MOSFET

Primeiramente devemos entender como funciona um transistor MOSFET, para depois entendermos
o funcionamento do seu driver.
Os transistores de efeito de campo como também são chamados tem como principal característica
que os diferencia dos transistores bipolares a amplificação da tensão e não da corrente.
Basicamente existem dois tipos de MOSFET, o tipo N e o tipo P, eles funcionam da mesma forma,
porém com diferenças mínimas.
A Figura abaixo mostra um circuito simplificado de um MOSFET N e P.
No MOSFET tipo N o terminal GATE deve ter uma tensão maior que Vgth, isso se deve a tensão de
Threshold (Vth), após o GATE ultrapassar essa tensão, o MOSFET começa a conduzir.
Quanto maior a tensão no GATE mais corrente irá passar de DRENO para SOURCE. Pode se pensar
então que quanto maior a tensão no GATE menor a resistência entre Dreno e Source.
No MOSFET tipo P o funcionamento é praticamente igual, a principal diferença é que nesse caso a
tensão no GATE tem que ser Vgth menor que a tensão presente no Source.

Observe que ambos os tipos de Canais têm 3 terminais que são Dreno, Gate e Source.
O terminal Dreno tem a função de armazenar a carga que chega até o transistor.
O terminal Gate tem uma função de ‘chave’ é ele que vai definir se o MOSFET estará em
funcionamento ou não.
Já o Source tem a função de emitir todas as cargas do MOSFET.

FUNCIONAMENTO

O Mosfet nada mais é do que uma fonte de corrente controlada por tensão.
Controlamos a corrente de dreno através da tensão aplicada entre gate e source.
O MOSFET tem três regiões de operação, o corte, o triodo e a saturação. Na região de corte, a
tensão VGS é menor que a tensão Threshold (Vth). Nessa região o transistor não conduz e a corrente
que circula no dreno é 0.
Na região de triodo, o transistor funciona como um resistor variável, cuja resistência é bem baixa e
especificada como Rdson.
Na região de saturação, a corrente de dreno não varia absurdamente ao variar VGs. A região de
saturação normalmente é utilizada em circuitos amplificadores.
Portanto no tipo P a medida que eu diminuo a tensão no terminal GATE a resistência entre Dreno e
Source também diminui.
Repare que no, MOSFET diferente dos transistores NPN e PNP não depende de uma corrente, isso se
deve pelo fato do terminal GATE não estar em contato com Dreno e o Source, isso faz com que a
resistência entre eles seja infinita.
U
I=
R
Como mostra a formula a resistência é inversamente proporcional a corrente, como a resistência
entre GATE e DRENO/SOURCE tende ao infinito, essa corrente em GATE tende a 0.
Para sabermos a tensão na carga, ou tensão de saída precisamos jogar na fórmula:
V carga =V cc −V ds
A tensão Vcc é a tensão que vem da fonte, já a tensão Vds que é a tensão entre o dreno e o source
pode ser calculada utilizando a Lei de Ohm.
V ds =R ds . I ds
Essa Rds e Ids estão presentes no datasheet e no caso do IRFP4332 são 29 mOhms e 57 Amperes.
Na aplicação do circuito boost, desejamos que o mosfet opere como chave. Logo queremos que ele
conduza com a mínima resistência possível e não conduzir nada. Essas duas regiões são o corte e o
triodo.
Na figura abaixo, vemos que o mosfet não conduz até 4V. Isso se da porque seu VGth é entre 3 e 5V.

A figura abaixo mostra a fronteira entre triodo e saturação.

CI TC4427

O CI TC4427 é um driver do MOSFET que tem a função de controlar a tensão que chega até o GATE,
ativando ou não o funcionamento do transistor. A imagem abaixo mostra a pinagem desse CI.

E uma tabela com a função de cada pino:

Pino Nomes Descrição
s
1 NC Sem Conexão
2 IN A Entrada 1
3 GND Aterramento (0V)
4 IN B Entrada 2
5 OUT B Saída 2
6 VDD Tensão de Alimentação
7 OUT A Saída 1
8 NC Sem Conexão

Esse driver pode ser chamado de amplificador de Pulsos, pois tem a função de aumentar a tensão da
entrada para que possa acionar interruptores de potência.
Esses CIS são necessários pelo fato dos valores de tensão e correntes nas saídas dos circuitos de
comando (como o Arduino) serem muito baixos, necessitando de uma amplificação do sinal.
O valor máximo que as tensões de entrada podem ter são de 2.4V e esse sinal pode ser amplificado
até 18V.
Alem disso no datasheet, vemos que VGS Maximo são 30v. Isso significa que o mosfet suportará sua
máxima corrente quando VGs for 30v. Por isso quanto maior o VGs maior o canal e mais corrente
poderá passar entre o dreno e o source.
ESSE CI NO UAI

Como explicado anteriormente, esse driver tem a função de amplificar os sinais para que possam
trabalhar em sistemas de potência. No caso do UAI, os dois sinais que devem ser amplificados são o
sinal de PWM do circuito BOOST e o sinal de chute do robô.
A Tensão de alimentação do circuito do UAI é de 16.8V, portanto a tensão máxima de saída desse
driver é de 16.8V, que é enviado para os MOSFETS do Circuito Boost e da Força do Chute. Abaixo,
temos um esquemático do driver do MOSFET na placa do UAI com suas respectivas entradas e
saídas.

Segue abaixo a forma de onda da saída do driver do mosfet tc4427.

O CIRCUITO BOOST

O circuito boost nada mais é do que um conversor elevador de tensão. Segue abaixo o circuito
utilizado no robô.

No boost usado no robô, a freqüência utilizada é de 26000hz. O duty cicle suposto na simulação é de
86%.

FUNCIONAMENTO

Quando o mosfet está conduzindo, temos uma chave fechada, desse modo a tensão no indutor será
igual a VCC1.

Repare que o tempo de condução é de 86% do período, por isso na maior parte do ciclo temos o
indutor em 16.8 volts.
Para que o diodo entre em condução, a tensão em cima deste deve ser maior do que zero.
Isso acontece quando a tensão no indutor vai pra –INF. Tal comportamento se deve a equação que
descreve a tensão no indutor, quando se varia a corrente, de lLmax (quando o mosfet conduz) para
IL=0 (mosfet aberto), varia-se a corrente instantaneamente fazendo com que sua tensão vá para –
INF.

Corrente indutor -> vermelho corrente capacitor-> azul

Na pratica a tensão não vai a menos infinito e sim fique grampeada a VCC1-VO. Logo VCC1- VO é o
mínimo absoluto do gráfico de tensao no indutor.
Sabendo que a tensão media no período é zero e fazendo manipulações algébricas chegamos a uma
expressão que relaciona vCC1 com VO:

Seja D o duty cicle e E=VCC1

Logo, quanto maior o duty cicle maior será VO. Repare que a relação de entrada e saída
NÃO DEPENDE dos elementos passivos do circuito.
Repare no gráfico das correntes que quando o mosfet conduz, a corrente no capacitor é
zero e quando a corrente no capacitor é igual a do indutor, quando o mosfet está aberto.
Quando o mosfet está aberto, temos uma grande tensão no indutor e é através dessa
grande tensão no indutor que carregamos o capacitor.
O diodo serve para que o capacitor não descarregue.