Amplificadores
23
4.2.1
26
4.2.2
27
4.2.3
28
Exerccios Resolvidos
29
Referncias Bibliogrficas
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TRABALHO ELETRNICA I -
1 Introduo
A inveno do transistor foi um marco para a engenharia eltrica e eletrnica,
assim como para toda humanidade. Com o desenvolvimento dos transistores foi
possvel a construo de equipamentos eletrnicos verdadeiramente portteis
funcionando apenas com pilhas ou baterias.
Alm disso, o reduzido volume destes componentes a possibilidade de associao
para implementar funes analgicas ou digitais, das mais diversas, proporcionou um
desenvolvimento sem igual na indstria de equipamentos eletroeletrnicos. Por tudo
isso, o contato com estes dispositivos essencial para o estudante de engenharia,
alm do que, a grande maioria dos circuitos eletrnicos emprega um ou milhares
destes componentes. Os transistores bipolares se baseiam em dois tipos de cargas:
lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto
existem aplicaes nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedncia de
entrada so uma alternativa melhor.
Uma importante classe de transistores de 3 terminais so os dispositivos de efeito
de campo. Para estes, o parmetro de controle o campo eltrico atravs da juno,
em oposio corrente do BJT. J que um campo eltrico est associado a uma tenso,
a vantagem importante dos dispositivos de efeito de campo que no precisa haver
uma corrente no elemento de controle (a porta). Isso resulta em uma impedncia de
entrada bastante elevada, e uma corrente de fuga bastante baixa.
Este tipo de transistor depende de um s tipo de carga, da o nome unipolar. H
dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (JFET - Junction Field
Effect transistor), que ser o objetivo deste trabalho e os transistores de efeito de
campo de xido metlico (MOSFET).
1.1
Primeira referncia foi apresentada numa patente feita em 1930, por Julius Edgar
Lilienfeld, um pesquisador ucraniano nascido em 1882 e que imigrou para os EUA na
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TRABALHO ELETRNICA I -
construo dos FETs s apareceria no incio dos anos cinqenta do sculo passado.
O FET um desenvolvimento tecnolgico posterior ao transistor de juno; mas
o elemento dominante, por suas caractersticas, em sistemas lgicos modernos.
Da teoria dos dispositivos semicondutores que identifica lacunas, portadores
minoritrios e majoritrios podemos entender o funcionamento do Transistor de
Efeito de Campo. Existem a grosso modo, duas classes de FETs:
FET de juno, chamado de JFET
FET de contato, chamado de MOS-FET.
Alm do tipo portador (canal N ou P), existem diferenas em como o elemento de
controle construdo (Juno vs Isolado), e esses dispositivos devem ser usados de
formas diferentes.
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A figura 01 apresenta um JFET de canal n (existe tambm o JFET de canal p). Seu
diagrama construtivo simplificado representa uma barra de silcio semicondutor tipo
n (semicondutor dopado com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas
regies tipo p. O JFET da figura 01 tem as seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os eltrons livres
DRENO: (drain) drena os eltrons,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos eltrons
entre a fonte e o dreno. As regies p da porta so interligadas eletricamente.
Ainda observando a figura 01, a seta apontando para dentro representa uma juno pn
de um diodo. O JFET de canal p tem as mesmas partes constituintes de um JFET de
canal n, porm seu smbolo apresenta a seta em sentido contrrio, e as correntes e
tenses so consideradas invertidas em relao ao JFET de canal n.
1.2
Caractersticas do FET
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Assim como ocorre com os BJTs, h sempre dois tipos de transistores, npn e
pnp. A diferena est no portador majoritrio (eltrons ou lacunas). J que os FETs so
controlados por variaes no campo eltrico atravs da juno, possvel construir um
capacitor no elemento de controle a, dessa forma, reduzir ainda mais a corrente de
fuga. O xido de metal de um MOSFET forma o capacitor na entrada do elemento de
controle (a porta).
2.1.1
Operaes Bsicas
Passo 1: O processo mais simples para se obter um JFET comea com Si dopado por N.
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As duas regies da porta so, na verdade, conectadas para definir um canal para a
corrente do portador. O controle da corrente do FET (resistncia) atingido mudandose o tamanho das zonas de depleo que circundam as portas.
As portas so duas regies de um material do tipo p que so dispostas para
criar um canal para conduo da fonte para o dreno. As duas regies de porta so,
quase sempre, conectadas para que o usurio veja apenas a conexo da porta.
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Passo 3: Ao redor de cada porta h uma zona de depleo, como em qualquer juno
PN.
Passo 4: Aqui, a tenso de dreno para fonte, VDS, igual tenso dreno para porta.
medida que VDS aumenta, as zonas de depleo se movem juntas; e a resistncia de
fonte aumenta.
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medida que a tenso do dreno para a porta aumenta, a zona de depleo aumenta
e, dessa forma, a conduo do canal diminui.
Para pequenas tenses, a resistncia aumenta com a tenso, e isso descrito como a
regio hmica. Acima da tenso obstruda o canal saturado, e a resistncia se torna
constante. A tenso obstruda pode ser descrita como a tenso na qual as zonas de
depleo das duas portas se encontram.
Passo 5: Defina uma resistncia aparente atravs do FET, a resistncia de canal RC.
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medida que VDS aumenta, a zona de depleo cresce, e a resistncia efetiva diminui
lentamente.
esquerda encontra-se a corrente de dreno Vs a tenso de dreno para fonte para uma
porta ligada a terra. A regio de tenso zero para a tenso obstruda a regio hmica,
a regio plana a rea de saturao e, em tenses mais altas, h uma regio de
ruptura, onde a conduo do canal aumenta rapidamente. Muitos dispositivos sero
destrudos se operados nessa regio de ruptura, embora (assim como com os diodos
zeners) existam dispositivos que so projetados para funcionar nessa regio de
avalanche.
O grfico direita mostra a resistncia correspondente. Na regio hmica, a
resistncia aumenta apenas lentamente e, em seguida, na regio de saturao, a
resistncia aumenta mais rapidamente. importante observar que a corrente de
dreno do JFET independente da tenso dreno-fonte na regio de saturao.
Como iremos ver brevemente, nessa regio a corrente de dreno permanece muito
sensvel ao potencial dreno-porta. Portanto, se quisermos obter controle via porta,
normalmente iremos projetar o dispositivo para operar na regio de saturao.
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2.1.2
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estrangulamento
A curva caracterstica de um FET determinada pela medida da corrente no
dreno (ID) em funo da tenso aplicada entre dreno e fonte (V DS), para uma tenso
entre gate e fonte nula (VDS=0[V]).
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Polarizao bsica
regio de depleo pouco extensa para produzir um efeito significativo: zona hmica
Nesta regio VDS e ID esto relacionadas pela lei de Ohm:
Rds
Vp
Idss
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2.2
Configuraes do FET
As equivalncias so as seguintes:
Fonte comum = emissor comum
Porta comum = base comum
Dreno comum = coletor comum
A configurao dreno comum tambm denominada seguidor de fonte.
POLARIZAO CONVENCIONAL: A figura abaixo mostra um FET de canal n polarizado
de forma convencional. importante verificar a polaridade das baterias V GG e VDD .
Quando o FET de canal n a tenso de dreno positiva.
O FET tambm pode ser usado como amplificador de sinal, desde que adequadamente
polarizado. A grande vantagem na utilizao do mesmo est na sua impedncia muito
elevada de entrada e sua quase total imunidade a rudos. O
FET
possui
uma
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2.3
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as
seguintes
condies:
VDD
>
ou
VGG
<
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fonte ( uma regio de ons, formada pela difuso pela juno). Desta forma temos as
seguintes condies:
a) LARGURA DO CANAL: depende da tenso VGG, isto , quanto mais negativa,
maior ser a regio de depleo e portanto, mais estreito o canal.
b) TENSO DE CORTE (VGS): a tenso suficiente para desaparecer o canal
(VGScorte) tambm conhecida como Tenso de Deslocamente (pinch-off).
c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a juno da porta opera em
polarizao reversa, tem-se uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO
igual CORRENTE DA FONTE (ID). Esta a causa da alta impedncia de entrada dos
JFET. OBS: Como a polarizao reversa entre a porta e a fonte (VGS) no consome
corrente e a largura do canal depende de VGS, o controle de ID efetivamente feito
pela tenso da porta.
2.4
A curva de Transcondutncia
Como o JFET apresenta uma relao quadrtica entre a corrente de drenofonte e a tenso de controle VGS, diz-se que este dispositivo um dispositivo de Lei
Quadrtica. VGS.
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2.5
A curva do Dreno
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A curva abaixo mostra que aumentando VGS (mais negativa para um FET de canal n), a
corrente de saturao ser menor, e desta forma, o gate atua como controle.
Nestas condies, ID diminui a medida que VGS fica mais negativa (observe o
ponto de saturao com -2V). Tornando VGS mais negativa, haver um momento em
que no haver mais ID, independentemente do valor de VDS. Essa tenso denomina-se
tenso de estrangulamento gate-source representada por VGS(OFF) ou Vp . A figura
abaixo mostra a curva para um FET de canal p. A nica diferena a polaridade de VGS
que neste caso positiva.
2.6
REGIO DE OPERAO
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TRABALHO ELETRNICA I -
relacionada resistncia do canal, diferente em cada uma das curvas (valores de V gs).
Nesta regio, o JFET atua como resistor controlado por tenso, ou chave, conforme a
aplicao.
2.7
Especificaes de um JFET
3 Funcionamento
Consideremos o FET canal n conforme mostra a figura abaixo, para VGS = 0.
a) VDD normal
b) Aumento de VDD
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4 Aplicaes
4.1
Fonte de Corrente
O circuito opera o JFET fica na regio ativa, ou seja, V ds> Vgscorte, isso impe
limite ao valor de RL. O circuito usado em polarizao, sendo freqncia dentro dos
amplificadores operacionais e outros CI's analgicos.
4.2
Amplificadores
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valor est na faixa de centenas de M. O dreno do JFET funciona como uma fonte de
corrente com um valor de gm VGS.
A equao abaixo mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente mxima de dreno e da
transcondutncia para VGS= 0V (gmo).
Nos FET, a Transcondutncia maior para tenso Vgs de polarizao menor e corrente
ID maior. (Assim o ganho determinado pela polarizao, como nos bipolares e
vlvulas), e o tipo de FET.
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Seu valor na prtica fica entre 3 e 30 vezes, em geral (bem menor que no bipolar).
comum na entrada de instrumentos de medio, e dentro de C.I. analgicos, pela alta
impedncia.
Obs: Cent. pode ser omitido, em algumas aplicaes. Nos amplificadores com
acoplamento direto, todos os capacitores so dispensados, mas o ganho diminui.
4.2.1
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Quando a corrente de sada gm vent flui atravs de rd ela produz uma tenso de sada
4.2.2
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4.2.3
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5 Exerccios Resolvidos
1 - Encontre a corrente ID , no circuito abaixo. Dados: IDSS=8mA e VGS,OFF=-4V.
Substituindo;
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temos:
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4 Determine: A) VDS B) VD C) VS
A) Aplicando a LKT ao circuito de sada
da deste exerccio temos;
-VSS+ISRS+VDS+IDRD-VDD=0
Substituindo IS = ID e rearranjando os
termos temos;
VDS = VDD+VSS-ID(RD+RS)
Substituindo os valores temos para VDD:
VDS= 20V+10V-(6,9mA)*(1,8k+1,5K) =
VDS=30V-22,77V
B) VD=VDD-IDRD
VDS=7,23V
VD=20V-(6,9mA)*(1,8k)
VD=20-12,42V
VD=7,58V
C) VDS=VD-VS
VS=VD-VDS
VS=7,58V-7,23V
VS=0,35V
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TRABALHO ELETRNICA I -
a) VGS= -ID*RS
ID= 4mA.
VGS= -(4mA)*1k
VGS=-4V
b) VG=0
c)
6 Referncias Bibliogrficas
Malvino, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So Paulo, Makron Books, 1997.
5 Kosov,I.L -BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrnica. Departamento de EletroEletrnica. Colgio Tcnico de Campinas UNICAMP.
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