Eletronica de Potencia Senai PDF

C
CURSO
DE
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
1
C
Capítulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES ....................................................................... 4
1. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO( SCR ) ........................................................... 4
1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ....................................................................................... 4
1.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................... 4
1.3 - CURVA CARACTERÍSTICA DO SCR ............................................................................ 7
1.4 - TIPOS DE SCR`s ................................................................................................................ 8
1.5 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM SCR....................................................... 8
1.6 - TESTE DE UM SCR ............................................................................................................ 9
1.7 - IDENTIFICAÇÃO E PARÂMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR .................. 9
2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO DE MÃO DUPLA “O TRIAC” ................. 11
2.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ..................................................................................... 11
2.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................. 11
2.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO TRIAC...................................................................... 12
2.3 - TRIAC`s COMERCIAIS ................................................................................................... 13
2.4 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC ................................................ 13
2.5 - TESTE DE UM TRIAC ...................................................................................................... 14
3. O TRANSISTOR UNIJUNÇÃO( UJT ) ...................................................................................... 14
3.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ..................................................................................... 14
3.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................. 14
3.3 – PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ............................................................................. 15
3.4 - PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA .............................................................. 15
3.4 – IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO UJT............................................................. 16
3.5 – TESTE DE UM UJT........................................................................................................... 16
4.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA ) ................................................................. 17
4.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS..................................................................................... 17
4.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................ 17
4.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIAC ........................................................................ 17
4.3 –IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM DIAC .................................................... 18
4.4 –TESTE DO DIAC ................................................................................................................ 18
4.5 – APLICAÇÕES PARA O DIAC......................................................................................... 18
5. O IGBT( TRANSISTOR BIPOLAR DE GATILHO ISOLADO ) .............................................. 19
5.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS..................................................................................... 19
5.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................ 19
5.3 - PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ............................................................................ 20
5.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO IGBT ........................................................................ 21
5.4 – IGBT´s COMERCIAIS ..................................................................................................... 21
5.5 –PINAGEM DO IGBT .......................................................................................................... 22
2
C
5.6 –VANTAGENS DO IGBT .................................................................................................... 22
Capítulo II – CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES ....................................................... 25
1 – INTRODUÇÃO .......................................................................................................................... 25
2 – DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CC NO GATILHO .............................................. 25
3 - DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CA NO GATILHO ............................................. 25
4 - CONTROLE DE FASE COM SCR........................................................................................... 26
5 - CONTROLE DE FASE COM TRIAC ...................................................................................... 29
6 – DISPARO POR REDE DEFASADORA ................................................................................... 32
7 – DISPARO POR PULSOS E COMPONENTES ASSOCIADOS .............................................. 34
8 – TRANSFORMADORES DE PULSO ........................................................................................ 34
9 – ACOPLADORES ÓPTICOS OU ISOLADORES ÓPTICOS ................................................... 35
10 – CIRCUITO DE DISPARO PULSADO COM UJT ................................................................. 38
11 – CIRCUITO DE DISPARO COM TCA-785 ............................................................................ 44
12 – OUTROS MÉTODOS DE DISPARO DO SCR ...................................................................... 49
Capítulo III - CIRCUITOS RETIFICADORES ............................................................................. 51
1.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEIA-ONDA ...................................... 53
2.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA ........................... 56
3.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM PONTE ..... 57
4.RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO MONOFÁSICO EM PONTE .................................... 59
5.RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE MEIA-ONDA ........................................... 64
6. RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM PONTE .......... 66
7. RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO TRIFÁSICO EM PONTE ........................................ 67
Capítulo IV ....................................................................................................................................... 68
CIRCUITOS CONVERSORES CC-CC E COMUTAÇÃO CC ...................................................... 68
1. CIRCUITOS CONVERSORES ................................................................................................... 68
2.CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO PARA SCR.............................................................................. 72
Capítulo V ......................................................................................................................................... 74
CONVERSÃO DE FREQUÊNCIA ................................................................................................. 74
1.INVERSORES ............................................................................................................................... 75
1.1– PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO .............................................................................. 75
1.2 - INVERSORES TRIFÁSICOS............................................................................................ 77
2. CICLOCONVERSORES.............................................................................................................. 80
2.1 -PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO .............................................................................. 81
2.2 - CICLOCONVERSOR TRIFÁSICO ................................................................................. 83
BIBLIOGRAFIA .............................................................................................................................. 83
3
C
Capítulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

1. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO( SCR )
1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS
 CONCEITO
É um dispositivo que se comporta como um diodo, porém solicita de uma
autorização para que haja condução.
1.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA
- Os diodos são formados por dois pedaços de material semicondutor

( P – N );
- Os transistores são formados por três blocos de material semicondutor

( P-N-P ou N-P-N );
- O SCR apresentam uma constituição interna com quatro camadas de

material semicondutor dispostos em “pilha”.
A ANODO
GATILHO
N
G P (b)
(a)
K CATODO
Fig. 1.1 – a) estrtura interna de um SCR

b) Símbolo do SCR
4
C
 EQUIVALÊNCIA COM DOIS TRANSISTORES
A
C
E P A +
B N
N
G P PNP
P B
N G
E
C
NPN
(a) K (b)
K -
Fig. 1.2 – a) Corte inclinado em um SCR

b) Modelo de um SCR com transistores
Efetuando-se um hipotético corte inclinado nas “pilhas” de materiais

semicondutores que forma o SCR, teremos, como mostra a configuração acima, duas
estruturas equivalentes a dois transistores bipolares: Um PNP e outro NPN.
Percebamos que tudo se passa como se a base do transistor PNP estivesse ligada ao
coletor do NPN. Esta observação é fundamental para entendermos o por quê do SCR
permanecer “ ligado” após a retirada do pulso em seu gatilho, explicado mais tarde.
+
+ + ANODO(A)
A +
P
DIRETA P
N
INVERSA N
P GATILHO
G
DIRETA G P
N
N
K
CATODO(K)
Fig. 1.3 – Equivalência com diodos
5
C
 CONDUÇÃO DE UM SCR
Observamos na figura 1.3 que mesmo quando o SCR é diretamente polarizado, ele
não é capaz de conduzir, mesmo com dois diodos diretamente polarizados, mas haverá uma
junção inversamente polarizada localizada no meio do super sanduíche, representada pelo
diodo do meio, que diodo “chato” não é? Logo não adianta apenas polarizar diretamente o
SCR, é preciso trabalharmos com um terceiro terminal, conectado ao terceiro bloco de
material, conforme mostra a figura 1.3 acima. Sem a atuação desse terminal, o SCR não
permite a passagem da corrente elétrica, pois a polarização dos seus diodos “internos” é “
conflitante” . Vejamos então o que acontece se aplicarmos uma polarização positiva ao
terminal G, como mostra a figura 1.4, logo a seguir.
Ao conectarmos o terminal G ao positivo, a junção inferior do “sanduíche” fica
polarizada no sentido de condução, permitindo a passagem de uma pequena corrente,
chamada de “ corrente de gatilho”, como mostra a seta tracejada menor. Esta corrente pode
adquirir níveis perigosos para o SCR, portanto usualmente é utilizada uma resistência de
gatilho para limitá-la, e assim manter a integridade do dispositivo, e não danificá-lo.
Ao surgir, contudo, essa pequena corrente, através da junção( A ), diretamente
polarizada, ocorre um interessante fenômeno, nas “ tripas” do SCR: Essa pequena corrente
como que “ arrasta” consigo os portadores de carga existentes na junção( B ), fazendo com
que a mesma se “ desinverta”, para efeitos práticos, e permitindo assim a livre passagem de
intensa corrente entre o anodo e o catodo. O SCR então entra no que chamamos de estado
de condução, e até quando?
O SCR mesmo ao retirarmos a conexão do gatilho, após o mesmo ter sido
polarizado, ele se mantém conduzindo, esta é uma característica muito importante do SCR,
e isto só é possível graças a sua configuração equivalente a dois transistores apresentada na
figura 2, vejamos: Suponha que polarizamos o SCR diretamente( terminal A positivo e
terminal K negativo ), assim que aplicarmos polarização positiva ao terminal G, a base do
transistor NPN receberá tal polarização, fazendo com que esse transistor entre em
condução. Ao entrar o transistor NPN em condução, a sua “resistência interna”, entre
emissor e coletor, baixa bastante, permitindo então que a polarização negativa atinja, com
facilidade, a base do transistor PNP. O transistor PNP, por sua vez, ao receber em sua base
essa polarização negativa, também entra em plena condução, “trazendo” polarização
positiva à base do transistor NPN, assim, todo o conjunto entra e permanece em condução,
podemos então resumir este círculo vicioso em uma pequena frase: “ Eu te ajudo, e você
me ajuda”... E Este processo de condução tem fim? ...
+
A Corrente intensa
P
RG
N
B
P
A
N
Corrente
pequena de K
gatilho -
Figura 1.4 – Circulação de corrente em um SCR 6
C
Claro que tem, existe algumas formas de se bloquear o processo de condução de
um SCR : Uma delas é desligar a fonte do circuito e outra é curto circuitar os terminais
do dispositivo, ou seja, o anodo com o catodo. Essas são algumas ações verificadas em
circuitos CC, outras também utilizadas são chamadas de comutação forçada, onde são
elaborados circuitos para que se faça a comutação do SCR no momento desejado. Em
circuitos CA há o que chamamos de comutação natural, pois o simples fato do sinal
alternado passar por zero, desliga o SCR.
1.3 - CURVA CARACTERÍSTICA DO SCR

IA
Imáx
IL
IH RL
VBO IA
VBO VCA
+
VAC V1
Característica de
Característica de bloqueio direto
bloqueio reversso
(b)
(a)
Figura 1.5 a)Curva característica do SCR

b)Circuito para obtenção da curva característica
 PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA
VBO - Tensão de Breakover.
IH - ( Holding current), corrente de retenção ou de manutenção:

A corrente de manutenção é o valor de corrente anódica abaixo do qual o
SCR irá entrar em estado de corte.
IL – (Latching current), corrente de engatamento ou disparo:

A corrente de disparo é o menor valor de corrente anódica que deve circular
no SCR, a fim de que possamos retirar o sinal do gatilho e o dispositivo permanecer
conduzindo.
7
C
1.4 - TIPOS DE SCR`s
Invólucros típicos de SCR´s de baixa potência
Tipos de Tiristores - disco
Tipos de Tiristores - rosca Módulo de Tiristores

Figura 1.6 - SCR´s comerciais
1.5 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM SCR
G – Gatilho
A – Anodo
K – Catodo
G
A
K
Figura 1.7 - SCR e seus terminais
8
C
1.6 - TESTE DE UM SCR
a) b) c)
K K K
A A A
G G G
K K do SCR
Figura 1.8 – Sequência de testes K
Notamos que na figura 1.8a o multímetro mostra que não há condução, mesmo com
polarização direta A(+) e K(-), isto acontece devido a autorização não ser solicitada através
do Gatilho(G).
Na figura 1.8b observa-se que o SCR permite a condução, pois curto-circuitando os
terminais A e G com a ponteira positiva do multímetro, um pulso positivo é dado no
gatilho, solicitando a autorização, logo verificamos uma diminuição na resistência indicada
pelo instrumento.
Na figura 1.8c, retomamos a ligação feita na figura 1.8a, porém a resistência se
mantém baixa devido a característica que o SCR apresenta de permanecer em condução
após o pulso de disparo, isto só é possível se sua corrente de manutenção for suficiente para
tal.
1.7 - IDENTIFICAÇÃO E PARÂMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR
Com a folha de dados técnicos de um SCR em mãos, é importante que saibamos o
significado de alguns parâmetros existentes na mesma para que possamos especificar o
nosso SCR, são eles:
 DADOS TÉCNICOS DE TENSÃO:

VRSM : Pico de tensão reversa não repetitivo(surto). Esta
VD capacidade é quotada para transientes com o tempo de duração
VDSM t  10ms.
VDRM
VRRM : Pico de tensão Reversa repetitivo. É o valor de pico dos
VDWM transientes que ocorrem em todos os ciclos.
VRWM: Tensão de crista de trabalho, no estado de corte, aplicada
no sentido inverso.
t VDSM : Tensão de pico não repetitivo(surto), no estado de corte,
VRWM aplicada no sentido direto.
VRRM VDRM : Tensão de pico repetitivo, no estado de corte, aplicada no
VRSM sentido direto.
VR VDWM : Tensão de crista de trabalho, no estado de corte,
Figura 1.9 - Sinal da rede com os transientes aplicada no sentido direto. 9
C
Obs: Quando o tiristor é operado diretamente na rede de energia elétrica, é recomendável
que se escolha um dispositivo cujas capacidades de tensão de pico repetitiva VRRM e VDRM
sejam pelo menos 1.5 vezes o valor de pico da tensão senoidal de alimentação, ou seja,
VDRM  VDWM.
 DADOS TÉCNICOS DE CORRENTE
ITAV : Valor médio da forma de onda ideal de corrente da rede durante um ciclo,
supondo a condução durante 180º
ITRMS : Corrente RMS(eficaz) no estado de condução.
ITRM : Corrente de pico repetitiva na condução.
ITSM : Corrente de pico não repetitiva(surto) na condução. Este tempo é
estabelecido para ½ ciclo do sinal da rede.
IH : Corrente de manutenção( Holding Current ). É o valor de corrente anódica
abaixo do qual o SCR corta.
IL : Corrente de engatamento( Latching Currente ). É o mínimo valor de corrente
anódica necessário para o engatamento do tiristor.
 DADOS TÉCNICOS GATILHO-CATODO
VGRM : Tensão reversa máxima de gatilho.

VGD : Tensão máxima aplicada ao gatilho que não provocará o chaveamento do
estado de bloqueio para o estado de condução.
IGTM : Máxima corrente de disparo de gatilho.
IGT : Mínima corrente de disparo de gatilho.
PGM : Máxima dissipação de potência no gatilho.
Obs: Uma folha de especificação consta em anexo no final deste material.
 CODIFICAÇÃO DA SÉRIE TIC
Devido a família dos tiristores da série TIC ser a mais comumente encontrada no
mercado, efetuaremos a identificação dos tiristores através dos códigos impressos
no corpo dos mesmos, como mostram os exemplos relacionados nos itens a seguir:
1 – Número 1(um) iniciando o número da série representa tiristor unidirecional

( SCR ) e o número 2(dois) iniciando o número de série representa tiristor
bidirecional.
Ex: TIC 106 Indica tiristor unidirecional TIC 206 Indica tiristor bidirecional
2 – A letra que segue o número da série representa a tensão VDRM( Tensão

máxima direta, com tiristor bloqueado).
Ex: TIC 106 - A 100V TIC 106 - B 200V
10
C
2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO DE MÃO DUPLA “O TRIAC”
a) CONCEITO:
É um dispositivo que permite a passagem de corrente em ambos os sentidos,
conhecido também como dispositivo bidirecional, já que o SCR é um dispositivo
unidirecional.

O TRIAC “por dentro” é equivalente a dois SCR`s ligados em paralelo, porém
“cada um olhando numa direção”... Os terminais de controle ( gatilhos ) são “juntados”
para que ambos os SCR`s possam ser autorizados através de um único contato esterno,
como pode ser visto na figura 1.10.
Percebemos então que a constituição interna de um TRIAC apresenta as mesmas
características de um SCR.
M1
A G K
K G A
G
SÍMBOLO
(a)
(b)
M2
Figura 1.10 – a) Simbololgia
b) Constituição interna
 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRIAC
O TRIAC funciona da seguinte maneira:
Normalmente o componente fica intercalado entre a carga e a rede de

alimentação CA e ao receber, pelo seu terminal de gatilho( G ) uma polarização positiva(
em relação ao terminal M2), “entra em condução plena”, permitindo a passagem da
corrente elétrica pela carga, nos dois sentidos, como mostram as setas. Para que a corrente
na carga permaneça, contudo, é necessário que a polarização positiva no gatilho também
seja constante, isso porque, da mesma forma que ocorre com o SCR, o TRIAC “desliga”
sempre que a tensão entre seus terminais M1 e M2 cair a “zero”( ainda que
momentaneamente).
11
C
2.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO TRIAC
Figura 1.11 – Curva característica do TRIAC
Como pode ser observado, o TRIAC pode conduzir nos dois sentidos de
polarização. E no que diz respeito aos parâmetros da curva, são equivalentes aos vistos
na curva do SCR.
Uma diferença importante entre o TRIAC e o SCR que podemos citar é que o SCR
requer uma tensão de gatilho positiva, enquanto o TRIAC irá responder tanto a uma
tensão de gatilho positiva quanto a uma negativa. Isto significa dizer que o seu disparo,
que pode ser em qualquer direção, pode ser reduzido fazendo-se o gatilho mais positivo
ou mais negativo, com relação ao M1, que é usado como terminal de referência.
Em suma, pode-se dizer que a curva característica do TRIAC mostra as
características de um SCR nas duas direções, e quanto aos parâmetros da curva, a
denominação e conceito são equivalntes aos definidos na curva característica do SCR.
 DESVANTAGENS DO TRIAC EM RELAÇÃO AO SCR

Embora o TRIAC tenha a capacidade de controlar a corrente nas duas direções e
responder a correntes e gatilho que fluam em qualquer destas direções, o dispositivo
apresenta certas desvantagens quando comparado ao SCR. Em geral, os TRIAC`s têm
valores de corrente menores que os do SCR e não competem com estes quando correntes
extremamente elevadas devem ser controladas.
A frequência máxima na qual o TRIAC pode operar, fica em torno de 300Hz, visto
que o mesmo opera nos dois semiciclos da rede.
12
C
2.3 - TRIAC`s COMERCIAIS
No comércio, através da consulta do data Book, encontramos TRIAC`s com valores
de ITRMS de até 300A e valores de VDRM de até 1.6kV. Por estes dados, podemos perceber
que 300A é pouco, frente ao SCR que possui valores de corrente acima de 3000A. Nas
figuras 1.12 e 1.13, respectivamente são mostrados alguns tipos de encapsulamentos
fabricados para o mercado e alguns TRIACS fabricados para potências mais altas. O
invólucro mais conhecido é o TO220(TO220AB) dos quais se utilizam as séries TIC”xxx”,
BTA12”AAA” e vários tantos outros triacs mais comuns.
T092 T0202-1 T0202-2 T0220AB T0P3 RD91
Figura 1.12 – Tipos de encapsulamento do TRIAC
Figura 1.13 – TRIAC’s para alta potência
2.4 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC
G – Gatilho
M1 – Anodo 1 ou Main Terminal 1
M2 – Anodo 2 ou Main Terminal 2
Obs: Main Terminal = Terminal principal
G
M2
M1 Figura 1.14 – Terminais do Triac
13
C
Alguns invólucros de TRIACS apresentam denominações diferentes com relação
aos terminais de ligação, a figura 1.15 mostra um conjunto desses invólucros.
Figura 1.15 – Invólucros com denominações de terminais ligeiramente diferentes
2.5 - TESTE DE UM TRIAC

Na prática, devemos encontrar duas resistências baixas no teste do TRIAC. Estas duas
resistências baixas são entre os terminais M1 e gatilho, nos dois sentidos de
polarização(algo em torno de 10 a 200ohms), pois estamos pegando a resistência da
pastilha P comum a estes dois terminais.
O terminal que sobrou, quando encontramos duas resistências baixas, é o M2, inclusive
o M2, na maioria dos casos, é a carcaça do TRIAC.
Para identificarmos quem é M1 e gatilho, devemos consultar o manual, pois através do
teste prático não podemos diferençar estes dois terminais.
3. O TRANSISTOR UNIJUNÇÃO( UJT )

 CONCEITO
É um transistor que comporta apenas de uma única junção.

Formado por dois blocos de material semicondutor, um do tipo P e outro do
tipo N, semelhante a um diodo. O material P, entretanto é de dimensões bem
reduzidas em relação ao material N, ficando como que Embutido no mesmo, como
mostra a figura 1.16.
BASE 2
B2
E
EMISSOR P
UJT
B1
N
Figura 1.16 – Constituição interna Figura 1.17 – Simbologia
BASE 1
14
C
3.3 – PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
De acordo com o diagrama estruturado( fig. 1.18 ) onde representa o transistor de
unijunção, caso o terminal B2 seja ligado ao positivo de uma fonte de Alimentação
E o terminal B1 ao negativo de tal fonte, uma corrente muito pequena circular
Através dos “resistores série”, RB2 e RB1. Isto ocorre devido os valores
ôhmicos desses resistores serem elevados( semicondutor). Porém B2
ao aplicarmos uma tensão positiva ao terminal E, estaremos
polarizando diretamente o diodo, dessa forma uma corrente I RB2
começará a circular no sentido indicado, como mostra a figura 3.2.
E
RB2 RB1
D1
DIODE B1
+ Q1
+ UJT
I RB1
- -
Figura 1.18 – Condução do UJT e diagrama estruturado
Assim que a tensão de entrada ultrapassar 0.6V, que é o limite mínimo, a

resistência interna da base( RB1 ) cai significativamente para um valor muito baixo,
fazendo com que a corrente que percorre B2 para B1, aumente sua intensidade. Caso o sinal
de tensão caia para valores abaixo de 0.6V, imediatamente a resistência interna RB1 “sobe
”, novamente para um valor elevado impedindo assim que haja circulação de corrente.
Figura 1.19 – Curva característica do UJT
3.4 - PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA
VP - Tensão de pico.
Esta tensão também é conhecida como tensão de disparo do UJT .
15
C
 - (Intrinsic Stand-off ratio) Relação intrínseca de corte.

RB1
É a relação e a faixa de  é de 0.51 a 0.82. Dado que RBB é a
RBB
resistência medida entre os terminais de base com o emissor aberto. O valor de RBB
está na faixa de 4K a 10K.
IP – Corrente de pico.
É a corrente de emissor mínima necessária para disparar o UJT. O valor de IP
está na faixa de 2A a 25A para os diversos UJT’s encontrados no mercado.
VV – Tensão de vale.
É o valor de tensão de emissor abaixo do qual ocorre o corte do UJT. Esta
tensão de encontra na faixa de 1V a 5V.
IV – Corrente de Vale.
É o valor máximo de corrente de emissor na região de resistência negativa.
A faixa de valores de IV Para UJT’s comerciais é de 1mA a 10mA.
3.4 – IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO UJT
B1 – Base 1
B2 – Base 2
E - Emissor
Figura 1.20 – Terminais do UJT
3.5 – TESTE DE UM UJT
Para que se verifique o estado de Um UJT, efetua-se as medições segundo a tabela

de teste resumida , como mostra a tabela 1.1.
RESISTÊNCIA
POLARIZAÇÃO
MEDIDA
B2+ B1- RBB
B2- B1+ RBB
E+ B1- RB1
E- B1+ 
E+ B2- RB2
E- B2+ 
Tabela 1.1 – Tabela teste do UJT
16
C
4.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA )

4.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS
 CONCEITO
É uma chave bidirecional disparada por tensão, muito utilizada nos circuitos
de disparo, onde a tensão no qual o DIAC é submetido ocorre normalmente entre
20V e 40V.
4.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA
O DIAC é construído, em grande parte, do mesmo modo que um transistor bipolar.

O dispositivo tem três camadas semicondutoras alternadamente dopadas, como se pode ver
na figura 1.21. Entretanto ele difere do transistor bipolar devido às concentrações de
dopagem em torno das duas junções serem iguais e aos terminais conectados unicamente
às camadas externas. Não há conexão elétrica na sua região intermediária. Uma vez que o
DIAC tem apenas dois terminais, ele é geralmente encapsulado em invólucros de metal ou
plástico com terminais axiais. Portanto, o dispositivo lembra em muito um diodo de junção
PN comum na aparência. Porém, ele é, algumas vezes, também encapsulado como um
transistor bipolar convencional, mas com apenas dois terminais.
T1
P
N
P
T2
Figura 1.21 – Estrutura interna do DIAC Figura 1.22 – Símbolos do DIAC
4.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIAC
Figura 1.23 – Curva característica do DIAC
Como pode ser observado, a curva característica do DIAC mostra que a condução
do mesmo se dá a partir do momento em que o nível de tensão ultrapassa VBO( tensão de
Breakover), em ambas as polaridades, caracterizando assim o DIAC como um componente
bilateral.
17
C
4.3 –IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM DIAC
T1 T1
Figura 1.24 – Curva característica do DIAC
4.4 –TESTE DO DIAC

Na prática, realizando o teste do DIAC com um multiteste na escala em ohms,
devemos encontrar duas resistências altas entre seus terminais e o resultado sendo positivo,
o dispositivo se encontra em perfeitas condições de uso, caso contrário, o DIAC não estará
em condições de uso.
Em perfeito estado, a resistência entre os terminais do DIAC sempre será alta, pois,
como mostra sua curva característica, apenas sua resistência diminuirá caso a tensão entre
seus terminais seja maior que VBO, e a tensão aplicada pelo multímetro não chagará a tanto.
4.5 – APLICAÇÕES PARA O DIAC

O DIAC é aplicado normalmente em circuitos de proteção contra sobretensão,
gerador de dente de serra e disparo de TRIAC. Algumas configurações de circuitos são
mostradas nas figuras 1.25 e 1.26.
(b)
(a)
Figura 1.25 – a) Circuito gerador de dente de serra

b) Forma de onda no capacitor
Figura 1.26 – Circuito de proteção contra sobretensão
18
C
5. O IGBT( TRANSISTOR BIPOLAR DE GATILHO ISOLADO )
5.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS
 CONCEITO
Formado por quatro camadas dispostas na sequência P-N-N-P, o IGBT não faz
parte da família dos tiristores, porém este é um componente “híbrido” por apresentar
características tanto dos transistores bipolares(alta velocidade de operação) quanto
dos transistores FET( pequena perda na condução).
5.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA
(Dreno)
(Fonte)
(a) (b)
Figura 1.27 – a) Estrutura interna do IGBT
b) Símbolos do IGBT
A estrutura de um IGBT é constituída em duas partes:

A Primeira envolve o canal–n, juntamente com camadas n- , p e dopadas com n+.
Este conjunto é chamado de MOSFET, devido o princípio de funcionamento interno se
igualar a este.
A região n- é denominada de Dreno (fictício) D’ do MOSFET, a camada da região p
abrange o Gate (G) e alcança a região n-dopada( n+ ) que é conectada a fonte S.
A Segunda envolve uma camada longa contendo uma dopagem p+ .Chamada de
Substrato, esta camada é responsável pela injeção de portadores minoritários e
parcialmente pela baixa tensão de trabalho e alta condutividade entre o Dreno( D ) e a
fonte ( S ) do IGBT, estando conectada ao Dreno( D ) do IGBT. e sob esta camada é
inserido uma outra contendo uma dopagem n ( n- ) e logo após esta encontramos uma
camada p, comentadas anteriormente na primeira parte. A formação desta Segunda parte
representa um transistor bipolar pnp, e opera como tal.
O Gate( G ) é isolado eletricamente das porções de dopagem das camadas por uma
camada muito fina de Dióxido de Silício ( SO2 ), este isolante é um tipo particular
denominado Dielétrico, que cria campos elétricos opostos.
19
C
5.3 - PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Figura 1.28 – Estrutura interna de um IGBT
FUNCIONAMENTO:
Ao se alimentar positivamente o terminal Gate, haverá a criação de um campo

Elétrico devido a existência do Dielétrico, este campo criado induzirá cargas positivas que
incidirão sobre a região p, onde se faz próximo e repelirá suas cargas positivas( + ),
criando lacunas, e dessa forma ocorrerá a atração de elétrons para esta região, elétrons
estes vindos das n+-dopadas, colaborando assim para a formação de um canal que
chamamos canal – n. Com a criação deste canal inicia o processo de condução de
corrente através do IGBT. Esta condução de corrente se dá entre o Dreno( D) e a
Fonte(S), e atravessa a região p, de onde se fez o canal.
Quando começa a circulação de corrente no IGBT ocorre um processo de
recombinação entre os elétrons da camada n- e lacunas que são criadas a partir da
camada p+(Substrato), pois os portadores da camada n- são elétrons e os da camada p
portadores positivos, e ainda devido a este fenômeno ocorre um processo de difusão
através da junção J2, pois os elétrons da Fonte (S) tendem também a se recombinarem com
as lacunas em questão. Logo podemos dividir a corrente total de um IGBT em duas
importantes componentes a saber:
- Uma delas se forma quando da formação do canal-n, Há uma circulação de
elétrons entre as regiões n- e n+ via este canal criado na região p. Isto provoca
uma criação de lacunas no substrato p, ocasionando como foi explicado antes,
uma recombinação entre p e n-, esta corrente apresenta um valor bastante
substancial para o IGBT.
- A outra está inclusa no processo de difusão através da juncão J2, descrita
anteriormente.
20
C
5.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO IGBT
Figura 1.29 a) Circuito típico com IGBT

b) Formas de onda dos sinais de entrada e saída do IGBT
c) Curva característica ideal do IGBT
d) Curva característica real do IGBT
5.4 – IGBT´s COMERCIAIS
IRG4BC30F
SKM 75 GAR 063 D
IRGPC50F
SK 13 GD 063
Figura 1.30 – Tipos comerciais de IGBT
21
C
5.5 –PINAGEM DO IGBT
1 – GATILHO
2 – COLETOR
3 - EMISSOR
3
2
1
Figura 1.31 – Terminais do IGBT
5.6 –VANTAGENS DO IGBT
O IGBT atinge limites de tensão e corrente consideravelmente mais elevados do que

dispositivos como o MOSFET que possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando,
tipicamente, entre: 100V/200A e 1000V/20A, enquanto os IGBT´S atingem até
1200V/500A. Tais limites especialmente para os IGBT´s têm se ampliado rapidamente em
função do intenso trabalho de desenvolvimento que tem sido realizado.
Os IGBT´s também apresentam baixas perdas na condução assim como podem
trabalhar em freqüências mais elevadas de até 20kHz, inferiores no caso para os
MOSFET´s que trabalham em freqüências maiores do que 50kHz.
22
C
EXERCÍCIOS DE APRENDIZAGEM
1) Conceitue um SCR?
2) O SCR TIC126D possui uma corrente de manutenção(IH) igual a 40mA. Em um certo

momento, encontra-se passando pelo mesmo uma corrente de 5A, e logo após, por um
motivo qualquer, ocorre uma brusca redução dessa corrente para 30mA. O que você diz
sobre o SCR. O mesmo manterá conduzindo a corrente ou entrará em corte? Explique
porquê.
2) Explique sucintamente, porque não é viável disparar o SCR aplicando sobre o mesmo
uma tensão de breakover com frequência.
4) Dado o TIC106D disposto no invólucro T0220AB, indique a correta pinagem do mesmo.
5) Identifique que defeitos apresentam os SCR´s abaixo, analisando as medidas de

resistência.
23
C
6) Por que motivo o TRIAC é chamado de dispositivo bidirecional?
7) Identifique a pinagem do TRIAC TIC216 a seguir:
............
............
............
8) Dado o transistor de unijunção abaixo, identifique seu defeito a partir das medições
realizadas.
9) De acordo com os testes realizados a seguir, realize o diagnóstico do DIAC
24
C
Capítulo II – CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES

1 – INTRODUÇÃO
O circuito de disparo de Tiristores representa uma das partes mais importantes nos
circuitos de controle. Um correto funcionamento do circuito de disparo, assegurará um bom
funcionamento do tiristor e com isto eficiência no controle a ser realizado.
Neste capítulo estudaremos os diversos tipos de circuitos de disparo dos tiristores,
estes circuitos acionados através de três tipos de fontes: Fonte de sinal CC, fonte de sinal
CA e fontes geradoras de pulsos, descrevendo algumas vantagens e desvantagens entre as
mesmas.
2 – DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CC NO GATILHO
 CIRCUITOS TÍPICOS
VCC VCC
RG RL RG RL
Figura 2.1 – Disparos de Tiristores com sinal CC.

(Circuitos Típicos )
Tendo em vista os circuitos da figura 2.1, é possível calcular o valor das constantes
RG e RL visando, respectivamente, manter o valor de corrente de gatilho abaixo de IG MAX
e acima de IGMIN, e controlar a corrente de anodo que passa pelo Tiristor.
Circuitos desta natureza, apresentam um inconveniente. A corrente no gatilho
permanece o tempo todo. Isto não é necessário, visto que a necessidade da corrente no
gatilho é só na hora do disparo, depois a mesma pode ser retirada. Caso contrário, estamos
dissipando energia no gatilho além do necessário, o que não é conveniente.
3 - DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CA NO GATILHO
O disparo em CA ocorre quando uma amostra deste sinal alcança um valor

suficiente para disparar o Tiristor. Variante com o tempo, o sinal AC alcança o valor de
disparo em um ângulo , chamado ângulo de disparo. Neste circuito não acarreta da
corrente se manter no gatilho, pois ao Tiristor ser disparado o circuito de gatilho é curto-
circuitado.(Ver figura 2.2 ).
25
C
 CIRCUITOS TÍPICOS
RL RL
R1 R1
Vrede
Vrede ~ P1 ~ P1
C1 C1
Figura 2.2 – Disparos de Tiristores com sinal CA.

(Circuitos Típicos )
4 - CONTROLE DE FASE COM SCR
Observe o circuito da figura 2.3 e o comportamento da tensão sobre a carga resistiva

RL = 100, mostrado na figura 2.4.
P1(200k) 100
Vrede ~ TIC 106B
1k
Figura 2.3 – Circuito de disparo com SCR

( Controle de fase )
O circuito da figura 2.3, como podemos observar, alimenta uma carga resistiva de
100 com uma tensão eficaz Vrede = 127V, através de um SCR TIC 106B, que apresenta
IGT = 200A e VGT = 0.6V. A idéia deste exemplo é mostrar que através da escolha de um
valor para o potenciômetro P1, tem–se disparos em instantes diferentes em relação ao sinal
alternado de entrada ( Vrede ) através do controle de fase, ou seja, controlar a tensão
fornecida à carga e, portanto a sua potência.
26
C
 FORMAS DE ONDA
 
 
 
Figura 2.4 – Comportamento das tensões na carga para os diversos

ângulos de disparo do SCR
As formas de ondas características da tensão nos terminais da carga, são mostrados nas
ilustrações acima, observe-se que há um valor médio diferente de zero aplicado a carga
quando a alimentação da mesma é controlado pelo SCR, e este valor médio pode ser
calculado como mostraremos em seguida. É verificado também que a fluxo de potência
aplicada a carga é controlado, podendo-se então fornecer mais ou menos potência. Mas do
que depende este controle de fluxo de potência para a carga?
Vejamos:
O valor médio calculado sobre uma carga quando a mesma recebe um sinal
27
C
retificado em meia onda controlado através de um ângulo de disparo, é calculado pela
expressão:
VP (1  COS )
Vmédio 
2
Enquanto o valor eficaz de tensão é dado por:
1  sen 2
Veficaz  VP  
4 4 8
Logo é possível então aplicarmos estas equações para calcularmos a tensão média e
eficaz aplicadas na carga de um circuito qualquer que se utilize de dispositivos como o
SCR para o controle de potência sobre a mesma. A potência então pode ser calculada pela
expressão que segue: 0
V 2 eficaz
Peficaz 
RL
Notamos que assim como a tensão eficaz varia segundo um ângulo, chamado ângulo
de disparo, varia a potência consumida pela carga, conclui-se então que o fluxo de potência
sobre a carga depende do ângulo em que o SCR é disparado.
A tabela abaixo mostra alguns valores de grandezas para os ângulos de disparos em
questão, verificados para o circuito da figura 2.3
Ângulo de Tensão na Tensão média Tensão eficaz na Potência consumida

disparo() rede( Vrede ) na carga( Vmedio ) carga( Veficaz ) pela carga( Peficaz )
2º 6.3V 57.1V 89.8V 80.64W
15º 46.5V 56.2V 89.6V 80.28W
30º 89.8V 53.3V 88.5V 78.32W
60º 155.5V 42.9V 80.5V 64.80W
90º 179.6V 28.6V 63.5V 40.32W
Você pode observar que o valor máximo da tensão de rede é obtido com um ângulo
de disparo de 90º, e isto nos leva a concluir que a partir deste ângulo não temos mais
controle de potência sobre a carga, “e agora José ? ” o que faremos.....
Fique tranqüilo caro leitor, logo adiante mostraremos circuitos de disparo que
permitem variar o ângulo  de 0º a 180º no semiciclo positivo assim como de 180º a 360º
no semiciclo negativo, caso estejamos trabalhando com circuitos para disparar o TRIAC.
No primeiro instante entenderemos o por quê deste limite de controle em torno de
90º, certo?
28
C
Observe a figura 2.5.
Figura 2.5 – Tensão de disparo

Verifica-se que o circuito se encontra projetado de tal forma que quando o sinal de
tensão da rede alcançar 89.8V, o SCR estará com uma corrente de gatilho necessária para
garantir seu disparo, que neste caso se dará em  = 30º. Analisaremos agora para o Caso
em que  = 150º, dado que Vrede  127 . 2. sen150 0 . Calculando-se o valor desta tensão
encontra-se Vrede = 89.8V. Opa! Mas esse valor não é o mesmo para  = 30º ? . Pois é caro
leitor, é dessa forma que concluímos a impossibilidade deste circuito atingir ângulos
maiores do que 90º, entendeu? A figura 2.6 ajuda a esclarecer este ponto.
Figura 2.6 – Tensão de disparo para  = 30º e  = 150º
5 - CONTROLE DE FASE COM TRIAC
Semelhante ao SCR, o TRIAC também pode ser utilizado para o controle de fase de
tensão alternada, levando em conta as mesmas considerações adotadas a respeito do limite
do ângulo de disparo do SCR. Um circuito típico de disparo de TRIAC é mostrado na
figura 5.1, bem como as formas de onda para os ângulos  = 2º,  = 15º,  = 30º,  = 60º,
 = 90º adotados para o circuito com SCR, mostradas na figura 2.7
29
C
100
R1 100
~ R2
0.1uF
Figura 2.7 –Circuito de controle de fase com TRIAC
 FORMAS DE ONDA
Figura 2.8 – Comportamento das tensões na carga para os diversos

ângulos de disparo do SCR
30
C
Observa-se nas formas de onda da figura 2.8 que o controle de fase no TRIAC,
diferente do controle em SCR’s, é feito nos semiciclos positivo e negativo.
Assim como os resultados do circuito com SCR, é possível calcular os valores de
Vmédio, Veficaz e a Peficaz utilizando circuitos com TRIAC’s através das relações matemáticas
mostradas a seguir:
Vmédio  0
1  sen 2 
V 2 eficaz
Veficaz  VP   Peficaz
2 2 4 RL
A partir dessas relações, obtemos assim uma tabela para os ângulos de disparo em
questão mostrados nos gráficos da figura 2.8
Ângulo de Tensão na Tensão média Tensão eficaz na Potência consumida

disparo() rede( Vrede ) na carga( Vmedio ) carga( Veficaz ) pela carga( Peficaz )
2º 6.3V 0 127V 161.29W
15º 46.5V 0 126.8V 160.78W
30º 89.8V 0 125.2V 156.75W
60º 155.5V 0 113.9V 129.73W
90º 179.6V 0 89.8V 80.64W
Observando com cuidado a tabela, podemos destacar duas grandezas que

apresentam valores curiosos em relação a tabela destinada ao SCR. Pois bem, uma delas é a
tensão média na carga( Vmedio ), que apresenta valor nulo para todos os ângulos de disparo,
você sabe o porquê?
Caso você preste atenção nas formas de onda apresentadas na figura 2.8, o ângulo
de disparo é igual nos dois semiciclos e como a forma de onda da tensão na carga é
simétrica, o seu valor médio é nulo.
A outra grandeza é a potência eficaz consumida pela carga. Verifica-se que a mesma
para o circuito com TRIAC’s apresenta valores maiores do que aquelas observadas para os
circuitos com SCR’s, e você sabe porque?
Para um ângulo de disparo de 2º é visto que na figura 2.8, mais senóide é aplicada a
carga, comparado ao observado na figura 2.6, e isto significa dizer que mais potência é
fornecida à carga. Dessa forma é fácil entendermos que uma mesma lâmpada acenderá com
mais intensidade quando ligada a um circuito com TRIAC, e menos intensidade quando
ligada a um circuito com SCR.
Vimos que até o momento, trabalhamos com circuitos de disparo que limitam o
ângulo em até 90º, no semiciclo positivo e 270º no semiciclo negativo, este controle de
potência portanto não é completo, ou seja, não se desenvolve de 0º a 180º e 180º a 360º,
variando a potência desde 0(zero) até o valor máximo, o controle desta natureza é estudado
no tópico seguinte, que trata sobre disparo por rede defasadora.
31
C
6 – DISPARO POR REDE DEFASADORA
A idéia destes circuitos é produzir um ângulo de disparo ’ maior que 90º em

relação à tensão da rede, na figura 2.9 representado por  + .
 = Ângulo de disparo normal

 = Atraso da rede defasadora
 = Defasagem no disparo
’ = Ângulo de disparo com rede
defasadora.
Figura 2.9 – Comportamento da tensão de disparo com rede

defasadora
A figura 2.9 mostra que a tensão de rede ao alcançar o valor de V, o disparo
acontece para um certo ângulo , deslocado o sinal de tensão no circuito de disparo de um
ângulo , verifica-se que o disparo se dará em um ângulo maior que o primeiro, ora, então
descobrimos a filosofia da solução do nosso problema, pois dessa forma podemos disparar
o tiristor sob ângulos maiores que 90º, não é mesmo? Identificamos então um circuito
típico capaz de gerar este sinal defasado, como mostra a figura 2.10
carga
R1
D2
Vrede SCR
R2
D1
C1
Figura 2.10 – Circuito típico de disparo com rede defasadora
O ângulo ( discutido anteriormente ) que representa a defasagem da tensão de

disparo, tomada sobre o capacitor, em relação a tensão da rede, depende do valor da
constante de tempo  = ( R1 + R2 )C1. Variando-se valor do resistor R2, é possível então
alterar o valor do ângulo de defasagem em questão, mudando assim o ângulo em que
ocorrerá o disparo do SCR.
O diodo D1 garante que só haverá corrente de gatilho no semiciclo positivo da
tensão da rede, evitando perdas desnecessárias no gatilho do SCR quando este estiver
bloqueado.
O diodo D2 conduz no semiciclo negativo carregando C1 com tensão negativa. Isso
garante que, em cada semiciclo positivo, o capacitor comece sempre a se carregar a partir
de uma tensão fixa, mantendo a regularidade do disparo.
32
C
1) Dado o circuito abaixo, responda por que não é viável sua utilização.
VCC
RG RL
2) Responda se o circuito de disparo em CA, como mostra a figura abaixo, apresenta vantagem sobre o
circuito de disparo CC, montado no exercício ( 1 ). Justifique sua resposta.
RL
R1
Vrede ~ P1
C1
3) Partindo do circuito mostrado na figura abaixo, explique sucintamente a idéia de como podemos disparar
em instantes diferentes o SCR, de acordo com o sinal alternado de entrada.
P1(200k) 100
Vrede ~ TIC 106B
1k
33
C
4) Qual a vantagem do controle do fluxo de potência efetuado com o TRIAC comparado com o SCR?
5) Responda se é possível controlarmos o valor médio de tensão na carga, utilizando-se um circuito com
TRIAC. Justifique sua resposta.
6) Explique a função dos diodos D1 e D2 no circuito abaixo.
carga
R1
D2
Vrede SCR
R2
D1
C1
7 – DISPARO POR PULSOS E COMPONENTES ASSOCIADOS
O disparo por pulsos é vantajoso em relação ao disparo CC no que diz respeito a

potência dissipada na junção gatilho - catodo além da possibilidade de obter isolação entre
os sinais de disparo e o dispositivo. Esta isolação, “Galvânica”, não permite a passagem de
corrente de um lado para outro do circuito, mantendo assim a integridade do dispositivo.
Esta isolação normalmente é feita através de “ Transformadores de pulso” e
“ Acopladores ópticos”, estudados mais adiante.
8 – TRANSFORMADORES DE PULSO
Especialmente projetados para a transmissão de pulsos de disparo aos SCR’s e

TRIAC’s, os transformadores de pulso devem apresentar como exigência um ótimo
acoplamento entre o primário e secundário além de possuir uma elevada isolação (
tipicamente da ordem de kV ), esta isolação é importante para evitar que tensões
desenvolvidas nos enrolamentos, em função da operação normal do conversor, possam
causar-lhes danos, e quanto ao acoplamento ser perfeito pode ser melhor entendido nas
ilustrações mostradas na figura 8.1.
Figura 2.11 – Espalhamento da corrente ao longo do disparo
34
C
Verifica-se portanto a medida que a corrente no gatilho é injetada transversalmente,
uma corrente Anodo – catodo vai encontrando uma maior facilidade na passagem ao longo
da seção do dispositivo, porém caso não haja conformidade nesta distribuição, devido a um
possível mau acoplamento, a corrente I se concentrará mais em uma única região
provocando um aquecimento( ponto quente ) podendo danificar o componente.
 TRANSFORMADORES DE PULSO COMERCIAIS
Figura 2.12 – Transformador de pulso
9 – ACOPLADORES ÓPTICOS OU ISOLADORES ÓPTICOS

Estes dispositivos surgiram na década de 70 e foram desenvolvidos com a finalidade
de isolar pulsos de disparo.
Os acopladores ópticos consistem em uma fonte de luz(fotoemissor) e um
fotosensor, que deve ter alta sensibilidade na faixa de frequência de luz emitida pelo
fotoemissor. O fotosensor pode ser um transistor ou até um SCR ou TRIAC, disparados
num mesmo invólucro, como ilustra a figura 2.13.
b)
a) c)
Figura 2.13 – a) Esquema interno de acoplador óptico

b) Acoplador óptico com fototransistor
c) Encapsulamento do componente
Um inconveniente em usar acopladores ópticos com transistor é a necessidade de

uma fonte adicional, para polarizar o circuito de coletor do transistor e fornecer a corrente
de gatilho ao SCR ou TRIAC.
Imagine, caro leitor, que você agora deseje disparar um tiristor utilizando-se de um
acoplador óptico com transistor, como mostra a figura 2.13, verifique que será necessário
uma fonte adicional para polarizar o circuito de coletor do transistor e assim fornecer a
corrente de gatilho para efetuar o devido disparo, isto não será inconveniente?
35
C
Claro que sim, pois haveria um circuito mais complexo para o disparo de seu
tiristor, pois bem, há uma solução interessante para este caso, que é o uso de acopladores
ópticos com tiristores, ilustrado na figura 2.14.
Figura 2.14 – Circuito integrado MOC3011
 TIPOS COMERCIAIS
MOC3020
MOC3021
MOC3022
MOC3023
Figura 2.15 – Circuito típico de disparo com o MOC3011
 CIRCUITO DE DISPARO COM FOTOTRIAC

CARGA
R3
MOC3011 F1
+V
R1 R2
D2 Q1
VCONTROLE
1/4 - 7400  Q2
“1”
Figura 2.16 – Circuito típico de disparo com o MOC3011
Observe na figura 2.16 que para que seja acionado o TRIAC Q1, o sistema digital
deve fornecer nível lógico “1” a entrada de controle da porta nand. Assim, o pino 2 do
MOC3011 vai para nível lógico “0” e o led D2 fica polarizado diretamente, disparando o
fotosensor Q2 e, como consequência, o TRIAC Q1.
36
C
Para podermos especificar um circuito integrado desta natureza é importante
estarmos atento a dois parâmetros: A tensão máxima reversa(VRRM) e a corrente máxima
direta(ID), suportadas pelo elemento fotosensor, no caso o TRIAC.
Uma breve análise do comportamento do circuito com o MOC3011 quanto ao uso
dentro de seus parâmetros máximos, é feito para que possamos ter a idéia da sequência de
cálculos para um bom dimensionamento do circuito de disparo.
A partir da figura 2.16 e dado as características do TRIAC Q1, assim como do
circuito integrado MOC3011 faremos a análise.
PARÂMETROS DO MOC3011
LED
PARÂMETROS DO TRIAC Q1 IA 10mA(min) 50mA(max)
VGT 2V VF 1.3V-10mA
IGT 100mA
TRIAC
VRRM,VDRM 250V(min)
VT 3V(max) – 100mA
I6 1.2A(max)
Tabela 2.1 – Parâmetros do TRIAC e do MOC 3011
Visto que a tabela 2.1 nos mostra os parâmetros do MOC3011, a corrente IA de

entrada do pino 1(anodo do led) deve ser inferior a 50mA,. Para não danificar o dispositivo,
e deve ser superior a 10mA, para garantir o disparo de Q2.
Desejamos então dispararmos o TRIAC Q2, tendo no pino 2 nível lógico “0”, a
corrente IA vale:
5  VF 5  1.3
IA    12.3mA
R1 300
Desta forma o MOC3011 está protegido e garante o disparo do TRIAC interno Q2.
Para garantirmos a proteção do TRIAC Q2, a partir da carga a ser acionado, é
necessário calcularmos o valor do resistor R1, inserido no pino 6, vejamos:
V 2 REDE (127) 2
RL    161.29
PL 100
Portanto, a corrente máxima no pino 6 será:
VREDE 127 2
I6    0.529 A
R2  RL 341.29
Isto garante que o TRIAC interno não será danificado, pois opera com corrente
menor que máxima permitida(I6 = 1.2A).
Garantidas então as condições normais de trabalho do MOC3011, é possível
determinar o que nível de tensão da rede, o TRIAC Q1 irá Disparar, dado que saibamos seus
parâmetros.
A partir da tabela 9.1, temos que IGT = 100mA e VGT =2V, considerando que VT
=3V (TRIAC Q2), obtemos então através do circuito em questão:
37
C
VREDE  VT (Q2 )  VGT (Q1 )

I GT 
R1  R2
VREDE  3  2
100 x10 3  , VREDE  39.13V
341.29
Isto significa que a tensão da rede ao atingir 39.13V, o TRIAC Q1 será disparado.
Você deve estar questionando o fato do controle de potência, não estar disponível
nesta tipologia de circuito, não é? Pois bem, é possível sim criarmos um controle de ângulo
de disparo nesta topologia de circuito, basta inserirmos no pino 6 um resistor variável(R V),
e logo teremos disparos para vários valores de tensão da rede. Porém temos que ter um
cuidado especial com o mínimo valor para esta resistência inserida no pino 6, pois poderá
haver um aumento de I6 superior ao suportado pelo TRIAC Q2.
Uma recomendação para evitarmos este tipo de problema, é inserirmos em série
com o resistor variável(RV) uma resistência que garante o valor limite quando este resistor
estiver próximo de zero(0), como ilustra o circuito da figura 2.17
100W
5V F1
1A
300 MOC3011
180
R2 R1
R3 VRede
D2 Q1
Vcontrole 1/4 - 7400  Q2
“1”
Figura 2.17 – Circuito de disparo com MOC 3011
10 – CIRCUITO DE DISPARO PULSADO COM UJT
OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM UJT
RB2
R1 RB1
B2
+ B2
VCC E R1
+ rb2
UJT VCC D1
DIODE
C1 B1 E
RB2
C1
rb1
B1
RB1
(a) a) Circuito típico de um oscilador com UJT
Figura 2.18 38
(b)
b) Oscilador de relaxação com circuito equivalente do UJT
C
 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Observe a figura 2.19, inicialmente ao aplicarmos uma tensão VCC, o capacitor se

carregará até que o diodo dom emissor comece a ficar polarizado diretamente. Quando a
tensão no capacitor atingir a tensão de disparo do UJT(Vp), O mesmo conduz, temos então
uma diminuição de r b1, permitindo então que o capacitor C1 se descarrega sobre (RB1 + rb1).
Esta descarga se dará até que o UJT entre novamente no estado de corte.
R1 D2
DIODE
+ E
VCC1
rb1
C1
B1
RB1
Figura 2.19 – Circuito equivalente ao oscilador de relaxação após o corte do UJT
Este ciclo se repete segundo constantes de tempo, de carga e descarga, formando

assim um circuito oscilador.
E o que são constantes de tempo? Vejamos,
Por definição, uma constante de tempo é o tempo necessário para que o capacitor se
carregue( ou descarregue) em até 63% do valor de tensão de entrada no circuito, e é dada
pela expressão  = RC.
No nosso caso temos duas diferentes constantes de tempo a considerar, a de carga e
a de descarga, respectivamente representadas pelas expressões: carga = R1C1 e
descarga = (RB1 + R B1 ) C1, e o comportamento das mesmas então observados na figura 2.20.
VE
VP Tensão de disparo
VV Tensão de vale
VB1 t
VB1 Tensão no terminal
B1( usada para
disparar tiristores)
Tensão contínua em B1
VB2 t
VB2 Tensão no terminal B2
0 t1 t2 t
Figura 2.20 – Circuito equivalente ao oscilador de relaxação após o corte do UJT

39
C
Verifica-se que de 0 a t1, o capacitor se carrega através de R1, com constante de

tempo carga = R1C1. Em t1, o UJT dispara e entre t1 e t2, o capacitor se descarrega com uma
constante de tempo descarga = (rB1 + R B1 ) C1, de valor menor do que carga.
Aprendemos então como funciona o circuito de um oscilador de relaxação com
UJT, mas de que forma podemos nos servir do mesmo para disparar um SCR ou TRIAC?
Veja bem, caro leitor, observe que na figura 2.20, a forma de onda adquirida no
terminal de B1 representa pulsos de tensão e exatamente estes que são utilizados para
disparar os tiristores em questão. O circuito típico para o disparo de SCR´s ou TRIAC´s é
mostrado na figura 2.21.
carga
R2
R1
+
Vcc UJT
C1 SCR ~ Vrede
R3
Figura 2.21 – Circuito típico de disparo de SCR com UJT
 PROJETO DE UM OSCILOSDOR DE RELAXAÇÃO COM UJT

Para que um SCR seja disparado com sucesso através de um circuito como
mostrado na figura 2.21, é preciso especificarmos os parâmetros do mesmo.
É necessário então efetuarmos alguns cálculos baseando nas características
do UJT, assim como nas características do SCR que desejamos acionar, um
exemplo ilustrativo é do SCR que desejamos acionar, um exemplo ilustrativos é
mostrado a seguir, apresentando a você de que forma podemos obter os
parâmetros deste circuito oscilador.
Para o projeto em questão iremos considerar o circuito da figura 2.21, com o
UJT 2N2646 e o SCR TIC 106, onde algumas de suas características são
apresentadas a seguir:
UJT – 2N2646
 0.56(min) 0.75(max)
rbb 4.7k(min) 9.1k(max)
Ip 1A(tip) 5A(max)
Iv 4mA(min) 6mA(tip)
SCR – TIC106
VGD=0.2V VGT=1V
- CÁLCULO DOS PARÂMETROS R1, R2, R3 E C1

CÁLCULO DE R2:
40
C
Um valor prático de R2 é calculado em torno de 15% de rbb, verificado nas
características técnicas do dispositivo.
CÁLCULO DE R3:
Dado Vcc, calcula-se o valor de R3 através da relação:
0.6 x( R2  rbb (min))

R3 
Vcc
CÁLCULO DE R1:
O valor do cálculo do resistor do emissor(R1) deve ficar dentro do seguinte

limite:
Vcc  Vv Vcc  V p
 R1 
Iv Ip
A partir da seção 3.4 que trata dos parâmetros do UJT, temos que VV=2V, IV = 4mA
e IP = 4A escolhidos assim para efetuarmos o cálculo em questão. Porém Vp é encontrado
através da expressão: V p  VD  VBB
Vcc R2
onde VD = 0.6,  = 0.6 e VBB  Vcc   V3 e Sabendo que V3 < 0.6V,
R2  RBB  R3
consideraremos então V3 = 0.3V.
CÁLCULO DO CAPACITOR C1:

Para o cálculo do capacitor, devemos fixar uma faixa de frequência
de operação do circuito. O valor de C1 é então calculado pela expressão que
segue:
1
C1  , dado que são conhecidos os valores de R1, f e .
 1 
R1 f ln  
1 
Como exemplo, aplicamos então uma tensão de alimentação Vcc = 12V e
queremos que a saída do circuito oscile com uma frequência de 1kHZ. De posse então
desses dados de entrada e de acordo com a ferramenta de cálculo de cada parâmetro
obtemos então o valor dos mesmos mostrados no circuito da figura 2.22.
R2 = 1k, R3 = 220, R1 = 10k e C1 = 0.1F
carga
1k
R2
10k
R1 Figura 2.22 – Circuito típico de disparo
de SCR com UJT
+
Vcc UJT
C10.1F SCR ~ Vrede
220
R3
41
C
1)Cite uma vantagem do disparo por pulsos em relação ao disparo CC.
2) Qual a função do transformador de pulso em um circuito de disparo?
3) Cite algumas vantagens do uso de um acoplador óptico no disparo de um tiristor?
4)Dado o circuito abaixo, e consultando os dados técnicos necessários, dimensione o circuito com o objetivo
de protegermos o optoacoplador?
CARGA(RL=500)
R3
F1
+V
R1 R2 V = 110V
D2 Q1
VCONTROLE
1/4 - 7400  Q2
“1”
5V
5) Dado o circuito abaixo, explique de que forma é possível retardarmos o disparo do UJT.
R1 RB1
+ B2
VCC E
UJT
C1 B1
RB2
42
C
 OSCILADOR DE RELAXAÇÃO COM UJT SINCRONIZADO COM A REDE
No circuito de disparo visto anteriormente, há um pequeno problema: O ângulo de

disparo() é aleatório, pois o circuito gerador de pulsos fica oscilando independente do
sinal da rede. Quando isto
ocorre, os pulsos enviados podem “pegar” a senóide a cada ciclo, em momento diferente.
Como mostra a fig. 2.23 abaixo:
Figura 2.23 – Formas de ondas para o circuito de disparo

Com  aleatório
de disparo de SCR com
Para evitar o problema do ângulo  ficar aleatório, devemos sincronizar
funcionamentoUJT
do circuito de disparo com o sinal que alimenta o circuito de potência.
Um circuito típico de disparo sincronizado com a rede é mostrado na figura 10.7:
R
RB2
R1
Vrede ~ D1 UJT
C1
RB1
Figura 2.24 – Circuito sincronizado de disparo com UJT
Este circuito funciona da seguinte forma: No semiciclo negativo da tensão de rede,

o diodo zener funciona como um diodo normal, pois é polarizado diretamente como mostra
a figura 2.25:
R1
Vrede
~ D1
I
Figura 2.25 – Etapa de estabilização zener
43
C
Neste instante o oscilador estará
em curto e o UJT não irá disparar,
permitindo assim que não haja alguma
dissipação desnecessária no gatilho, já
que no semiciclo negativo o SCR não
deve conduzir, como de costume.
No semiciclo positivo, até que a
tensão de rede atinja a tensão VZ, o
diodo zener estará bloqueado. A partir
daí o diodo zener irá manter a tensão,
no circuito gerador de pulsos,
estabilizada no valor de VZ, isto
ocorrerá logo no início do semiciclo
positivo.
Uma vez alimentado, o circuito
oscilará normalmente e o primeiro
pulso(com ângulo  em relação à tensão
da rede) irá disparar o SCR. Figura 2.26 – Formas de ondas para o circuito de disparo
sincronizado com a rede.
Os demais pulsos são desnecessários, mas inevitáveis neste circuito e como os sinais
são repetitivos, ou seja, as condições de carga repetem-se em todos os semiciclos negativos,
o primeiro pulso ocorrerá sempre com o mesmo ângulo , como pode ser visto na figura
2.26.
11 – CIRCUITO DE DISPARO COM TCA-785

O TCA-785 é um circuito integrado desenvolvido para controlar o ângulo de
disparo de tiristores, continuamente de 0º a 180º.
Figura 2.27 – Circuto integrado TCA 785
O TCA-785 faz parte de um grupo de circuitos integrados de disparo. A finalidade

destes circuitos é a de facilitar o projeto de circuitos de disparo e torná-los mais compactos
e confiáveis.
Dentre suas excelentes características é possível destacar:
 Largo campo de aplicação devido à possibilidade de controle externo;
 Operação em circuitos trifásicos, utilizando-se 3(três) CI´s;
 Duas saídas com corrente de disparo( TCA-785 - 250mA), duas saídas adicionais
complementares;
44
C
 Duração de pulsos de disparo determinado por um capacitor externo;
 Detecção de passagem de tensão por zero volt;
 Possibilidade de inibição dos pulsos de disparo;
 Faixa de fonte de alimentação de 8V a 18V;
 Consumo interno de corrente até 10mA.
 DIAGRAMA DE BLOCOS DO TCA-785
Figura 2.28 – Diagrama de blocos do TCA 785

Para melhor entendermos o funcionamento deste circuito, analisaremos suas principais
etapas.
 DETETOR DE PASSAGEM POR ZERO

Vimos a importância do circuito de disparo estar em sincronismo com a rede, para que
não ocorra disparos aleatórios dos tiristores. TCA-785 apresenta um bloco chamado
DPZ(Detector de Passagem por Zero) que gera um pulso de sincronismo toda vez que a
tensão da rede passa por zero. A entrada para a tensão de referência de sincronismo é no
pino 5, como mostra a figura 2.28.
b)
a)
Figura 2.29 – a)Detalhe parcial do TCA 785

b) Conexão de referência
45
C
Quanto a tensão de alimentação VS(pino 16) pode variar dentro do intervalo
8V VS 18V, pois a alimentação interna do TCA-785 é regulada em 3.1V pelo
próprio CI, de uma tensão de alimentação externa(VS), como pode ser observada na figura
2.29.
 GERADOR DE RAMPA
O gerador de rampa(cujo controle está na unidade lógica) consiste essencialmente de
uma fonte controlada por uma resistência RR. O tempo de subida da rampa é assim
determinado pela combinação RR e CR, como pode ser observado na figura 2.30.
A tensão fornecida pelo gerador de rampa varia linearmente com o tempo(reta), ou
seja, a tensão dobra se o intervalo de tempo dobrar. Em outras palavras, a tensão cresce
proporcionalmente ao aumento do tempo, como se vê, por exemplo, na figura 2.30.
Figura 2.30 – Saída de um gerador de rampa
A equação então que rege este comportamento da tensão de rampa(VCR), no

capacitor(cr) é dada por:
I CR
VCR  xt
CR
Verifica-se então que a equação impõe restrições quanto ao valor de CR, logo para o
correto funcionamento do circuito, devem ser considerados os valores mínimos e máximos
adotados na prática 500pF e 1F, respectivamente. Um valor elevado de CR tornaria a
descarga do mesmo muito lenta, comprometendo o novo ciclo de carga e,
consequentemente, o sincronismo do disparo.
46
C
 COMPARADOR DE DISPARO DO TCA-785
A finalidade deste bloco é comparar a tensão de rampa(VR) com a tensão de
controle(VC), quando estas forem iguais, envia pulsos nas saídas, via unidade lógica.
Obtém-se, então, no pino 15, pulsos positivos no semiciclo positivo da tensão de
sincronismo e no pino 14, pulsos positivos no semiciclo negativo da tensão de sincronismo,
defasadas entre si de 180º.
Uma ilustração do bloco comparador, bem como as formas de onda do sinal de
controle e rampa são mostrados na figura 2.31
a) b)
Figura 2.31 – a)Comparador de disparo do TCA

b) Sinal aplicado ao bloco lógico de formação de pulsos
Observe na figura 2.31 que a mudança de estado na saída VO do bloco comparador

de disparo indicará ao bloco lógico de formação de pulsos, que um pulso de disparo deve
ser acoplado a uma de suas saídas, a duração destes pulsos é determinada pela conexão de
um capacitor externo C12, entre o pino 12 e o terra e amplitudes iguais a tensão de
alimentação do pino 16.
Na tabela 2.2 é apresentada uma relação de capacitores para o pino 12 com as
respectivas larguras de pulsos.
C12 Aberta 150pF 220pF 33pF 680pF 1000pF Curto

 = 620s/F 30s 93s 136s 205s 422s 620s 180º - 
Assim podemos monitorar a largura dos pulsos adquiridos nas saídas do bloco
lógico de formação dos pulsos.
A figura 2.32 ilustra as formas de onda dos sinais de interesse do TCA 785,
apresentando os pulsos adquiridos com larguras diferentes.
47
C
Figura 2.32 – Formação dos pulsos de disparo
Observa-se então com mais clareza que os pulsos são criados a partir de interseção
do sinal de controle(Vcontrole) com o sinal de rampa(VCR), e é fácil de percebermos em que
caso elevarmos ou abaixarmos o sinal de controle, o pulso irá se deslocar para frente ou
para trás, respectivamente. Verifica-se também o quanto a largura do pulso é alterada
quando alteramos o valor do capacitor C12, conectado ao pino 12, na verdade, no primeiro
momento o pino é deixado aberto e no segundo momento o mesmo é curto-circuitado.
48
C
12 – OUTROS MÉTODOS DE DISPARO DO SCR

Os métodos que estudamos até o momento são dedicados a sinais aplicados ao
gatilho do dispositivo, disparando-o sob uma tensão bem menor que sua tensão de
breakover.
Neste tópico analisaremos as possíveis formas de ocorrer o disparo do S R onde
alguns destes são indesejáveis e por tal motivo, proteções deverão ser utilizadas para evitar
disparos acidentais.
 DISPARO POR TENSÃO DE BREAKOVER(VBO)

Existe um valor de tensão anodo-catodo capaz de levar o SCR do estado de
corte para o estado de condução, sem aplicações de corrente de gatilho(ig=0),
conhecido como tensão de Breakover. Este processo de disparo, nem sempre
destrutivo, raramente é utilizado na prática, pelo fato de necessitarmos de valores
elevados de tensão capaz de fazer o SCR conduzir.
 DISPARO POR RUÍDO ( SINAIS DE INTERFERÊNCIA)

Esta forma de disparo é indesejável, pois um tiristor poderá conduzir a
qualquer momento, desde que o gatilho capte estes sinais de interferência. Este
tipo de disparo só ocorre para a linha de SCR´s mais sensíveis(ex.: TIC 106)
onde pequenos níveis de sinal no gatilho são suficientes para disparar o
componente.
Para evitarmos um disparo indesejável por ruído, deveremos utilizar um
resistor do SCR. Na figura 2.33 temos a localização do resistor que evita o
disparo do SCR por ruído e vale a pena ressaltar que em alguns casos(ex.: TIC
116, TIC 126) este resistor já vem colocado internamente no componente.
A
RG
K
Figura 2.33 – Disparo por ruído
 DISPARO POR VARIAÇÃO DE TENSÃO(dV/dt)

Toda junção PN reversamente polarizada, apresenta característica capacitiva.
Observe a figura 2.34
Figura 2.34 – Capacitância refletida na junção

J2
49
C
A partir do circuito da figura 2.34, observe que ao fecharmos a chave CH1, a
capacitância da junção J2 fará com que circule uma corrente de gatilho. Caso o valor da
corrente capacitiva seja suficiente para que haja o processo regenerativo, o SCR entra em
condução, é aplicado um disparo acidental podendo atém provocar sérios danos ao sistema,
como por exemplo um grave curto-circuito.
Muito bem, caro leitor, a questão é como reduzirmos este efeito, certo? Então
partimos do conhecimento que o capacitor possui a propriedade de se opor a variações de
tensão, visto que a tensão nos seus terminais cresce de forma gradativa.
Podemos reduzir o efeito da variação brusca de tensão no SCR, colocando um
circuito que amorteça esta variação. Este circuito é constituído de um ramo RC em paralelo
com os terminais anodo e catodo do SCR, que impedirá que a tensão entre anodo varie
bruscamente. Este circuito é conhecido como Snubber(amortecedor).
Figura 2.35 – Circuito SNUBBER
 DIS
PA
RO
POR AUMENTO DE TEMPERATURA
A medida que a temperatura é aumentada, diversos parâmetros do SCR variam tais
como, Ifuga, VBO e IH.
Notamos que o aumento de temperatura, facilita o disparo do SCR, uma vez que um
aumento da corrente de fuga, diminuição de VBO e uma diminuição IH, ou seja, as
alterações nestes parâmetros contribuem para uma maior facilidade de disparo do
componente.
 DISPARO POR LUZ

A incidência de luz em uma junção pode fazer surgir elétrons livres na mesma. A
medida que aumenta a incidência de luz, aumenta o número de elétrons livres. Para
ocorrer tal tipo de disparo, o componente deve apresentar uma janela que propicie a
entrada da luz. Na verdade, o componente disparado pela luz é o LASCR(SCR
ativado à luz). O papel do gatilho, neste componente, é possibilitar o controle da
intensidade de luz necessária para o disparo do mesmo.
50
C
1)Explique a função do diodo zener(D1) no circuito abaixo
2)Cite algumas vantagens do TCA 785

3) Explique o funcionamento do circuito detector de passagem por zero, mostrado abaixo
VCC
R1 R3
SAÍDA
C
60 Hz S1
R2
4)Na configuração do circuito mostrado abaixo, responda qual a função dos diodos D1 e D2?
5)Responda porque é importante mantermos o capacitor e o resistor de rampa fixos?
51
C
6)Responda em qual dos casos abaixo, há um capacitor de valor mais elevado conectado no pino 12 do TCA.
(A)
(B)
7)Explique o que você entende sobra tensão de BREAKOVER

8)Responda de que forma podemos minimizar os efeitos do disparo por ruído em SCR´s tipo TIC 106.
9)Responda de que forma podemos minimizar os efeitos do disparo no SCR causado por variação de tensão
ocorrida no momento de ligação de um sistema.
10)Explique de que forma um aumento de temperatura pode fazer com que um SCR dispare.
Capítulo III - CIRCUITOS RETIFICADORES

Neste capítulo trataremos dos circuitos retificadores controlados, também chamados
de conversores CA-CC, aplicados no fornecimento de uma tensão contínua, de valor médio
variável à carga.
Entre diversas aplicações de retificadores controlados, podemos destacar:
 Controle de velocidade de motores CC por tensão de armadura variável, nas indústrias
de aço e papel;
 Fontes de tensão CC variável para alimentação de inversores usados no controle de
motores de indução por variação de frequência;
 Controle de velocidade variável para ferramentas elétricas portáteis.
Entre os retificadores monofásicos e trifásicos estudados neste capítulo, temos:

1. Retificador controlado monofásico de meia-onda;
2. Retificador controlado monofásico de onda completa;
3. Retificador controlado monofásico de onda completa em ponte;
4. Retificador semi-controlado monofásico em ponte;
5. Retificador controlado trifásico de meia-onda;
6. Retificador controlado trifásico de onda completa em ponte;
7. Retificador semi-controlado trifásico em ponte.
52
C
1.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEIA-ONDA
1.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA
 CIRCUITO
CARGA
60 Hz
Figura 3.1 – a) Circuito retificador controlado de meia onda.
FORMAS DE ONDA
Figura 3.2 – a) Formas de onda para carga puramente resistiva

b)Formas de onda para carga indutiva
53
C
1.b) TENSÃO MÉDIA NA CARGA
 Carga puramente resistiva
Vmáx
VDC  (1  cos  )
2
 Carga indutiva
Vmáx
V DC  (cos   cos  ) , onde  =  + ’ e representa o ângulo
2
de corte do SCR, resultado do atraso da corrente na carga devido a ação da indutância na
carga, como observado na figura 2.2b.
1.c) CIRCUITO COM DIODO DE CIRCULAÇÃO
 Estrutura
60 Hz CARGA
Figura 3.3 – Retificador monofásico de meia onda a SCR com diodo de circulação
 Funcionamento
O circuito da figura 2.3 apresenta duas etapas de funcionamento distintas, conforme

mostra as figuras 2.4 a e 2.4b.
iL
L L
iL
60 Hz 60 Hz
R R
(a) (b)
Figura 3.4 – a) 1a etapa de funcionamento

b) 2a etapa de funcionamento
54
C
 FORMAS DE ONDA
(a) (b)
Figura 3.5 – a) Formas de onda para um ângulo de disparo  pequeno
b)Formas de onda para um ângulo de disparo  elevado
55
C
Observa-se na figura 2.5 que o valor de ’ = 0, ou seja, o valor médio da
tensão na carga, torna-se independente da carga. Desta forma, para uma dada carga
indutiva, o diodo de circulação provoca um aumento no valor médio da tensão na carga, em
relação à estrutura sem este diodo.
2.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA
 CIRCUITO
CARGA
60 Hz
Figura 3.6 – a) Circuito retificador controlado de onda completa.
 FORMAS DE ONDA
Figura 3.7 – Formas de onda do circuito retificador

controlado de onda completa.
56
C
Vmáx
V DC  (1  cos  )

 Carga indutiva
Vmáx
VDC  (cos   cos  ) , onde  =  + ’ .

3.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM

PONTE
 CIRCUITO
CARGA
60 Hz
Figura 3.8 – Circuito retificador controlado de onda completa em ponte.
57
C
 FORMAS DE ONDA
Figura 3.9 – Formas de onda do circuito retificador de onda completa em ponte.
58
C
Vmáx
V DC  (1  cos  )

 Carga indutiva
Vmáx
VDC  (cos   cos  ) , onde  =  + ’ .

Observa-se do ponto de vista funcional que como é necessário os pulsos de disparo
simultâneos dos SCR 3 e SCR 4 ou SCR 1 e SCR 2, é aconselhável que os pulsos
aplicados a estes SCR´s provenham de um mesmo circuito, portanto é importante que
tenham os transformadores de pulso com dois enrolamentos secundários.
Este circuito apresenta vantagens sobre o circuito anterior devido ao melhor
aproveitamento da tensão de saída do transformador, pois este aproveita todo o
enrolamento secundário, já que o outro só aproveita a metade.
Verifica-se também neste circuito que o comportamento da corrente de saída não é
senoidal, isto ocorre devido ao processo de chaveamento do SCR´s, fazendo com que a
mesma se torne contínua pulsante. Este fato evidencia um problema bastante discutido hoje
na escala industrial, que é a “injeção de harmônicos” na rede.
4.RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO MONOFÁSICO EM PONTE
 CIRCUITO
CARGA
60 Hz
Figura 3.10 – Circuito retificador semi - controlado em ponte.
59
C
 Funcionamento
O circuito da figura 2.11 apresenta quatro etapas de funcionamento distintas,

conforme mostra as figuras 3.11a, 3.11b,3.11c e 3.11d.
SCR1 SCR2 SCR1 SCR2

R R
60 Hz 60 Hz
D1 D2 L D1 D2 L
a) b)
SCR2 SCR1 SCR2

SCR1
R R
60 Hz 60 Hz
D1 L D1 D2 L
D2
c) d)
Figura 3.11 – Etapas do funcionamento da ponte mista com carga R-L :

a) 1a etapa -   wt  
b) 2a etapa -   wt   + 
c) 3a etapa -  +  wt  2 
d) 4a etapa - 0  wt  
60
C
 FORMAS DE ONDA
Figura 3.12 –Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa em

ponte, sem diodo de retorno
61
C
 Carga puramente resistiva e carga indutiva
Vmáx
V DC  (1  cos  )

O retificador semi-controlado, apresenta algumas vantagens e desvantagens com
relação ao controlado. Entre as vantagens, é possível citar a economia de componentes
diante da substituição de SCR´s por diodos semicondutores, e quanto as desvantagens é a
não possibilidade deste conversor ser utilizado na operação como inversor . Uma outra
desvantagem que ele apresenta, é uma maior distorção na corrente de saída devido aos
trechos em que a mesma se anula, como pode ser verificado na figura 2.12.
4.c) CIRCUITO COM DIODO DE CIRCULAÇÃO
 Estrutura
Figura 3.13 – Circuito retificador semi - controlado em ponte com diodo de circulação.
CARGA
60 Hz
 Funcionamento
O circuito da figura 2.14 apresenta a atuação do diodo de circulação no circuito em
questão.
SCR1 SCR3
DR CARGA
60 Hz
D4 D2
Figura 3.14 – Circuito retificador semi - controlado em ponte com diodo de circulação.
62
C
O diodo D4 ao ser diretamente polarizado em wt = , o mesmo aplica uma tensão
reversa em D2 que bloqueia . Dessa forma a corrente passa a circular por D4 e SCR1,
mantendo a tensão na carga nula. Perceba que na verdade ocupamos um SCR acionado,
atrasando seu estado de bloqueio. E o que este processo tem haver com o diodo de
circulação, também chamado de “diodo de retorno” ?
Ao inserirmos um diodo de retorno em paralelo com a carga, proporcionamos um
caminho preferencial, chegando a conduzir antes do diodo D4, permitindo assim que o
SCR1 reassumia sua condição de bloqueio antes do disparo de SCR3.
 Formas de onda
Figura 3.15 –Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa em ponte,
com diodo de retorno.
63
C
RETIFICADORES CONTROLADOS MONOFÁSICOS
1)Explique a principal função de um conversor CA-CC(Retificador controlado)

2)Cite algumas aplicações dos conversores CA-CC
3)Explique a função do diodo de retorno no circuito abaixo
60 Hz CARGA
4)Responda o que acontece com a tensão média sobre a carga quando o diodo de retorno é retirado do circuito
do iten (3)
CARGA
60 Hz
CARGA
60 Hz
5)Responda em qual dos circuitos abaixo, obtém-se maior valor de tensão média na carga.
6)Cite uma vantagem do circuito retificador de onda completa sobre os demais anteriores.
7)Cite uma desvantagem e uma vantagem do circuito retificador semicontrolado em ponte sobre o circuito
retificador controlado também em ponte
5.RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE MEIA-ONDA
CIRCUITO
VA SCR1
VB SCR2
VC SCR3 I0
carga
Figura 3.16 – Circuito retificador controlado trifásico de meia onda.
64
C
 FORMAS DE ONDA
Figura 3.17 –Formas de onda do circuito retificador trifásico controlado de meia onda.
 Carga indutiva
3 3Vmáx
VDC  cos 
2
Neste caso, para dimensionarmos os dispositivos semicondutores utilizamos a

relação que segue:
VDRMáx  3 2 vef
65
C
6. RETIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA EM
PONTE
 CIRCUITO
VA 1 3 5
VB
carga
VC
4 6 2
Figura 3.18 – Circuito retificador controlado trifásico de onda completa em ponte.
 FORMAS DE ONDA
Figura 3.19 –Formas de onda do circuito retificador trifásico controlado de onda completa
em ponte.
66
C
 Carga indutiva
3Vmáx
V DC  cos 

7. RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO TRIFÁSICO EM PONTE
 CIRCUITO
VA 1 3 5
VB
carga
VC
4 6 2
Figura 3.20 – Circuito retificador semi - controlado trifásico em ponte.
 FORMAS DE ONDA
Figura 3.21 –Formas de onda do circuito retificador trifásico semi-controlado.
67
C
 Carga indutiva
3Vmáx
V DC  (1  cos  )
2
Capítulo IV
CIRCUITOS CONVERSORES CC-CC E COMUTAÇÃO CC
1. CIRCUITOS CONVERSORES
Há diversas aplicações industriais que se utilizam de uma fonte de alimentação
contínua para obter tensão CC variável, como por exemplo na aplicação de veículos de
tração, acionados por motores CC. Para que estas aplicações sejam possíveis, é preciso
utilizar conversores CC chamados de conversores Chopper. O circuito destes conversores é
mostrado na figura abaixo.
CH
+
V DR carga
Figura 4.1 – Circuito básico chopper.
A idéia de funcionamento deste circuito está baseada na aplicação ou não de tensão

à carga, segundo o fechamento e abertura, respectivamente da chave CH. Porém a
continuidade de corrente através da carga é percebida através do diodo de retorno DR,
quando a chave CH mantém-se aberta.
Podemos assim resumir o comportamento da tensão na carga, através do gráfico
mostrado na figura 4.2
V0
t
tON
tOF
Figura 4.2 – Forma de onda na carga

68
C
A partir então deste gráfico, definimos então o valor médio da tensão na carga, que
é dado por:
V TON
VDC   V TON f
T
Através desta expressão, observamos que é possível variarmos o valor médio na
carga( VDC ) de três maneiras diferentes:
1. Variando TON e mantendo o T constante, também chamado controle por largura

de pulso ou MLP(Modulação por Largura de Pulso)
2. Mantendo TON ou TOF constante e variando T, ou seja, modulação em
frequência.
3. Variando TON e T.
1. Modulação por Largura de Pulso(MLP)

V0
V
tON t
T
V0
V
tON
T t
Figura 4.3 – Controle MLP
Neste controle e a partir da expressão da tensão média( vdc ), observa-se que

mantendo a frequência constante, basta aumentarmos ou diminuirmos a largura do
pulso para que tenhamos um aumento ou diminuição no nível médio de tensão na carga.
69
C
2. Modulação em freqüência
Nesta modulação, TON ou TOFF são mantidos constantes enquanto a frequência f é
variável, como ilustra a figura 4.4
V0
V
tOF t Figura 4.4 – Controle de modulação em

frequência
T
V0
t
tOF
Observa-se que o emprego desta modulação dificulta o projeto de filtros para aliviar
possíveis interferências devidas ao chaveamento, devido a variação de frequência
apresentada.
3. Variação de TON e T
V0
V
tON t
T
V0
V
tON
t
T
Figura 4.5 – Controle com tOF fixo
70
C
Este tipo de controle evidencia a variação da frequência f, o que implica como no
caso anterior, em dificuldade para projeto de filtros. A figura 4.5 ilustra este tipo de
controle.
Dentre estas técnicas, a técnica de modulação mais utilizada é a modulação por
largura de pulso devido a mesma apresentar vantagens sobre os outros nas quais foram
identificados problemas quanto a variação da frequência no que se diz respeito a
dificuldades do projeto de filtros.
Para o controle de tensão aplicada à carga, discutido anteriormente, o emprego de técnicas

tradicionais como por exemplo, a inserção de uma resistência variável entre a fonte e a
carga, como mostra o circuito da figura 3.6, era bastante utilizado, até que, com o advento
dos semicondutores, este modo de controle vem sendo substituído por chaves estáticas
( SCR ) para o caso de correntes elevadas, transistores ( para o caso de correntes baixas ).
RV
+
V
CARGA
Figura 4.6 – Obtenção da tensão CC desejada através da variação de uma
resistência.
O método tradicional ainda hoje utilizado e que implica na colocação de uma
resistência em série com a carga, torna-se insuficiente devido ao excedente de potência ser
dissipado na resistência sob forma de calor, o que acarreta em perdas de energia. Enquanto
nos circuitos chopper dotados de chave estática, observa-se uma maior eficiência, pois
quando a carga não consome energia(chave aberta) o circuito não está consumindo
também. A figura 4.6 ilustra um circuito chopper com um SCR como chave.
+
V DR carga
Figura 4.6 – Obtenção da tensão CC desejada através da variação de uma

resistência.
71
C
2.CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO PARA SCR
Quando se utiliza um SCR como chave em um circuito chopper é importante

lembrarmos que em tensão contínua, o SCR ao ser disparado é mantido conduzindo, ou
seja, o mesmo não bloqueia, já que a corrente não se anula. E agora, caro leitor? Como
desenvolvermos o controle deste circuito através desta chave estática?
Pois é, caro leitor, este tipo de circuito não apenas necessita de um circuito de
disparo pra o SCR, mas também um circuito que proporcione o seu bloqueio. Este circuito
então é chamado de circuito de comutação.
O processo de comutação se baseia em fazer com que a corrente de manutenção em
um SCR, torne-se menor que o mínimo solicitada pelo mesmo, bloqueando-o
Os métodos utilizados na comutação de um SCR são divididos em duas categorias:
1.Comutação Natural;
2.Comutação Forçada.
O processo de comutação natural é aquele que ocorre quando a alimentação da fonte

é CA, onde a corrente do tiristor passa naturalmente por zero e uma tensão reversa aparece
sobre o mesmo.
O processo de comutação forçada é um processo artificial que tende a fazer com que
a corrente direta do tiristor seja forçada através de um circuito dedicado, chamado circuito
de comutação.
CIRCUITOS DE COMUTAÇÃO
1. CIRCUITO DE COMUTAÇÃO FORÇADA POR CAPACITÂNCIA EM

PARALELO.
A figura 4.7 mostra o circuito de comutação deste tipo.
1.1– Circuito +V
RL R1
C1
SCRp SCRa
Figura 4.7 – Circuito de comutação forçada
72
C
1.2– Princípio de funcionamento
A figura 4.8 mostra a sequência de estados de funcionamento deste circuito.
+V +V +V
RL R1
RL R1 RL R1
C1
C1
C1
- + + -
SCRp SCRa
SCRp SCRa
SCRp SCRa
I II III
Figura 4.8 – Sequência de funcionamento do processo de comutação forçada: Estágios I,II
e III
Observa-se que no estágio II, o SCR( SCR principal ) é disparado, carregando o

capacitor C1 através do SCRP e de R1.
No estágio III, revela-se então o corte do SCRP, disparando o SCR auxiliar( RCSA ),
colocando-se então o capacitor C1 em paralelo com o SCRP, polarizando-o reversamente,
Levando então o componente ao corte.
Quando o SCRP é novamente disparado, retorna-se ao estágio II e o ciclo se repete.
A desvantagem deste circuito está no consumo de potência perdido no resistor R1,
enquanto o SCR principal( SCRP ).
2. CIRCUITO DE COMUTAÇÃO FORÇADA POR RESSONÃNCIA

AUXILIAR (REDE LC )
+V
2.1 – Circuito
RL
C1
L1
SCRp
SCRa D1
73
C
2.2 – Princípio de funcionamento
+V +V
+V
RL RL
RL
C1 C1
C1 + - - +
L1 L1
L1
SCRp SCRp SCRp

D1 SCRa D1 SCRa D1
SCRa
-I- - II - - III -
3.31 – Sequência de funcionamento do processo de comutação forçada: Estágios I,II

e III
Inicialmente, tem-se no estágio II o disparo do SCRA, e o capacitor C1 é carregado

através de RL e SCRA, levando o SCRA naturalmente ao bloqueio, devido a sua polarização
reversa. Em seguida o SCRP é disparado e o capacitor C1 fica praticamente em paralelo
com L1 e D1.
Enquanto o SCRP conduz, o capacitor C1 lança sua energia sobre o indutor L1, e
quando o mesmo é energizado lança sua energia de volta ao capacitor, só que nesta
condição a polaridade da tensão no capacitor torna-se oposta ao apresentada no estágio II,
tem-se então o estágio III.
No estágio III ocorre o bloqueio então do SCRP, pois o mesmo é polarizado
reversamente quando o SCRA é disparado, fecha-se então o ciclo. Observa-se também neste
estado que o capacitor, polarizado de forma como está, não troca energia com o indutor L1,
pois o diodo D1 é polarizado inversamente, impedindo tal feito, e assim uma oscilação
permanente entre o capacitor e o indutor.
Observa-se neste circuito que não haverá dissipação de potência, como no circuito
anterior, pois basta que seja disparado o SCRA para que o capacitor C1 fique em paralelo
com o SCRP, levando-o ao corte.
Capítulo V
CONVERSÃO DE FREQUÊNCIA
Neste capítulo será discutido o princípio de funcionamento de circuitos inversores
bem como citado algumas de suas aplicações. Também será abordado o funcionamento de
circuitos cicloconversores, bem como aplicações envolvendo o mesmo.
74
C
1.INVERSORES
V
+
S1 S3
RL
S2 S4
V-
Figura 5.1 – Circuito inversor monofásico
Os circuitos inversores fazem a conversão CC-CA, e são os grandes responsáveis

pela automação industrial, no que se diz respeito ao controle de velocidade das máquinas de
corrente alternada, promovendo a possibilidade de variação de frequência e amplitude da
corrente produzida.
Devido ao motivo de sua frequente utilização para variação de frequência, também
são denominadas de conversores estáticos de frequência, utilizados normalmente no
estágio intermediário CA/CC.
Dentre as aplicações deste circuito podemos citar as seguintes:
a) Controle de velocidade de motores de indução;
b) Transmissão de energia por CC;
c) Sistema de alimentação de emergência;
d) Tração elétrica.
1.1– PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

Utilizaremos uma ponte inversora monofásica para que o leitor possa entender
melhor a idéia de funcionamento de um circuito inversor, e mais tarde, a mesma será
aplicada aos circuitos inversores trifásicos.
Considere o inversor monofásico, como mostra a figura 4.1alimentando uma carga
RL. V
+ V
+
S1 S3 S1 S3
RL RL
S2 S4 S2 S4
-I- V - II -
V
- -
Figura 5.2 – Circuito inversor com corrente invertida na carga: Estágios I e II
75
C
O seu funcionamento se resume nos estágios I e II, como mostra a figura 4.2
Observando a figura 5.2, é fácil verificarmos que é possível alterarmos a
polaridade nos terminais da carga através do acionamento conveniente de chaves(S1, S2,S3 e
S4), dessa forma, o inversor alimentado através de um barramento CC, cuja tensão seja V,
obtém-se uma saída como mostra a figura 5.3
SCR1 SCR3
+ RL
V
SCR2 SCR4
Figura 5.3 – Forma de onda na saída do inversor
Verifica-se que a tensão contínua no barramento CC é transformada em uma

tensão alternada, cuja frequência é determinada pela frequência de chaveamento das
chaves e a amplitude da tensão na carga depende de tensão aplicada a entrada do
inversor.
Com o advento dos semicondutores, na verdade estas chaves são substituídas
por chaves estáticas(SCR e transistores) por exemplo, com obtenção dos mesmos
resultados.
Substituímos então as chaves mecânicas por SCR´s. é preciso que sejam
levados em conta o circuito de disparo e o circuito de corte destes
dispositivos(circuitos de comutação), a fim de que possamos sincronizar os disparos
para obtermos os resultados desejados. O circuito inversor monofásico com SCR´s é
mostrado na figura 5.4
VRL
-V
T
Figura 5.4 – Inversor com ponte de SCR´s
76
C
Para que este circuito funcione perfeitamente, é necessário um circuito de
disparo para acionar os SCR´s 1 e 4 e também um circuito de corte para realizar o
desligamento destes SCR´s quando for feito o disparo dos SDCR´s 2 e 3, pois caso
os SCR´s de um mesmo braço conduzirem, haverá um curto-circuito na fonte.
Os circuitos com transistores comuns apresentam uma vantagem sobre os
SCR´s em relação à sua facilidade de corte, pois ao se retirar o sinal aplicado à base,
o mesmo deixa de conduzir.
Hoje são utilizados os transistores bipolares de gatilho isolado( IGBT´s ) por
apresentarem características que se adaptam ao uso de frequências elevadas, assim
como correntes elevadas, solicitadas nos inversores de potência.
1.2 - INVERSORES TRIFÁSICOS

A figura 5.5 mostra a configuração do circuito inversor trifásico.
Figura 5.5– Inversor trifásico com ponte de SCR´s
Os dispositivos são numerados e disparados em uma ordem tal que passam a

produzir tensões numa sequência de fases positiva, VAB, VBC e VCA. Para o caso de
uma carga ligada em triângulo, são estas as tensões de interesse. A figura 5.6 mostra
o esquema de ligação da carga e a figura 5.7 as formas de onda assim nela aplicada.
+ SCR1 SCR3 SCR5

D1 D3 D5
+ SCR6 SCR2
SCR4 D4 D6 D2
77
C
Figura 5.6– Conexão em triângulo
Figura 5.7– Formas de onda da saída do inversor

trifásico em ponte.
Ligando-se uma carga em estrela, já contamos com as tensões fase-neutro

como as de menor interesse. A figura 5.8 mostra o esquema desta ligação assim
como o circuito equivalente após o disparo de uma das combinações das chaves e o
respectivo comportamento das tensões fase-neutro.
78
C
Figura 5.8– Conexão em estrela
Figura 5.9 - circuitos equivalentes
Figura 5.10– Formas

de onda das tensões
de fase na saída do
inversor trifásico
(a)
(b)
Figura 5.11– (a)Formas de onda de tensão de fase na saída do inversor trifásico

(b)Forma de onda da corrente de fase na saída do inversor trifásico
79
C
Entendido então o comportamento do inversor trifásico na alimentação de

cargas resistivas, a questão é, e no caso do inversor estar alimentando uma carga
indutiva?
Se a carga fosse indutiva, caro leitor, é sabido que haverá um atraso da
corrente em cada ramo do inversor, logo teríamos um comportamento mostrado na
figura 5.11.
SCR1
SCR2
60 Hz
RL
SCR3
SCR4
Observe que a corrente aplicada em uma das fases da carga, mostrada na

figura 5.11b é “quase” senoidal, pois apresenta distorção devido ao chaveamento.
2. CICLOCONVERSORES
Cicloconversor é um circuito capaz de converter um sinal CA de frequência

fixa em outro CA cuja frequência é variável. Um circuito típico de um
cicloconversor é mostrado na figura 5.12
Observa-se que este circuito é formado por uma associação de dois

grupos retificadores monofásicos de onda completa com derivação central.
Os tiristores 1 e 2 formam o primeiro grupo, chamado de grupo positivo do
cicloconversor, e os tiristores 3 e 4 formam o segundo grupo, chamado de grupo
negativo do cicloconversor.
SCR1
Figura 5.12 – Cicloconversor monofásico
SCR2
60 Hz
RL
SCR3
SCR4 80
C
2.1 -PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
Dado o sinal de saída do transformador VE, os tiristores 1 e 2 são disparados

durante um número inteiro de semiperíodo da tensão de alimentação VE e em
seguida, faz-se o mesmo com os tiristores 3 e 4, repetindo o ciclo. A figura 4.13
mostra o comportamento da forma da tensão na carga.
Figura 5.13 – Sinal de saída de um cicloconversor com metade da freqüência

do sinal de entrada
Observe que o resultado deste controle de disparos é a aplicação de dois
semiciclos positivos e dois semiciclos negativos a carga, aumenta o período do sinal
de tensão em duas vezes, o que implica em reduzir a frequência pela metade.
fE
fS 
2
A partir desta idéia de controle dos SCR´s, é possível reduzirmos a 1/3 e até
mais, a frequência da tensão VE. Basta dispararmos os SCR´s 1 e 2 em números de
ciclos positivos e 3 e 4 em números de ciclos negativos iguais a fração em que se
deseje dividir a frequência.
A figura 5.14 mostra o sinal de tensão VE reduzido a 1/3 e ou 1/5 de sua
frequência, segundo o disparo sincronizado dos SCR´s.
Figura 5.14 – Sinal de saída de um cicloconversor com 1/3 e 1/5 da frequência do sinal de
entrada
Verifica-se então que através deste processo é possível convertermos um
sinal CA de frequência fixa em um sinal CA de frequência variável. Este processo
realizado da forma como mostrado nas figuras 5.13 e 5.14, onde os SCR´s são
disparados em  = 0º, provocam um conteúdo harmônico elevado e indesejável na
tensão de saída. E assim para que seja evitado harmônicos de baixa ordem com
amplitude elevada, disparam-se os SCR´s com   0º e preferencialmente variável.
Esta variação do ângulo  é melhor aplicada tomando como referência o
valor de amplitude do sinal AC, ou seja, quanto maior a amplitude, menor o ângulo
, e quanto menor a amplitude, maior o ângulo , como mostra a figura 5.15
81
C
Figura 5.15 – Forma de onda na saída de um cicloconversor com  variável
Os cicloconversores trifásicos são bastantes utilizados no controle de

velocidade de motores de alta potência e baixa velocidade.
A figura 5.16 mostra a configuração de um circuito cicloconversor assim
como a conversão de uma forma de onda da tensão de saída para uma de frequência
3(três) vezes menor que a frequência de alimentação.
SCR1
SCR2
A
B SCR3
SCR4 CARGA
SCR5
SCR6
Figura 5.16 – Circuito cicloconversor trifásico
Figura 5.17 – Forma de onda de tensão na saída de um cicloconversor trifásico
82
C
3 – O INVERSOR DE FREQÜÊNCIA ( “TÓPICOS GERAIS”)
3.1 – O INVERSOR POR DENTRO REDE
Interface
Serial
RS 485
C
I
H
~-
-
0 – 10 Vcc
M
~
A P
Analógico D
- ~
DIN U
I/O Digital
~
M
3.2 – MANDAMENTOS DA INSTALAÇÃO DO INVERSOR
•Cuidado! Não inverter a saída trifásica com a entrada de rede trifásica

•Conecte o aterramento tanto ao inversor como ao motor
•O valor do aterramento nunca deve ser maior que 5 Ohms
•Deve-se evitar ao máximo misturar (em um mesmo eletroduto ou canaleta)
cabos de potência com cabos de comando e sempre que possível usar
cabos de comando blindado.
3.3 – DIMENSIONAMENTO DE UM INVERSOR
? COMO POSSO SABER: QUAL É O MODELO, TIPO, E POTÊNCIA

DO MEU INVERSOR PARA A MINHA APLICAÇÃO?
-POTÊNCIA DO INVERSOR
EXEMPLO: REDE ELÉTRICA = 380VCA

MOTOR = 1HP
APLICAÇÃO = EXAUSTOR INDUSTRIAL
83
C
CÁLCULOS:
Temos que o motor possui 1HP = 746W
Cos = 0,80(Fator de potência do inversor)
(CI = Corrente do Inversor)

amperes
Logo o inversor deverá Ter :

-Tensão de entrada : 380Vca
-Corrente Nominal: 2,5A
-TIPO DO INVERSOR
Escalar, pois trata-se de um exaustor.
Obs:
- Seria Vetorial em duas ocasiões: Extrema precisão de rotação,
torque elevado para rotação baixa ou zero(Guindastes, pontes rolantes, elevadores, etc...)
- TÉCNICAS DE CONTROLE
•Aplicações típicas do inversor com controle vetorial
Torque elevado com baixa rotação ou rotação zero
Controle preciso de velocidade
Torque regulável, como tração elétrica
•Aplicações típicas do inversor com controle escalar

Partidas suaves
Operação acima da velocidade nominal do motor
Operações com constantes reversões
84
C
BIBLIOGRAFIA
 Lander,Cyril W. Eletrônica industrial: Teoria e aplicações. São Paulo. McGraw-Hill, 1988;
 Almeida, J.L.A. Eletrônica industrial. São Paulo: Érica, 1991;
 Almeida, J.L.A. Eletrônica de potência. São Paulo: Érica, 1991;
 Almeida, J.L.A. Dispositivos semicondutores: Tiristores, controle de potência CC e CA. São Paulo.
Érica, 2001;
 Rashid, Muhammad H. Eletrônica de potência: Circuitos, dispositivos e aplicações. São Paulo.
Makron Books, 1999;
 Alves, Edna Andrade. Eletrônica industrial: Análise de dispositivos e suas aplicações. Bahia.
Empresa Gráfica da Bahia. 1996;
 Saites consultados:
o www.ir.com
o www.motorola.com
o www.dee.feis.unesp.br
o www.semikron.com.br
 Revista consultada:
o Saber eletrônica
85

Eletronica de Potencia Senai PDF

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Eletronica de Potencia Senai PDF

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

C

Capítulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS

1.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA

- Os diodos são formados por dois pedaços de material semicondutor

- Os transistores são formados por três blocos de material semicondutor

- O SCR apresentam uma constituição interna com quatro camadas de

Fig. 1.1 – a) estrtura interna de um SCR

Fig. 1.2 – a) Corte inclinado em um SCR

Efetuando-se um hipotético corte inclinado nas “pilhas” de materiais

Fig. 1.3 – Equivalência com diodos

1.3 - CURVA CARACTERÍSTICA DO SCR

Figura 1.5 a)Curva característica do SCR

 PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA

VBO - Tensão de Breakover.

IH - ( Holding current), corrente de retenção ou de manutenção:

IL – (Latching current), corrente de engatamento ou disparo:

Invólucros típicos de SCR´s de baixa potência

Tipos de Tiristores - disco

Tipos de Tiristores - rosca Módulo de Tiristores

1.5 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM SCR

Figura 1.7 - SCR e seus terminais

1.6 - TESTE DE UM SCR

 DADOS TÉCNICOS DE TENSÃO:

 DADOS TÉCNICOS DE CORRENTE

 DADOS TÉCNICOS GATILHO-CATODO

VGRM : Tensão reversa máxima de gatilho.

Obs: Uma folha de especificação consta em anexo no final deste material.

 CODIFICAÇÃO DA SÉRIE TIC

1 – Número 1(um) iniciando o número da série representa tiristor unidirecional

2 – A letra que segue o número da série representa a tensão VDRM( Tensão

Ex: TIC 106 - A 100V TIC 106 - B 200V

2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO DE MÃO DUPLA “O TRIAC”

2.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS

2.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA

 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRIAC

O TRIAC funciona da seguinte maneira:

Normalmente o componente fica intercalado entre a carga e a rede de

2.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO TRIAC

Figura 1.11 – Curva característica do TRIAC

 DESVANTAGENS DO TRIAC EM RELAÇÃO AO SCR

T092 T0202-1 T0202-2 T0220AB T0P3 RD91

Figura 1.12 – Tipos de encapsulamento do TRIAC

Figura 1.13 – TRIAC’s para alta potência

2.4 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC

M1 – Anodo 1 ou Main Terminal 1

M2 – Anodo 2 ou Main Terminal 2

Obs: Main Terminal = Terminal principal

Figura 1.15 – Invólucros com denominações de terminais ligeiramente diferentes

2.5 - TESTE DE UM TRIAC

3. O TRANSISTOR UNIJUNÇÃO( UJT )

3.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA

Figura 1.18 – Condução do UJT e diagrama estruturado

Assim que a tensão de entrada ultrapassar 0.6V, que é o limite mínimo, a

Figura 1.19 – Curva característica do UJT

3.4 - PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA

 - (Intrinsic Stand-off ratio) Relação intrínseca de corte.

3.4 – IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO UJT

Figura 1.20 – Terminais do UJT

3.5 – TESTE DE UM UJT

Para que se verifique o estado de Um UJT, efetua-se as medições segundo a tabela

4.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA )

4.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA