Transistores Bipolar

Professor Lucas Tenrio de Souza Silva

Introduo Transistores
Caractersticas, Polarizao e Transistor como Chave

INTRODUO
I - INTRODUO

At a dcada de 50:

Aps inveno dos transistores:

Equipamento eletrnicos utilizavam vlvulas, componentes que

exigiam uma fonte de alimentao robusta, pois consumiam
muitos watts de potncia e gerarem muito calor.
Houve uma grande evoluo e os equipamentos se tornaram
menores, mais resistentes, mais eficientes, mais confiveis,
mais leves e com consumo reduzido.

Exemplo:

O primeiro computador utilizava 17.468 vlvulas e tomava dois

andares de prdio.

Os computadores de hoje menor que um caderno, transportado

facilmente e possui maior capacidade de processamento.

INTRODUO
I.1 NOO DE VLVULA

A vlvula diodo era composta por: duas placas metlicas (Anodo

e Catodo), capsula de vidro vcuo, filamento Aquecedor e
uma tela de metal entre as duas placas metlicas (Grade).

O funcionamento desta vlvula

permitia que houvesse fluxo da
corrente principal em apenas
um sentido, controlado pela
corrente da grade.

pequena _ Vg pequena _ I g grande _ I A( anodo)

A relao entre essas variaes

determina o ganho (A) ou a
amplificao da vlvula:
A

I A
I G

Fonte de
controle
Carga

Fonte da Principal

TRANSISTORES BIPOLARES
2 TRANSITORES BIPOLARES
Transistor bipolar um componente eletrnico construdo
com trs camadas (duas junes) de material semicondutor
dopado, que funciona de forma similar vlvula Triodo. Eles
podem ser de dois tipos:

Tipo NPN

Tipo PNP

Cada camada de material semicondutor possui um terminal

que denominado como:

Coletor terminal conectado regio de material semicondutor

mais extensa e mediana do dopada.

Base - terminal conectado regio mais fina e com dopagem fraca.

Emissor terminal conectado regio com material de tamanho

mdio e densamente dopada.

SIMBOLOGIA DO TRANSISTOR BIPOLAR

3 SIMBOLOGIA DO TRANSISTOR BIPOLAR:

O transistor possui duas junes: juno base-coletor e a

juno base-emissor.

O transistor pode ser equiparado didaticamente a um

circuito com dois diodos convergindo (PNP) ou divergindo
(NPN).

C
B
E

FUNCIONAMENTO

DO TRANSISTOR BIPOLAR

4 FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR BIPOLAR

O comportamento bsico dos transistores bipolares fazer o

controle da passagem de corrente principal (Ic) atravs da
corrente da base (Ib).

Antes de explicar o funcionamento, interessante ter:

Conhecimento sobre as terminologias de corrente e tenso;

Noo sobre a polarizao das junes dos transistores, pois

dependendo desta, o transistor pode ser aplicado no circuito
com funo de:

Amplificar Sinais

Funciona na regio Ativa

Chavear Circuitos

Funciona na regio de Saturao e Corte

Transistores PNP ou NPN

4.1 TERMINOLOGIAS DO TRANSISTOR

Conhecendo e identificando os terminais do transistor (Coletor,

Base, Emissor), poder identificar os parmetros e de corrente e
tenso.

Uma a vez com o transistor polarizado, o circuito d origem a trs

tenses e trs correntes entre os seus terminais:

Tenso base-emissor: Vbe/Veb;

Tenso base-coletor: Vcb/Vbc;

Tenso coletor-emissor: Vce/Vec;

Corrente de base: Ib;

Corrente de coletor: Ic;

Corrente de emissor: Ie;

I E IC I B

NPN : VCE VCB VBE

PNP : VEC VBC VEB

Transistores PNP ou NPN

4.2 POLARIZAO DO TRANSISTOR

Primeiramente, a polarizao das junes dos transistores NPN e

PNP so diferentes.

Dependendo da aplicao necessria, o transistor pode apresenta

as seguintes polarizaes de suas junes:
Base-Emissor

Base-Coletor

Regio

Aplicao

Direta(Vb>Ve)

Reversa(Vb<Vc)

Ativa

Amplificao

Direta(Vb>Ve)

Ditera(Vb>Vc)

Saturao

Reversa(Vb<Ve)

Reversa(Vb<Vc)

Corte

Chave
Eletrnica

B
E

Transistores PNP ou NPN

4.3 FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR

Aplicando-se tenso na juno base-emissor de um transistor NPN,

de forma polarizar esta juno de forma direta, o potencial
negativo da bateria (Vee) ir repelir os eltrons do material tipo
N em direo base.

Se a tenso da bateria for superior a 0,7V (silcio), esses eltrons

adquiro energia suficiente para atravessar a barreira de potencial da
juno base-emissor, recombinando-se com as lacunas da bases,
gerando a corrente de base (Ib).

Transistores PNP ou NPN

Devido pequena espessura e a dopagem da base, somente

uma pequena quantidade de eltrons ir se recombinar com as
lacunas da base.

Aplicando uma tenso (Vcc) entre a base e o coletor de forma a

polarizar esta juno de forma reversa, a maioria dos eltrons que
estavam tentando passar pela base so expulsos do emissor e
impulsionado atravs da base para o coletor, dando origem a
corrente de coletor (Ic).

Desta forma, grande parte da corrente do emissor(Ie) enviada

para o coletor e a relao entre as corrente dada pela frmula
abaixo:
I E I C I B I C I Cmaj I CO min

Ico: corrente de fuga (sensvel temperatura).

EFEITO AMPLIFICAO
5 EFEITO AMPLIFICAO

Como dito no incio, o transistor controla da passagem de

corrente principal (Ic) atravs da corrente da base (Ib).
Isto ocorre porque:
I B I C

I B I C

No transistor, a corrente da base muito menor que a

corrente do coletor (Ib<<Ic), e uma pequena variao de
Ib gera grande variao de Ic:
pequena _ I B grande _ I C

Este fato possibilita que o transistor amplifique sinais e

desta forma o transistor considerado um dispositivo ativo.

EFEITO AMPLIFICAO

O efeito amplificao, ganho de corrente do transistor,

dado pela relao entre a corrente de entrada e sada.

O ganho mais importante no transistor relaciona a corrente

de coletor e a corrente de base e denominado como beta
do transistor():
Ganho

I Sada
I Entrada

IC
IB

como I C I B

Betta CC: Para tenso contnua, o ganho tambm identificado

como HFE ( H refere-se a circuito AC equivalente Hibrido).

Betta Ac: Para tenso alternada ou sinal, o ganho dado por hfe
(fator de amplificao de corrente direta em EmissorComum.
I
AC

I B

EXEMPLO

Outra relao de ganho de corrente do transistor a relao

entre a corrente de coletor e a de emissor, sendo
denominada como alfa do transistor ():

IC
IE

como I C I E

Alfa Ac: fator de amplificao base-comum.

AC

I C I E I CBO
I C
I E

Exerccio: Para o transistor abaixo, considere Ic=50mA;

Ie=50,05mA; Vbe=0,7V;Vcb=9,3V e determine:

O tipo do transistor:

I E IC I B

A corrente de base:

NPN : VCE VCB VBE

A tenso de Vce:
O beta e o alfa do transistor:

PNP : VEC VBC VEB

I
IC
C
IE
IB

TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

6 TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

O transistor, quando utiliza como amplificador, pode ser

configurado de trs maneiras:

Base comum (BC)

Emissor comum (EC)

Coletor comum (CC)

TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

Essas denominaes identificam o terminal de referncia

para o sinal de entrada e para o sinal de sada.

TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

A polarizao desta configuraes pode ser feita analisando

as curvas caractersticas de entrada e sada fornecida
pelo fabricante do componente.

Geralmente os fabricantes fornecem as curvas caractersticas

da configurao mais comum que a Emissor Comum
(EC)

CURVAS CARACTERISTICAS
7 CURVAS CARACTERISTICAS

Como dito anteriormente, o funcionamento do transistor

pode ser analisado pelas duas curvas caractersticas da
configurao no circuito, no caso:

Curva Caracterstica da Entrada I IN f (VIN ) com : VOUT fixo

Mostra a relao de corrente e tenso de entrada para um valor de

tenso de sada constante. Considerando vrios valores de tenso
de sada constante pode traa um grupo de curvas de entrada.

Curva Caracterstica de Sada I OUT f (VOUT ) com : I IN fixa

Mostra a relao de corrente e tenso de sada para um valor de

corrente de entrada constante. Considerando vrios valores de
corrente de sada constante pode traa um grupo de curvas de sada.

CURVAS CARACTERISTICAS

7.1 Configurao BC (NPN)

Corrente e Tenso de entrada: Ie e Vbe;

Corrente e Tenso de sada: Ic e Vcb;

Ganho de corrente:

IC
IE

Curvas de Entrada e Sada:

VCB:Tenso - fixa

IE: Corrente - fixa

I C I E I CBO

I E 0 I C I CBO

CURVAS CARACTERISTICAS

7.2 Configurao CC (NPN)

Corrente e Tenso de entrada: Ib e Vcb;

Corrente e Tenso de sada: Ie e Vce;

Ganho de corrente:

IE
IB

Curvas de Entrada e Sada:

VCE:Tenso - fixa

IB: Corrente - fixa

CURVAS CARACTERISTICAS

7.3 Configurao EC (NPN)

Corrente e Tenso de entrada: Ib e Vbe;

Corrente e Tenso de sada: Ic e Vce;

Ganho de corrente:

IC
IB

Curvas de Entrada e Sada:

VCE:Tenso - fixa

IB: Corrente - fixa

I C I E I CBO
I E IC I B

I CBO
1
( 1) I CBO

I B 0 IC
I C I CEO

CURVAS CARACTERISTICAS

7.4 Anlise da Curva de Sada (EC - NPN)

A curva caracterstica da configurao Emissor Comum a principal

curva do transistor. Ele pode ser dividida em trs regies, que esta
relacionada com a aplicao do transistor:

Regio de Saturao (Chave Fechada = IB provoca Icmax com menor VCE)

Regio de Corte (Chave Aberta = IB provoca Icmin com maior VCE)

Regio Ativa (Amplificao)

Ativa
Saturao

Corte

CURVAS CARACTERISTICAS

Regio de Saturao: ocorre quando a corrente de base

suficiente para que as junes sejam polarizadas diretamente.
Assim a corrente Ic ser elevada e a tenso Vce ser
aproximadamente 0V.

Regio de Corte: ocorre quando a corrente de base

praticamente zero, suficiente para que as duas junes sejam
polarizadas reversa. Assim a corrente Ic praticamente zero e a
tenso Vce ser limitada pela tenso da fonte.

Regio Ativa: ocorre quando a corrente de base suficiente para

polarizar diretamente a juno base-emissor e reversamente a basecoletor. Assim o valor corrente Ic e a tenso Vce posicionar na
regio linear possibilitando a amplificao do sinal com distorao
mnima.
Saturao

Ativa

LIMITES E PARMETROS DO TRANSISTOR

8- PARMETROS DO TRANSISTOR

Os principais parmetros encontrados nos datasheets dos

transistores so:

Mxima corrente de coletor: IC

Mxima tenso coletor-emissor: VCEO(tenso VCE com Base

aberta)

Potncia do transistor: PD

Faixa de Betta do transistor: HFE CC; Hfe AC

Tenso coletor-emissor de saturao: VCE(sat)

Faixa de Tenso base-emissor (Ativo ou Saturado): VBE(on)

PD I C VCE

EXEMPLO

Exerccio: dadas as curvas caractersticas de entrada e sada

do transistor NPN abaixo, determine:

a) Corrente de Base para VBE=0,8V

b) Ganho de corrente para o item a;

c) Ganho de corrente na configurao BC;

d) O ganho de corrente caso Ib dobre de valor (VCE constante)

e) O novo ganho de corrente na configurao BC;

IC
IB

IC
IE

I E IC I B

EXEMPLO

a) Corrente de Base para VBE=0,8V

b) Ganho de corrente para o item a;

c) Ganho de corrente na configurao BC;

EXEMPLO

d) O ganho de corrente caso Ib dobre de valor (VCE constante)

e) O novo ganho de corrente na configurao BC;

EXERCCIO
EXERCCIOS: (Grupo)
LIVRO: Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos BOYLESTAD, R.
Pag: 142 e 143 (Pode responder tudo), de preferencia;

Seco3.3 (principalmente: 9)
Seco3.4 (principalmente: 11 a 15)
Seco3.5 (principalmente: 18 a 24)
Seco3.6 (principalmente: 26)
Seco3.9