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ENERGIA SOLAR

FOTOVOLTAICA
Fundamentos e Aplicaes

TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA
Jair Urbanetz Junior
Professor

Trajano Viana
Coordenador - Professor
trajanoviana@gmail.com

SENAI - Jaragu do Sul - Outubro/2013

1 - TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA
Alta tecnologia,
Alt t l i mas simples
i l ded utilizar
tili
No poluente e fonte renovvel
No produz rudo
Baixa manuteno
Operao desassistida
Instalaes desde baixa potncia,
da ordem de W, at MW

Foto: Trajano Viana

Altamente confivel
uso em satlites
Caracterstica modular
o sistema pode ser ampliado
conforme a necessidade. http://www.popsci.com/aviation-amp-space/gallery/2011-06/first-ever-photos-space-shuttle-
docked-space-station?image=0
2
1 - TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA
1.1 - Efeito fotoeltrico X fotovoltaico
Efeito Fotoeltrico
caracterizado pela emisso de eltrons para Efton
ft = h.f
hf
fora da superfcie de um material quando este
exposto luz.
Eltrons sero ejetados se a energia da
radiao
di forf suficiente,
fi i t isto
i t :
Efton= h.f > Ematerial
No caso do potssio, Ematerial = 2 eV
Os
O eltrons
lt t d
tendem a retornar
t ao material.
t i l

Efeito Fotovoltaico
caracterizado p pelo surgimento
g de uma
diferena de potencial (tenso eltrica) entre
os terminais de um dispositivo semicondutor
quando este exposto luz.
A tenso eltrica surge devido formao de
pares eltron-lacuna dentro do material. Os Material
eltrons fotogerados so movidos para o -
tipo N Tenso
material N (terminal -) e as lacunas em direo Material eltrica
+
ao material P (terminal +). tipo P
Eltrons e lacunas so mantidos afastados
devido barreira de potencial existente no
interior do dispositivo (VB).
) Os eltrons podem
circular pelo circuito externo (corrente eltrica)
e recombinar com as lacunas.
3

1.2 - Clula fotovoltaica - dispositivo especificamente desenvolvido para


realizar a converso direta de energia solar em energia eltrica
eltrica.
1.3 - Mdulo fotovoltaico - Unidade bsica formada por um conjunto de
clulas interligadas eletricamente e encapsuladas
encapsuladas, com o objetivo de
gerar energia eltrica.

Representao esquemtica de um mdulo fotovoltaico


fotovoltaico.
O tringulo indica o polo positivo (+)

1.4 - Painel fotovoltaico Conjunto de mdulos fotovoltaicos interligados


eletricamente e montados de modo a formar uma nica estrutura.

C
Clula Mdulo
Painel Arranjo (Array)
( )
4
1.5 - Tecnologias de clulas e mdulos
Tecnologia
T l i dod silcio
il i cristalino
i t li
Lminas (wafers) de silcio cristalino (c-Si), com espessura de ~0,18 mm.

Silcio policristalino (p-Si)


Silcio cristalino (c-Si)
Silcio monocristalino (m
(m-Si)
Si)

Cerca de 80% da produo mundial de clulas/mdulos baseada no


silcio cristalino (p
(p-Si
Si e m
m-Si)
Si)

Tecnologia de filme fino


Finas camadas (filmes finos) de materiais depositados sobre substratos
rgidos ou flexveis. A espessura dos filmes da ordem de 0,01 mm.
Silcio amorfo (a-Si)
Telureto de cdmio (CdTe)
Fil
Filmes fi
finos Di
Disseleneto
l t de
d cobre
b e ndio
di (CIS)
Disseleneto de cobre, ndio e glio (CIGS)
Silcio micromorfo (c-Si/a-Si)
( )

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Do silcio clula fotovoltaica (p-Si e m-Si)

Si

Clula
7

Do silcio clula fotovoltaica Silcio monocristalino (m-Si)


Processo
P C h lk
Czochralsky

8
Do silcio clula fotovoltaica
Sil i monocristalino
Silcio i t li (m-Si)
( Si) Sil i policristalino
Silcio li i t li (p-Si)
( Si)

Foto: Jair Urbanetz Junior

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2 - CLULAS E MDULOS FOTOVOLTAICOS
2.1 - Clula Fotovoltaica
composta por materiais semicondutores que formam uma juno PN.
A radiao solar ao incidir na clula faz surgir uma tenso eltrica entre os
terminais da mesma (VAB).
Corrente eltrica

Um dispositivo ligado entre os terminais da clula ser percorrido por uma


corrente eltrica (eltrons fotogerados).
fotogerados)
A funo da clula converter a energia solar diretamente em energia eltrica.

Energia tenso contnua (VCC)


Potncia (W), Energia eltrica (Wh)
Solar corrente contnua (ICC)

11

2.2 - Estrutura bsica da clula fotovoltaica de silcio (m-Si ou p-Si)


A clula fotovoltaica de silcio tpica constituda por uma lmina (wafer)
com espessura de 180m, dopada com impureza trivalente, que forma o
material tipo P
Nesta lmina se faz a difuso de impureza pentavalente, para obter-se uma
regio de material tipo N, com espessura tpica de ~0,5m

Lmina de silcio (waffer)


Silcio
monocristalino

Regio N
~0,5m Espessura total
N
N 180m
P
(Desenhos fora de escala)

A clula recebe uma camada de nitreto de silcio (SiN), aplicada sobre a face
a ser iluminada (normalmente material tipo N), com o objetivo de reduzir a
reflexo
fl e, assim,
i aumentar
t a eficincia
fi i i de
d absoro
b dos
d ftons.
ft
a camada antirreflexo (ARC, Anti Reflection Coating). 12
2.2 - Estrutura bsica da clula fotovoltaica de silcio (m-Si ou p-Si)
Na superfcie frontal adicionada uma grade metlica destinada a coletar os
eltrons fotogerados plo negativo
Na superfcie traseira adicionado o contato metlico destinado a retornar os
eltrons que deixaram a superfcie frontal plo positivo

N
N
P

(Desenhos fora de escala)

Contato
frontal (-)

ARC

Tipo N
Juno PN
Tipo P

Clula vista de cima


Contato
traseiro (+)
13

2.3 - Estrutura bsica da clula fotovoltaica de silcio (m-Si ou p-Si)


A regio de separao entre os materiais P e N denominada juno PN.
Ao ser formada a juno PN, surge a barreira de potencial (VB) com tenso de
aproximadamente 0,6
0 6 V (~ 0,58
0 58 0,62
0 62 V).
V)

Material N VB ~ 0,6V - Tenso da barreira


d potencial
de i l

Material P
Juno
PN

A tenso da barreira de potencial (VB) tender a impedir a recombinao dos


portadores gerados pela radiao incidente, que ficaro disponveis para
constituir a corrente eltrica externa.
A corrente fornecida pela clula proporcional rea exposta radiao.
14
2.3 - Estrutura bsica da clula fotovoltaica de silcio (m-Si ou p-Si)
Os eltrons fotogerados estaro disponveis no material N e devero ser
coletados para constituir a corrente eltrica fornecida pela clula.

Os ftons no absorvidos
sairo novamente para o
exterior pela face no
iluminada e, como os
Material refletidos, no sero teis
N
para a fotogerao.
Mesmo com a presena do
- -
- campo eltrico
lt i i t
interno (VB)
ainda ocorrer alguma
recombinao
no interior e
- - na superfcie da clula.
- Material
P No entanto, a maior parte
dos pares eltron-lacuna
ser separada, possibilitando
circular corrente no circuito
externo.
15

2.4 - Etapas do processo de fabricao de clulas de silcio


- Lmina de silcio tipo P - Deposio da camada AR
- Eliminao de danos de serragem - Impresso do contato frontal
- Texturizao - Impresso do contato traseiro
- Dopagem com fsforo tipo N - Fuso dos contatos
- Isolao das bordas - Teste e seleo

16
2.5 - Princpio de funcionamento clula FV de silcio (m-Si, p-Si)
A fotogerao se baseia em 3 fenmenos fsicos principais:
Absoro da radiao pelo dispositivo e gerao de pares eltron-lacuna
Movimentao, internamente no dispositivo, dos portadores gerados
Separao dos portadores gerados por meio de um campo eltrico interno
ao dispositivo barreira de potencial (VB)
Esses 3 fenmenos ocorrem na juno PN, a qual poder operar como uma
clula fotovoltaica
fotovoltaica.

Foto: Trajano Viana

Clula fotovoltaica produzida


Clula fotovoltaica no CB-SOLAR - PUC-RS
17

Classificao Eltrica dos Materiais Slidos - Os materiais slidos so


classificados segundo a capacidade de conduzir corrente eltrica,
classificados, eltrica em:
condutores,
semicondutores e
isolantes.
C
Condutores
d t =>
> possuem eltrons
lt d valncia
de l i livres
li na estrutura
t t e, por este
t
motivo, conduzem corrente eltrica com facilidade
S
Semicondutores
i d t i l t =>
e isolantes > os eltrons
lt d valncia,
de l i em geral,
l no
esto
t
livres, mas presos nas ligaes covalentes existente entre os tomos e, por
este motivo,, apresentam
p baixa condutividade eltrica.
Diagrama de Bandas de energia - Usa-se o diagrama de bandas de energia
para representar
p p os nveis relativos localizao
dos eltrons.
Energia
(eV)

Banda de conduo

Banda de Proibida

Banda de valncia

18
Diagramas de Bandas de Energia - Isolante, semicondutor e condutor
A energia
i dos
d eltrons
lt apresentada
t d em eltron-volt
lt lt (eV)
( V)
eV

Banda de
conduo
Banda
proibida
Eg Banda de
conduo Banda de
Eg conduo BC
Banda de Banda de Banda de
valncia valncia BV
valncia

Isolante Semicondutor Condutor

Para haver conduo devem existir eltrons (livres) na banda de conduo:


eltrons devem receber energia (E) para saltar da banda de valncia
para a banda de conduo (pular a banda proibida) E > Eg
a energia necessria para este processo pode vir ir de campo eltrico
aplicado (volts) ou de radiao (luz, calor, ...)
A condutividade dos materiais semicondutores aumenta,, p
por exemplo,
p , com
o aumento da temperatura (energia trmica) energia provoca a quebra
de ligaes covalentes surgem os pares eltron-lacuna. 19

A conduo de carga (corrente eltrica) feita pelos portadores, que podem


ser eltrons ou lacunas.
lacunas
Lacuna (buraco, hole) => ausncia de eltron em uma ligao covalente. A
lacuna equivale a uma regio de carga positiva (+).
Se a energia incidente for absorvida haver a quebra de ligaes covalentes e
aparecimento dos pares eltron-lacuna luz, calor gerao de portadores

Absoro de
energia
Gerao de
portadores

Recombinao

Emisso de
energia

Quando um eltron ocupa uma lacuna diz-se que houve uma recombinao
emisso de energia calor,
calor luz (LED,
(LED Laser)
A circulao de corrente baseada em recombinaes.
20
Materiais semicondutores utilizados em clulas fotovoltaicas
Silcio - Si - (monocristalino,
(monocristalino policristalino e amorfo)
Germnio - Ge
Cdmio, Telrio, ndio, Cobre Selnio, Glio, Arsnio Utilizados em
compostos: CdTe, CuInSe2 ou CuInGaSe2, GaAs, etc.
O silcio cristalino responde por mais de 80% da produo mundial de
clulas
l l e mdulos
d l fotovoltaicos.
f t lt i
SILCIO
14 eltrons (2
(2, 8
8, 4) 4 eltrons na camada de valncia =>
> tetravalente
tetravalente.
Nas representaes grficas, os tomos so mostrados apenas com os
4 eltrons de valncia, pois so os que interagem nas ligaes.
Os tomos se unem por meio de ligaes covalentes, nas quais cada
eltron de valncia compartilhado por dois tomos.

Si Si
Eltrons de Ligaes
valncia Si covalentes

Si Si

21

Silcio intrnseco - silcio com alto grau de pureza, que apresenta estrutura
cristalina arranjo ordenado de tomos.
tomos
Silcio extrnseco - obtido pela introduo controlada de tomos de
impureza na estrutura do silcio intrnseco
dopagem (doping)
As impurezas podem ser pentavalentes (material tipo N) ou trivalentes
(material tipo N)
Material Tipo N
As impurezas so tomos pentavalentes (Fsforo, Arsnio, Antimnio)
As 4 ligaes covalentes ficaro completas e sobrar um eltron eltron
livre impureza doadora
Material Tipo P
As impurezas so tomos trivalentes (Boro, Glio, ndio)
Algumas ligaes covalentes ficaro incompletas lacunas
Lacunas so estados vazios na banda de valncia, no preenchidos por
eltrons, e que podem receber eltrons impureza aceitadora
Juno PN - unio estrutural dos materiais P e N
22
Juno PN
A unio
i estrutural
t t l dosd materiais
t i i P e N forma
f a chamada
h d juno
j PN.
PN
Ao ser formada a juno surge um campo eltrico perene na regio da
juno denominado barreira de potencial (VB),
juno, ) que no depende de fonte
externa.

VB
A juno PN devidamente encapsulada o diodo,
diodo componente eletrnico
que conduz corrente em um s sentido.
23

Juno PN
A juno
j PN pode d ser polarizada,
l i d istoi t
, receber
b uma ffonte
t de
d ttenso

externa, de dois modos diferentes:
Polarizao inversa => plos + e - no coincidentes com os materiais P e N

Os portadores so afastados da juno.


No h recombinao.
No circula corrente.

Polarizao direta => plos + e - coincidentes com os materiais P e N

Os portadores so aproximados da juno.


Ocorrem recombinaes.

H circulao de corrente atravs da juno.

A exposio da juno PN radiao solar pode provocar a quebra de


ligaes covalentes e movimentar eltrons do material P para o material N
N.
Esses eltrons no podero retornar pelo interior do material devido
tenso da barreira de potencial. 24
Juno PN como Clula Fotovoltaica
Radiao solar quebra de ligaes covalentes eltrons do material P
para o material N barreira de potencial impede retorno.
P
Para haver
h retorno
t de
d eltrons
lt ao material
t i lP
P, estes
t d devem percorrer o um
caminho externo (corrente eltrica), atravs de um utilizador/consumidor
(carga).

Corrente eltrica
N
A

P B

Quanto maior a rea da clula,, maior a intensidade possvel


p de corrente
fotogerada, que depender da intensidade da radiao irradincia.
25

ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA: Fundamentos e Aplicaes - Trajano Viana - SENAI/SC - Jaragu do Sul - Outubro/2013 26
2.6 - Estrutura do mdulo Funes e caractersticas
Proteo da clula solar fotovoltaica
9 proteo mecnica => encapsulamento as clulas so frgeis
9 proteo
t qumica
i =>> corroso
ddas clulas
l l e d
das iinterconexes
t
9 isolao eltrica => interconexo entre clulas, terminais
9 proteo contra variaes de temperatura e choques trmicos

Superfcie anterior
9 vidro com baixo teor de ferro (Fe),
(Fe) temperado ou endurecido
9 superfcie autolimpante por ao da chuva

Superfcie posterior
9 vidro comum, alumnio anodizado e Tedlar (Tedlar/folha de alumnio/ Tedlar)

Selador
S l d das
d bordas
b d
9 resinas de alta qualidade, resistentes ao da radiao ultravioleta (UV)

A durabilidade das clulas (e do mdulo) est associada ao encapsula-


mento, pois no h desgaste das partes ativas no ambiente terrestre.
A vida til dos mdulos fotovoltaicos est na faixa de 25 a 30 anos
anos.

27

2.7 - Estrutura tpica de um mdulo fotovoltaico c-Si

Clulas
Moldura de alumnio Fotovoltaicas

Vidro temperado

Lmina encapsulante (EVA*)

Clulas ligadas em srie

Lmina encapsulante (EVA)*

Lmina traseira (Tedlar)**

Caixa de Juno
Fonte: Centrotherm

* EVA - acetato de vinil-etileno


vinil etileno (Ethylene Vinyl Acetate)
** Tedlar - marca registrada para o polifluoreto de vinil (PVF)
28
2.8 - Mdulos de silcio cristalino
Silcio
Sil i policristalino
li i t li (p-Si)
( Si)
Silcio monocristalino (m-Si)

www.shreebalajienergy.com/images
h b l ji /i

www.weiku.com Fonte: Google Images

29

2.9 - Mdulos de filme fino


Silcio amorfo (a-Si)
(a Si)
Telureto de cdmio (CdTe)
Disseleneto de cobre e ndio (CIS)
Disseleneto de cobre, ndio e glio (CIGS)
Silcio micromorfo (a-Si/c-Si)

30
Mdulos de filme fino de silcio amorfo (a-Si)
Desenvolvidos com o objetivo de reduzir custos e tornar a energia solar fotovoltaica
mais competitiva em aplicaes terrestres. Comercial incio dos anos 80.
Reduo de potncia quando expostos luz Efeito Staebler-Wronski
Os mdulos de a-Si so vendidos pelo valor de potncia estabilizada, ou seja, o
produto adquirido com potncia inicial de 10 a 15% acima da potncia nominal.
Aps o perodo aproximado de 1 ano da instalao a potncia estar dentro do
valor
l nominal
i l (W
(Wp).
)

31

Clulas de filme fino de juno tripla de silcio amorfo (a-Si)


C
Cada
d clula
l l constituda
tit d pela
l juno
j de
d silcio
il i tipo
ti P,
P silcio
il i intrnseco
i t (I)
e silcio tipo N (juno P-I-N)
Trs clulas, cada uma contendo uma clula P P-I-N,
I N, denominadas
respectivamente de azul, verde e vermelha, so empilhadas para
formar a clula de juno tripla.
A primeira
i i juno
j absorve
b os ftons
ft mais
i energticos
ti (d
(denominada
i d clula
l l
azul, pois absorve a radiao de menor comprimento de onda) e deixa
passar os ftons verdes e vermelhos, que sero absorvidos
respectivamente na segunda a terceiras junes.

32
Mdulos de filme fino de telureto de cdmio (CdTe)
D
Desenvolvidos
l id com o mesmo objetivo
bj ti que llevou ao d
desenvolvimento
l i t ddo a-Si,
Si
de produzir painis fotovoltaicos de baixo custo
Os mdulos de CdTe vm sendo desenvolvidas principalmente para
aplicaes arquitetnicas, integrados a edificaes urbanas, em painis de
grandes reas (tambm produtos de consumo como calculadoras e outros).
O
Os custos
t de
d produo
d d do CdT
CdTe so comparveis
i aos d do a-Si
Si e sua eficincia
fi i i
de converso ligeiramente maior. No entanto, esta tecnologia utiliza
elementos raros e/ou txicos, o que vem representando uma limitao em
alguns mercados.

Mdulos de filme fino de disseleneto de cobre, ndio e glio (CIGS)


A tecnologia do CIGS vem sendo desenvolvida com o objetivo de reduzir
custos e oferecer maior competitividade para a energia solar no cenrio
energtico mundial
mundial.
A eficincia de converso superior ao a-Si e CdTe e os custos de produo
so comparveis. A indstria visa produo em grande escala de mdulos de
grandes dimenses para aplicaes integradas a edificaes urbanas.
Utiliza materiais raros, principalmente o ndio (In), o que deve ser levado em
conta se esta tecnologia vier a ser dominante no mercado mundial
mundial.

33

Mdulos de filme fino de silcio micromorfo (a-Si/c-Si)


Os mdulos micromorfos so constitudos por camadas de filme fino
depositadas em vidro:

- vidro
- contato frontal transparente camada
de xido,
xido composto de In2O3 + SnO2
(ITO, indium tin oxide)
- silcio amorfo (a-Si)
- silcio microcristalino (c-Si)
(c Si)
- contato traseiro
- vidro

Algumas caractersticas gerais dos mdulos de filme fino


Utilizam p
pouca matria p
prima c-Si 180m
((0,18mm)
, ) de espessura
p
a-Si 1m (0,001mm) de espessura
Substratos rgidos (vidro) ou flexveis (ao inoxidvel)
p planos, curvos, transparentes
p
Boa aparncia esttica elementos arquitetnicos
mdulos FV semitransparentes luz natural
Integrao
g monoltica entre clulas (multijuno,
j , a-Si)) VOC elevado
Processos automatizados baixo custo de produo, se produzidos em
grande escala.
34
3 - CARACTERSTICAS ELTRICAS DOS MDULOS FV
As caractersticas eltricas dos mdulos fotovoltaicos so medidas nas
condies-padro para ensaio, STC (do ingls, Standard Test Conditions).

Condies-padro para ensaio (STC)


Temperatura de juno da clula: 25C
Irradincia total: 1.000 W/m2, normal superfcie de ensaio
Espectro solar para massa de ar igual a 1,5: AM = 1,5

As principais caractersticas eltricas das clulas e mdulos fotovoltaicos,


independente da tecnologia e dos materiais utilizados, so:

3.1 - Tenso de Circuito Aberto (VOC) - tenso gerada por um conversor


fotovoltaico sem carga (sada aberta)
fotovoltaico, aberta), para valores preestabelecidos de
temperatura e irradincia total.

V VOC

35

3.2 - Corrente de Curto-Circuito (ISC) - corrente de sada de um conversor


fotovoltaico na condio de curto
fotovoltaico, curto-circuito
circuito (short circuit),
circuit) para valores
preestabelecidos de temperatura e irradincia total.

A
ISC

3.3 - Curva caracterstica - representao dos valores da corrente de sada de


um conversor fotovoltaico em funo da tenso (curva II-V),
V), para condies
preestabelecidas de temperatura e de irradincia total.

PMP Ponto de Potncia Mxima - PMP


ISC Ponto da curva caracterstica de um
conversor fotovoltaico onde o produto
da corrente pela tenso mximo.
IMP
Valores caractersticos Clula
ISC =
VOC =
IMP =
VMP =
PMP =
VMP VOC
36
3.4 - Potncia Nominal de um Mdulo - PNOM
o valor de potncia que o mdulo fornece nas condies-padro de
ensaio (STC) e especificado na etiqueta pelo fabricante.
Corresponde ao Ponto de Potncia Mxima (PMP),
) nas STC.
STC
A potncia nominal do mdulo especificada em Wp (watt-pico)
PNOM = PMP = IMP x VMP (@ STC) Wp (watt-pico)
( i )

35-F
3.5 Fator
t ded Forma
F F t ) - razo
(FF Fill Factor)
(FF, entre
t a potncia
t i mxima
i (PMP)
e o produto da tenso de circuito aberto (VOC) pela corrente de curto-
circuito
c cu to ((ISC), espec
especificada
cada na
a forma
o a de po
porcentagem.
ce tage

PMP
ISC
PMP FF (%) = .100%
VOC .I SC

Para clulas comerciais de


silcio monocristalino (m-Si),
de boa qualidade, o FF da
ordem de 70 a 80%
80%.
VOC

37

3.6 - Curvas Caractersticas de Mdulo Fotovoltaico


Curvas I-V de um mdulo para vrios nveis de irradincia (W/m2), com
temperatura constante em 25C.
Ponto de Potncia Mxima - PMP
ISC Ponto da curva caracterstica de
PMP
um conversor fotovoltaico onde o
IMP produto da corrente pela tenso
mximo.

Principais caractersticas @ STC


Mdulo
ISC =
VOC =
IMP =
VMP =
VMP VOC
PMP =

As principais caractersticas eltricas de um mdulo fotovoltaico, medidas nas


STC, so indicadas na etiqueta fixada no mdulo pelo fabricante.
O
Os mdulos
d l certificados
tifi d pelo
l INMETRO so
testados
t t d para verificar
ifi esses
valores, dentre outros.
38
3.6a - Curvas Caractersticas de Mdulo Fotovoltaico (T = 25C, AM = 1,5)

Principais caractersticas @ STC - Mdulo


ISC = ....................... VOC = .......................
IMP = ....................... VMP = ....................... PMP = .......................
39

3.7 - Coeficientes de temperatura


O aumento da temperatura de operao, de um modo geral, tem efeito negativo
no desempenho dos dispositivos fotovoltaicos, reduzindo a eficincia de
converso.
Coeficiente de temperatura sobre a tenso ()
VOC diminui acentuadamente
Coeficiente de temperatura sobre a corrente ()
ISC aumenta ligeiramente
Coeficiente de temperatura sobre a potncia ()
A pot
potncia
c a mxima
a ((PMP) d
diminui,
u , po
pois
soe
efeito
e to da te
temperatura
pe atu a sob
sobre
e
VOC maior do que sobre ISC.
O coeficiente depende da tecnologia e em geral negativo.

Normalmente esses parmetros so especificados na folha de dados do


mdulo,, p
para as STC ((T = 25C,, irradincia de 1.000 W/m e AM 1,5).
, )
Exemplo para mdulo de m-Si:
= -140 mV/C = +2,2
, mA/C = -0.38 %/C

40
3.8 - Influncia da Temperatura nas Curvas

Curvas I-V de um mdulo para vrias temperaturas das clulas,


com Irradincia constante em 1.000W/m2 e AM 1,5.

41

ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA: Fundamentos e Aplicaes - Trajano Viana - SENAI/SC - Jaragu do Sul - Outubro/2013 42
3.9 - Exemplo de Folha de Dados de Mdulo Yingli YGE 60 cells

43

3.9 - Eficincia de converso ()

= P o / Pi

Po = potncia obtida na sada do conversor


Pi = potncia da radiao solar incidente sobre a rea
do conversor (clula ou mdulo) fotovoltaico

Eficincia de converso de clula ou mdulo - (%)


Razo entre a potncia mxima fornecida pela clula (ou mdulo fotovoltaico),
e o produto da rea do clula (ou do mdulo), pela irradincia total.

PMP
(%) = .100%
( AMT ou ACT ).GTOT
AMT - rea total do mdulo
ACT - rea total da clula

44
Valores aproximados de eficincia para mdulos comerciais @ STC
m-Si 13 - 16 %
m-Si (especiais: HIT, back contact) 17 - 19 %
p-Si 12 - 15 %
a-Si 6 - 8 % (estabilizado)
CdTe 8 - 10 %
CIGS 9 - 11 %
a-Si/c-Si 8- 9%

Fatores que limitam a eficincia de converso de uma clula


perdas por reflexo na superfcie da clula
perdas por sombreamento devido grade de contato
perdas por absoro incompleta dos ftons disponveis na radiao
solar
l iincidente
id t respostat espectral
t l
perdas por recombinao
defeitos,
d f it iimpurezas, contornos
t de
d gro,
profundidade
f did d d da jjuno

45

3.10 - Escolha de uma Tecnologia


A escolha de uma determinada tecnologia silcio cristalino ou filme fino
envolve a avaliao de diversos aspectos, tendo em vista o objetivo do
sistema fotovoltaico:
Aspectos energticos Energia a ser gerada anualmente
Aspectos arquitetnicos Esttica - Aplicao - Iluminao natural
Divulgao
Di l da
d tecnologia
t l i
rea disponvel potncia a ser instalada (Wp)
Maior eficincia menor rea
Eficincia rea

3.11 - Certificao de Mdulos


Mdulos so certificados nas STC (condies-padro de ensaio) ou sob
outras
t condies
di especificas
ifi para cada
d caracterstica.
t ti
As empresas apresentam certificaes da qualidade e das caractersticas dos
mdulos emitidas por Institutos acreditados,
mdulos, acreditados que tm por base a realizao
de testes estipulados em normas (IEC, ABNT, etc.).
No Brasil s p
podem ser comercializados mdulos certificados/Etiquetados
q
pelo INMETRO S utilizar mdulos certificados/Etiquetados.
46
3.12 - rea necessria para instalar painel fotovoltaico de 1 kWp

m2 Tecnologia x rea

20 16 - 20
18 14 - 18

16

14 11 - 13

12 8 - 11

10 7-9

0
Silcio Silcio Disseleneto de Telureto de Silcio
monocristalino policristalino
p cobre e ndio Cdmio amorfo
m-Si p-Si CIS - CIGS CdTe a-Si
Fonte: SMA

47

4 - RESPOSTA ESPECTRAL DOS DIFERENTES TIPOS DE CLULAS


A radiao solar no monocromtica, sendo composta por radiaes de
diferentes comprimentos de onda.
As clulas solares fotovoltaicas,
fotovoltaicas de acordo com os materiais empregados,
empregados
apresentam diferentes sensibilidades para cada comprimento de onda da
radiao solar incidente, conforme mostra o grfico a seguir.
ensidade relativa
Inte

Comprimento de onda (nm)

Silcio amorfo (a-Si)


(a Si) Disseleneto de cobre e ndio (CIS)

Telureto de cdmio (CdTe) Silcio cristalino


48
5 - EXEMPLO DE MONTAGEM DE MDULOS
UTFPR - Escritrio Verde,
Verde Curitiba 2,1
2 1 kWp

49

5 - EXEMPLO DE MONTAGEM DE MDULOS


UTFPR - Escritrio Verde,
Verde Curitiba 2,1
2 1 kWp

50