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FOTOVOLTAICA
Fundamentos e Aplicaes
TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA
Jair Urbanetz Junior
Professor
Trajano Viana
Coordenador - Professor
trajanoviana@gmail.com
1 - TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA
Alta tecnologia,
Alt t l i mas simples
i l ded utilizar
tili
No poluente e fonte renovvel
No produz rudo
Baixa manuteno
Operao desassistida
Instalaes desde baixa potncia,
da ordem de W, at MW
Altamente confivel
uso em satlites
Caracterstica modular
o sistema pode ser ampliado
conforme a necessidade. http://www.popsci.com/aviation-amp-space/gallery/2011-06/first-ever-photos-space-shuttle-
docked-space-station?image=0
2
1 - TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA
1.1 - Efeito fotoeltrico X fotovoltaico
Efeito Fotoeltrico
caracterizado pela emisso de eltrons para Efton
ft = h.f
hf
fora da superfcie de um material quando este
exposto luz.
Eltrons sero ejetados se a energia da
radiao
di forf suficiente,
fi i t isto
i t :
Efton= h.f > Ematerial
No caso do potssio, Ematerial = 2 eV
Os
O eltrons
lt t d
tendem a retornar
t ao material.
t i l
Efeito Fotovoltaico
caracterizado p pelo surgimento
g de uma
diferena de potencial (tenso eltrica) entre
os terminais de um dispositivo semicondutor
quando este exposto luz.
A tenso eltrica surge devido formao de
pares eltron-lacuna dentro do material. Os Material
eltrons fotogerados so movidos para o -
tipo N Tenso
material N (terminal -) e as lacunas em direo Material eltrica
+
ao material P (terminal +). tipo P
Eltrons e lacunas so mantidos afastados
devido barreira de potencial existente no
interior do dispositivo (VB).
) Os eltrons podem
circular pelo circuito externo (corrente eltrica)
e recombinar com as lacunas.
3
C
Clula Mdulo
Painel Arranjo (Array)
( )
4
1.5 - Tecnologias de clulas e mdulos
Tecnologia
T l i dod silcio
il i cristalino
i t li
Lminas (wafers) de silcio cristalino (c-Si), com espessura de ~0,18 mm.
ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA: Fundamentos e Aplicaes - Trajano Viana - SENAI/SC - Jaragu do Sul - Outubro/2013 6
Do silcio clula fotovoltaica (p-Si e m-Si)
Si
Clula
7
8
Do silcio clula fotovoltaica
Sil i monocristalino
Silcio i t li (m-Si)
( Si) Sil i policristalino
Silcio li i t li (p-Si)
( Si)
ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA: Fundamentos e Aplicaes - Trajano Viana - SENAI/SC - Jaragu do Sul - Outubro/2013 10
2 - CLULAS E MDULOS FOTOVOLTAICOS
2.1 - Clula Fotovoltaica
composta por materiais semicondutores que formam uma juno PN.
A radiao solar ao incidir na clula faz surgir uma tenso eltrica entre os
terminais da mesma (VAB).
Corrente eltrica
11
Regio N
~0,5m Espessura total
N
N 180m
P
(Desenhos fora de escala)
A clula recebe uma camada de nitreto de silcio (SiN), aplicada sobre a face
a ser iluminada (normalmente material tipo N), com o objetivo de reduzir a
reflexo
fl e, assim,
i aumentar
t a eficincia
fi i i de
d absoro
b dos
d ftons.
ft
a camada antirreflexo (ARC, Anti Reflection Coating). 12
2.2 - Estrutura bsica da clula fotovoltaica de silcio (m-Si ou p-Si)
Na superfcie frontal adicionada uma grade metlica destinada a coletar os
eltrons fotogerados plo negativo
Na superfcie traseira adicionado o contato metlico destinado a retornar os
eltrons que deixaram a superfcie frontal plo positivo
N
N
P
Contato
frontal (-)
ARC
Tipo N
Juno PN
Tipo P
Material P
Juno
PN
Os ftons no absorvidos
sairo novamente para o
exterior pela face no
iluminada e, como os
Material refletidos, no sero teis
N
para a fotogerao.
Mesmo com a presena do
- -
- campo eltrico
lt i i t
interno (VB)
ainda ocorrer alguma
recombinao
no interior e
- - na superfcie da clula.
- Material
P No entanto, a maior parte
dos pares eltron-lacuna
ser separada, possibilitando
circular corrente no circuito
externo.
15
16
2.5 - Princpio de funcionamento clula FV de silcio (m-Si, p-Si)
A fotogerao se baseia em 3 fenmenos fsicos principais:
Absoro da radiao pelo dispositivo e gerao de pares eltron-lacuna
Movimentao, internamente no dispositivo, dos portadores gerados
Separao dos portadores gerados por meio de um campo eltrico interno
ao dispositivo barreira de potencial (VB)
Esses 3 fenmenos ocorrem na juno PN, a qual poder operar como uma
clula fotovoltaica
fotovoltaica.
Banda de conduo
Banda de Proibida
Banda de valncia
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Diagramas de Bandas de Energia - Isolante, semicondutor e condutor
A energia
i dos
d eltrons
lt apresentada
t d em eltron-volt
lt lt (eV)
( V)
eV
Banda de
conduo
Banda
proibida
Eg Banda de
conduo Banda de
Eg conduo BC
Banda de Banda de Banda de
valncia valncia BV
valncia
Absoro de
energia
Gerao de
portadores
Recombinao
Emisso de
energia
Quando um eltron ocupa uma lacuna diz-se que houve uma recombinao
emisso de energia calor,
calor luz (LED,
(LED Laser)
A circulao de corrente baseada em recombinaes.
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Materiais semicondutores utilizados em clulas fotovoltaicas
Silcio - Si - (monocristalino,
(monocristalino policristalino e amorfo)
Germnio - Ge
Cdmio, Telrio, ndio, Cobre Selnio, Glio, Arsnio Utilizados em
compostos: CdTe, CuInSe2 ou CuInGaSe2, GaAs, etc.
O silcio cristalino responde por mais de 80% da produo mundial de
clulas
l l e mdulos
d l fotovoltaicos.
f t lt i
SILCIO
14 eltrons (2
(2, 8
8, 4) 4 eltrons na camada de valncia =>
> tetravalente
tetravalente.
Nas representaes grficas, os tomos so mostrados apenas com os
4 eltrons de valncia, pois so os que interagem nas ligaes.
Os tomos se unem por meio de ligaes covalentes, nas quais cada
eltron de valncia compartilhado por dois tomos.
Si Si
Eltrons de Ligaes
valncia Si covalentes
Si Si
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Silcio intrnseco - silcio com alto grau de pureza, que apresenta estrutura
cristalina arranjo ordenado de tomos.
tomos
Silcio extrnseco - obtido pela introduo controlada de tomos de
impureza na estrutura do silcio intrnseco
dopagem (doping)
As impurezas podem ser pentavalentes (material tipo N) ou trivalentes
(material tipo N)
Material Tipo N
As impurezas so tomos pentavalentes (Fsforo, Arsnio, Antimnio)
As 4 ligaes covalentes ficaro completas e sobrar um eltron eltron
livre impureza doadora
Material Tipo P
As impurezas so tomos trivalentes (Boro, Glio, ndio)
Algumas ligaes covalentes ficaro incompletas lacunas
Lacunas so estados vazios na banda de valncia, no preenchidos por
eltrons, e que podem receber eltrons impureza aceitadora
Juno PN - unio estrutural dos materiais P e N
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Juno PN
A unio
i estrutural
t t l dosd materiais
t i i P e N forma
f a chamada
h d juno
j PN.
PN
Ao ser formada a juno surge um campo eltrico perene na regio da
juno denominado barreira de potencial (VB),
juno, ) que no depende de fonte
externa.
VB
A juno PN devidamente encapsulada o diodo,
diodo componente eletrnico
que conduz corrente em um s sentido.
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Juno PN
A juno
j PN pode d ser polarizada,
l i d istoi t
, receber
b uma ffonte
t de
d ttenso
externa, de dois modos diferentes:
Polarizao inversa => plos + e - no coincidentes com os materiais P e N
Corrente eltrica
N
A
P B
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2.6 - Estrutura do mdulo Funes e caractersticas
Proteo da clula solar fotovoltaica
9 proteo mecnica => encapsulamento as clulas so frgeis
9 proteo
t qumica
i =>> corroso
ddas clulas
l l e d
das iinterconexes
t
9 isolao eltrica => interconexo entre clulas, terminais
9 proteo contra variaes de temperatura e choques trmicos
Superfcie anterior
9 vidro com baixo teor de ferro (Fe),
(Fe) temperado ou endurecido
9 superfcie autolimpante por ao da chuva
Superfcie posterior
9 vidro comum, alumnio anodizado e Tedlar (Tedlar/folha de alumnio/ Tedlar)
Selador
S l d das
d bordas
b d
9 resinas de alta qualidade, resistentes ao da radiao ultravioleta (UV)
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Clulas
Moldura de alumnio Fotovoltaicas
Vidro temperado
Caixa de Juno
Fonte: Centrotherm
www.shreebalajienergy.com/images
h b l ji /i
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Mdulos de filme fino de silcio amorfo (a-Si)
Desenvolvidos com o objetivo de reduzir custos e tornar a energia solar fotovoltaica
mais competitiva em aplicaes terrestres. Comercial incio dos anos 80.
Reduo de potncia quando expostos luz Efeito Staebler-Wronski
Os mdulos de a-Si so vendidos pelo valor de potncia estabilizada, ou seja, o
produto adquirido com potncia inicial de 10 a 15% acima da potncia nominal.
Aps o perodo aproximado de 1 ano da instalao a potncia estar dentro do
valor
l nominal
i l (W
(Wp).
)
31
32
Mdulos de filme fino de telureto de cdmio (CdTe)
D
Desenvolvidos
l id com o mesmo objetivo
bj ti que llevou ao d
desenvolvimento
l i t ddo a-Si,
Si
de produzir painis fotovoltaicos de baixo custo
Os mdulos de CdTe vm sendo desenvolvidas principalmente para
aplicaes arquitetnicas, integrados a edificaes urbanas, em painis de
grandes reas (tambm produtos de consumo como calculadoras e outros).
O
Os custos
t de
d produo
d d do CdT
CdTe so comparveis
i aos d do a-Si
Si e sua eficincia
fi i i
de converso ligeiramente maior. No entanto, esta tecnologia utiliza
elementos raros e/ou txicos, o que vem representando uma limitao em
alguns mercados.
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- vidro
- contato frontal transparente camada
de xido,
xido composto de In2O3 + SnO2
(ITO, indium tin oxide)
- silcio amorfo (a-Si)
- silcio microcristalino (c-Si)
(c Si)
- contato traseiro
- vidro
V VOC
35
A
ISC
35-F
3.5 Fator
t ded Forma
F F t ) - razo
(FF Fill Factor)
(FF, entre
t a potncia
t i mxima
i (PMP)
e o produto da tenso de circuito aberto (VOC) pela corrente de curto-
circuito
c cu to ((ISC), espec
especificada
cada na
a forma
o a de po
porcentagem.
ce tage
PMP
ISC
PMP FF (%) = .100%
VOC .I SC
37
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3.8 - Influncia da Temperatura nas Curvas
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ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA: Fundamentos e Aplicaes - Trajano Viana - SENAI/SC - Jaragu do Sul - Outubro/2013 42
3.9 - Exemplo de Folha de Dados de Mdulo Yingli YGE 60 cells
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= P o / Pi
PMP
(%) = .100%
( AMT ou ACT ).GTOT
AMT - rea total do mdulo
ACT - rea total da clula
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Valores aproximados de eficincia para mdulos comerciais @ STC
m-Si 13 - 16 %
m-Si (especiais: HIT, back contact) 17 - 19 %
p-Si 12 - 15 %
a-Si 6 - 8 % (estabilizado)
CdTe 8 - 10 %
CIGS 9 - 11 %
a-Si/c-Si 8- 9%
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m2 Tecnologia x rea
20 16 - 20
18 14 - 18
16
14 11 - 13
12 8 - 11
10 7-9
0
Silcio Silcio Disseleneto de Telureto de Silcio
monocristalino policristalino
p cobre e ndio Cdmio amorfo
m-Si p-Si CIS - CIGS CdTe a-Si
Fonte: SMA
47
49
50