00 - Sumýrio PDF

ELETRNICA
4il Edio
VOLUME 1
Albert Paul Malvino, Ph.D, E. E.
Traduo:
Romeu Abdo
Professor e Coordenador (UTRAMING)
Reviso Tcnica:
Antonio PERTENCE Jnior
Coordenador Tcnico do Cetel
Engenheiro Eletrnico, Professor e Supervisor do CetelJMG
Colaborao:
Jos Lucimar do Nascimento
Professor de Eletrnica e Informtica do Cetel/MG
Pearson
Education
-----
So Paulo
Brasil Argentina Colmbia Costa Rica Chile Espanha
Guatemala Mxico Porto Rico Venezuela
'"~-
SUMRIO
XXXIX
Prefcio
Captulol
Introduo
1.1
...............................
Fontesdetenso.............................
Fontedetensoideal..........................
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Fonte de tenso real. . . . .

Fonte de tenso quase ideal
1.2
Fontes de corrente.
1.3
OteoremadeThevenin
Aidiabsica
. . .
........................
..............................
A tenso e a resistncia de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4
OteoremadeNorton
1.5
Verificaode defeitos.
. . . . . . .
10
Um dispositivo aberto
1.6
. . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . .
10
Um dispositivo em curto-circuito. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
Atabeladedefeitos.......................
11
Aproximaes..............................
13
Eletrnica- 4a Edio
- Volume 1
Apoio aos estudos.
. . . . . . . . . . .
15
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15
. . . . . . . . . . .
Resumo...........
Relaesimportantes..........................
16
Atividades para o estudante ..,..................
16
16
Questes.........................
Problemas bsicos.
20
verificador de defeitos" . . .
21
Problemas avanados
Problemas utilizando o dispositivo
Captulo 2 Semicondutores
2.1 Condutores.
.........
. . . . . . .
rbitas estveis.
. . . . .
...........
23
. . . . . . . . . . . . . . .
24
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
24
. . . . . . . . . . . . .
24
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
. . . . . . . . . . . . . . .
26
A parte central do tomo e o eltron livre.

A principal idia.
2.2
Semicondutores . . . . . . . . . .
Ogermnio
18
. . . . . . . .
. . . . . . . . . . .
26
...............................
Osilicio..................................
2.3
Os cristais de silcio.
27
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Asligaescovalentes
,.....
28
Apenas oito eltrons de valncia . . . . . . . . . . . . . . .
29
A energia trmica pode dar origem a uma lacuna.
29
Recombinaoetempodevida.
. . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Semicondutores intrnsecos.
30
30
Asprincipaisidias...................
2.4
28
. . . . . . . . . . . . . . . . .
31
Ofluxodeeltronslivres........................
31
O fluxo de lacunas
32
,................
2.5
Dois tipos de fluxos de corrente.
2.6
Dopagem de um semicondutor
. . . . . . . . . .
32
. . . . . . . . . . . . . . . .
33
..
Sumrio
. . . . . . . . .
33
.............
34
Pontos que devem ser lembrados. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
2.7 Dois tipos de semicondutores extrnsecos . . . . . . . . . . . . . .
35
2.8
Aumentando
os eltrons livres.
Aumentando
o nmero de lacunas.
2.9
. .
Osemicondutortipon
.........................
35
Osemicondutortipop
.........................
36
Odiodono-polarizado
........................
37
Odiodono-polarizado
........................
37
Acamadadedepleo
38
.........................
Abarreiradepotencial.........................
39
Apolarizaodireta
39
..........................
Ofluxodeeltronslivres........................
39
o fluxode eltronsde valncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
. . . . .
Recapitulao .................
"
.~
.
41
2.10 Apolarizaoreversa..........................
41
A largura da camada de depleo . . . . . . . . . . . . . . .. . . .
42
. . . . . . . . . . . .
43
Acorrentede fuga da superfcie. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
O que devemoslembrar ........................
44
2.11 Ruptura
44
.................................
Oefeitoavalanche
J.
40
Oquedeveserlembrado........................
A corrente de portadores minoritrios

j
XI
...........................
44
46
OefeitoZener..............................
Tpicosopcionais
47
...............................
2.12 Nveis de energia
47
.......................
. . . . . . . . . .
48
A queda do eltron e a luz irradiante . . . . . . . . . . . . . . . . .
48
Alta energia nas rbitas maiores.
. . . .
XII
Eletrnica
2.13
- 4g Edio
Volume 1
Asbandasdeenergia..........................
48
As bandas de energia do cristal tipo n . . . . . . . . . . . . . . . .
49
As bandas de energia de cristal tipo p . . . . . . . . . . . . . . . .
49
Colina de energia
""""""""""""""
50
Antesdadifuso
............................
51
Noequihrio...............................
51
Apolarizaodireta
53
"""""""""""""
2.14 Barreira de potencial e temperatura.
. . . . . . . . . . . . . . . .
54
. . . . . . . . . . .
55
2.15 Diodo reversamente polarizado.

Acorrentedetransiente
........................
55
Acorrentede saturaoreversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55
A corrente de fuga da superfcie.
56
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
58
Apoio aos estudos ...............................

Resumo.
. . . . . .
. .
Atividadesparaoestudante
. . . . . . . . . . . . . . . . .
58
59
"""""""""""'"
59
Questes.....................................
Problemas bsicos.
.......................
63
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
63
Problemas avanados. . .
65
Captulo3 ATeoriadosDiodos..............................
..........
66
3.1
o smboloesquemtico. . . . . . . . . . .
3.2
Acurvadodiodo
3.3
Aregiodireta..............................
67
Atensodejoelho............................
67
Odispositivono-linear
68
............................
66
........................
A resistncia de corpo.
A mxima corrente cc direta
o resistor de limitao de corrente.
. . . . . . . . . . . . . . . .
68
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
69
. . . . . . . . . . . . . . . . .
69
Sumrio
XIII
A dissipao mxima de potncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
69
3.4
Aregioreversa........................
70
3.5
Odiodoideal...................
3.6
Asegundaaproximao
3.7
Aterceiraaproximao.........................
75
3.8
Aescolhadaaproximao.
75
3.9
Verificao de defeitos
. . . . . . .
73
....................
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
78
""""""""""
3.10 Pensando em termos de comportamento

3.11 Interpretao da folha de dados.
. .
. . . . . .
79
. . . . . . . . . . . . .
81
variacional
A tenso de ruptura reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . .
82
Acorrentemximadireta
82
""""""""'"
Queda de tenso.direta . . . . . . . . . . . . . . . .
A corrente reversa mxima.
Tpicos opcionais . . . . . .
3.12 Dispositivoslineares
83
. . . . . . . . . . . .
83
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
84
84
"""""""""""""
3.13 Como calcular a resistncia de corpo.
. . . . . . . . . . . . . . . .
85
86
3.14 Aresistnciaccdeumdiodo......................
3.15
71
A resistncia direta.
. . . . . . . . . . . . . .
86
Aresistnciareversa
..................
86
Asretasdecarga
87
""""""""""""
A equao para a reta de carga.
. . . . . . . . . . . . . . .
88
Umexemplo...........................
OpontoQ
. . . . . . . .
................
Apoio aos estudos.

Resumo. . .
. . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Equaesimportantes
Atividades para o estudante
.....................
"""""""""'"
87
88
90
90
91
92
XIV
Captulo
Eletrnica -
4g Edio - Volume
Questes.................................
92
Problemasbsicos............................
93
Problemas avanados..........................
95
Problemas utilizando o dispositivo de anlisevariacional. . . . .
95
97
4 CircuitoscomOiodos.............................
4.1
Otransformadordeentrada.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
98
A equaobsica ............................
98
Otransformadorelevador.......................
99
.........
o transformadorabaixador . . . . . . . . .
4.2
Oefeitosobreacorrente ........................
100
Oretificadordemeiaonda.......................
102
Perodo..................................
103
Valor cc ou valor mdio.
. . . . . . . . . . . . . . . . 104
. . .
104
Aproximaes..............................
4.3
99
O retificador
. 105
. . . . . . 107
de onda completa com tomada central (centertrap)
Ovalorccoumdio.................
107
Afreqnciadesada..........................
4.4
O retificador de onda completa em ponte.
4.5
Ofiltrocomcapacitor
. . . . . . . . . . . . .
111
.........................
....................
Filtrandoosinaldemeiaonda
112
Filtrando o sinalde ondacompleta. . . . . . . . . . . . . . . . . .

O breve tempo de conduo do diodo
Umafrmulaimportante
113
......
Atensocc......................
4.7
Acorrentedesurto
. . . . . . . . .
114
115
Uma regra bsica ............................

O clculo de outros valores.
113
. . . . . . . . . . . . . . . . 113
.......................
4.6
109
. . . . . . . . 117
...........................
119
xv
Sumrio
4.8
Verificaode defeitos (manuteno). . . . . . . . . . . . . . . . .
4.9
Interpretao da folha de dados. . . . . . . . . .
Tpicosopcionais
119
. . . . . .
123
...............................
4.10 Fusveis....
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
123
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
124
4.11 Transformadores reais.
. .
125
4.12 Regrasparaoprojeto..........................
4.13 Acorrentedesurto
125
.......................
Capacitar de alto valor significa corrente de surto prolongada.

A folha de dados
126
. . . . . . . . . . . . . 126
. . . . . .
127
..............................
Ofiltrore..................................
127
Ofiltrole.................................
127
4.15 Os multiplicadores de tenso.

",,'
~
. . . . . . . . . . . . . . 126
..........
Sugestes para projetos.

4.14 Filtros re ele
122
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
O dobrador de tenso de meia onda.
. . . . . . . . . . . . . . . . 129
O dobrador de tenso de onda completa. . . . . . . . . . . . . . .

O triplicador de tenso. . . . . . . . . . .
O quadriplicador
de tenso
4.16 Olimitador(ceifador)
Olimitadorpositivo
130
. . . . . . . . . . . . . .
131
131
132
..................
Olimitadorpolarizado
132
133
Variaes.................................
. . . . . . . . . . . . . . . .
Ogrampeadorpositivo.........................
Ogrampeadornegativo
........................
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.18 O detectar de pico a pico. .
4.19 Oretomoee
130
. . . . . .
.........................
4.17 O grampeador ee . . .
128
...............................
134
135
135
136
137
XVI
Eletrnica - 4g Edio - Volume 1
Tiposdeacoplamento
137
.....................
O circuito desbalanceado pelo diodo . . . . . . . . . . . . . . . . .
138
Oretornocc
139
Apoio aos estudos.
...............................
. .
Resumo..............
Equaes importantes.
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
141
. . . . . . . . . . . .
141
. . . . . .
142
143
"""""""""'"
Questes.................................
143
Problemas bsicos........................
145
147
Problemas de verificao de defeito com o dispositivo.
. . . . .
147
149
Captulo5 DiodosparaAplicaesEspeciais. . . . . . . . . . . . . .
5.1 OdiodoZener
.
. . . . . . . . . . . . 150
Grfico-v...................
AresistnciaZener
. . . . .
...........................
151
151
Oreguladorzener........................
. . . . . . . . . . . . .
Aplicando novamente a lei deOhm
5.2
152
Odiodoideal..............................
152
Segunda
152
aproximao
"""""""""""'"
OreguladorZenercomcarga
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
A operao na regio de ruptura.
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
154
A corrente em srie ...........................
155
Acorrentenacarga......................
155
A corrente no Zener.
. . . . . . . . . . . . . . . . .
A ondulao no resistor de carga.
. . . . . . . . . . . . .
156
156
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
158
Dispositivos optoeletrnicos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
162
O coeficiente de temperatura.
5.3
150
Sumrio
o diodo emissor de luz
161
. . . . . . . . . . . . . . . .
AtensoeacorrentenoLED
XVII
161
.....................
o indicador de sete segmentos.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
162
Ofotodiodo
,..................
162
. . . . . . . . . . . .
o acoplador tico. . . . . . . . . . . .
163
5.4
OdiodoSchottky............................
165
5.5
Ovaractor................................
166
5.6
Osvasistores.......................
167
5.7
A interpretao da folha de dados dos diodos Zener. . . . . . . .
167
A potncia de dissipao mxima do diodo Zener . . . . . . . . . 168

A corrente mxima no diodo Zener. . . . . . . . . . . . . .
168
AtolerncianatensoZener
169
AresistnciaZener
.....................
169
.......................
O fator de degradao
....
5.8
,....
Tpicosopcionais
5.9
Asretasdecarga
,..
5.11 A ondulao.
;..............
170
,..............
173
173
............................
5.10 A segunda aproximao.
170
. . . . . . .
175
. . . . . . . . . . . . . . . .
176
................
178
. . . . . . . . . . . .
. . . . . .
5.12 O ponto de sada do regulador Zener

5.13 AregraparaoprojetodoLED.....................
179
5.14 O tempo de recuperao reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
180
5.15 OdiodoSchottky............................
182
5.16 Caractersticas do varactor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
182
5.17 Outrosdiodos..............................
183
Os diodos de corrente constante.
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
Os diodos de recuperao em degrau.
. . . . . . . . . . . . . . .
184
184
Eletrnica - 4a Edio - Volume 1
Os diodos de retaguarda (backdiodes). . . . . . . . . . . . . . . . .
184
Osdiodostneis
185
Apoio aos estudos.
............................
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. .
Resumo. . . . .
. . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . .
186
. . . . . . . . . . . .
. . . . . . . .
187
Equaes importantes.
188
.........................
Questes.................................
188
Problemas bsicos............................
189
191
Problemas usando o dispositivo.
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
O transistor no-polarizado.
. .
192
194
5 TransistoresBipolares.............................
6.1
186
. . . . . . . . . . . . . . .
Osdiodosemissorecoletor
."""""""""'"
Antes e depois da difuso.
. . . . . . . . . .
195
196
. . . . . . . .
196
O transistor polarizado. . . . . . . . . . . . . . . . .
197
Oseltronsdoemissor.........................
197
Os eltrons na base ...........................
197
Oseltronsnocoletor..........................
198
6.3
Ascorrentesnotransistor
199
6.4
AconexoEC
6.5
Acurvadabase
6.6
Ascurvasdocoletor
6.2
""""""""""'"
..............................
.....................
......................
202
202
204
A tenso e a potncia do coletar . . . . . . . . . . . .
205
As trs regies de operao ......................
206
Outras curvas
206
..............................
A regio de corte
Recapitulao
.......................
..........................
207
208
.:
Sumrio
6.7
As aproximaes do transistor.
. . . . . . . 209
. . . .
209
Otransistorideal........................
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
A segunda aproximao
Os valores nominais da ruptura.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
214
A corrente e a potncia mxima.
. . . . . . . . . . . . . . .
216
216
.......................
Osdissipadoresdecalor........................
217
Oganhodecorrente
218
.....................
219
.........................
. . . . . . . . . . .
Defeitos comuns. . . . . .
J
. . . . . . . . 214
A interpretao das folhas de dados do transistor.
Os fatores de degradao
6.9
O que pensam os tcnicos ao verificar defeitos?
221
221
..
222
Atabeladedefeitos...........................
I
!'"
Tpicosopcionais
6.11 Alface
223
...............................
6.10 O ponto de vista das bandas de energia.
. . . . . . . . . . . . . .
223
. . . . . . . 224
.......................
6.12 Arelaoentrealfaebeta
210
211
A terceira aproximao. . . . . . . . . . . . . . . . .
6.8
XIX
225
.......................
226
6.13 Ascurvasdabase........................
6.14 As regies de corte e ruptura
227
.....................
228
6.15 Aterceiraaproximao.....................
6.16 A resistncia de espalhamento da base.
!
6.17 O modelo de Ebers-Moll . . . . . .
. . . . . .
230
. . . . . . . . . . . . . . 230
232
6.18 Exemplo da terceira aproximao. . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . 234
6.19 A conexo em base comum. . . . . . . . . . . . .
Apoio aos estudos.
Resumo..................................
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
236
xx
Eletrnica
- 4" Edio
- Volume 1
Equaesimportantes
Atividadesparaoestudante
.........................
237
.........................
238.
Questes.................................
238
240
Problemasavanados......................
242
. . . . . . . . . . . .
242
Captulo7 Fundamentos
deTransistores.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
244
Problemas usando o verificador de defeitos.
7.1
As variaes no ganho de corrente.
7.2
Aretadecarga..........................
. . . . . . . . . . . . . . . . . 245
246
. . . . . . . . . . . . . . 247
o ponto de saturao. . . . . . . .
Opontodecorte
7.3
248
""""""""""""""
Opontodeoperao
249
"""""""""""""
250
PlotandoopontoQ.......................
Por que o ponto Q varia.

Asfrmulas
7.4
. . . . . . . . . .
...............................
252
252
Aprovaexperimental..........................
253
. . . . . . .
Identificando a saturao
Reduo ao absurdo.
Outro mtodo.
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . .
. . . . . . . .
A saturao forte
. . . . . . . . . .
. .
7.6
O transistor como chave.
. . . . . . . . . .
7.7
A polarizao do emissor
.......................
256
256
........................
............
254
. . . . . . . . . . . . . . . . . 255
Identificando a saturao forte de imediato.
Aidiabsica
253
254
.......................
O ganho de corrente na regio de saturao menor.
--
251
Aprovadaretadecarga....................
A prova matemtica.
7.5
. . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
258
. . . . . . . . .
259
261
. . . . . . 261
Sumrio
CalculandoopontoQ
262
.........................
o circuito imune s variaes no ganho de corrente.
AcionadoresdeLED
266
,...............
. . . . . . . . . . 266
o acionador de LED com polarizao da base.
O acionador de LED com polarizao do emissor.

7.9
O efeito das pequenas variaes.
7.10 Verificao de defeitos
. . . . . . . . 267
. . . . . . . .
. .
269
270
.........................
O teste com o transistor fora do circuito.

O teste do transistor no circuito
. . . . . . . . . . . . . . 270
. . . . .
. . . . . . .
271
272
Uma tabela de defeitos

Tpicosopcionais
263
. .
. . . . . . . . . . . . . . . . . 264
Menor efeito do ganho de corrente.

7.8
XXI
273
,..........................
7.11 Mais informaes sobre a reta de carga.
. . . . . . . . . . . . . .
Osinterceptos
,....
273
273
. . . . . . . . . . . . . . . 274
Os pontos exatos de corte e saturao.
A compliance ou complincia . . . . . . . . . . . . . . . . .
276
7.12 Mais informaes sobre o transistor como chave. . . . . . . . . . 276

A corrente da base
Aregraparaprojeto.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . 277
278
Umexemplo...............................
7.13 O transistor como fonte de corrente.
A corrente do emissor.
276
. . . . . . . . . . . . . . . .
279
. . . . . . . . . . . .
279
. . . .
A corrente do emissor fixa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280

281
O conceito de amarrao (bootstrap) ...,.............
Fonte de tenso versusfonte de corrente.
. . . . . . . . . . . . . . 281
7.14 Mais informaes sobre dispositivos optoeletrnicos

A idia bsica sobre um fototransistor
.......
. . . . . . . . . . . . . . . .
282
282
XXII
Fototransitor versus fotodiodo
.....................
283
.......
283
.............
o acoplador tico
284
Umexemplo...............................
286
Apoio aos estudos ...............................
286
. . . . . . . . . . . . . . . . .
Resumo. . . . .
Equaesimportantes
287
,...............
288
.........................
. . . . . . . . . . . . . .
Questes...............
Problemas bsicos............................
290
Problemas no-usuais
294
.........................
294
Problemas com o dispositivo de anlise variacional
Captulo 8
Circuitos de Polarizao do Transistor.

8.1
8.2
288
. . . . . . . .
..............
A polarizao por divisor de tenso.
. . . . . . . . . . . . . . . .
295
297
298
Odivisordetenso...........................
298
Osistemacomfontesimples
299
.,...................
A anlise da polarizao pordivisor de tenso (PDT) . . . . . . . 299

Asuposio
300
...............................
At que valor pode ser considerado pequeno para a corrente da

base? ...................................
301
A tenso e a corrente no emissor.
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
302
. . . . . . .
302
A tenso no coletor e a tenso coletor-emissor
303
Testandoasuposio..........................
Um divisor de tenso estvel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 303
o pontoQ imune
s variaes no ganho de corrente.
. . . . . .
304
Resumodo processoe das frmulas. . . . . . . . . . . . . . . . . 304

8.3 A reta de carga e o ponto Q para o circuito PDT
. . . . . . .
306
Sumrio
OpontoQ
XXIII
306
............................
o ponto Q no centro da reta de carga. . . . . . . . . . . . . . . . .

~'
308
8.4 A polarizao do emissor com fonte simtrica. . . . . . . . . . . . 309

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 309
Aanlise..........
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Uma anlise mais precisa
8.5
Ostransistorespnp
312
...........................
313
Asprincipaisidias...........................
A fonte de alimentao negativa.
311
314
. . . . . . . . . . . . . .
A fonte de alimentao positiva. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 315

8.6
Outrostiposdepolariiao
316
. . .'...................
A polarizao por realimentao do emissor.
. . . . . . . . . . .
. . . . .
319
A polarizao por realimentao do coletor . . . . . . . . . . . . .
320
A polarizao com realimentao do coletor e do emissor.
. . . .
321
. . . . . . . . . . . . . . . .
323
A anlise da polarizao por realimentao do emissor.
A polarizao por divisor de tenso.

8.7
. . . . . . . . . . . .
324
. . . . . . .
325
Os defeitos mais comuns. . . . . . . . . . . . .
I
',:;;
323
.........................
Aanlise.................
Tpicos opcionais
8.8
. . . . . . . . . . . . . . . 326
........
. . . . . . . . . . . . .
O divisor de tenso estvel.
. .
326
. . . . . . .
326
Mais informaes sobre a polarizao por divisor de tenso.

A corrente do emissor.
Odivisordetensofirme
'\
318
. . . . . . . . . . . . .
..................
Asregrasdeprojeto...........................
327
329
329
Polarizao por realimentao do emissor. . . . . . . . . . . . . . 331

333
8.10 Polarizao por realimentao do coleto r . . . . . .
8.9
,'-
8.11 Polarizao do emissor com fonte simtrica. . . . . . . . . . . . .
335
XXIV
Apoio aos estudos
Resumo..................................
337
Equaesimportantes
.........................
338
.........................
338
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338
Questes.......
Captulo9
337
...............................
341
Problemas extras ............................
343
Problemasavanados..........................
343
Problemas com o dispositivo verificador de defeitos. . . . . . . .
344
OsModelosparaCA
.............................
9.1 Ocapacitordeacoplamento.
346
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 347
O circuito aberto em cc e fechado em ca . . . . . . . . . . . . . . . 347

A funo do capacitar de acoplamento . . . . . . . . . . . . . . . .
347
Afreqnciacrtica...........................
348
A freqncia crtica e a alta freqncia de quina.

9.2
O capacitar de desvio (bypass). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 351

Aaltafreqnciadequina
9.3
9.4
. . . . . . . . . 349
351
Oterraparaca..............................
352
O teorema da superposio nos amplificadores. . . . . . . . . . .
353
Os circuitos equivalentes cc e ca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
353
A idia bsica
355
..........................
Aanlisecc................................
356
Aanliseca............................
357
A operao em pequeno sinal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
359
O movimento do ponto de operao instantneo.
359
. . . . . . . . .
360
Adistoro................................
A reduo da distoro . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
361
'j
,
Sumrio
9.5
AregradoslO%.............................
362
A resistncia ca do diodo emissor. . . . . . . . . . . . . .
362
Aresistnciacc..........................
363
A resistncia ca
. . . . . . . . . . . . .
A frmula para a resistncia ca do emissor.

9.6
364
. . . . . . . . . . . .
Obetaca.............................
. . . . . . . . . . .
O ganho de corrente ca .
................
368
. . . . . . . . . . .
369
O amplificador EC ........
Ainversodafase.......................
369
O capacitor de sada bloqueia a tenso cc . . . . . . . . . .
370
Nohtensocanoemissor.
370
. . . . . . . . . . . . . . . . .
371
A impedncia de entrada da base. . . . . . . . . . .
371
. . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
372
373
. . . . . . . . . . . .
374
Os parmetros ca da folha de dados.
. . . . . . . . . . . . . . . .
374
. . . . . . .
................
378
9.10 Mais informaes sobre capacitores ......
. . . . . . . 378
9.11 Mais informaes sobre a resistncia ca do emissor.
. . .
379
9.12 O significado dos parmetros H. . . . . . . . . . . . . . . .
380
Aimpedncia
'li
. . . . . .
A impedncia de entrada do estgio.
Tpicosopcionais
I.'
,
........
O modelo II
9.9
. . . . . . . . . . . . . 371
O modelo capara um amplificador EC . . . . . . . .
OmodeloT
,-
369
. . . . . . . . . . . . . . . . .
No h tenso ca na fonte de alimentao.

9.8
367
367
Oganhodecorrentecc.........................
Oacoplamentodaentrada.
365
366
o clculo da resistncia ca do emissor.
9.7
xxv
de entrada, hie .....................
Oganhodecorrente,hje
....................
380
382
XXVI
Eletrnica - 4BEdio - Volume 1
o ganho de tenso reverso, hre ................
382
Aadmitnciadesada,hoe
383
.......................
A medio dos parmetros H . . . . . .

Apoio aos estudos
. . . . . . .
384
...........................
. . . . . 384
Resumo.........................
Equaesimportantes
.....................
385
.....................
386
. . . . . 386
Questes........................
388
Problemas extras
...................
Problemas avanados.
383
. . . . . . . . . . .
. . . . .
390
. . . . .
391
Problemas de anlise variacional . . . . . . . . . . . . . . .
393
Captulo 10 Amplificadoresde Tenso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
395
396
10.1 Aspartesprincipaisde um amplificadorEC ........

Aoperaobsica............................
396
Os valores importantes cc . . . . . . . . . . . . . .
397
OcalcanhardeAquiles.....................
398
A notao com letras minsculas para os valores ca
399
Os valores rms e de pico a pico.
. . . . . . . . . . . . . . .
399
. . . . . . . . . . . .
401
10.2 O ganho de tenso.
. . . . . .
Calculando a tenso de entrada. . . . .

O clculo da tenso ca no coletor
. . . . . . .
. . . . . .
401
. . . . . 402
Um outro modo de calcular a tenso cano coletor . . . . . . . . . 403

O clculo do ganho de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 404
10.3 Estabelecendo o ganho de tenso. . . . . . . . . . . . . . .
De onde vem essa frmula? . . . . . . .-. . . . .
406
. . . . . . 408
O ganho de tenso medido versus o ganho de tenso projetado
409
Sumrio
Ir
I
10.4 Umaanlisesimplificada
XXVII
411
.......................
O resultado do mtodo preciso.
. . . . .
. . . . . . . . . .
411
O mtododo tcnicoem manuteno. . . . . . . . . . . . . . . . 411

10.5 O amplificadorcomrealimentaoparcial. . . . . . . . . . . . . 413
. . . . . . . . . . . . . . . . . 413
As variaes podem ser aceitveis.

A realimentao cado emissor.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . 415
A frmula para o ganho de tenso.

Trocando ganho por estabilidade.
413
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 416
Um recurso para a verificao de defeitos. . . . . . . . . . . . . . 417

A impedncia de entrada da base. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Menor distoro com grandes sinais.
418
. . . . . . . . . . . . . . . . 418
419
10.6 Estgiosemcascata.......................
O efeito de carga do segundo estgio. . . . . . .
. . . . . .
420
Aanlisedo primeiroestgio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 421

Aanlisedo segundoestgio. . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . 423
O valor desconhecido de t3 . . .
423
Oganhodetensototal...................
. . . . . . 424
Oprocesso......................
,.
1""I
10.7 Verificao de defeitos
Tpicosopcionais
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 427
. . . . . . . . . . . .
...............
10.9 Mais informaes sobre a realimentao negativa.

I
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . 432
. . . . . . .
433
..........
436
10.10 Os estgios em cascata: o mtodo de Thevenin

10.11 Os parmetros H
430
430
10.8 Aimpednciadesada.........................
"
422
436
As-frmulas ...............................
As variaes nos parmetros H . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 436

10.12 O amplificador em base comum.
. . . . . . . . . . . . . .
437
XXVIII
Eletrnica
4g Edio - Volume 1
Apoio aos estudos.
. . . . . . . . . .
. . . .
441
Resumo..................................
441
Equaesimportantes
....................
442
Atividades para o estudante .....................
443
Questes.............................
443
445
448
. . . . . . . . . . . . . . .
448
Captulo11 Amplificadores
dePotncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
450
Problemas para verificao de defeitos.
11.1 Aretadecargaca
OpontoQ
451
............................
451
................................
Diferentes resistncias ca e cc para o coletor . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 452
A saturao e o corte ca . .
453
Asequaes ...............................
11.2 Os limites da excurso do sinal.
. . . . . . . . . . .
453
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
O ceifamento em IcQ rc .
OpontoQtimo
452
455
........................
Como posicionar o ponto Q timo.
. . . . . . . . . . . . .
Pontos importantes que devem ser lembrados.
. . . . . .
Oganhodepotncia
..........................
A potncia da carga.
456
458
461
11.3 A operao em classe A ....................
461
. . . . . . . . . . . . . . . . .
A potncia dissipada no transistor.
454
461
. . . . . . . . . . . . . . . . . 463
Odrenodecorrente......................
464
Aeficincia................................
464
11.4 A potncia nominal do transistor.

A temperatura ambiente.
. . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . .
. . . . .
467
467
Sumrio
O fator de degradao
XXIX
. . . . . 468
"",.,.........
469
Osdissipadoresdecalor........................
A temperatura do encapsulamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470

472
Tpicosopcionais
...........................
,;
. . . . . . . .
11.5 O corte e a saturao em ca ......

11.6 Acomplinciacadesada
,.
A complincia ca de sada mxima.
477
. . . . . . . .
477
.......................
O ganho de corrente.
O ganho de potncia
. . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . 478
478
..........................
479
Apotnciadacarga...........................
A potncia ca mxima na carga
A dissipao de potncia no transistor.

11.8 Aresistnciatrmica
/~
480
481
484
Resumo..................................
484
Equaesimportantes
484
.........................
,.
. . . . . . . . . . . . . .
Problemas bsicos. . . . . . . .
Problemas extras.
. . . . . . . . . . .
486
486
. . . . . . . . . . . . . . . . 488
. . . . . . . . . . . .
489
490
Problemas utilizando o dispositivo de anlise variacional. . . . .
491
Captulo 12 Seguidor de Emissor
494
.........................
12.1 Amplificador CC . . . . . . . . . . . .
li
. . . . . . . . . . . . . . .
..........................
Questes...............
')
. . . . . . . . . . . . . . . . 480
.......................
Apoio aos estudos
.'
473
. . . . . . . . . . . . . . . . . 476
11.7 Mais informaes sobre a classe A . .

O ganho de tenso
472
Realimentao negativa.
. . . . . . . . . . . .
. . . .. . . . . . . . . . . . . . .
495
495
xxx
Eletrnica- 4a Edio
Volume 1
Bloqueio da tenso cc pelo capacitor de sada.
496
. .
Semtensocanocoletor
496
12.2 Modelo ca de um amplificador CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . 496

Impedncia de entrada da base.
. . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . .
Outro circuito equivalente ca .
498
. . . . . . . . . . . . . . . . . 499
Impedncia de entrada do estgio.

12.3 Oganhodetenso
501
...........................
Calculando a tenso cano emissor.
497
. . . . . . . . . . . . . . . . . 501
Uma outra forma de encontrar a tenso cano emissor. . . . . . . 502

Calculando o ganho de tenso. . . . . . . . . . .
503
Projetando o ganho de tenso. . . . . . .
503
. . . . . .
505
12.4 A sada mxima no-ceifada. . . . . . . . . . . . . . . . . .
506
Aspectos importantes do seguidor de emissor.
Oslimites.............................
507
Ceifamento ICQTe . . . . . . .
Melhor posio do ponto Q . .
. . . . . . .
.. . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . 508
Como situar a melhor posio do ponto Q
509
.............
12.5 Conexo em cascata de amplificadores EC e CC . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . .
12.6 Transistor Darlington . .
. . . . .
12.7 OperaoclasseB...................
Retadecargaca
515
516
. . . . . . . . . . . . . . . . 517
.............................
Anliseca........................
Funcionamento completo.
512
516
Circuitopush-pull............................
Reta de carga cc . . . . . . . .
508
517
518
. . . . . . . . . . . . . . . . .
Distoro de cruzamento. . . . . . . . . . . . . . .
12.8 Frmulas de potncia para classe B . . . . . . . . . . . . . .
519
519
520
Sumrio
Potncianacarga
XXXI
520
............................
Dissipao de potncia no transistor.
. . . . . . . . . . . .
521
Drenodecorrente............................
522
Eficinciado estgio ..........................
523
. . . . . . . . . . 525
12.9 Polarizao de amplificadores classe B . .

Polarizao com divisor de tenso.
Polarizaopordiodo
.....................
526
...................
527
12.10 O acionador declasseB
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 529
Um amplificador completo
Tpicosopcionais
. . . . . .
....................
12.11 Impednciadesada
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Equaes importantes.
Atividades para o estudante.
. . . . . . . . . . . . .
.
535
538
...............................
Resumo. . .
533
533
.....................
12.12 Melhoria da regulagem de tenso.
Apoioaosestudos
. . . . . . . . . . . 525
. .
538
. . . . . . . 539
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 540
Questes.................................
540
Problemasbsicos.......................
542
Problemas avanados. . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . 545
Problemas utilizando o dispositivo verificador de defeitos
Captulo13 TransistoresdeEfeitode Campo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
546
548
13.1 OJFET ........................
549
13.2 OJFETpolarizado
550
...........................
Corrente deporta............................
Efeitodecampo...............
551
. . . . . . 552
Como ele funciona ...........................
552
Opreo..................................
553
XXXII
Eletrnica
13.3
- 4g Edio -
Volume 1
Smboloesquemtico..........................
553
Curvasdedreno........................
554
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 555
Corrente de dreno mxima
Tenses de conscrio ou estrangulamento

daporta
.................................
(pinchaf!)e de corte
556
Aregiohmica
13.4 A curva de transcondutncia
557
557
.....................
13.5 AproximaesparaolFET.......................
560
OJFETideal...............................
560
. . . . . . . . . . . . . . 562
Tenso de constrio proporcional
Analisando circuitos com JFET . . . . . . . . . . . . . . .
563
Reduoaoabsurdo
564
......................
13.6 O MOSFET de modo depleo
A idia bsica.
Grfico.
. . . . . . . .
. . . .
567
...............
......
. . . . . . . 568
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 569
570
Smboloesquemtico......................
13.7 O MOSFETde modo crescimento ou intensificao.
A idia bsica
. . . . . . .
..............................
573
573
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 574
Grficos e frmulas
576
Smboloesquemtico..........................
A tenso porta-fonte mxima . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 576

Circuitos equivalentes
13.8 Interpretao das folhas de dados
Especificaesde ruptura.
. . . . . . . . . . . . . . 580
. . . . . . . . . .
. . . . . . .
581
IDSSeVGs(off).........................
582
Folha de dados para o modo intensificao. . . . . . . . . . . . .
582
Tpicosopcionais
--
577
.........................
...............................
583
Sumrio
13.9 Outros tipos de saturao.

13.10 A derivao matemtica
XXXIII
. . . . . . . .
. . . . . . . . . .
583
584
""""""""""""
13.11 Outras informaes sobre as curvas de dreno.
. . . . . . . . . . .
585
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 587
Apoio aos estudos
Resumo. . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 587
Equaesimportantes
588
.........................
589
"""""""""""'"
589
Questes.................................
Problemasbsicos
. . . . . . . .
591
594'
Problemas utilizando o dispositivo de anlise variacional .
595
Captulo 14 CircuitoscornFET...........................
14.1 A autopolarizao
de JFETs
597
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 598
Polarizao de transistor bipolar e de JFET . . . . . . . . . . . . .
598
Aidiabsica
599
"""""""""'"
14.2 Soluo grfica para a autopolarizao
..
. . . . . . . . . 601
Desenhando a reta de autopolarizao . . . . . . . . . . . . . . . . 601

Selecionando o resistor de fonte. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 603
14.3 Soluo com a curva universal do JFET . . . . . . . . . . . . . . . 605
14.4 Atranscondutncia...........................
607
. . . . . . . . .
608
. . . . . . . .
609
. . . . . . . . . . . . . . .
610
Modelo ideal ca para JFET . . . . . . . . . .

A transcondutncia
Transcondutncia
14.5
AmplificadoresJFET
Ganhodetenso
e a tenso de corte porta-fonte.

de um bipolar
611
""""""""""""'"
..................
. . . . . .
Atalhos do transistor bipolar para o JFET . . . . . . . . .

14.6 AchaveanalgicacomJFET......................
1
I
613
613
618
XXXIV
Eletrnica - 4GEdio - Volume 1
14.7 Amplificadores MOSFETde modo depleo . . . . . . . . . . . .

14.8 Aplicaes do MOSFETde modo intensificao.
Chaveamento de carga passiva.
. . . . . . . . . 623
. . . . . . . . . . . . . . . .. . .
InversorCMOS ........................
627
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 628
Transistores VMOS
629
14.9 Outras polarizaes para o ]FET ...............

Polarizao por divisor de tenso.
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
630
631
..........................
. . . . . . . . . . . . . .
Polarizao por fonte de corrente.
Tpicosopcionais
623
. . . . . . . . . . . . . . . . . 624
Chaveamento de carga ativa.
Polarizao de fonte
620
631
632
..........................
14.10 Impedncia de sada do seguidor de fonte.
. . . . . . . . . . . . 632
14.11 Outras aplicaes para o FET
. . . . . . . . . . . . . . . .
634
Multiplexao. . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . .
634
Choppers]FET(conversorcc-cccom]FET) . . . . . . . . . . . . . . 634
Amplificador reforador (buffer) ...................
636
Amplificador debaixo rudo
637
.....................
Resistncia varivel com a tenso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 637

Controle automtico de ganho.
Amplificadorcascode
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 639
640
.........................
641
Limitaodecorrente..........................
Amplificador de amostragem e reteno. . . . . . . . . . . . . . . 642

MOSFETsde modo intensificao de potncia.
Apoioaosestudos
645
...............................
Resumo..................................
645
Equaesimportantes
646
Atividades para o estudante.
.--.
. . . . . . . . . . 643
.........................
. . . . . . . . .
. . . . . . .
647
xxxv
Sumrio
Captulo
Questes.................................
647
649
Problemas
652
15.2
. . . . . . .
Problemas
654
utilizando o dispositivo verificador de defeitos
656
....................................
O diodo
657
. . . . . . . . . . . . .
de quatro camadas
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
positiva.
Fechandoumatrava
defeitos.
652
Realimentao
de
15 Tiristores
15.1
de verificao
.................
658
Abrindoumatrava...........................
659
OdiodoShockley............................
660
Caractersticas
O
retificador
da
avalanche
controlador
de
direta.
. . . . . . . . . . . . . . . . .
661
silcio.
. . . . . . . . . . . . . . . . .
664
Disparopelaporta ...........................
664
Tensodebloqueio ...................
665
Altas
correntes.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . .
Corrente
15.3
15.4
de disparo e tenso de disparo.
665
665
Taxacrticadeelevao..........................
657
666
SCRalavanca(crowbar).........................
667
AsvariaesdeSCR
672
..........................
Foto-SRC.............................
672
Chave
controlada
pela
673
Chave
controlada
de
porta.
silcio
Tiristoresbidirecionais
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
673
676
Diac.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
676
Triac.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
677
15.5 Otransistordeunijuno
.......................
680
XXXVI
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 680
Razo intrnseca de afastamento.
681
ComofuncionaoUJT..........................
Circuito equivalente de travamento
15.6
Verificao
Tpicosopcionais
de defeitos
682
"""""""'"
684
.....................
685
...............................
. . . . . . . . . . . 685
15.7 Mais aplicaes para o tiristor . .
Detector de sobretenso . . . . .
Geradordeondadentedeserra.
. . . . . . . . . . . . . . .
685
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 686
SCRalavanca ................
686
Oscilador de relaxao com UJT ...................
688
. 689
Igniodeautomvel
Controle com acoplador tico ou optoacoplador . . . . . . . . . . 689

SCRdisparadopordiac
........................
690
SCRdisparadoporU]T
........................
690
Controle em onda completa......................
691
SCR controlado por microprocessador
Apoioaosestudos
. . . . . . . . . . . . . . . . 692
693
...........................
Resumo..................................
693
693
Atividadespara o estudante. . . . . . . . . . . . . . . .
Questes.................................
693
Problemas bsicos. . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . 696
699
Problemas utilizando o dispositivo verificador de defeitos.
. . .
700
Apndice
................
......................
702
Glossrio
................
......................
707
Respostasaos Problemasde NmerosmparesEscolhidos. . . . . . . . . . . . . . 728

736
ndiceAnaltico ........................................
Sumrio
XXXVII
VOLUME 2
......
Captulo 16 Efeitosde Freqncia. . . . . . .
84
Captulo17TeoriadoAmpOp...............................
133
Captulo 18 MaisTeoriasobreAmpOp..........................
Captulo 19 Amp Op com Realimentao
Negativa.
Captulo 20 Circuitos Lineares com Amp Op
J
~
4
r
.....
..........
174
.....
229
Captulo 21 Circuitos No-Lineares com Amp Op ...................
290
Captulo220sciladores...................................
345
Captulo23 FontesdeAlimentaoReguladas. . . . . . . . . . . . . . . . .
409
Captulo24 CircuitosdeComunicao.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
467
PREFACIO
A maior dificuldade ao escrever este livro foi decidir o que no deveria ser includo.
Essa deciso foi mais importante que qualquer outra coisa. Por qu? Porque muitos
livros de eletrnica em uso atualmente falam sobre tpicos que j esto obsoletos h
anos. Dissertar sobre tpicos obsoletos uma perda de tempo e de esforo. Pior ainda,
eles usam espao nos livros que impede uma dissertao completa de tpicos que
realmente importam. Portanto, minha primeira prioridade ao escrever este livro foi
excluir tpicos fora de uso.
Outra dificuldade que encontrei foi a tentao de tomar o caminho mais fcil.
O caminho mais fcil para um autor mostrar circuitos, seguidos por exemplos de
como ligar nmeros a frmulas. Eu decidi contra esse mtodo, porque ele produz
pessoas graduadas que no funcionam sem frmulas. No esse o tipo de pessoa que
a indstria est procurando. As modernas companhias buscam elementos que possam
pensar lgica e criativamente sobre os problemas encontrados num trabalho tcnico.
Logo, minha segunda prioridade ao escrever este livro foi discorrer mais sobre os
princpios que sobre as frmulas.
Dividi os assuntos em tpicos bsicos e opcionais. Os bsicos incluem tudo o
que essencial para a compreenso do assunto. So tratados em profundidade, porque
so o mago de cada captulo. So os princpios fundamentais da eletrnica. Eu uso
mais lgica do que matemtica quando trato desses tpicos. Prximo do final de cada
captulo, voc encontrar alguns tpicos opcionais. Eles continuam o tratamento num
nvel mais especializado e mais avanado. Esses tpicos dirigem-se aos instrutores e
estudantes que desejam dar um tratamento adicional a certas reas. Eu uso mais
matemtica que lgica quando trato dos tpicos opcionais.
XXXIX
XL
Eletrnica-
4g Edio - Volume
Quando era estudante, eu apreciava os apoios aos estudos no final de cada

captulo, porque eles me davam a chance de perceber o que havia aprendido. Esta
edio contm vrios auxlios aos estudos, incluindo resumos, equaes importantes,
questes de mltipla escolha e problemas para casa. Alguns captulos incluem um "Software EngineTM", que pode ser entendido como uma" anlise variacional", e um
"T-shooterTM", que pode ser visto como" dispositivo verificador de falhas". Eles so
verses de programas de computador que podem ser utilizados com este livro. O
programa de anlise permite que voc pratique o pensamento variacional (descrito em
outra parte) e o verificador de defeitos possibilita-lhe fazer as verificaes bsicas dos
circuitos.
Este livro destina-se quele estudante que est fazendo seu primeiro curso de
eletrnica linear. Os pr-requisitos so cursos de cc-ca,lgebra e trigonometria. Em

muitas escolas possvel fazer os cursos de trigonometria e ca ao mesmo tempo.
Einstein disse certa vez: "Torne as coisas o mais simples possvel, mas no
simplrias". Sem dvida, ele estava pensando nos autores de livros. Muitos autores se
desviam de seus assuntos, tornando as coisas as mais difceis possveis. Outros simplificam demasiadamente o assunto, dando-lhe um tratamento muito superficial. Apenas
alguns livros encontram a linha estreita que separa informar de desperdiar o tempo
do leitor ou da leitora. Acredito que esse um desses raros livros com o toque certo.
Espero que voc aprecie sua leitura assim como eu apreciei escrev-Io.

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ELETRNICA

Albert Paul Malvino, Ph.D, E. E.

Fonte de tenso real. . . . .

A tenso e a resistncia de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . .

Apoio aos estudos.

Atividades para o estudante ..,..................

A parte central do tomo e o eltron livre.

Apenas oito eltrons de valncia . . . . . . . . . . . . . . .

A energia trmica pode dar origem a uma lacuna.

Dois tipos de fluxos de corrente.

Pontos que devem ser lembrados. . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.7 Dois tipos de semicondutores extrnsecos . . . . . . . . . . . . . .

o fluxode eltronsde valncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

A largura da camada de depleo . . . . . . . . . . . . . . .. . . .

Acorrentede fuga da superfcie. . . . . . . . . . . . . . . . . . .

O que devemoslembrar ........................

A corrente de portadores minoritrios

2.12 Nveis de energia

A queda do eltron e a luz irradiante . . . . . . . . . . . . . . . . .

Alta energia nas rbitas maiores.

As bandas de energia do cristal tipo n . . . . . . . . . . . . . . . .

As bandas de energia de cristal tipo p . . . . . . . . . . . . . . . .

2.14 Barreira de potencial e temperatura.

2.15 Diodo reversamente polarizado.

A corrente de fuga da superfcie.

Apoio aos estudos ...............................

o resistor de limitao de corrente.

A dissipao mxima de potncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.10 Pensando em termos de comportamento

A tenso de ruptura reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.13 Como calcular a resistncia de corpo.

A equao para a reta de carga.

Apoio aos estudos.

Problemas utilizando o dispositivo de anlisevariacional. . . . .

Valor cc ou valor mdio.

de onda completa com tomada central (centertrap)

O retificador de onda completa em ponte.

Filtrando o sinalde ondacompleta. . . . . . . . . . . . . . . . . .

Uma regra bsica ............................

Verificaode defeitos (manuteno). . . . . . . . . . . . . . . . .

Interpretao da folha de dados. . . . . . . . . .

4.11 Transformadores reais.

Capacitar de alto valor significa corrente de surto prolongada.

4.15 Os multiplicadores de tenso.

Sugestes para projetos.

O dobrador de tenso de meia onda.

O dobrador de tenso de onda completa. . . . . . . . . . . . . . .

Eletrnica - 4g Edio - Volume 1

O circuito desbalanceado pelo diodo . . . . . . . . . . . . . . . . .

Apoio aos estudos.

Atividades para o estudante

Problemas de verificao de defeito com o dispositivo.

Aplicando novamente a lei deOhm

A operao na regio de ruptura.

A corrente em srie ...........................

A ondulao no resistor de carga.

o diodo emissor de luz

o indicador de sete segmentos.

A interpretao da folha de dados dos diodos Zener. . . . . . . .

A potncia de dissipao mxima do diodo Zener . . . . . . . . . 168

5.10 A segunda aproximao.

5.12 O ponto de sada do regulador Zener

5.14 O tempo de recuperao reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . .