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Ciência dos Materiais

Solidificação e imperfeições no sólido

Professora: Maria Ismenia Sodero


maria.ismenia@usp.br
Tópicos abordados

1. Descrição dos processos de solidificação dos metais, mostrando a


diferença entre os dois tipos de nucleação: homogênea e heterogênea;

2. Descrição das formas de energias envolvidas no processo de


solidificação;

3. Distinguir entre monocristais e policristais;

4. Descrever os tipos de defeitos podem ocorrer nos sólidos?

5. Explicar o papel dos defeitos sobre as propriedades dos materiais


cristalinos;
Solidificação dos metais
Depois da formação de núcleos estáveis no metal que está se solidificando, estes núcleos
crescem e formam cristais. Em cada cristal, os átomos se arranjam em um modelo
essencialmente regular, mas a orientação em cada cristal varia. Quando a solidificação
se completa, os cristais, com diferentes orientações, juntam-se uns aos outros e originam
contornos nos quais ocorrem variações de orientação com distância de alguns átomos.

Esquema ilustrativo das várias etapas da solidificação de metais: (a) formação de


núcleos, (b) crescimento de núcleos formando cristais, (c) união dos cristais para formar
grãos e os contornos de grãos. Observe que os grãos são orientados aleatoriamente.

Um conjunto de grãos, retirados a golpe de martelo de um


lingote de titânio fundido a arco. O conjunto preservou as reais
facetas de ligação entre as estruturas dos grãos da estrutura
bruta de solidificação. (Aumento de 1/6.)
Força motriz para solidificação
Gráfico G x T

Tf = temperatura de fusão. Substância pura


no estado líquido pode coexistir com essa
mesma substância no estado sólido.
T1 = decréscimo de G por conta da
transformação de um determinado
volume

Quanto maior o T maior a força motriz para


a transformação LS
Variação de energia livre
Balanço de energia
GT = -Vs GV + AS L SL

GV = Energia volumétrica – força motriz GS = AS L SL – energia de superfície

Digite a equação aqui.


4 3
GT = πr ∆𝐺𝑣 + 4π𝑟 2 𝛾
3
Onde:
GT = variação total de energia livre;

r= raio do embrião ou núcleo;

Gv = energia volumétria;

𝛾 = energia livre específica de superfície


Raio crítico
Existe para um dado T, um certo r * que está
associado com um máximo excesso de Energia livre
2   16
r*   Gv* 
GV Gv 3
r = r* - o núcleo está em equilíbrio com o líquido;

ΔGs
+ Núcleo

ΔGT
r  r* r  r*
ΔG
r
r*r*
o sistema pode o sistema pode
diminuir energia diminuir energia
se o núcleo pela dissolução
crescer do sólido
- ΔGv
Raio crítico x super-resfriamento

Quanto maior o grau de super-resfriamento T abaixo da temperatura de fusão do metal, maior é a variação de
energia livre de volume Gv
A medida que o grau de super-resfriamento aumenta, o tamanho do raio crítico diminui.

2Tm
r* 
H f T

Variação do tamanho do raio crítico do núcleo em função do


grau de super-resfriamento para o cobre.
Nucleação heterogênea
É a nucleação que ocorre no líquido sobre as paredes do recipiente (molde), como também sobre impurezas
insolúveis ou até mesmo outros matérias estruturais capazes de reduzir a energia livre crítica necessária
para formar um núcleo estável.
Nucleação que ocorre em sítios favoráveis, que são catalisadores do processo de nucleação (superfície,
contornos de grão, impurezas);

G* (heterogênea) <<< G* (homogênea)


  16
Gv 
*

Gv 3
MS = ML - SL * cos 

Agente nucleante (substrato) que é molhado pelo líquido que está em processo de solidificação

(J.H. Brophy, R.M. Rose and John Wulff, “Structure and Properties of Meterists”, vol. 11: “Thermodynemics of Structure”, Wiley, 1964, p. 105.)

Figura 4.6 Nucleação heterogênea de um sólido sobre um agente nucleante.


Crescimento de cristais no meio liquido

O número de locais de nucleação disponíveis no metal para a solidificação


afeta a estrutura de grão do metal sólido obtido.
Numero de locais pequenos – estrutura grosseira ou de grão grosso;
Refinador de grão: adicionado para obter grãos menores. Ex: ligas de
alumínio adicionam-se: titânio, boro ou zircônio

Regiões das seções transversais de dois lingotes da liga 6063 (Al–0,7% Mg–0,4% Si) com 15 cm de
diâmetro, que foram vazados por um processo semicontínuo de fundição direta em coquilha. No caso
do lingote (a) não foi adicionado qualquer refinador de grão; notar os grãos colunares e as colônias de
cristais com a forma de penas, próximo ao centro da seção. O lingote (b) foi vazado com adição de um
refinador e apresenta uma estrutura de grão fina e equiaxial. (Reagente de Tucker; tamanho real.)
Formação de estrutura de grãos

Grãos equiaxiais: o elevado super-resfriamento que se verifica junto às paredes frias do molde
origina uma concentração relativamente grande de núcleos – crescimento igual em todas as
direções;

Grãos colunares: grosseiros, alongados e estreitos – gradiente de temperatura acentuado – poucos


núcleos de solidificação;

Figura 4.7(a) Esquema da estrutura de grão de um metal solidificado em um molde frio. (b) Seção transversal de
um lingote da liga de alumínio 1100 (99,0% Al) fundido pelo processo Properzi (processo de fundição centrifuga).
Note-se a consistência com que os grãos colunares cresceram perpendicularmente às paredes do molde.
Imperfeições Cristalinas

Defeitos cristalinos = imperfeições ou irregularidade na rede cristalina

Os cristais reais apresentam inúmeros defeitos, que são classificados por


sua “dimensionalidade”.
• Defeitos Pontuais (dimensão zero)
Vacâncias
Impurezas intersticiais e substitucionais
• Defeitos Lineares (dimensão um)
Discordâncias (dislocations)
• Defeitos Planares (dimensão dois)
Interfaces e fronteiras de grão, contornos de macla, defeitos de falha de
empilhamento,
• Defeitos Volumétricos (dimensão três)
Vazios, fraturas, inclusões e outras fases.
Defeitos Pontuais

Os defeitos de ponto são assim chamados apesar de possuírem um volume e de produzirem um campo
de tensões no material.
A denominação vem da dimensão desses defeitos = diâmetro da ordem de 10-12 (eletrônicos) a 10-8 cm
(atômicos)

Impureza
Auto-intersticial
Intersticial
átomo da própria
átomo diferente
rede ocupando
ocupando um
um interstício
interstício

Impureza Vacância
Substitucional ausência de
átomo diferente átomo
ocupando uma
vacância
Defeitos Pontuais
Vacância ou Lacuna
Podem ser originadas durante a solidificação, como resultado de perturbações locais durante o
crescimento dos cristais, ou podem ser criadas pelo rearranjo dos átomos de um cristal, devido à
mobilidade atômica.
Podem ser introduzidas nos metais:
- deformação plástica - por meio de resfriamento rápido, com base em temperaturas elevadas
até temperaturas baixas, de forma a enclausurar as lacunas;
- bombardeamento com partículas de alta energia, como nêutrons;

(a) Defeito pontual de lacuna;


Equilíbrio de defeitos de ponto
Uma característica muito importante das lacunas e átomos auto-intersticiais, em contraste com defeitos de linha e
superfície, é o fato de eles poderem existir em equilíbrio termodinâmico a temperaturas superiores a 0K.
A formação de defeitos de ponto em um metal requer uma certa quantidade de calor. Logo, sendo dH=q, a entalpia
do sistema aumenta. A entropia configuracional também aumenta - certo número de possibilidades de se colocar
o defeito no sistema.
F = H – TS
A energia livre de Gibbs alcançará um mínimo para um certo número (n) diferente de zero. A ok, o termo entrópico
(TS) é anulado e a concentração de equilíbrio é zero;
𝑛 −𝐻𝑓 Onde: n= número de defeitos;
= 𝑒 𝐾𝑇 N=locais atômicos = numero de sítios
𝑁 Hf = entalpia de formação de defeitos
K= constante de Boltzman
T= temperatura

-TS

Cocentração de equilíbrio de vacâncias em Variação da energia livre de Gibbs com a


função da temperatura para o alumínio concentração de defeitos
Concentração de defeitos

Para formar defeitos é necessário dispor de energia. Normalmente esta energia é dada na forma de
energia térmica. Isto quer dizer que quanto maior a temperatura, maior será a concentração de
defeitos.

Para muitos tipos de defeitos vale o seguinte:


𝑁𝐴 𝜌
N= 𝐴
ND QD 
CD   exp
N  kT  N= numero de sítios atômicos
NA = número de Avogadro
𝜌 = densidade
Onde: A= peso atômico
CD = concentração de defeitos
ND = número de lacunas em condições de equilíbrio
N = número total de sítios
QD = energia de ativação para o defeito
k = constante de Boltzmann
T = temperatura absoluta em Kelvin
Defeitos Pontuais
Lacuna/Vacância - Autointersticial
Podem ser originadas durante a solidificação, Formação deste defeito não é muito provável –
como resultado de perturbações locais durante o introduz distorções relativamente grandes na sua
crescimento dos cristais, ou podem ser criadas vizinhança – pode ser introduzido por irradiação.
pelo rearranjo dos átomos de um cristal, devido
à mobilidade atômica.

(b) defeito pontual autointersticial ou


intersticial na rede compacta de um metal
sólido.
Soluções sólidas metálicas

A maior parte dos metais em engenharia é combinada com outros metais ou não metais para
melhorar resitência mecância, corrosão ou outras propriedades desejadas.
Liga metálica: mistura de dois ou mais metais ou de um metal e um não metal.
Example:
 Latão Cu -Zn.
 Iconel 718 (mais de 10 elementos)

Solução sólida: é o tipo mais simples de liga. Constituído por dois ou mais elementos disperses atomicamente
em uma única fase.

Solvente- na solução representa o elemento que


está presente em maior quantidade;

Soluto- na solução representa o elemento que está


presente em menor quantidade.
Por que átomos de impureza são
adicionados intencionalmente?
• aumentar resistência mecânica,
• aumentar resistência à corrosão,
• aumentar condutividade elétrica,

Adição de átomos de impureza


• solução sólida,
• segunda fase.
• * Depende do tipo de impureza, concentração, temperatura
Solução Sólida Substitucional
Nos defeitos substitucionais , os átomos de soluto repõem ou
substituem os átomos do solvente.

A solubilidade máxima dos átomos do soluto na rede do solvente


depende de:
Fator tamanho atômico;
Estrutura cristalina
Eletronegatividade
Valência
Solução sólida substitucional. Os círculos escuros
representam um tipo de átomos, e, os claros, outro. O plano
atômico é o plano (111) de uma rede cristalina CFC.

Átomos de soluto

Átomos de solvente
Ex. substitucional: Cu-Ni, completamente solúveis um no outro
RCu = 0,128nm
RNi = 0,125nm
Ambos CFC
Eletronegatividades 1,9 e 1,8
Valências: Cu (mais comum +1, às vezes +2); Ni (+2)

Liga Ni-Cu
Monofásica

Material prof. Carlos Angelo


Solubilidade sólida
Regras de Hume-Rothery

A solubilidade dos sólidos é maior se:


• Os diâmetros atômicos dos elementos não diferir mais do que cerca de 15%;
• Os dois elementos apresentarem estrutura cristalina similar;
• As eletronegatividades dos dois elementos não devem ser consideravelmente diferentes, de modo
a não se formarem compostos;
• Os dois elementos devem possuir a mesma valência

Diferença do raio Diferença na Solubilidade


Sistema atômico eletronegatividade sólida

Cu-Zn 3.9% 0.1 38.3%

Cu-Pb 36.7% 0.2 0.17%

Cu-Ni 2.3% 0 100%


Solução Sólida Intersticial
Esquema mostrando uma solução sólida intersticial de carbono em ferro  CFC em um plano (100) imediatamente
acima de 912ºC. Note-se a distorção dos átomos de ferro  (raio = 0,129 nm) em volta dos átomos de carbono
(raio = 0,075 nm). Diferença atômica é de 42%.

O raio do maior interstício do CFC é 0,053 nm de raio, e uma vez que o raio atômico do C é 0,075, não é de se
surpreender que a solubilidade máxima do carbono no Fe  seja apenas 2,08%.

No Fe  CCC, o raio do maior interstício é apenas de 0,036nm e, como resultado, imediatamente abaixo de 7230C
apenas pode se dissolver intersticialmente 0,025%C.

(L.H. Van Vlack, “Elements of MateriaIs Science and Engineering”, 4. ed.,Addison-Wesley, 1980, p. 113.)
Defeitos Pontuais cristais iônicos

Manter a condição de eletroneutralidade = número iguais de cargas positivas e negativas.

Defeito de Frenkel:
um cátion deixa sua
posição normal e se
move para o interior
de um interstício.

Defeito de Schottky:
remoção de um cátion e
de um ânion em uma
superfície externa,
seguido pela colocação
de ambos os íons em
uma superfície externa.

Representação bidimensional de um cristal iônico mostrando um defeito de Schottky e um defeito de Frenkel.


Solução sólida em compostos
Formação da solução sólida aleatória substitucional de NiO no MgO. Neste caso, o Ni+2 e Mg+2.

Formação da solução sólida de Al2O3 no MgO, pois a valência mais alta do Al+3 geraria uma carga positiva líquida
para o composto óxido, criando uma condição instável. Para manter a neutralidade de carga, tendo apenas
dois íons Al+3 preenchendo cada três sítios do Mg+2, o que deixa um sítio vago de Mg+2 para cada duas
substituições de Al+3;
Produção do defeito de ponto
Os defeitos de ponto intrínsecos de um metal (lacunas e intersticiais) existem em certas concentrações de
equilíbrio, porém, pode-se aumentar esta concentração de defeitos por:
- deformação plástica: o movimento das discordâncias pode resultar em defeitos de ponto, como os
movimentos não conservativos de jogs e aniquilação de discordâncias paralelas de sinal contrário,
produzindo uma fila de lacunas ou intersticiais;

A deformação introduz concentrações muito mais elevadas


de lacunas e intersticiais, mas produz alterações
subestruturais, pois introduz discordâncias que interagem
fortemente com os defeitos de ponto.
Produção do defeito de ponto
Irradiação do metal: por partículas com alta energia (nêutrons, elétrons raios ), gerando átomos
deslocados por colisões. Na maior parte dos casos, os átomos “viajam” por algumas distâncias
atômicas e se aloja em um interstício. Consequentemente, produz uma lacuna e um auto-
intersticial.

Têmpera: concentração de lacunas é da ordem de 10-4 perto do ponto de fusão, sendo 10-8 a
temperaturas iguais a metade da temperatura de fusão. Para manter a concentração elevada, é
necessário uma taxa de resfriamento tal que as lacunas não se possam difundir para os “poços”
sumidouros, tais como: contornos de grão, discordâncias ou superfície;
- Ouro: teria que ser resfriado de 1330K até Tamb com uma taxa de 1011k/s;
- Resfriamento em água gelada – taxa de 105k/s – consegue-se taxas de lacunas bem elevadas;
Difusão
A figura mostra como a migração atômica se torna possível sem grande distorção na
estrutura cristalina por meio do mecanismo de migração de vacâncias ou mecanismo
de difusão intersticial
Embora cada átomo do Cu tenha probabilidade igual de “caminhar” aleatoriamente em
qq direção, a concentração inicial mais alta de Cu no lado esquerdo fará com que
esse movimento aleatório produza interdifusão.

Fluxo de átomos

Fluxo de vacâncias

Difusão por lacunas Difusão intersticial


.

Defeitos Lineares
Discordâncias
Podem ser originadas durante a solidificação ou, mais comumente durante a deformação;
São defeitos lineares. Existe uma linha separando a seção perfeita, da seção deformada do
material.
São responsáveis pelo comportamento mecânico dos materiais quando submetidos a
cisalhamento. Tensão de cisalhamento teórica: Exemplo: whiskers de carboneto de Si
com resistência superior a 40GPa.
São responsáveis pelo fato de que os metais sofram escoamento em níveis de tensão muito
menores do que a tensão teórica.

Existem dois tipos fundamentais de discordâncias:


• Discordância em linha (edge dislocation)
• Discordância em hélice (screw dislocation)
Discordâncias
Os átomos são deslocados perpendicularmente à linha de discordância

Discordância
em linha

(a) Discordância em cunha positiva em uma rede cristalina. Aparece um defeito linear na região
imediatamente acima do “tê” invertido, ⊥, onde um semiplano atômico foi introduzido.
Campo de deformação ao redor da discordância

(a) Discordância em cunha


Os átomos acima da linha da discordância são pressionados uns contra os outros
– compressão;
Enquanto que os átomos abaixo da linha da discordância são puxados uns para
longe dos outros – tração

(a) Discordância em hélice


Discordância em Hélice

Discordância

Neste caso o vetor de Burgers é


paralelo a discordância.

Vetor de Burgers, b Uma boa analogia para o efeito


deste tipo de discordância é
“rasgar a lista telefônica”
Discordância mista

Linha da discordância

O vetor de Burgers mantém uma direção fixa no espaço.

Na extremidade inferior esquerda, onde a discordância é


pura hélice, b é paralelo a discordância.

Na extremidade superior direita, onde a discordância é


pura linha, b é perpendicular a discordância.
Discordâncias e deformação mecânica
A tensão cisalhante crítica é o valor máximo, acima do qual o cristal
começa a cisalhar.
No entanto, os valores teóricos são muito maiores do que os valores
obtidos experimentalmente.
As discordâncias reduzem a tensão necessária para cisalhamento, ao
introduzir um processo sequencial, e não simultâneo, para o rompimento
das ligações atômicas no plano de deslizamento.
1 2 3
tensão cisalhante

tensão cisalhante

4 5 6
tensão cisalhante

tensão cisalhante
Discordâncias e def. mec. (cont.)

Linha:
mov. na direção
da tensão


O efeito final
 é o mesmo.
Direção do movimento


Hélice:
mov. normal a
direção da tensão.
Discordâncias e deformação plástica

A habilidade de um metal em ser deformado de maneira plástica


depende da habilidade das discordâncias em se moverem;

PLANO DE ESCORREGAMENTO – SISTEMA DE ESCORREGAMENTO.


As discordâncias não se movem com o mesmo grau de facilidade sobre
todos os planos cristalográficos e em todas as direções. Existe um plano
preferencial, e neste plano existem direções específicas para ocorrer o
movimento das discordâncias.

A restrição ou impedimento do movimento de discordâncias confere maior


dureza e mais resistência ao material; - mecanismo de aumento de
resistência em metais
Sistemas de deslizamento (cont.)

Número de
Estrutura Planos de Direções de Geometria da
Sistemas de Exemplos
Cristalina Deslizamento Deslizamento Célula Unitária
Deslizamento

{110} 6x2 = 12
CCC {211} <111> 12 -Fe, Mo, W
{321} 24

Al, Cu,
CFC {111} <110> 4x3 = 12
-Fe, Ni

{0001}
{1010} 3
Cd, Mg, -
HC {1011} <1120> 3
Ti, Zn
6
Sistemas de escorregamento
HC:
O plano basal (0001) é o único de grande densidade atômica, sendo os eixos diagonais <1120> as
direções compactas. Uma vez que existe apenas um plano basal por célula unitária e três
direções <1120> , a estrutura hc possui apenas 3 sistemas de deslizamento – apresentam baixa
ductilidade e fortemente dependente da orientação.
CFC:
Os planos {111} e as direções <110> formam os sistemas compactos. Existem 8 planos {111} na
célula unitária, no entanto os planos das faces opostas são paralelos entre si, o que acarreta a
existência de apensa quatro grupos de planos compactos. Cada plano contém 3 direções <110> ,
desta forma, a rede cfc possui 12 sistemas de deslizamento;

CCC:
Esta estrutura não é compacta como a CFC, ou HC, não apresentando plano de densidade atômica
predominante como a (111) da CFC e o (0001) na estrutura HC.
Os planos {110} apresentam maior densidade atômica na estrutura CCC, mas sem grande
superioridade em relação ao outros planos. No entanto, a direção <111> do CCC é tão compacta
quanto a direção <110> do CFC. Desta forma, nos metais CCC o deslizamento pode ocorrer nos
planos {110} {112} {123}, enquanto que a direção é sempre [111]. Desta forma, existem 48
sistemas de deslizamento possíveis, mas como os planos não são tão compactos quanto os da
estrutura CFC, são geralmente necessárias maiores tensões de cisalhamento para produzir
deslizamento.
Defeitos Planares
Interfaces
As imperfeições cristalinas podem se estender em duas dimensões, como nas
superfícies externas ou nos contornos de grão.
Superfícies externas:
Os átomos superficiais têm vizinhos de apenas um lado, portanto, têm energia mais alta
que os átomos internos. Se os átomos adicionais forem depositados na superfície,
deve haver desprendimento de energia, tal como na combinação de 2 átomos
individuais;
As ligações interatômicas destes átomos de superfície não está completadas e dão
origem a uma energia de superfície;
Para reduzir esta energia, os materiais tentam minimizar a área total da superfície, como
superfícies esféricas de gotículas de líquidos, o que não é possível em sólidos.
Defeitos Planares
Contorno de grão
Sólidos cristalinos geralmente consistem em um grande número de grãos separados por contornos.
Cada grão (ou subgrão) é uma monocristal, sendo portanto, uma região de transição entre
vizinhos;
O contorno de grão é uma interface que separa dois grãos ou cristais que possuem diferentes
orientações cristalográficas em materiais policristalino.
Dentro da região do controno (espessura do contorno) existem alguns desencontros atômicos na
transição da orientação cristalina de um grão para aquela de outro grão adjacente.
São possíveis vários graus de desalinhamento cristalográfico entre grão adjacentes.

Separa cristais que possuem diferentes


orientações cristalográficas
Fronteira de baixo ângulo
• São possíveis vários graus de desalinhamento
cristalográficos entre os grãos adjacentes. Quando
este desencontro é pequeno, da ordem de apenas
poucos graus, = contorno de grão de baixo ângulo
ou contorno de inclinação (tilt boundary)
• O mais simples contorno de grão consiste em um
arranjo de discordâncias em cunha entre os dois
grãos.
• A figura mostra alguns planos verticais terminados
no contorno e cada terminação é representada por
uma discordância em cunha. A desorientação no
contorno é relacionada ao espaçamento entre
discordâncias D, pela relação
𝑏
𝐷 = (𝑝𝑎𝑟𝑎 𝜃 𝑝𝑒𝑞𝑢𝑒𝑛𝑜)
𝜃
Onde b= vetor de Burgers

• O ângulo de rotação é pequeno (< 15º).


• O corntono de baixo ângulo tem tendência de se
combinar e formar contornos de maior
desorientação, pois a junção de duas interfacer de
baixo ângulo, formando um contorndo de alto
ângulo sempre resulta em decréscimo de energia.
Contornos de grão

Os átomos estão ligados de maneira menos regular e menos compacta ao longo de um contorno de grão – magnitude
da energia é função do grau de desorientação – maior para contornos de alto ângulo. Consequentemente, existe
uma energia interfacial, ou do contorno de grão, que é semelhante à energia de superfície. A magnitude desta
energia é uma função do grau de desorientação, sendo maior para contornos de alto ângulo.
Devido à sua energia mais alta e mais aberta (menos compacta), os cg são regiões quimicamente mais reativa. Além
disso, favoráveis `a nucleação e ao crescimento de precipitados – favorece também a difusão mais rápida por
esta região.
A energia interfacial
Os contorno de grão crescem quando se encontram a temperatura elevadas, a fim de reduzir a energia de contorno
total
Papel dos contornos de grão na deformação plástica

a) A temperaturas baixas (T<0,5Tf), os contornos de grão agem como obstáculos fortes ao


movimento das discordâncias. Discordâncias podem empilhar-se nos contornos de grão, dando
origem a concentrações de tensões que podem ser relaxadas pelo início do deslizamento
múltiplo cruzado;
b) Há uma exigência de compatibilidade entre grãos vizinhos durante a deformação de policristais,
isto é a deformação de cada grão deve ser acomodada por seus vizinhos, levando a altas taxas
de encruamento. Quanto menor o tamanho de grão, maior será a superfície total dos contornos
por unidade de volume – logo o volume total de material encruado aumento com o decréscimo
no tamanho de grão.
c) Os contornos de grão funcionam como sítios de fraqueza a temperaturas altas, pois pode
ocorrer deslizamento dos contornos de grão levando à fluência e abertura de vazios ao longo
dos contornos;
d) Contornos de grão podem agir como fontes e sumidouros para lacunas a temperaturas altas –
mecanismo de fluência de Nabarro-Herring (envolve o fluxo de lacunas dentro de um grão) –
para aumentar a resistência a fluência, deve-se aumentar o tamanho de grão;
Macla (twin)
É um tipo especial de contorno - simetria específica em espelho da rede cristalina;
Uma força de cisalhamento pode produzir, por deslocamentos atômicos tal que um dos
lados de um plano os átomos ficam localizados em posições de imagem em espelho
em relação aos átomos no outro lado do plano.

Plano de macla

Learning
Publishing / Thomson
(c) 2003 Brooks/Cole
(twin plane)

Formadas pela aplicação de


tensão mecânica ou em
tratamentos térmicos de
recozimento (annealing)
Contorno de Macla
Maclas de deformação:
• mais comum em CCC e HC, sob condições de rápida taxa de carregamento e baixas temperaturas;
• auxilia no processo de deformação quando o processo de escorregamento está restrito;
• muito importante pois reorienta alguns planos, de forma a colocar novos sistemas de escorregamento em
orientações favoráveis.

Maclas de recozimento:
• Principalmente em cfc. A presença de maclas de recozimento é uma boa indicação que o material tenha sido
deformado mecanicamente antes do recozimento, uma vez que há indicação que elas cresçam a partir de
núcleos introduzidos durante a deformação;
• Formadas em TT de recuperação, recristalização e crescimento de grão;
• Para alguns autores, deve ser incluída na contagem de tg;

Contornos de macla em estrutura de grãos de bronze (Cu-Sn).


Catalisadores e Defeitos de Superfície
Defeitos volumétricos

Normalmente introduzidos no processo de fabricação e podem causar grandes


influências nas propriedades dos materiais.
• Poros
• Trincas
• Inclusões
• Outras fases

Porosidade na solda
Referências Bibliográficas

1) Askeland, D. R.; Phule, P. P. Ciência e engenharia dos materiais. São


Paulo: CENGAGE, 2008;
2) Callister Jr., W. D. Fundamentos da ciência e engenharia de materiais. Rio
de Janeiro: LTC Editora, 2006;
3) Callister Jr., W. D. Ciência e engenharia de materiais. Rio de Janeiro: LTC
Editora, 2008;
4) Shackelford, J. E. Ciência dos materiais. São Paulo: Prentice Hall, 2008;
5) Smith, W. Hashemi, J. Fundamentos de Engenharia e Ciência dos
Materiais – MacGrawHill