Universidade de São Paulo

Escola de Engenharia de São Carlos

Departamento de Engenharia Elétrica

SEL0317 – Laboratório de Circuitos Eletrônicos II

Prática 3 – Amplificadores Simples com JFET

Guilherme Cabral da Silva N° USP: 9403343

Samuel Santos do Espírito Santo N° USP: 9393221

Resumo

Tendo como principal objetivo observar e analisar o comportamento de circuitos

eletrônicos baseados na tecnologia JFET este experimento buscou primeiramente
avaliar a relação entre a corrente de dreno e a tensão entre Gate e Supridouro.
Percebeu-se então que quanto mais negativa a tensão Vgs se tornava, menor a
quantidade de corrente que o JFET era capaz de conduzir.

Em seguida montou-se um amplificador de fonte comum com o JFET BF245A e com

ajuda dos circuitos montados durante as práticas 1 e 2 - e de uma frequência gerada
pelo osciloscópio de 440Hz – analisou-se o mesmo quanto seu comportamento AC.
Observou-se ainda as distorções presentes em sua saída e suas limitações quanto a
excursão máxima.
 1. Introdução

Ao estudar-se na prática anterior o transistor de junção bipolar - TBJ ou BJT- pôde-

se observar muitas de suas aplicações. Sendo a maior parte destas baseadas em sua
capacidade de controlar a corrente de saída (coletor- Ic) a partir de uma corrente de
entrada (base - Ib).

Existem, porém, algumas características que poderiam ser melhor aproveitadas de

um elemento transistor, principalmente no que se refere a amplificação de sinais de
baixíssimas amplitudes e em ambientes “sensíveis” (Ambientes em que existem grande
variação de temperatura), para tal foi-se introduzido ao longo desta prática elementos
que devido a seus aspectos construtivos apresentam certas vantagens (e.g.: Alta
impedância de entrada) na resolução de problemas deste tipo. Estes são o JFET e o
MOSFET.

1.1. Estudo do JFET

O JFET (ou Junction gate Field-Effect Transistor, ou ainda Transistor de Efeito

de Campo por Junção de gate em português) é um transistor assim como o BJT porém
para gerar um efeito similar ao do BJT o JFET a partir de um efeito de campo (tensão
aplicada) é capaz de modular a largura do seu canal que por sua vez é ligado a
intensidade de corrente que flui entre os seus terminais.

Para se entender melhor o JFET é necessário se familiarizar com novos termos

uma vez que por este ser um transistor de tecnologia diferente tem os seus terminais
nomeados com nomes diferentes. A imagem abaixo servirá de exemplo.
 Figura 1: Modelo de um JFET

Como se pode observar na figura 6 o JFET possui três terminais que recebem o
nome de Drain (ou Dreno), Gate (ou Porta) e Source (Fonte ou Supridouro). Pode-se
perceber também que diferente do BJT o JFET possui apenas um tipo de portador
(elétron ou lacuna). O JFET é, portanto, um elemento unipolar. Desta forma percebe-se
que o JFET controla a sua malha de saída não a partir de uma corrente de entrada, mas
sim a partir de uma tensão de entrada.

O JFET é formado pela dopagem de um material tipo P ou N formando um canal

estreito entre os pólos de Dreno e Fonte. Nas laterais o JFET é formado por um canal
de dopagem oposta a realizada para a formação do canal entre Dreno e Fonte. Esta
dopagem lateral é ligada então ao Gate (Porta) através de contatos ôhmicos.

Percebe-se então que o JFET passa a apresentar duas junções p-n e

conseqüentemente duas regiões de depleção quando não está polarizado da mesma
forma que ocorre em um diodo. Nestas regiões não existem portadores, desta forma
não existindo também condução.

Assim como o BJT o JFET também apresenta uma polaridade e, portanto,

regiões de polarização e processos de polarização. A partir da imagem abaixo se pode
observar que ao se polarizar Vds uma corrente Id deverá fluir entre os terminais de
Dreno e Fonte, sendo que está é limitada pela resistência enfrentada ao passar pela
região do canal Dreno-Fonte o que por sua vez gerará diferentes potenciais ao longo do
canal.
 Figura 2: Polarização do JFET (Vgs = 0V).

A partir da imagem acima é possível notar que para o caso de um canal do tipo
n nas proximidades do terminal de Dreno a região de depleção é mais larga, portanto
maior é também a “resistência” próxima a estes terminais.

É possível então se concluir através da Lei de Ohm que aumentando o Vds o Id

tenderá também a aumentar, fazendo assim com que a resistência varie de forma quase
linear o que poderá ser observado mais tarde através da curva característica do JFET
presente na Figura 8. Essa região será nomeada de Região Ôhmica do JFET.

Porém como pôde ser visto anteriormente a região de depleção próxima ao

Dreno tende a ir se “fechando” conforme a Figura 7. Quando a tensão Vds chega a tal
ponto ela então se igualará a Vp ou Tensão de Pinçamento. Todavia diferente do
esperado a corrente Id não vai para zero, mas se estabiliza sobre uma corrente máxima
constante de alta densidade que recebe o nome de Idss.

A Tensão de Pinçamento é uma tensão negativa tal que quando aplicada entre
a Porta e a Fonte tem-se que para tensões mais positivas que ela o JFET passa a
conduzir e para tensões mais negativas a corrente de Dreno continua a ser zero.
 Figura 3: Curva Característica de um JFET

Ainda sobre a curva característica do JFET pode-se perceber que a partir do

momento que uma tensão negativa é aplicada entre o gate e a fonte (no caso de uma
dopagem positiva conectada ao gate) a tensão necessária para se obter a tensão de
pinçamento tende a diminuir de forma parabólica, e a partir deste comportamento é
possível se construir o gráfico da Figura 9 e na equação que determina Id.

Figura 4: Curva característica x (IdxVgs)

 (Equação I)

O JFET se divide em NJFET e PJFET, onde o canal do NJFET é do tipo n e o

canal do PJFET é constituído de material do tipo p. Enquanto aqui se descreveu o
funcionamento e curvas características de um JFET do tipo NJFET que é o utilizado na
prática (BF245C), sendo que o do tipo PJFET se diferencia deste uma vez que
apresenta curvas características com comportamento semelhante, porém para tensões
de porta opostas aquelas citadas aqui para o NJFET.

Por fim pode-se dizer que algumas das características do JFET em relação ao
BJT são:

 O tipo de controle (O JFET realiza o controle da malha de saída através

de uma tensão de entrada)
 A impedância de entrada (É muito alta (> 1 M[ohm]))
 Tipo de portador (O JFET é unipolar)
 Ganho de tensão (O ganho do JFET é menor que no BJT)
 2. Descrição e Discussão Experimental
2.1. Materiais Utilizados
FAZER
2.2. Análise 1

Na primeira parte desse experimento foi montado em protoboard o circuito para

análise de corrente de Dreno no JFET, conforme ilustrado na figura 5. Variou-se a
resistência R2 em 100 Ω, 220 Ω, 330 Ω e 470Ω. Assim foi analisada a corrente no dreno
por meio do resistor R1. Em seguida foi utilizado o software LTSpice para simular o
circuito e verificar a corrente no resistor R1.

Figura 5: Circuito de análise de corrente de Dreno no JFET.

Tabela 1: Analise de R1 (Experimental x Spice).

Prática Spice
R2 I(R1) R2 I(R1)
100,400 1,89E-03 100 2,86E-03
220,100 1,15E-03 220 2,18E-03
323,600 8,74E-03 330 1,81E-03
467,000 6,62E-03 470 1,49E-03
 Conforme pode ser visto a partir da tabela anterior os valores obtidos na prática
encontram-se dentro de uma faixa aceitável de erro para com os observados nas
simulações no LTSpice.

Figura 6: Gráfico IdxVds(Vgs) relacionado com IdxVgs

Através da figura 6 é possível se perceber que conforme a tensão Vgs vai se

tornando mais negativa menos corrente é possível conduzir através do JFET. Isso
ocorre uma vez que ao aplicar-se uma tensão negativa sobre o Gate do JFET o canal
principal tende a se estreitar, dificultando assim a passagem de elétrons – ou lacunas a
depender do tipo de canal -.

Este comportamento pode ser descrito através da equação xxx presente a seguir:

Equação 2
 2.3. Análise 2

Na segunda parte foi montado o circuito amplificador de fonte comum com JFET,
conforme ilustrado na figura 2, e cascateado com o circuito desenvolvido na prática 2.
Para uma frequência de 440 kHz foi obtido um ganho de XXX

Figura 7: Amplificador Fonte Comum com JFET.

Figura 8: Ganho para uma frequência de 440 kHz.

 No software Spice, foi simulado o circuito a partir da análise .AC e então obtido
o gráfico da resposta em frequência do amplificador.

Figura 9: Análise .AC.

2.4. Análise 3

Na terceira etapa, foi aumentado o sinal de entrada até que fosse observado
uma deformação de tal forma que o pico superior seja visivelmente diferente do inferior.
A partir do osciloscópio foi obtida uma imagem comparando a entrada e saída.
 Figura 10: Distorção do sinal de áudio.

Como pode ser observado na figura anterior percebe-se que a parte superior as
senoide é deformada, sendo que tal comportamento deve-se a não linearidade do JFET.

2.5. Análise 4

Na quarta parte foi calculado a THD do circuito amplificador estudado,

experimentalmente e via simulação.
Figura 11: THD-1 experimental.

Figura 12: THD-2 experimental.

 Figura 13: THD-3 experimental.

Figura 14: THD Spice.

A partir das figuras presentes nesta análise e dos conhecimentos adquiridos

através das práticas anteriores é possível calcular o THD do circuito em questão. Assim:

√∑𝑁
𝑛=2 𝐴𝑛
𝑇𝐻𝐷𝐹(%) = 𝑥100
𝐴1
Equação 3
 𝑇𝐻𝐷𝐹(%) = 12,5 %

A partir do valor obtido através das contas feitas acima pode-se compara este
resultado aos conseguidos anteriormente (aproximadamente THD = 35%) para o BJT.É
possível se concluir então que o JFET apresenta muito mais imunidade a geração de
harmônicos que o BJT.

2.6. Análise 5

Utilizando a ponte RLC, foi medida a impedância do fone de ouvido e anotado

os valores na tabela 2.

Tabela 2: Impedâncias fone de ouvido.

Paralelo Serie
Lp 1187,5mH Ls 26,0uH
Cp 22,0nF Cs 961uF
Rp 34,7 Ω Rs 34,87 Ω

Em seguida foi colocado o fone entre a saída do circuito e o terra e substituído o

resistor de 3k3 Ω por um de 330 Ω, assim o sinal foi aumentado até que fosse possível
ouvir o som pelo fone. Utilizando o osciloscópio foi verificado o efeito de carregamento
do circuito.
 Figura 15: Efeito de carregamento.

Utilizando o software Spice foi realizada a análice .AC

Figura 16: Análise .AC

Pode-se observar que o ganho do circuito para a frequência desejada é de 1,58.

 2.7. Análise 6

Na última parte foi proposta uma análise completa dos circuitos amplificadores
de Dreno, Fonte e Porta comum, para o JFET utilizando o software de simulação Spice.
Os circuitos de dreno comum e porta comum estão ilustrados nas figuras a seguir.

Figura 17: Amplificador de Dreno Comum

Figura 18: Amplificador de Porta Comum

Para o amplificador de fonte comum, foi obtido um ganho de 10,47.

Figura 19: Resposta em frequência fonte comum

Para o amplificador de dreno comum foi obtido um ganho de 0,937.

Figura 20: Resposta em frequência dreno comum

 Para o amplificador de porta comum foi obtido um ganho de 15,52.

Figura 21: Resposta em frequência porta comum

Em seguida foi determinada a impedância de entrada e saída do circuito,

conforme visto nas figuras abaixo.

Figura 22: Impedância de entrada da fonte comum

 Figura 23: Impedância de saída da fonte comum

Figura 24: Impedância de entrada do dreno comum

Figura 25: Impedância de saída do dreno comum

 Figura 26: Impedância de entrada da porta comum

Figura 27: Impedância de saída da porta comum

Para determinar a tensão de ceifamento, foi necessário excursionar o sinal.

Assim foi obtido que:
Figura 28: Máxima excursão da saída fonte comum

Figura 29: Máxima excursão da saída dreno comum

 Figura 30: Máxima excursão da saída porta comum

Em seguida, foi determinado o THD para um sinal de 1V de pico e uma

frequência de 1 kHz.

Figura 31: THD fonte comum

 Figura 32: THD dreno comum

Figura 33: THD porta comum

Para o sinal próximo do ceifamento foi obtida uma THD de:

Figura 34: THD ceifamento – fonte comum

Figura 35: THD ceifamento – dreno comum

Figura 36: THD ceifamento – porta comum

 Por fim foi analisado a potência dissipada pelo transistor durante a execução do
circuito.

Figura 37: Potência dissipada em fonte comum

Figura 38: Potência dissipada em dreno comum

Figura 39: Potência dissipada em porta comum
 3. Conclusão

Durante esta prática foi possível se investigar as principais características do JFET

que quando comparadas ao BJT evidenciam suas vantagens e desvantagens. Durante
o primeiro experimento pode-se observar o controle da corrente no Dreno e
Supridouro a partir de uma tensão no Gate, diferente do BJT que faz esse controle a
partir da corrente de base. Desta forma pode-se afirmar que na grande maioria dos
casos o JFET apresenta um consumo de potência menor que o do BJT.

Já no segundo experimento foi possível se observar o uso do JFET como um

amplificador na configuração de fonte comum onde pode-se observar um ganho
aceitável de aproximadamente 12 V/V. Este circuito, porém, apresenta uma
impedância de entrada muito mais elevado que o com o dos amplificadores
construídos a partir do BJT.
No terceiro estágio deste experimento observou-se a máxima excursão da saída a
qual mostrou-se também muito maior que a apresentada pelo BJT. E
consequentemente percebe-se que o THD se apresenta de forma muito mais
minimizada no JFET do que no BJT.

No ultimo momento deste experimento pode-se observar o JFET em diversas

configurações diferentes que se adequam a determinadas situações. Como por
exemplo alta impedância de entrada e baixa impedância de saída, alto ganho entre
outros.

Por fim pode-se afirmar que o JFET apresenta grandes vantagens em relação ao
BJT, como o seu controle de corrente de Dreno a partir de tensão, a sua alta
impedância de entrada, entre outros.