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1. Introduo.................................................................................................................. 1
2. Objectivos.................................................................................................................. 2
2.1.Objectivo ................................................................................................................. 2
3. Transstor................................................................................................................... 3
A inveno do transstor foi um marco para a engenharia eltrica e eletrnica, assim como
para toda humanidade. Com o desenvolvimento dos transstores foi possvel a construo
de equipamentos eletrnicos verdadeiramente portteis funcionando apenas com pilhas
ou baterias. Alm disso, o reduzido volume destes componentes a possibilidade de
associao para implementar funes analgicas ou digitais, das mais diversas,
proporcionou um desenvolvimento sem igual na indstria de equipamentos
eletroeletrnicos. Por tudo isso, o contato com estes dispositivos essencial para o
estudante de engenharia, alm do que, a grande maioria dos circuitos eletrnicos emprega
um ou milhares destes componentes.
Este presente relatrio surge com finalidade de estudar os transstores de efeito de campo
(FET), na qual iremos ver amplificao com os JFET
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2. Objectivos
2.1.Objectivo Geral
2.2.Objectivos Especficos
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3. Transstor
1.Bipolares (BJT);
3.1.Transstor JFET
A sigla JFET significa Junction Field Effect. Transstor (transstor de juno com efeito
de campo) um tipo de transstor que usa um campo elctrico para controlar a
condutividade de um canal de um nico tipo de portador de carga no
material semicondutor.
(a) (b)
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3.1.1. Princpio de funcionamento do JFET
Para o JFET do tipo p, os sentidos das correntes so invertidos, assim como as polaridades
das tenses VGS e VDS. Para o canal p, o canal vai se contrair para tenses positivas
crescentes da porta para a fonte (Boylestad & Nashelsky, 2004).
JFET do tipo n
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Figura 3:Tenso de polarizao de um JFET do tipo n.
JFET do tipo P
Transstor JFET do tipo p tem o mesmo princpio com o JFET do tipo n, apenas os canais
utilizados um semicondutor do tipo p. Assim, a polaridade da tenso e corrente de
direo oposta, se comparado com o transstor JFET do tipo n, o smbolo do JFET do tipo
p o mesmo, apenas com diferentes setas direcionais.
Polarizao Fixa
Quando um JFET for conectado, na configurao fonte comum, a tenso de entrada ser
VGS e a tenso de sada ser VDS. Portanto, o circuito deve ajustar os valores quiescentes
para a tenso dreno-fonte, VDS e corrente de dreno ID. Chama-se Polarizao Fixa porque
a tenso porta-fonte fixada pela tenso constante aplicada nesses terminais (Bogart,
2001).
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Figura 4: circuito de polarizao fixa.
Autopolarizao
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Polarizao por divisor de tenso
Em uma polarizao com boa estabilidade contra as variaes nos parmetros do JFET
pode ser obtida fazendo inclinao das rectas as menores possveis. A inclinao da recta
torna-se menor quando forma-se Rs maior, mas valores altos de Rs podem resultar em
valores inaceitavelmente menores de ID. Uma forma de obter uma recta de polarizao,
com inclinao pequena, e ainda manter um valor aceitvel do dreno conectar uma
tenso positiva VGG com o terminal da porta no circuito de autopolarizao (Bogart,
2001).
A figura abaixo mostra as curvas de dreno para um JFET com uma IDSS de 10 mA. A
curva sempre para VGS=0, a condio de porta em curto-circuito. Neste exemplo, a
tenso de estrangulamento de 4 volts e a tenso de ruptura de 30 volts. A curva
imediatamente abaixo para VGS=-1 volt, a prxima para VGS=-2 volts e assim
sucessivamente. Quanto mais negativa a tenso porta-fonte, menor a corrente de dreno
(Boylestad & Nashelsky, 2004).
3.2.MOSFET
Porta - G; Dreno D;
Fonte S; Substrato - B.
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(Malvino & Bates, Electronica, 2011). Ambos so produzidos com canal N ou P (Oliveira,
1999).
Neste dispositivo existe um canal na regio abaixo do dixido de silcio com o mesmo
tipo de dopagem das regies de dreno e fonte, sendo que a concentrao de dopagens no
canal um pouco menos que nas regies de dreno e fonte, conforme o esquema na figura
abaixo.
Simbologia
D D
B B
G G
S S
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3.2.2. Polarizao e curvas caractersticas do MOSFET no modo de depleo
Se a tenso VGG for igual zero, ir circular uma corrente ID no circuito, uma vez que
existe canal para que essa corrente possa fluir. Sendo a porta negativa em relao fonte
tem-se que a camada de metal fica negativa e polariza o isolante. Haver um estreitamento
do canal N, diminuindo a corrente ID no dispositivo segundo a formula abaixo (Malvino
& Bates, Electronica, 2011).
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= (1 )
Este estreitamento do canal tanto maior quanto maior a polarizao negativa da porta.
5.3.3.Princpio de funcionamento
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Quando a porta positiva em relao ao canal, os electres so atrados do substrato,
aumentando a condutividade do canal. Quando a porta negativa, os electres so
repelidos para fora do canal, diminuindo a condutividade deste.
a) b)
Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos electres livres da
fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos electres livres produzidos
termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado
desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo
depleo (Dorf, 2000).
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D D
B B
G G
S S
Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos electres livres da
fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos electres livres produzidos
termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado
desligado (Boylestad & Nashelsky, 2004).
Quando a porta positiva, ela atrai electres livres na regio p. Os electres livres
recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso
suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas ao dixido de silcio so
preenchidas e electres livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo
que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa
camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo,
normalmente aberto, de repente conduz e os electres livres fluem facilmente da fonte
para o dreno (Oliveira, 1999).
O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar,
simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero.
Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno
e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V
dependendo do MOSFET (Pinto, 2011).
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Figura 11: Formao de um canal em um MOSFET de canal N no modo de
enriquecimento.
= ( () )2
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Figura 12: Caractersticas de transferncia de um MOSFET de canal n no modo de
enriquecimento.
Misturadores de frequncia;
Circuitos de comutao de frequncia;
Amplificadores em corrente contnua.
4. Amplificador operacional
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4.1.Amplificador diferencial
Depois que o sinal amplificado pelo amplificador diferencial, ele se dirige para o
estgio intermedirio no qual recebe mais ganho de tenso (Malvino A. P., 1997).
Forma geral
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Experincias
Material necessrio
-Modulo KL-23004;
-2 Multmetros;
-1 Cabo de alimentao.
Experincia 1
Objectivo
Procedimentos
- Ajustar VR4 ate que a tenso VGS =0, de seguida para Vdd 3-18V ver Id.
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Figura 16: esquema do circuito simulado no circuit Wizard
Resultados obtidos:
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VGS Id (Simulado) Id (Real)
0v 0.14 A 4.1 mA
2.7v 0.17 A 0 mA
Experincia 2
Objectivo
Procedimentos
Parte 1
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6 - Ajustar o out put do signal generator para 1KHz sinoidal e aumentar
gradualmente a amplitude para tirar uma onda sem distoro;
Figura 18: Transstor JFET do tipo n simulado no Circuit Wizard com fonte directa e
inversamente polarizada.
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Figura 19: Transstor JFET do tipo n simulado no Circuit Wizard com fonte directa e
inversamente polarizada.
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Figura 20: Resultados obtidos no circuito real e no simulador.
5. Referncias Bibliogrficas
Bogart, T. F. (2001). Dispositivos e Circuitos Electronicos (3 ed., Vol. I). (A. Pertence, Ed., & R.
Abdo, Trad.) Sao Paulo, Estados Unidos da America: Makron Books.
Dorf, R. (2000). The Electrical Engineering Handbook (2 ed.). (I. Woodall, Ed.) New York: CRC
Press LLC.
Malvino, A., & Bates, D. (2011). Electronica (7 ed., Vol. I). (A. E. Ltda, Ed., & R. Abdo, Trad.)
Porto Alegre.
pinto, L. F., & Albuquerque, R. O. (2011). ELETRNICA Eletrnica Analgica. Sao Paulo.
Pinto, L. T. (2011). Electronica-Electronica Analogica (2 ed., Vol. II). (F. P. Anshieta, Ed.) Sao
Paulo.
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