Energia

Banda de Condução Banda de Condução Banda de Condução

Nível de Fermi

Nível de Fermi

Nível de Fermi
Banda de Valência Banda de Valência Banda de Valência
(a) (b) (c)
Banda de Condução

Banda de Condução

Banda de Valência

Banda de Valência

Região de
Região P carga espacial
Região N
 Região de
exaustão

- - - - + + + +
+ + +
+ - + - +- - + + + +

+ - + - + - - + + + +
+ - + - + - - + + + +

P N
(a)

+
- x[µm]

(b)

x[µm]

(c)
P N P N

Ir If
- + + -

(a) ID (b)

Ruptura da junção

VD
Polarização reversa Polarização Direta

(c)
Energia

Banda de Condução Banda de Condução Banda de Condução

Nível de Fermi

Nível de Fermi

Nível de Fermi

Banda de Valência Banda de Valência Banda de Valência

(a) (b) (c)
Banda de Banda de
Condução Condução

Banda Banda
Nível de
Proibida Proibida
Fermi Efeito
Túnel
Estados Vazios
Estados Estados
Ocupados Ocupados

Banda de Banda de
Valência Valência

Região de Região de
P Exaustão N P Exaustão N
(a) (b)
Banda de Banda de
Condução Condução

Banda
Banda Proibida
Proibida EF
EF

EF EF

Banda de Banda de
Valência Valência

Região de Região de
P Exaustão N P Exaustão N
(a) (b)

Banda de Banda de
Condução Condução

EF
EF
Banda Banda
Proibida Proibida

EF EF

Banda de Banda de
Valência Valência

Região de Região de
P Exaustão N P Exaustão N
(c) (d)
 ID

Efeito Comportamento de uma

Túnel junção PN convencional

(2) (4)

(3)

VD

(1)
 ID

IP
Trecho de
resistência negativa

II

IV
VP VI VV VF VD

Simbologias
 ID

ID1

∆ID
ID

ID2

∆VD

VD1 VD VD2 VD
 LS

CP CJ rd

RS
 ZL=Z0

Carga

Z0

3
Terminação
casada Dispositivo
4 2 com
Z0 Z0
Resistência
Negativa

1 Circulador

Z0

Sinal a ser
Ei amplificado
 Capacitor de Resistores de
acoplamento polarização

R2
Para o Filtro de RF
circulador R1 Fonte de
alimentação
 ec(t)
i(t)

C L
ec(t)
t
R

(a) (b)
 Saída de
sinal

Sonda
Cavidade
Ressonante
Elemento de
sintonia
Polarização
+
Lb

Rb Cb

-
 Alimentação

Êmbolo

Diodo Gunn

Cavidade

(-) (+)

Cristal GaAs tipo N

(-) (+) i(t)

i(t)
T

t [s]
v [m/s]

2 105

1
2 3

105

0
0 3 4 5 Campo elétrico [kV/cm]
Banda com estados desocupados

Banda Proíbida

Banda de condução

Banda Proíbida

Banda de valência
E E
Ec

L x L x
(a) (d)
E E
Domínio de
Ec alto campo Ec

L x L x
(b) (e)
E i(t)
Ec

L x
(c) (f) t

I(A)

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1 V (v)
0 1 2 3 4 5 6 7
 Cac
Choke

100Ω
1pF 1nH
E
1Ω
 n+ p i p+

1µm 5µm a 20µm

|E|

x
 d
x

a b

Lâmina de cargas em movimento

(a)

Ie(A)

t
τ=d/v

(b)
VT

Tensão próxima a ruptura

(a)
t

i0

(b)
t
ie

(c)
t
τ
 P+ ν N+

(a)

- x

(b)
 LS LS

CP CJ CP

RS Rf

(a) (b)

R[Ω]

100

20

0 ID[mA]
0 2 4 6 8 10 12 14
 Polarização
de controle

Choque
de RF P-I-N

P-I-N
Bloqueio de Choque
corrente Choque de RF Polarização
ei Retorno de eo ei eo
contínua de RF
corrente de controle
contínua Bloqueio de
c.c.
(a) (b)
 λ/4 λ/4
D1

D2

Polarização Polarização
2 3
1
 Polarização Polarização

Entrada Entrada
1 2 1 2 1 2

Z0 Z0

Z0
Saída
Saída 4 3 4 3 4 3
Acoplador Acoplador Acoplador
Carga direcional de 3 dB Z0 direcional de 3 dB direcional de 3 dB

Polarização Polarização
(a) (b)
Polarização Polarização Polarização

Polarização

(a) (b)
 Polarização

Entrada Saída

Z0

Polarização

Sinal
Modulante

Entrada Saída
 30
Simbologia

25

20

Cj[pF]
15

10

0
0 10 20 30 40 50 60
Tensão reversa [V]

LS CJ

CP RS
 Cj(V)
C(0)

Vp(t)

Vo
Cjmax

(a)
C0

Cjmin

V
 i(t)

is(t)
C(t)
G L C0 v(t)
 ZL=Z0

Z0

3
Terminação
casada

Z0 4 2 Z0 R1

ωs ω1

Z0 ep

ωp
Emissor Coletor

p p

Base
 Material tipo P Material tipo P

Emissor
N Coletor
Índio Índio

Base
 B E B E B E

isolante
N P ++ N ++
N ++ Coletor B
(a) (b)
 C
RC
Cbp C3 C2 C1 αIe
Cep
B
LB Rbc R3 R2 R1
RE CE

Rec

LE

E
 Vcc Vcc

R2 R3

Choke Choke R2 R3
RF RF
C
B Q1
E Q2
C
Choke
E
RF
R4 C Cac
R1
R1
B

(a) (b)
 Lg
Fonte Dreno
N+ GaAs Gate
+
N AlGaAs
Heterojunção AlGaAs não dopado
com alta Wg
Dreno
mobilidade
GaAs não dopado
Fonte
Substrato Semi-isolador
Gate
(a) (b)

Dreno

Fonte

Gate

(c)
 C gd
G D
Lg Rg Rd Ld
Cgs Vg Cdc

gm Vg Rds C ds

Ri

LS

S
Id[mA]
Vgs=-0.5V
30

25

Vgs=-1.0V
20

P2
15 Linha de Carga

Vgs=-1.5V
10

P1 Vgs=-2.0V
5

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 Vds[Volts]
 VDD

RD

G D

Choke RS Cs
RF
 Onda incidente

ZS
Z0

Onda refletida
ZL
ZS
Z0=50Ω

ZL=100+j75 Ω
 d

d
 a1 b2

ZS b1 a2
Z0 Z0
Dispositivo com
duas portas
Onda refletida
ZL
 Vcc

R2 RC
Ibb+Ib Ic

Vc
Ib C
B Vce
Ibb Vbe Ve

R1 RE

Ie
 Vcc

R2 RD
ID

VD
VG IG=0A D
G VDS
IGG VS
VGS

R1 RS

ID
50 Ω jXs Ω

34,35-j61,34 Ω
jBp S
34,35+j61,34 Ω
 99-j525 Ω jXs Ω
Transistor

jBp S

50 Ω
99+j525 Ω
 Vcc

10kΩ 0,1uF 2kΩ

17,68nH
1uH
0,2pF
50Ω 6,7nH

0,1uF E 50Ω

1uH
500Ω
1,08pF 0,1uF
2kΩ
 50 Ω jXs Ω

Transistor
Gerador

jBp S
16,04-j7,02 Ω
 jXs Ω
Transistor

jBp S

50 Ω

79,42+j63,82 Ω
 Vcc

0,1uF 0,1uF 0,1uF

RB1 RC
1,46nH

2,37nH
1uH

0,6pF
50 Ω

1,26pF E 50Ω
1uH

RE 0,1uF

RB2
 3,06nH

35-j60 Ω 2,41nH
0,212pF
50+j50 Ω

0,445pF
 8,04nH

50 Ω
11,4pF
50 Ω
d d

(a) (b)
 Impedancia de um toco com terminação em curto
200

150

100

50

Zin[ Ω ]
0

-50

-100

-150

-200
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
d[m]

d
 Impedancia de um Toco em Aberto
200

150

100

50
j⋅Zin[ Ω ]

-50

-100

-150

-200
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
d[m]

j45
-j50