M4 Apontamentos B1

Módulo 4
Licença para TMA Categoria B1
FUNDAMENTOS
DE ELETRÓNICA
Apresentações das sessões de formação

4.1. Díodos, Transístores e CI
4.2. PCI
4.3. Servomecanismos
Índice
4.1.1. Díodos semicondutores ......................................................................................................... 1

Dispositivos de estado sólido ...................................................................................................... 1
Díodos de Junção ........................................................................................................................ 4
Outros Díodos ........................................................................................................................... 21
4.1.2. Transístores ......................................................................................................................... 41
Transístor Bipolar de Junção - TBJ ........................................................................................... 41
Transístor FET........................................................................................................................... 50
4.1.3 Circuitos Integrados – CI ..................................................................................................... 55
Tipos de CI ................................................................................................................................ 55
Amplificadores Operacionais .................................................................................................... 62
4.2. Placas de Circuito Impresso ................................................................................................... 73
Construção de uma PCI ............................................................................................................. 75
Placas multicamada e flexíveis ................................................................................................. 78
Vantagem das PCI ..................................................................................................................... 80
Métodos de soldadura................................................................................................................ 80
Acabamento das PCI ................................................................................................................. 83
4.3 Servomecanismos .................................................................................................................... 85
Síncronos DC ............................................................................................................................ 85
Síncronos AC ............................................................................................................................ 87
Servomecanismos ...................................................................................................................... 98
Transdutores analógicos .......................................................................................................... 105
Resolver ................................................................................................................................... 110
Bibliografia.................................................................................................................................. 115
i
Módulo 4 – Fundamentos de Eletrónica
4.1.1. Díodos semicondutores

Dispositivos de estado sólido
Os dispositivos semicondutores atuais são dispositivos de estado sólido e para compreender o
funcionamento de um dispositivo de estado sólido deve-se analisar a composição e natureza dos
materiais semicondutores.
Um material semicondutor possui um nível de condutividade entre os extremos de um isolante e
um condutor e, mediante certas circunstâncias comporta-se como um condutor ou como um
isolador A sua resistividade diminui quando a temperatura aumenta, ou seja, possui um coeficiente
de temperatura negativo () O valor da resistência, para pequenas variações de temperatura é dado
por R = R0 × (1+  T).
Os elementos químicos mais utilizados na indústria de semicondutores são o Silício (Si) e o
Germânio (Ge). O átomo de Silício tem número atómico 14 e apresenta a seguinte distribuição
atómica: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2. O átomo de Germânio tem número atómico 32 e apresenta a seguinte
distribuição atómica: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2. A estrutura atómica dos dois elementos
apresenta 4 eletrões na última camada (semicondutores tetravalentes no estado puro), mas o Silício
é o mais usado atualmente por apresentar melhor operação numa gama variada de temperaturas.
Da teoria atómica: a energia dos eletrões está agrupada em bandas de energia (cada camada de
eletrões representa um nível de energia). Os eletrões transitam para uma camada mais elevada
quando recebem pacotes de energia: os quanta sob a forma de campo elétrico, calor, luz, etc.
Transitam para uma camada mais baixa quando perdem energia (luz ou calor). A banda de valência
corresponde aos níveis de energia onde se encontram os eletrões de valência no seu estado normal.
Na banda proibida não existem eletrões e representa o salto energético necessário para remover
eletrões da banda de valência para a banda de condução. A banda de valência é composta por uma
série de níveis de energia e é onde se encontram os eletrões de valência numa situação normal.
Um eletrão pode estar numa das duas bandas e o valor da energia a aplicar para essa mudança
caracteriza o tipo de material, conforme se ilustra na figura 1.1.
6 eV 1 eV
Fig. 1.1 – Bandas de energia dos materiais

Os materiais classificam-se de acordo com o valor da sua banda de energia proibida. Um condutor
não possui banda proibida, o que significa que com uma energia reduzida, os eletrões de valência
transitam da banda de valência para a banda de condução. Um semicondutor tem uma banda
proibida com 1 eV (1,6 x 10-19 J), ou seja, é necessário aplicar uma energia de 1 eV para ter eletrões
livres na banda de condução e num isolador é necessária uma grande energia (6 eV) para ter
eletrões livres na banda de condução.
Como cada átomo do semicondutor (silício ou germânio) possuí 4 eletrões de valência, os eletrões
são partilhados com os átomos adjacentes, isto é, dois átomos de silício partilham um eletrão,
M4.1.1 Díodos 1
criando uma ligação covalente. Um átomo partilhando os seus eletrões com 4 átomos adjacentes
cria 4 ligações covalentes e completa a sua camada de valência, criando uma estrutura estável,
onde é necessário um nível de energia elevado para quebrar estas ligações. A figura 1.2 mostra a
distribuição eletrónica e arranjo covalente dos átomos de silício.
Fig. 1.2 – Estrutura atómica do Silício

Nesta situação o silício é um bom isolador, pois não existem eletrões livres para assegurar a
circulação de corrente. Para o silício conduzir a corrente elétrica, deverá possuir algo que permita
a circulação de eletrões através da sua rede cristalina. Este processo é conseguido, introduzindo-
se impurezas na estrutura cristalina do silício, como por exemplo arsénio, antimónio ou fósforo
que irão criar um eletrão extra ou a ausência de um eletrão (criação de lacunas). O método para
criar esta condição designa-se dopagem e as impurezas usadas na dopagem são impurezas dadoras
ou impurezas aceitadoras.
Semicondutor tipo N
Do ponto de vista elétrico, um semicondutor puro é praticamente neutro e por isso isolador.
Dopando o silício com uma substância com 5 eletrões de valência, como por exemplo o arsénio
(As), a estrutura do silício terá átomos que ficarão com eletrões em excesso. Com eletrões livres a
condutividade através do silício aumenta. A figura 1.3 mostra a estrutura atómica do silício,
dopado com uma impureza dadora.
eletrão livre
Fig. 1.3 – Semicondutor tipo N

O material dopado desta forma designa-se material tipo N porque o silício é dopado com uma
substância pentavalente, ficando com um excesso de eletrões (eletrões livres). A substância
dopante é dadora (vai dar eletrões ao silício) e os elementos químicos pentavalentes mais usados
na dopagem do tipo N são o fósforo, o arsénio e o antimónio. O material dopado continua
eletricamente neutro porque para cada eletrão livre existirá um ião positivo ligado à estrutura
cristalina.
2 Díodos M4.1.1
Semicondutor tipo P
Dopando um cristal de silício com uma substância com 3 eletrões de valência, a estrutura do silício
terá átomos que ficarão com eletrões a menos, criando-se desta forma lacunas (ausência de
eletrões). A figura 1.4 mostra a estrutura atómica do silício, dopado com uma impureza recetora.
eletrão em falta ou lacuna
Fig. 1.4 – Semicondutor tipo P

Os eletrões dos átomos adjacentes tendem a mover-se e ocupar essas lacunas, mas criam novas
lacunas, que irão ser preenchidas por eletrões de átomos adjacentes. Este movimento aparente de
lacunas, contrário ao movimento real de eletrões, conforme se ilustra na figura 1.5, irá aumentar a
condutividade do material dopado.
movimento eletrões
movimento de lacunas
Fig. 1.5 – Movimento aparente de lacunas

Designa-se material tipo P porque o material é dopado com uma substância trivalente, ficando com
eletrões em falta. A substância dopante é recetora e vai aceitar eletrões do silício. Os elementos
químicos trivalentes mais usados são o gálio, o alumínio e o índio. O material dopado continua
eletricamente neutro porque para cada lacuna existirá um ião negativo ligado à estrutura cristalina.
Fluxo de corrente nos semicondutores

Tipo N
A aplicação de uma f.e.m. a um semicondutor tipo N originará um fluxo dos seus eletrões livres
em direção ao polo positivo da fonte. Os eletrões que abandonam o semicondutor em direção ao
terminal positivo são repostos pelos eletrões que vêm do terminal negativo. Existem duas correntes
no semicondutor: uma corrente predominante de cargas negativas, os eletrões, designados
portadores maioritários e uma corrente de fuga em sentido inverso, criada por portadores
minoritários, as lacunas. Esta corrente é originada pelo aumento da temperatura que gera alguns
pares eletrão-lacuna.
M4.1.1 Díodos 3
Tipo P
Com a aplicação de uma f.e.m. a um semicondutor tipo P a lacuna de um átomo será preenchida
por um eletrão de valência de um átomo adjacente, gerando um ião negativo preso à estrutura
cristalina e assim sucessivamente. Não existem eletrões livres, mas um movimento aparente de
lacunas, criando assim uma corrente predominante de cargas positivas, designados portadores
maioritários. Com o aumento da temperatura são gerados alguns pares eletrão-lacuna, que
originam uma corrente de fuga em sentido inverso, produzida pelos portadores minoritários, os
eletrões.
Semicondutor tipo N Semicondutor tipo P

Fig. 1.6 – Fluxo de corrente nos semicondutores
Em resumo, e como se ilustra na figura 1.6, num semicondutor do tipo N, os portadores
maioritários são os eletrões que produzem uma elevada corrente de condução (seta azul) e os
portadores minoritários produzem uma pequena corrente inversa ou corrente de fuga (seta
encarnada) devido ao movimento das lacunas no material. No semicondutor do tipo P os
portadores maioritários são as lacunas (seta azul) que produzem uma elevada corrente de
condução. Os portadores minoritários são os eletrões que produzem uma pequena corrente inversa
ou corrente de fuga (seta encarnada). A corrente dos portadores minoritários é da ordem dos µA.
Díodos de Junção
Um semicondutor feito de um único tipo de material não tem utilidade prática. Juntando no
processo construtivo um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N, verifica-se na fase de
junção que alguns eletrões livres do material N migram ou difundem-se para o material P e que
deste material migram algumas lacunas para o material N.
lacunas eletrões
Fig. 1.7 – Constituição de uma junção PN
Alguns dos eletrões livres recombinam-se com lacunas na região próxima à junção, produzindo
uma região de cargas positivas do lado N e negativas do lado P da junção.
Fig. 1.8 – Junção PN e barreira de potencial
4 Díodos M4.1.1
Esta região (campo eletrostático criado pelo movimento das cargas) denomina-se zona de depleção
ou barreira de potencial e representa-se por VB. Para o germânio VB = 0,3V e para o silício VB =
0,7V. Não é possível medir diretamente o valor de VB porque essa tensão existe apenas na região
próxima à junção e todo o componente é eletricamente neutro. A figura 8 ilustra uma junção PN e
a sua barreira de potencial, devida ao campo eletrostático criado pelos iões e a figura 1.9 ilustra,
de uma forma resumida, a formação da barreira de potencial após a junção de um material
semicondutor tipo P com um material semicondutor tipo N.
Fig. 1.9 – Formação da barreira de potencial na junção PN
Polarização direta da Junção PN

A polarização da junção PN consiste na aplicação exterior de uma tensão. Na polarização direta
da junção PN, o terminal negativo da fonte de alimentação é ligado ao material tipo N e o terminal
positivo da fonte é ligado material tipo P. Os eletrões do material N são repelidos pelo terminal
negativo da fonte, enquanto que as lacunas do material P são repelidas pelo terminal positivo.
A polarização da fonte faz com que ambas as cargas se desloquem para próximo da junção. Estas
cargas vão neutralizar alguns iões, provocando o estreitamento da barreira de potencial, originando
o aparecimento de eletrões livres na estrutura. Com a barreira de potencial mais estreita, os eletrões
atravessam o material P e regressam à fonte, fechando o circuito. Existe circulação de corrente.
Fig. 1.10 – Polarização direta da junção PN
M4.1.1 Díodos 5
Polarização inversa da Junção PN

Na polarização inversa da junção PN, o terminal positivo da fonte de alimentação é ligado ao
material tipo N e o terminal negativo da fonte é ligado ao material tipo P. Os eletrões, portadores
maioritários do material N, são atraídos pelo terminal positivo da fonte e as lacunas, portadores
maioritários do material P são atraídos pelo terminal negativo da fonte. Como os portadores
maioritários se afastam da junção vão surgir mais iões positivos no lado N e negativos no lado P.
Com o aumento da concentração de iões na junção, a barreira de potencial aumenta e este aumento
da barreira de potencial impede a circulação de eletrões (corrente) na junção. Há poucos eletrões
a entrar e a sair, existindo um pequeno fluxo de corrente, na ordem de µA, que se designa por
corrente de fuga. Esta corrente deve-se aos portadores minoritários.
Fig. 1.11 – Polarização inversa da junção PN
Díodo de junção PN
O díodo de junção PN é o dispositivo semicondutor mais simples, sendo constituído por uma
junção PN que permite a condução de corrente num sentido, mas não permite a circulação de
corrente no sentido inverso. Quando o díodo está à condução diz-se que está polarizado
diretamente, oferecendo uma pequena resistência à condução. Quando o díodo está ao corte, o
díodo está polarizado inversamente, oferece uma grande resistência à condução. O díodo é
identificado pelos símbolos, ilustrados na figura 1.12:
Fig. 1.12 – Símbolos do díodo de junção

O díodo possui 2 terminais: o ânodo e o cátodo. A seta do díodo indica o sentido convencional da
corrente (a fluir do ânodo para o cátodo no interior da junção). Fisicamente, o terminal do díodo
correspondente ao cátodo é identificado por uma barra. Por vezes, e em especial nos díodos de
potência que são de maior dimensão, é impresso o símbolo do díodo entre os terminais, de modo
a dar a identificação do ânodo e do cátodo.
A classificação dos díodos não está padronizada, existindo vários sistemas para os catalogar. O
sistema americano usa o prefixo “1N” seguido de um número de série (por exemplo, díodo
1N4001). O sistema europeu usa duas letras e um número de série. A primeira letra identifica o
material semicondutor usado na produção do díodo (A - Ge, B - Si), a segunda letra o tipo de díodo
(exemplos: A – sinal, Y – retificador, Z – Zener). Por exemplo, o díodo BY299 corresponde a um
díodo retificador de silício. O sistema japonês é similar ao norte-americano, usando o prefixo “1S”
seguido de um número de série.
Os díodos apresentam diversas formas e tamanhos, tendo em conta a sua função e a sua potência.
A figura 1.13 ilustra alguns exemplos de diversos tipos de encapsulamento de díodos usados
atualmente.
6 Díodos M4.1.1
Díodos de baixa potência

Díodos de potência
Axial
SMD
Fig. 1.13 – Tipos de encapsulamento de díodos

Também existem no mercado encapsulamentos contendo mais do que um díodo, podendo estarem
ligados entre si ou separados. A figura 1.14 ilustra alguns exemplos de encapsulamentos, contendo
mais de que um díodo.
Díodos ligados
internamente 4 díodos ligados
Dois díodos (ponte retificadora)
separados
Fig. 1.14 – Encapsulamentos com mais de um díodo
Polarização direta do díodo

Um díodo diz-se polarizado quando lhe é aplicada uma tensão aos seus terminais e está polarizado
diretamente quando a tensão no ânodo é maior do que a tensão no cátodo. Exemplos de tensões
que polarizam um díodo diretamente: +3V no ânodo e 0V no cátodo, +1V no ânodo e -1V no
cátodo, -3V no ânodo e -5V no cátodo, etc.
Tensão de condução
É o valor da tensão a partir do qual existe um aumento substancial de corrente através do díodo.
Este valor também é designado por tensão de limiar de condução. Os termos usados em inglês para
identificar esta tensão são: cut-in, offset, break-point ou threshold voltage. No díodo de silício a
tensão de condução é de 0,7V e no díodo de germânio é de 0,3V (tensão para vencer a barreira de
potencial).
Tensão de rutura direta
Quando a tensão de polarização direta atinge este valor (burnout voltage) a corrente tende a
destruir o díodo por efeito Joule (potência máxima admissível).
Na polarização direta o díodo apresenta uma pequena resistência interna (resistência dinâmica).
Curva característica do díodo
Esta curva mostra a relação da corrente que percorre o díodo em função dos valores de tensão que
são aplicados aos seus terminais.
A figura 1.15 mostra o esquema de um díodo polarizado diretamente, bem como a curva
característica com esta polarização para um díodo silício e para um díodo de germânio. No gráfico
estão identificados os valores das tensões de condução (0,3V para o Germânio e 0,7V para o
Silício).
M4.1.1 Díodos 7
Ânodo Cátodo
Fig. 1.15 – Curva característica do díodo polarizado diretamente
Polarização inversa do díodo

O díodo está polarizado inversamente quando a tensão no ânodo é menor do que a tensão no
cátodo. Exemplos de tensões que polarizam o díodo inversamente: 0V no cátodo e -3V no ânodo,
+1V no cátodo e -1V no ânodo, +5V no cátodo e +3V no ânodo, etc. A figura 16 mostra o esquema
de um díodo polarizado inversamente, bem como a curva característica com esta polarização para
um díodo silício e para um díodo de germânio.
Zona de
Avalanche
Fig. 1.16 - Curva característica do díodo polarizado inversamente

O díodo polarizado inversamente está ao corte. Teoricamente a resistência é infinita e não há
condução de corrente, mas na realidade existe uma pequena corrente de fuga, cujo valor aumenta
com o aumento de temperatura do díodo.
Efeito de avalanche
Se a tensão inversa ultrapassar o valor da tensão de rutura inversa (BVR - Breakdown Voltage
Reverse), os portadores minoritários movem-se a grande velocidade e vão embater nos iões da
barreira de potencial, desfazendo as ligações covalentes, produzindo mais eletrões livres. Este
processo desenrola-se em avalanche, conduzindo à destruição completa da barreira, e, por
conseguinte, à destruição do díodo. Porém existem díodos concebidos para funcionarem nesta
8 Díodos M4.1.1
tensão de rutura inversa (tensão de Zener - VZ), em que pequenas variações de tensão são
acompanhadas por grandes variações de corrente.
Efeito da temperatura no díodo

O aumento de temperatura num díodo faz com que se quebrem mais ligações covalentes. Com
mais ligações quebradas, existem mais portadores de corrente elétrica disponíveis, pelo que a
corrente inversa de saturação e a corrente direta tendem a aumentar. Em geral, para cada aumento
de 1ºC de temperatura relativamente à temperatura normal de operação do díodo, a barreira de
potencial diminui 2,5mV. A figura 1.17 mostra, numa linha a cheio, a curva característica de um
díodo traçada para a sua temperatura normal de operação (room temperature) e, numa linha
tracejada, a curva característica de um díodo traçada para um valor mais elevado de temperatura.
Fig. 1.17 – Efeito da temperatura no díodo
Valores característicos do díodo de junção

Os díodos semicondutores possuem propriedades que lhes permitem executar determinadas
funções em circuitos eletrónicos. Os fabricantes disponibilizam fichas técnicas (data sheet) com
as características de cada tipo de díodo. Uma ficha técnica padrão contém descrição breve do díodo
e as áreas de aplicação.
Fig. 1.18 – Valores característicos do díodo
M4.1.1 Díodos 9
A figura 1.18 mostra, marcados sobre a curva característica do díodo, alguns dos seus valores
característicos. Os valores mais usados são a tensão de condução VB ou VF; tensão de rutura BV;
tensão de rutura inversa BVR; tensão max. inversa repetitiva - VRRM (aplicação de pulsos); corrente
direta máxima IFmáx; corrente de fuga (leakage); temperatura da junção e dissipação de potência.
Estes valores são fornecidos pelo fabricante e constam nas fichas de dados técnicos do componente
(data sheet). A figura 1.19 mostra um extrato de uma ficha técnica, contendo alguns dos
parâmetros atrás referidos.
Fig. 1.19 – Extrato de uma ficha técnica de um díodo
Modelos equivalentes do díodo

Díodo ideal
O díodo de junção polarizado diretamente comporta-se como uma resistência de baixo valor. O
díodo ideal comporta-se como um curto circuito (R = 0Ω) e com a aplicação de uma tensão o díodo
entra à condução (interruptor fechado). O díodo de junção polarizado inversamente comporta-se
como uma resistência de elevado valor. O díodo ideal comporta-se como um circuito aberto (R=),
não havendo passagem de corrente.
Fig. 1.20 – Modelo ideal do díodo
Díodo com tensão constante

Na polarização direta o modelo do díodo de junção é representado por uma fonte de tensão com o
valor da sua barreira de potencial. Com uma tensão aplicada superior à sua barreira de potencial,
o díodo comporta-se como um curto circuito (R = 0Ω). O díodo de junção polarizado inversamente
comporta-se como uma resistência de elevado valor. O díodo, com uma tensão abaixo da sua
tensão de condução, comporta-se como um circuito aberto (R = ), não havendo passagem de
corrente.
10 Díodos M4.1.1
Fig. 1.21 – Modelo díodo com tensão constante
Díodo real
O díodo de junção polarizado diretamente só entra à condução quando a tensão aplicada ultrapassa
o valor da barreira de potencial e, a partir deste valor, comporta-se como uma resistência de baixo
valor. Quando polarizado inversamente (valor de tensão menor que o valor da barreira de
potencial) comporta-se como uma resistência de elevado valor. Na polarização direta, a curva
característica do díodo não é linear, pelo que a resistência interna do díodo não é constante, mas
antes dinâmica:
∆𝑣𝐷
𝑅𝐷 =
∆𝑖𝐷
VDO RD
Fig. 1.22 – Modelo real do díodo com tensão

Por exemplo, da ficha técnica do díodo 1N914 retiram os seguintes valores: 1) com uma tensão de
0,65V, tem-se uma corrente de 10 mA (resistência de 65 Ω); 2) com uma tensão de 0,85V, tem-se
uma corrente de 30 mA (resistência de 28 Ω) e 3) com uma tensão de 0,86V, tem-se uma corrente
de 50 mA (resistência de 17 Ω. Verifica-se que a resistência interna do díodo diminui com o valor
da tensão direta que lhe é aplicada.
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝑖𝐷
Fig. 1.23 – Curva característica do díodo real

Da análise da figura 1.23, pode-se verificar que o valor da resistência interna do díodo depende
não só do valor da tensão que o polariza, bem como o sentido da polarização. No ponto A
(polarização direta): RD = 0,7 / 0,005 → 140Ω e no ponto B (polarização inversa): RD = 80 / 100
x 10-6 → 800kΩ.
M4.1.1 Díodos 11
Ponto de funcionamento do díodo

A figura 1.24 ilustra um circuito elétrico formado por uma fonte, um díodo e uma resistência de
carga. Considerando o díodo polarizado diretamente e aplicando a lei das malhas ao circuito,
obtém-se a seguinte equação: -VCC + VF + RC.IF = 0 → VCC = VF + RC.IF.
Fig. 1.24 – Circuito com um díodo

A equação permite determinar os pontos extremos da reta de carga: díodo ao corte e díodo à
condução. Sobrepondo-se a reta com a curva característica do díodo obtém-se o ponto de
funcionamento do díodo.
Fig. 1.25 – Ponto de funcionamento do díodo

No ponto A o díodo está à condução (está à saturação não havendo queda de tensão), a corrente
que o percorre é máxima e como VF = 0 então a corrente é calculada pela expressão IF = VCC /RC.
No ponto B o díodo está ao corte, não havendo corrente no circuito. Com IF = 0 então toda a tensão
da fonte cai no díodo: VF= VCC.
A sobreposição da curva característica do díodo com a reta de carga permite determinar o ponto
de funcionamento do díodo, retirando-se graficamente os valores de funcionamento quiescente (ou
em repouso): VFQ e IFQ. A reta de carga vai depender do circuito onde está o díodo (Os valores de
VCC e RC) e a curva característica é fornecida pelo fabricante.
Exemplo numérico: Calcular o ponto de funcionamento em repouso do díodo num circuito
constituído por uma fonte de 3V, um díodo e uma resistência de 750Ω. Usando a equação VCC =
VF + RC.IF calcula-se o valor da corrente quando o díodo está à condução e o valor da tensão no
díodo quando está ao corte.
1) Díodo à condução: VF = 0 → IF = VCC /RC = 3/750 → IF = 4 mA.
2) Díodo ao corte: IF = 0 → VF = VCC → VF = 3V.
Sobrepondo a reta de carga, retira-se graficamente da curva característica os valores de
funcionamento do díodo (valores aproximados): IFQ ≈ 2,5 mA e VFQ ≈ 1,1V.
12 Díodos M4.1.1
Teste funcional de díodos

Díodos são robustos e eficientes e têm poucas falhas, mas sobrecargas ou sobreaquecimentos
podem-nos danificar (destruição da barreira). Um díodo pode ser testado quanto à sua condição,
utilizando um multímetro (função ohmímetro).
O teste funcional do díodo consiste na verificação dos valores da sua resistência interna, podendo-
se usar para o efeito um multímetro, colocado na função ohmímetro. O teste ao díodo deve ser
realizado nos dois sentidos, efetuando a polarização direta do díodo e a polarização inversa. Em
função das medições obtidas em ambos os sentidos, pode-se deduzir que o díodo está em bom
estado, em curto circuito ou em circuito aberto.
Díodo em bom estado
Fig. 1.26 – Valores marcados pelo multímetro digital e analógico

A figura 1.26 mostra as medições de um díodo em bom estado efetuadas por um multímetro digital
e por um multímetro analógico. A ponta encarnada (terminal positivo) é colocada no ânodo e a
ponta preta (terminal negativo) no cátodo para polarizar o díodo diretamente e medir a sua
resistência direta. Para medir a resistência inversa, colocar a ponta encarnada no cátodo e ponta
preta no ânodo.
Usando a função ohmímetro, o valor da resistência direta é zero e resistência inversa é muito
elevada (megaohms). Alguns multímetros possuem a função teste de díodos e o valor da resistência
direta é por volta de 1kΩ. O valor da resistência inversa continua a ser de megaohms.
Na maioria dos multímetros analógicos a chave de comutação para medição de resistências inverte
as pontas, pelo que a polarização direta (baixa resistência do díodo) é obtida quando se liga a ponta
encarnada (terminal positivo) no cátodo e a ponta preta (terminal negativo) no ânodo. Invertendo
as pontas, a agulha do multímetro não mexe, indicando valor ohmico muito elevado (polarização
inversa).
Díodo em curto circuito ou circuito aberto

A figura 1.27 mostra os valores indicados pelo multímetro digital em ambas as polarizações para
as duas situações. Quando o díodo está em curto circuito (imagem da esquerda) a sua resistência
interna é muito baixa ou nula em ambas as polarizações. Quando o díodo está interrompido ou
circuito aberto (imagem da direita) a sua resistência interna em ambas as polarizações.
Díodo em Díodo em circuito

curtocircuito aberto
Fig. 1.27 – Díodo defeituoso
M4.1.1 Díodos 13
Associação de díodos
Quando os valores de tensão ou corrente do circuito ultrapassam os valores limites suportados por
um díodo, ligam-se díodos em série ou em paralelo para se obterem maiores valores de tensão ou
de corrente e assim poderem ser usados no circuito. Para melhor o desempenho do circuito, usam-
se configurações com resistências, que agem como proteção dos díodos, e/ou condensadores.
A figura 1.28 mostra uma ligação de díodos em série que permite uma maior tensão inversa, tensão
esta que se fosse aplicado apenas a um díodo poderia destruí-lo.
Figura 1.28 – Associação série de díodos

A figura 1.29 mostra uma ligação de díodos em paralelo. Como a corrente que a fonte está a
fornecer se divide pelos diversos díodos (lei dos nós), esta configuração permite entregar à saída
do circuito um valor de corrente muito maior do que o circuito só possuísse um díodo.
Com a associação de díodos em série a corrente que os atravessa é a mesma, mas o conjunto
suporta valores de tensão maiores e com a associação de díodos em paralelo o valor da tensão
aplicada é o mesmo, mas o conjunto suporta maiores valores de corrente.
Fig. 1.29 – Associação de díodos em paralelo
Aplicações dos díodos

Os díodos são concebidos para trabalhar com diversos valores de corrente e são utilizados nos
circuitos eletrónicos como retificadores, limitadores, referenciadores, comparadores, detetores,
sistemas de proteção, multiplicadores de tensão, etc.
Díodo usado como retificador

Um díodo ligado em série com uma carga, que é alimentada por uma fonte, comporta-se como um
retificador. A figura 1.30 ilustra duas montagens do díodo como retificador (díodo em série com
a fonte e a carga), às quais se aplicaram vários valores de tensão e que foram registados nas tabelas
(díodo de silício).
14 Díodos M4.1.1
Entrada Saída Entrada Saída

Entrada 2V 1,3V Entrada 2V 0V
1V 0,3V 1V 0V
0V 0V 0V 0V
-1V 0V -1V -0,3V
-2V 0V -2V -1,3V
Fig. 1.30 – Díodo como retificador
Na montagem da esquerda observa-se que o díodo só conduz com tensões positivas, ficando ao
corte quando tem tensões negativas, enquanto que na montagem da direita o díodo só conduz com
tensões negativas, estando ao corte quando a tensão é positiva. Em ambas as montagens quando o
díodo está ao corte o valor da tensão na carga é 0V.
Díodo usado como limitador

Um díodo ligado em paralelo com uma carga, que é alimentada por uma fonte, comporta-se como
um limitador de tensão. A figura 1.31 ilustra duas montagens do díodo como limitador, às quais
se aplicaram vários valores de tensão e que foram registados nas tabelas (valores para díodo de
silício).
Entrada Saída Entrada Saída
Saída 2V 0,7V Saída 2V 2V
Entrada 1V 0,7V Entrada 1V 1V
0V 0V 0V 0V
-1V -1V -1V -0,7V
-2V -2V -2V -0,7V
Fig. 1.31 – Díodo com limitador
Na montagem da esquerda observa-se que o díodo conduz com tensões positivas, impondo na
saída (limitando) o valor da queda de tensão na sua barreira de potencial (0,7V para o silício).
Abaixo do valor da barreira de potencial o díodo está ao corte e a carga recebe o valor da tensão
da fonte.
Na montagem da direita o díodo está ao corte nas tensões positivas e a carga recebe os valores da
tensão da fonte, mas quando esta fica negativa o suficiente para ultrapassar a barreira de potencial
o díodo entra à condução (só conduz com tensões negativas). Nesta situação o díodo impõe na
saída (limita) o valor da queda de tensão na sua barreira de potencial (0,7V para o silício).
O limitador pode ser usado em corrente alternada para limitar o valor de uma alternância ou, se
instalar dois díodos em configuração antiparalela (ânodo de um díodo ligado com o cátodo do
outro), limitar o valor nas duas alternâncias, conforme ilustrado na figura 1.32.
Sinal de entrada
do circuito:
Fig. 1.32 – Limitador em corrente alternada
M4.1.1 Díodos 15
Limitador com fonte de referência

Utilizando uma fonte de corrente contínua (fonte de referência) em série com o díodo limitador, a
saída fica limitada ao valor da fonte quando o díodo está à condução, como mostrado na figura
1.33. Na alternância positiva o díodo D1 está ao corte enquanto o valor da tensão alternada V for
menor que a tensão de referência VL1 e nesta situação a tensão VO é igual à tensão de entrada V.
Quando o valor da tensão V se torna maior que a tensão de referência VL1 o díodo D1 entra à
condução e tensão VO = VL1 + VD1. Nesta alternância o díodo D2 está sempre ao corte.
Na alternância negativa o díodo D2 está ao corte enquanto o valor da tensão alternada V for menor
(em módulo) que a tensão de referência VL2 e nesta situação a tensão VO é igual à tensão de entrada
V. Quando o valor da tensão V se torna maior (em módulo) que a tensão de referência VL2 o díodo
D2 entra à condução e a tensão VO = VL2 + VB. Nesta alternância o díodo D1 está sempre ao corte.
R
V D1 D2
V0
VL1 VL2
Fig. 1.33 – Limitador com tensão de referência
Díodo usado como porta lógica

Porta “OU”
Entrada A
A B Saída
0V 0V 0V
Entrada B Saída
0V 5V 5V
5V 0V 5V
5V 5V 5V
Fig. 1.34 – Porta “OU”

A porta “OU” (OR) é uma porta lógica que apresenta à sua saída num nível de tensão alto quando
uma ou as duas entradas têm um nível alto. Esta porta pode ser implementada, usando dois díodos
em paralelo, ligados em série com a carga e com as entradas ligadas a cada um dos díodos. A
figura 1.34 ilustra a implementação de uma porta “OU” em que os díodos recebem os níveis de
tensão (por exemplo de dois sensores). Quando um dos dois, ou os dois díodos recebem uma tensão
de nível alto na sua entrada, entra(m) à condução, colocando uma tensão na resistência (nível alto)
e acionando a saída.
Porta “E”
A porta “E” (AND) é uma porta lógica que apresenta a sua saída com um nível de tensão alto
somente quando as duas entradas estão no nível alto. A figura 1.35 ilustra a implementação de uma
porta “E”.
A B Saída
0V 0V 0V
0V 5V 0V
5V 0V 0V
5V 5V 5V
Fig. 1.35 - Porta “E”
16 Díodos M4.1.1
Se uma ou as duas entradas estiverem com um nível baixo, o díodo (ou os dois díodos) está à
condução e a tensão à saída é 0V. Se as entradas A e B estiverem com o nível alto, os 2 díodos
estão ao corte e a tensão de alimentação +5V está disponível na saída.
Retificação de uma onda alternada

Os díodos retificadores convertem corrente alternada em corrente pulsante contínua, oferecendo
uma baixa resistência à corrente direta e oferecendo uma alta resistência à corrente inversa
(bloqueio). Consoante o número de díodos e a configuração pode-se ter diversos tipos de
retificação, nomeadamente meia onda, onda completa, usando transformador com ponto
intermédio ou ponte Graetz ou retificação trifásica se a alimentação do retificador for trifásica.
Retificação de meia onda

O retificador de meia onda usa um díodo ligado em série entre a fonte de alimentação de corrente
alternada e a carga. A figura 1.36 ilustra o princípio de funcionamento deste retificador.
Polarização direta
Sinal de entrada
Sinal na carga
Polarização inversa
Fig. 1.36 – Retificação de meia onda

O díodo entrega à carga as alternâncias em que está polarizado diretamente (está à condução) e
bloqueia a passagem de corrente nas alternâncias em que está polarizado inversamente (está ao
corte). No diagrama mostrado na figura 1.36 só vão estar presente na carga as alternâncias
positivas. Esta montagem apresenta a desvantagem de a carga ficar sem tensão durante a
alternância em que o díodo está ao corte e o valor da componente DC (VDC) é dado pela expressão
mostrada na figura.
Retificação de onda completa (transformador com ponto intermédio)

A retificação de onda completa utiliza dois díodos e um transformador com ponto intermédio,
como mostrado na montagem da figura 1.37. Cada um dos enrolamentos do secundário A e B,
relativamente ao ponto central CT, disponibilizam o mesmo valor de tensão, mas as ondas estão
desfasadas 180º.
Na alternância positiva da onda de entrada o díodo D1 está polarizado diretamente (ponto A), mas
como a tensão no ponto B está desfasada 180º, o díodo D2 está ao corte. Recorrendo ao sentido
convencional para definir a circulação, a corrente flui do ponto A do enrolamento do transformador
M4.1.1 Díodos 17
para a carga através do díodo 1 (que está à condução) e retorna (através da massa) ao ponto central
do transformador.
Fig. 1.37 – Retificação de onda completa com 2 díodos

Na alternância negativa da onda de entrada o díodo D1 está polarizado inversamente (ponto A) e
o díodo D2 está à condução. A corrente flui do ponto B do enrolamento do transformador para a
carga através do díodo 2 e retorna (através da massa) ao ponto central do transformador.
Esta configuração converte a tensão alternada numa tensão pulsante e tem a vantagem
relativamente à retificação de meia onda de aproveitar todas as alternâncias da onda de entrada
pelo que o valor da componente DC (VDC) é o dobro do valor da componente DC na retificação
de meia onda.
Retificação de onda completa (ponte de Graetz)

A ponte de Graetz utiliza 4 díodos retificadores iguais e não necessita de transformador com ponto
intermédio. A figura 1.38 ilustra a constituição do retificador e o princípio de funcionamento.
Tensão de saída na
Sinal de entrada Circuito
resistência
Fig. 1.38 – Retificador de onda completa (ponte de Gra etz)

A ponte é formada por duas séries de díodos ligados em paralelo. Cada terminal da alimentação é
ligado entre os díodos em série e a saída é retirada dos extremos das séries.
Analisando a figura 1.38, o sinal de entrada (A) é aplicado à ponte de Graetz, obtendo-se na saída
a onda pulsante (B). Na alternância positiva da onda de entrada, os díodos D1 e D3 estão
18 Díodos M4.1.1
polarizados diretamente e os díodos D2 e D4 estão ao corte – circuito aberto (C). Usando o sentido
convencional, a corrente flui para a carga RL através de D1 e retorna à fonte através de D3. Na
alternância negativa os díodos D2 e D4 estão polarizados diretamente e os díodos D1 e D3 estão ao
corte – circuito aberto (D). A corrente flui para a carga RL através de D4 e retorna à fonte através
de D2. A polaridade na carga mantém-se igual (B).
Retificação trifásica
Uma característica que a retificação anterior apresenta é o facto de a onda pulsante vir a zero
sempre que há mudança de alternância, pelo que para corrigir esta desvantagem esses dispositivos
necessitam de sistemas de filtragem.
A retificação trifásica é assegurada por uma ponte retificadora constituída por seis díodos,
dispostos em 3 braços e ligados dois em série por braço. Cada fase da alimentação liga entre os
dois díodos de cada braço e as suas extremidades ligam à carga: os díodos D1, D2 e D3 estão ligados
ao terminal positivo da carga e os díodos D4, D5 e D6 estão ligados ao terminal negativo da carga
A figura 1.39 ilustra este tipo de montagem, bem como a forma de onda obtida na carga em função
das formas de onda da entrada.
D1 D2 D3 +
tempo
D4 D5 D6 Tensão na carga
-
Fig. 1.39 – Retificação trifásica
Resposta em frequência do díodo

Em baixas frequências o díodo de junção passa facilmente da condução ao corte quando a
polarização passa de direta para inversa. Com o aumento da frequência, o díodo chega a um ponto
em que não é suficientemente rápido a comutar o estado, existindo uma corrente considerável
durante parte da alternância inversa em que deveria estar ao corte mas ainda conduz. Esta corrente
é a resultante do fluxo de portadores minoritários excedentários e cessa quando a densidade desses
portadores se anular. Pequenas variações de tensão são acompanhadas por grandes variações de
corrente.
Fig. 1.40 – Resposta em frequência
Filtragem da onda retificada

A filtragem tem por objetivo reduzir o ripple (flutuação) da onda pulsante retificada, aproximando-
a de uma onda contínua. O processo mais simples de construir um filtro para um retificador é a
instalação de um condensador em paralelo com a carga. A figura 1.41 ilustra um retificador com
um filtro por condensador e a forma de onda obtida na carga (a encarnado).
M4.1.1 Díodos 19
Na fase ascendente da onda o condensador carrega-se até atingir o valor de pico da onda e quando
esta começa a declinar para zero, o condensador vai descarregar a sua energia sobre a carga
impedindo que o valor da tensão nesta varie muito.
Fig. 1.41 - Filtragem

O condensador continua a descarregar-se sobre a carga e quando o valor instantâneo da onda
pulsante voltar a ser igual ao da tensão no condensador, este volta-se a carregar até atingir o valor
de pico. A tensão na carga vai flutuar entre o valor de pico e o valor de descarga do condensador.
Desta forma a onda pulsante deixa de vir a zero, sendo o ripple muito menor e a onda mais parecida
com uma onda contínua. O valor do ripple é dado por:
𝑉𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
𝑉𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒 =
2 ∙ 𝑓 ∙ 𝑅𝐿 ∙ 𝐶
Para se obter um valor de ripple baixo, o valor do condensador deve ser o mais elevado possível
e, por outro lado, quanto maior for a corrente que a carga absorva, tanto maior vai ser o ripple.
Duplicador de tensão de meia onda

O duplicador de tensão de meia onda é um dispositivo, formado por dois díodos e dois
condensadores iguais e fornece uma tensão na saída com um valor de pico duas vezes o de entrada.
D
C 2
1
D C
1
2
Fig. 1.41 – Dobrador de tensão meia onda

A figura 1.41 ilustra um dobrador de tensão de meia-onda. O condensador de saída C2, que está
em paralelo com a carga RL, é carregado numa alternância de cada ciclo de entrada. Na alternância
negativa da fonte, o díodo D1 está à condução e o díodo D2 está ao corte. A corrente circula da
fonte através do díodo D1 e o condensador C1 é carregado com a tensão da fonte VP.
Na alternância positiva o díodo D1 está ao corte, o díodo D2 fica à condução, o condensador C1 e
a fonte estão em série com C2. Este condensador vai ficar carregado com valor de pico da tensão
no condensador C1 e com o valor de pico da tensão da fonte, isto é duas vezes o valor de pico:
2VP. Nesta situação a tensão de pico na resistência RL é o dobro da tensão de entrada.
Duplicador de tensão de onda completa

A figura 1.42 ilustra um dobrador de onda completa, constituído por dois condensadores iguais e
dois díodos. Em cada alternância um condensador é carregado com a tensão de pico (Vp) da fonte.
20 Díodos M4.1.1
Na alternância positiva o díodo D1 está à condução e o díodo D2 está ao corte. A corrente flui da
fonte através do díodo D1 e o condensador C1 é carregado. Na alternância negativa o díodo D1 está
ao corte e o díodo D2 está à condução e é carregado o condensador C2.
C
2
Fig. 1.42 – Dobrador de onda completa

Como as tensões dos condensadores têm a mesma polaridade, a tensão disponibilizada à carga é a
soma dessas tensões: A saída do dobrador apresenta uma tensão de valor 2.Vp.
Proteção com díodo contra picos inversos

Uma bobina é um dispositivo que armazena energia magnética e, quando o interruptor que
alimenta um circuito indutivo é desligado, é induzida na bobina uma f.e.m. que tende a opor-se à
causa que lhe deu origem. A corrente produzida pelo elemento indutor é dissipada através do díodo
que é instalado para entrar à condução nestas situações. Esta montagem evita o aparecimento de
tensões inversas que poderiam danificar circuitos e é usado, por exemplo, na proteção dos
contactos dos contactores de potência, evitando que estes se queimem prematuramente quando a
bobina de chamada perde a alimentação elétrica.
Fig. 1.43 – Proteção por díodo contra picos inversos
Outros Díodos
Díodo de Zener
Num díodo normal polarizado inversamente, a sua corrente inversa é na ordem dos poucos
microamperes (A) e se a tensão inversa aumentar para além da tensão de rutura, a corrente
aumenta pelo efeito de avalanche, destruindo a barreira por sobreaquecimento. O díodo de Zener
é construído para funcionar nesta zona, aproveitando dois efeitos: Zener e Avalanche.
Define-se efeito de Zener: “Ao aplicar ao díodo uma tensão inversa de determinado valor (VZ) é
rompida a estrutura atómica do díodo e vencida a zona neutra, originando assim a corrente
elétrica inversa, isto é, o campo elétrico é suficientemente forte para gerar pares eletrão-lacuna
na zona de depleção”. Este efeito verifica-se geralmente para tensões inversas menores do que 5
V.
O efeito de avalanche é originado pelo campo elétrico que aumenta a energia cinética dos
portadores minoritários, levando-os a quebrar as ligações covalentes. Para tensões inversas
M4.1.1 Díodos 21
maiores do que 7V, a condução do díodo é explicada exclusivamente por este efeito. Quando se
aumenta o valor da tensão inversa, aumenta-se também a velocidade das cargas elétricas (eletrões)
e a velocidade atingida é suficiente para libertar eletrões dos átomos semicondutores, através do
choque. Estes novos eletrões libertados e acelerados libertam outros, originando uma reação em
cadeia, à qual se dá o nome de efeito de avalanche.
Para tensões inversas, entre 5V e 7V, a condução do díodo é explicada cumulativamente pelos dois
efeitos (efeito de Zener e efeito de avalanche).
No díodo de Zener os materiais tipo N e tipo P são fortemente dopados, com um processo de
fabricação criteriosamente controlado para obtenção do valor exato de tensão de rutura. Esta tensão
designa-se tensão de Zener VZ, à qual corresponderá uma corrente de Zener IZ. O díodo de Zener
é representado pelos símbolos mostrados na figura 1.44. No aspeto físico, o díodo Zener
assemelha-se a um díodo de junção de baixa potência, tendo como característica apresentar
gravado no corpo o valor da tensão de Zener.
Fig. 1.44 – Símbolos Zener

A figura 1.45 mostra a curva característica de um díodo de Zener. Quando é polarizado diretamente
entra à condução aos 0,7V, comportando-se como um díodo comum. Na zona de rutura (3º
quadrante), o díodo Zener apresenta um joelho muito pronunciado, seguido de um aumento de
corrente praticamente vertical. A tensão Vz é praticamente constante, independentemente da
variação do valor da corrente. Esta característica designa-se como regulação da tensão.
Fig. 1.45 – Curva característica do díodo de Zener

Até 80% do valor da tensão de Zener VZ, o díodo está ao corte e existe uma corrente de fuga
inversa na junção (I0) devida aos portadores minoritários. A corrente Iz min refere-se a um valor
mínimo de corrente que permite ao Zener regular a tensão e a corrente Iz max. corresponde à
corrente máxima que o díodo de Zener suporta e, quando excedida, destrói o díodo
permanentemente. As folhas de dados técnicos (data sheet) geralmente especificam o valor de Vz
para uma determinada corrente Zener de teste (IZT).
22 Díodos M4.1.1
Existe regulação e estabilização da tensão aos terminais do díodo Zener quando a corrente que o
percorre (IZ) se mantém dentro dos valores de corrente Zener e que estão definidos como máximo
e mínimo. Nesta zona um aumento na corrente produz um ligeiro aumento na tensão, significando
que o díodo Zener tem uma pequena resistência, também é denominada impedância de Zener (ZZ).
A variação do nível de dopagem dos díodos de silício permite obter díodos Zener com diferentes
tensões de Zener, desde 2,4 a 200V. Para além dos parâmetros VZ, IZmax, IZmin é também importante
conhecer o valor de potência que o díodo consegue dissipar PZ. Desde que esta potência não seja
ultrapassada, o díodo Zener pode trabalhar dentro da zona de rutura sem ser destruído. Os díodos
Zener apresentam potências que variam de ¼ W a 50W.
Utilização do díodo de Zener

O díodo de Zener permite que se alimente uma carga com uma tensão isenta de variação ou
flutuação, a partir de uma fonte de tensão que apresente variação na sua saída. O sistema de
regulação é constituído por um díodo de Zener, (polarizado inversamente e instalado em paralelo
com a carga) e a resistência limitadora R, que limita a corrente de Zener.
A tensão de alimentação do circuito tem que ser superior à tensão de Zener (VZ) do díodo. A figura
1.46 mostra um circuito em que o díodo de Zener estabiliza a tensão de saída (lado esquerdo) e
um circuito que não estabiliza (lado direito), devido às tensões de entrada.
A estabilização de tensão ocorre quando o díodo Zener trabalha dentro da zona de rutura e são
respeitadas as especificações da corrente máxima. A tensão da carga está relacionada com a tensão
de entrada pela expressão: VE = I.R + VZ = VR + VZ. A corrente de entrada é a soma da corrente
no díodo de Zener e na carga: I = IZ + IL (carga).
Tensão entre
15 a 17 V
Fig. 1.46 – Regulador de tensão com Zener

Cálculo da resistência limitadora de Zener
Dado o circuito da figura 1.47, pretende-se calcular a resistência limitadora R, considerando que
a fonte de alimentação é de 15V e que se usa o Zener 1N4740A 10V, 1W com um IZT = 25 mA.
R
15V 1k
10V Ω
Fig. 1.47 – Cálculo da resistência limitadora
Para o cálculo da tensão na resistência, aplica-se a lei das malhas: VE = VR + VZ, → 15 = VR +10
→ VR = 5V. Para o cálculo da corrente aplica-se a lei dos nós: IR = IL + IZ (catálogo), com a corrente
na carga: IL = VZ/RL = 10/1000 → IL = 10 mA. Então o valor da corrente na resistência é a soma
das correntes no díodo de Zener e na carga: 10 + 25 → IR = 35 mA. Sabendo a tensão e a corrente
M4.1.1 Díodos 23
na resistência limitadora pode-se calcular o seu valor: R = VR/IR = 5/0,035 → R = 142,9Ω ≈ 140Ω
(uma vez que não existem no mercado todos os valores, procura-se o mais próximo por defeito.
A potência dissipada na resistência é dada por: P = R.IR2 = VR2/R = 25/140 = 0,178W e a potência
dissipada no Zener e dada por: P =VZ.IR = 10 x 35 mA = 350 mW. Pode-se usar como resistência
limitadora uma resistência de 1/2 W, uma vez que a potência máxima a dissipar será de 350 mW,
ou seja, quando o circuito estiver em vazio.
Exemplo de um circuito sem e com regulação

Pretende-se ter uma tensão de 6V numa carga a partir de uma fonte de alimentação de 12V. Qual
deverá ser o valor do divisor de tensão R para ter uma tensão de 6V na carga com esta a absorver
48 mA?
Fig. 1.48 – Circuito sem regulação

Aplicando a lei das malhas: VL = VF – VR = 12 – 6 = 6V. O valor da resistência é dado por: R =
VL/I = 6/0,048 = 125Ω. Se a corrente na carga aumenta para 72 mA, os novos valores serão: VR =
125 x 0,072 = 9V e VL = VF – VR = 12 – 9 = 3V. Verifica-se que a tensão na carga diminui com o
aumento da corrente, logo não há regulação da tensão.
A figura 1.49 redesenha o circuito da figura 1.48 para incluir a regulação da tensão, usando um
díodo de Zener. Para se ter uma tensão de 6V na carga e que absorva 48 mA, vai-se usar um díodo
de Zener 6V/27mA. Nestas condições a corrente que passa na resistência é a soma da corrente no
Zener e a corrente na carga I = 27 + 48 = 75mA. Com esta corrente e, tendo em conta que a queda
de tensão na resistência limitador deve ser 6V, o valor da resistência é: R= 6/0,075 = 80Ω.
Fig. 1.49 – Circuito com regulação

Se a corrente na carga aumentar para 72 mA, o díodo Zener impõe a saída de 6V, a tensão na
resistência continua a ser 6V e a corrente I que a percorre mantém-se em 75mA, mas a corrente no
díodo de Zener passa para 3 mA. Houve variação no valor da corrente na carga absorve, que passou
de 48 para 72 mA, mas a tensão mantém-se constante em 6V.
Varístor
O varistor (VDR - Voltage Dependent Resistor) é um componente cuja resistência varia
inversamente com o valor da tensão aplicada e é geralmente utilizado como elemento de proteção
contra transitórios de tensão, tanto em corrente alternada como em corrente contínua. Os picos de
ruído são condições indesejáveis, que podem perturbar o funcionamento de um dispositivo ou
24 Díodos M4.1.1
danifica-lo, pelo que o uso do varistor, colocado montante e em paralelo com a carga a proteger,
impede que picos de curta duração a atinjam (circuito a jusante do varistor), desviando
sobretensões para a terra. A figura 1.50 mostra o aspeto físico de alguns tipos de varistor, bem
como o seu símbolo.
Fig. 1.50 – Varístor

O varistor é uma resistência semicondutora feita a partir de cristais semicondutores de óxido de
zinco, que quando a queda de tensão na resistência atinge a tensão de disrupção, deixa de ser uma
resistência e passa a ser um bom condutor. Comporta-se como um interruptor com duas posições,
uma para tensão positiva e outra para tensão negativa, conforme se ilustra na figura 1.51. O varistor
é equivalente a 2 díodos Zener ligados em oposição (antiparalelo).
Fig. 1.51 – Curva característica do varistor

Na ausência de uma sobretensão a resistência do varistor é muito elevada e quando ocorre um
transitório, a sua resistência cai drasticamente, permitindo a circulação de corrente. A energia
resultante do excesso de tensão é libertada sob a forma de calor.
Fig. 1.52 – Aplicação de um varistor
Díodo varicap
O díodo varicap (varactor) é um díodo cuja abreviatura deriva da terminologia em inglês “Voltage
variable capacitor”. O díodo varicap é um díodo de capacidade variável, cuja capacidade é
controlada por uma tensão. Num díodo inversamente polarizado aumenta a largura da barreira de
potencial, havendo um alargamento da zona isolante.
M4.1.1 Díodos 25
Fig. 1.53 – Varicap: constituição e símbolo

Com o alargamento da zona isolante, aumenta a zona não condutora por ausência de cargas móveis,
pelo que o díodo se comporta como um condensador, cujo dielétrico tem a espessura da região de
depleção e cuja espessura varia com o valor da tensão inversa, ou seja, maior tensão inversa
implica maior espessura na barreira. A capacidade de um condensador é dada pela expressão:
𝐴
𝐶=𝜀∙
𝑑
Sendo “” a constante dielétrica [F/m], “A” a área das placas [m2] e “d” a distância entre placas
[m]. Assim, se “d” diminuir, aumenta a capacidade e vice-versa. Ao variar a tensão de polarização
inversa do díodo, está-se a variar a sua largura da barreira de depleção, isto é, está-se a variar o
valor de “d” e consequentemente está-se a variar o valor de “C” (capacidade).
Fig. 1.54 – Princípio de funcionamento do varicap

A figura 1.55 mostra um gráfico típico de um varicap ilustrando a variação da capacidade da junção
em função da tensão inversa que lhe é aplicada. A sua capacidade é máxima quando a tensão
inversa é aproximadamente zero (mas diferente de zero). Na polarização direta o efeito capacitivo
do díodo desaparece, pelo que, para o díodo funcionar como varicap deve ser polarizado com uma
tensão inversa acima de zero (tipicamente 1V) e, consoante o seu valor for aumentando a
capacidade da junção irá diminuindo.
Fig. 1.55 – Variação da capacidade em função da tensão inversa

A figura 1.56 mostra um exemplo prático de um circuito ressonante utilizando um varicap.
Variando-se o valor de R1, varia-se a tensão. A bobina L1 e o condensador C1 formam um circuito
tanque em paralelo. Ao variar a tensão no divisor de tensão R1, varia tensão no varicap C3,
alterando assim a frequência de ressonância do circuito tanque.
26 Díodos M4.1.1
Fig. 1.56 – Circuito ressonante com varicap
Tirístores
São componentes semicondutores que operam em histerese: só regressam à sua condição inicial
quando o sinal responsável pela mudança de estado é removido. O tirístor entra e permanece em
funcionamento (passa a “On”) quando recebe um pulso e desliga (passa a “Off”) quando é
desligado. Os tirístores dividem-se nos seguintes componentes: SCR - Silicon Controlled Rectifier,
DIAC, TRIAC, díodo Shockley e opto tirístores.
Díodo de Shockley
O díodo Shockley é um dispositivo de 4 camadas e dois terminais que tem dois estados estáveis:
bloqueio (alta impedância) e condução (baixa impedância). Também é conhecido por díodo PNPN.
Sem tensão aplicada não há corrente a circular no díodo, mas o díodo entra à condução quando
tem aplicada aos seus terminais a tensão adequada. A figura 1.57 mostra o símbolo elétrico e
constituição do díodo Shockley.
Fig. 1.57 – Símbolo elétrico e constituição do díodo Shockley

A figura 1.58 mostra a curva característica do díodo Shockley.
Fig. 1.58 – Curva característica do díodo Shockley

A zona I corresponde à zona de alta impedância e a zona III corresponde à zona de baixa
impedância. Quando a tensão no díodo atinge a tensão de comutação (Vs), a impedância desce
bruscamente: a corrente aumenta e a tensão diminui, até atingir o equilíbrio na zona III (B).
M4.1.1 Díodos 27
Diminuindo a corrente abaixo do valor de manutenção Ih, a impedância do díodo aumenta: diminui
a corrente e aumenta a tensão em seus terminais, cruzando a zona II, até ao equilíbrio na zona I
(A).
SCR – Silicon Controlled Rectifier

O SCR é um dispositivo que permite controlar a potência que é fornecida a grandes cargas, como
por exemplo, motores ou resistências de aquecimento. É adequado para comandar tensões e
correntes elevadas e trabalha entre dois estados de funcionamento: condução e corte. É, portanto,
um dispositivo de comutação.
O SCR tem 3 terminais, o ânodo, o cátodo e a porta (gate). A figura 1.59 mostra o seu símbolo
elétrico e alguns exemplos de diferentes modelos.
Fig. 1.59 – SCR (tirístor)

A figura 1.60 mostra a constituição interna de um tirístor. O ânodo é ligado normalmente à fonte
de alimentação e o cátodo é ligado à carga que se pretende alimentar e controlar. A porta é o
elétrodo de disparo que serve para colocar o tirístor no estado de condução, quando estiver
polarizado diretamente. É constituído por quatro regiões semicondutoras de silício, apresentando
uma estrutura PNPN. Cada uma destas regiões possui uma dopagem diferente de impurezas.
Fig. 1.60 – Constituição de um tirístor

O ânodo é constituído por um semicondutor tipo “P”, a região de bloqueio por um semicondutor
tipo “N”, a porta por um semicondutor tipo “P” e o cátodo por um semicondutor tipo “N”.
O funcionamento do tirístor é semelhante ao díodo. Para que o tirístor possa conduzir deve ser
polarizado diretamente (ânodo com um potencial mais positivo que o cátodo). Mas esta condição
por si só não é suficiente, é necessário a aplicação de uma tensão positiva adequada na porta que
faz o tirístor entrar à condução.
Polarização inversa e direta do tirístor

A figura 1.61 mostra a polarização do tirístor (ligação entre ânodo e cátodo). A imagem do lado
esquerdo representa a polarização inversa. Nestas condições, a junção interior (J2) está polarizada
diretamente e as junções exteriores (J1 e J3) estão polarizadas inversamente, apresentando grandes
barreiras de potencial. A tensão aplicada é suportada pela série dessas duas junções e entre o cátodo
28 Díodos M4.1.1
e o ânodo apenas flui uma pequena corrente de fuga (inversa). A característica tensão-corrente na
zona inversa é semelhante à do díodo de junção normal.
Polarização Polarização
inversa direta
Fig. 1.61 – Polarização do tirístor

Na polarização do tirístor, a junção interior (J2) está polarizada inversamente, apresentando uma
grande barreira de potencial e as junções exteriores (J1 e J3) estão polarizadas diretamente. Como
a junção J2 está ao corte, apenas flui uma pequena corrente de fuga (inversa) do ânodo para o
cátodo e que aumenta ligeiramente com o aumento da tensão direta. Se a tensão ultrapassar o valor
limiar de disrupção, VBO (break-over), tirístor entra à condução. Este, no entanto, não é o processo
correto de colocar o tirístor à condução.
Disparo do tirístor
O tirístor é diferente do díodo porque mesmo polarizado diretamente não fica à condução, pelo
que, para o colocar à condução é necessário aplicar um pulso de tensão positivo entre a porta e o
cátodo, como se ilustra na figura 1.62.
Fig. 1.62 – Disparo do tirístor

O pulso de tensão aplicado à porta do tirístor deve produzir uma corrente suficientemente elevada
entre a porta e o cátodo para o fazer entrar à condução. Os eletrões da região do cátodo, tipo N e
fortemente dopada, invadem a região da porta, tipo P e fracamente dopada, transformando-a
temporariamente numa região tipo N. A junção de bloqueio (J2) deixa de estar inversamente
polarizada e o tirístor passa ao estado de condução. No disparo do tirístor, quanto maior for a
corrente na porta, menor poderá ser a tensão de polarização direta.
Enquanto houver uma corrente de manutenção, o tirístor comporta-se como um díodo de junção
e, quando está à condução, a corrente que o atravessa é a do circuito exterior. O retorno da região
da porta ao tipo P ocorre quando a corrente entre o ânodo e o cátodo não é suficiente para manter
essa região tipo N e o tirístor fica bloqueado, deixando de conduzir.
Em resumo, o tirístor entra à condução quando polarizado diretamente e com uma corrente na
porta (impulso ou trem de impulsos), designada por disparo do tirístor. Este disparo do tirístor
ocorre quando se injeta uma corrente de comando suficientemente elevada para assegurar a
condução, independentemente do valor da tensão direta. Posteriormente a corrente de disparo pode
ser anulada que não altera o funcionamento do tirístor (ficando uma corrente de manutenção ou
corrente de corte).
M4.1.1 Díodos 29
A figura 1.63 mostra o gráfico com a curva característica típica do tirístor. Para tensões inversas,
o tirístor comporta-se como um díodo de junção, havendo uma corrente de fuga (µA) até atingir a
tensão de Zener ou tensão VBR. Para tensões diretas, o tirístor mantém-se ao corte e com uma
pequena corrente de fuga até que se atinge a tensão VBO, correspondendo ao ponto que o tirístor
começa a conduzir.
Fig. 1.63 – Curva característica do tirístor

Para além dos valores já referidos, devem-se considerar outros valores característicos. VBR é a
tensão máxima inversa que pode ser aplicada ao tirístor sem o destruir; IGK é a corrente mínima de
disparo, necessária para o tirístor entrar à condução; VGK é a tensão de disparo do tirístor e varia
entre 0,7V e 2,0V; IH: é a corrente de manutenção (hold), isto é, a corrente mínima, que após
disparo, mantém o tirístor à condução.
Aplicações e vantagens do tirístor

O tirístor é um componente fiável, robusto e de pequenas dimensões e as suas principais aplicações
estão na área da conversão e controlo de potência elétrica: usando-se pequenos sinais de comando
pode-se controlar potências de grandes valores, como por exemplo na regulação de motores
elétricos AC ou DC, resistências de aquecimento de estufas, etc.
Fig. 1.64 – Disparo do tirístor

Relativamente à comutação mecânica, o tirístor apresenta um conjunto de vantagens,
nomeadamente não existirem componentes móveis no circuito, não haver produção de arco
voltaico no ponto de contato, não ser tão afetado pela corrosão como os sistemas mecânicos, os
dispositivos de controlo construídos com tirístores são mais pequenos e consomem menos energia.
30 Díodos M4.1.1
DIAC e TRIAC
DIAC é o acrónimo do componente eletrónico “Diode for Alternating Current”. Em DC comporta-
se como um díodo de Shockley mas em AC tem um comportamento diferente: Conduz nos dois
sentidos após ter sido atingida a tensão de disparo e deixa de conduzir quando a tensão cai abaixo
de um determinado valor, denominada tensão de corte. Este comportamento é idêntico para as
alternâncias positivas e alternâncias negativas e é utilizado normalmente para disparar tirístores e
TRIAC. Como o dispositivo conduz nos dois sentidos, os terminais são marcados A1 e A2 ou MT1
e MT2. A figura 1.66 ilustra a estrutura semicondutora do DIAC, bem como o seu símbolo.
Fig. 1.65 – DIAC: funcionamento e constituição

TRIAC é o acrónimo do componente eletrónico “TRIode for Alternating Current”. Tem um
funcionamento semelhante ao tirístor, necessitando de um sinal de disparo para entrar à condução,
mas permite a condução nos dois sentidos, podendo por isso ser disparado por uma corrente
alternada. Quando existe um pulso na porta, entra à condução, tanto na alternância positiva como
na alternância negativa e mantém-se à condução até que o valor da corrente caia abaixo do valor
de corte.
Fig. 1.66 – TRIAC

O TRIAC é usado para controlo de circuitos elétricos em AC, permitindo acionar cargas, usando
correntes de controlo de baixo valor, tipicamente na casa dos mA.
Fig. 1.67 – Controlo de um motor AC usando um TRIAC

Tal como o tirístor, pode-se controlar o início da condução (ângulo de disparo). Esta operação de
controlo de um equipamento elétrico designa-se controlo de fase. Usado em baixa potência, p.e.,
M4.1.1 Díodos 31
na regulação de brilho da iluminação ou na regulação da velocidade de pequenos motores. Para

potências elevadas utilizam-se tirístores em antiparalelo.
Exemplos de circuitos com tirístor e com TRIAC

A figura 1.68 mostra um circuito de controlo de fase (regulação do ângulo de condução). A malha
divisora de tensão R1, R2 e R3 define o valor da tensão a aplicar ao tirístor (ângulo) e os díodos D1
e D2 garantem que a tensão (disparo) só é aplicada nas alternâncias negativas. Assim variando o
cursor de R2, varia-se o ângulo de disparo do tirístor: quanto mais cedo for disparado, mais tensão
DC vai existir na carga.
Fig. 1.68 – Diagrama simplificado de circuitos de controlo com tirístor e TRIAC

O TRIAC a permitir o disparo (e controlo) tanto na alternância positiva como negativa.
32 Díodos M4.1.1
Light Emitting Diode - LED

Um LED é constituído por uma junção de material semicondutor PN e por dois terminais: ânodo
e cátodo. Quando a junção é polarizada diretamente, os eletrões procedentes da região N são
injetados na região P.
ou
Fig. 1.69 – Constituição do LED

Alguns dos eletrões recombinam-se com as lacunas, libertando a sua energia sob a forma de calor
e fotões de luz. Este processo designa-se eletroluminescência. A junção possui uma abertura pela
qual é emitida a radiação luminosa para uma lente que foca a quantidade de luz num feixe.
A figura 1.69 mostra o símbolo do LED, a identificação dos seus terminais e ilustra um LED em
corte, mostrando a sua constituição interna. Os mais comuns são feitos com impurezas de Gálio -
Ga, Arsénio - As, Alumínio - Al, Índio - In, Azoto - N e Fósforo - P.
Estes materiais garantem que a quantidade de fotões emitida constitui uma fonte de luz eficiente e
a cor da luz emitida pelo LED depende do material semicondutor que o constitui, ou seja, o
comprimento de onda da luz emitida depende da largura da banda proibida do material. Exemplos:
LED de arsenieto de gálio emite luz vermelha, com fósforo a emissão pode ser vermelha ou
amarela, fosfito de gálio com azoto emite luz verde, etc. Atualmente produzem-se LED brancos e
de várias cores, desde azul ao infravermelho.
Princípio de funcionamento
Fig. 1.70 – Bandas de energia no LED

Ao ser aplicada uma tensão que polariza o LED diretamente, muitos eletrões saem da banda de
valência, mas alguns, como não têm a energia suficiente para passarem da banda de valência à
banda de condução, ficam na zona interdita ou proibida. Como não podem permanecer nessa zona
indefinidamente, voltam à banda de valência tendo para esse efeito que perder energia e os eletrões
perdem a energia emitindo luz, sob a forma de fotões ou pacotes de luz. A luz emitida não é
totalmente monocromática, mas a sua banda é estreita.
A figura 1.71 mostra a curva característica de um LED polarizado diretamente, pois ele só emite
luz quando polarizado diretamente (um LED polarizado inversamente não emite luz).
M4.1.1 Díodos 33
Fig. 1.71 – Curva característica dos LED

Enquanto não se atinge um certo valor da tensão direta não há circulação de corrente no LED, mas
ultrapassando o cotovelo da curva, com um ligeiro aumento da tensão direta, a corrente direta
aumenta rapidamente de valor. Com o aumento da corrente direta a intensidade luminosa do led
também aumenta. Os LED operam com tensões entre 1,6 a 4,4V e, como se pode ver na figura
1.71, o valor de tensão necessária para colocar o LED a emitir depende do seu processo construtivo
e da cor que emite. Por exemplo um LED encarnado emite com uma tensão de 2V, mas essa tensão
não é suficiente para fazer um LED azul emitir. A tensão a aplicar depende do comprimento de
onda λ emitido e a potência necessária está na gama dos 10 a 150 mW. Um LED tem uma vida
útil com mais de 100.000 horas de operação.
A tabela abaixo mostra alguns exemplos de valores de tensão direta e inversa que podem ser
aplicados a LED de vários materiais:
Para polarizar o LED deve-se estabelecer uma corrente, devendo-se inserir em série uma
resistência limitadora. A figura 1.72 mostra um exemplo de implementação de uma resistência
limitadora, para se polarizar um LED com uma tensão de 2V e uma corrente de 10 mA a partir de
uma fonte com uma tensão de alimentação de 6V.
Fig. 1.72 – Cálculo da resistência limitadora do LED
34 Díodos M4.1.1
O valor da resistência limitadora R1 é dado pela equação R1 = (VCC - VF)/I. Substituindo as

variáveis pelos seus valores obtém-se R = (6 - 2)/10x10-3, ou seja, R = 400.
Tipos de LED
Os LED apresentam-se com diversas medidas e formas. As medidas típicas existentes no mercado
são 3, 5, 8 e 10mm de diâmetro, podendo ter forma cilíndrica, retangular, triangular, etc. Os LED
são monocromáticos, mas existem variantes, nomeadamente LED bicolores e tricolores.
Fig. 1.73 – LED bicolor, tricolor e RGB

A figura 1.73 ilustra estes tipos de LED. No primeiro caso o dispositivo é constituído internamente
por dois LED em antiparalelo, só tem 2 terminais e emite uma cor ou outra cor consoante a
polarização da tensão que lhe é aplicada. No segundo caso o dispositivo é constituído por 2 LED
configurados com ânodo comum ou cátodo comum. O LED tem 3 terminais e a luz emitida vai
depender se está ligado um dos dois LED ou os dois em simultâneo, podendo emitir 3 cores
diferentes.
Outra variante são os LED tricolores RGB (Red, Green, Blue), formados internamente por três
LED (encarnado, verde e azul) e ligados em ânodo comum ou cátodo comum. Estes LED RGB
permitem obter uma gama alargada de cores, consoante os terminais RGB que estão polarizados
em simultâneo. Se apenas um dos 3 terminais por polarizado, o LED emite na respetiva cor. Se
estiverem polarizados os terminais R e G, emite uma luz amarela (Y – Yellow), se estiverem
polarizados os terminais G e B emite uma luz ciano (C – Cian), se estiverem polarizados os
terminais R e B emite uma luz magenta (M – Magenta) e se estiverem polarizados os 3 terminais
RGB, o LED emite uma luz branca (W – White). A luz do LED normalmente é fixa, mas também
existem dispositivos com luz intermitente, existindo um microcircuito integrado que provoca a sua
oscilação.
LED de 7 segmentos
O LED de sete segmentos é um display com os segmentos agrupados em forma de oito, permitindo
mostrar caracteres numéricos e alguns caracteres do alfabeto. Cada segmento do display é um LED
que quando polarizado emite luz e a combinação de segmentos polarizados forma o caracter
alfanumérico pretendido. Se o display possuir ponto decimal, existe um oitavo LED.
A figura 1.74 ilustra os dois tipos de display de sete segmentos, o display de cátodo comum e o
display de ânodo comum.
M4.1.1 Díodos 35
Fig. 1.74 – LED de 7 segmentos de cátodo comum e ânodo comum

No display de cátodo comum os terminais cátodo de todos os segmentos estão interligados
internamente e este terminal comum é ligado à massa. Cada segmento é iluminado quando se
aplica uma tensão ao seu terminal. No display de ânodo comum os terminais ânodo de todos os
segmentos estão interligados internamente e este terminal é ligado ao potencial positivo. Cada
segmento é iluminado quando se liga à massa. Este tipo de display é o mais comercializado.
Os segmentos dos displays são identificados a partir do segmento superior de “a” a “f” e o
segmento do meio é o “g”. Assim, se num display de cátodo comum para mostrar o número “1”,
o terminal “gnd” deve estar ligado à massa e os terminais “b” e “c” estão ligados à tensão do
circuito. No display de ânodo comum para mostrar o número “2” o terminal “Vcc” deve estar
ligado à tensão do circuito e os terminais “a”, “b”, “d”, “e” e “g” devem estar ligados à massa.
O LED de sete segmentos é normalmente acionado por um “encoder”, que é um dispositivo
eletrónico que recebe a palavra digital binária, representando o número e fornece as saídas para
alimentar os segmentos, mostrando o número no formato decimal.
LED de 16 segmentos
O LED de 16 segmentos tem um funcionamento similar ao LED de 7 segmentos, só que neste caso
o dispositivo possui 16 LED ao invés de 7. Pode ser de cátodo comum ligado à massa, ou de ânodo
comum ligado a uma tensão positiva. Este tipo de LED, relativamente ao de 7 segmentos, tem a
vantagem de permitir mostrar todos os caracteres alfanuméricos. Para mostrar um caracter
alimentam-se os respetivos segmentos. Por exemplo, para mostrar a letra “Y” devem estar
alimentados os segmentos “K”, “N” e “S”. A figura 1.75 mostra a imagem de um LED de cátodo
comum, bem como o seu diagrama.
Fig. 1.75 – LED 16 segmentos
36 Díodos M4.1.1
Díodo Schottky
O díodo Schottky é formado por uma junção de metal (platina, molibdénio, tungsténio, etc.) e um
semicondutor N (levemente dopado) e na polarização direta apresenta uma queda de tensão baixa
(aproximadamente 0,2 a 0,4V). A principal característica deste díodo é a sua velocidade de
comutação ser muito elevada, sendo por isso usado na gama de alguns MHz a GHz. A figura 1.76
mostra o símbolo e a sua constituição básica.
Fig. 1.76 – Díodo Schottky

A curva característica, quando comparada com o díodo de junção PN, mostra que na polarização
direta o díodo de Schottky tem barreia de potencial muito baixa, mas com pouca capacidade de
condução de corrente, não aceita grandes tensões de polarização inversa, mas tem uma corrente de
fuga apreciável.
É usado em circuitos de comutação de alta velocidade (por exemplo em computadores), na
retificação de pequenos sinais de grande frequência (discriminador de RF), como limitador de
tensão, eliminação de picos de corrente e proteção de corrente inversa.
Foto díodo
O foto díodo é um díodo sensível à luz, funciona inversamente polarizado e é construído
normalmente de silício. Na ausência de luz, o foto díodo não conduz corrente elétrica,
comportando-se como um díodo normal, apresentando uma barreira de depleção elevada. A luz ao
passar através do invólucro (lente transparente) vai quebrar várias ligações covalentes da junção
PN, aumentando a corrente de fuga e, quanto mais intensa for a luz, maior o número de portadores
minoritários e maior a corrente inversa que percorre o díodo.
A figura 1.77 mostra uma imagem típica e o símbolo do foto díodo, bem como a sua curva
característica típica.
Fig. 1.77 – Foto díodo
Outros díodos
Díodo LASER: produz uma luz coerente (laser). Usados nos leitores óticos de CD ou DVD.
M4.1.1 Díodos 37
Díodo PIN: díodo constituído por uma junção PN, mas intercalada na junção existe uma zona de
semicondutor intrínseco (sem dopagem), aumentando a área de depleção. Usado em comutação
RF.
Díodo de contacto: formado por um semicondutor N ligado a um fio metálico fino. Este tem um
princípio de funcionamento idêntico ao díodo de junção PN. Apresenta baixa capacidade por isso
é bom para circuitos RF.
Díodo de túnel: junção PN fortemente dopada. Funciona na área de resistência negativa.
Polarizado diretamente e sob tensões baixas, diminui a tensão e aumenta a corrente (efeito de
túnel). Fora dessa região funciona como um díodo comum. A figura 1.78 mostra o símbolo elétrico.
Fig. 1.78 – Díodo de túnel
38 Díodos M4.1.1
Anexo 1 – Tabela de LED: diferentes impurezas produzem LED de cores diferentes
M4.1.1 Díodos 39
4.1.2. Transístores
O transístor foi criado pelos laboratórios Bell em 1948 e é o dispositivo eletrónico mais importante
na atualidade. Revolucionou a eletrónica a partir da década de 60 do século passado, sendo usado
como amplificador, interruptor, etc., existindo em praticamente todos os equipamentos eletrónicos.
O termo transístor resulta da aglutinação dos termos ingleses “TRANsfer” e “reSISTOR”
(resistência de transferência), pelo que transístor significa o dispositivo que pode “modificar”
(transferir) uma baixa resistência interna para uma alta resistência. Os tipos mais comuns de
transístores são o Transístor Bipolar de Junção, o FET e o MOSFET.
Identificação de transístores
Tal como nos díodos, a identificação dos transístores também não está padronizada. O sistema
americano classifica os modelos de transístores usando o prefixo “2N”, seguido de um número de
série, por exemplo 2N2002. O sistema europeu utiliza um código de duas letras seguido de um
número. A primeira letra pode ser “A” para transístores de germânio e “B” para transístores de
silício. A segunda letra indica a função do transístor, por exemplo a letra “C” indica que é um
transístor de audiofrequência, “F” indica que é para radiofrequência, “S” que é para comutação,
etc. Por exemplo o transístor BC108 é um transístor de silício, usado em audiofrequência. O
sistema japonês utiliza o prefixo 2S, seguido de uma letra e depois um número. Exemplos: O
transístor 2SA1187 é um transístor PNP para HF (SA) e o transístor 2SC733 é um transístor NPN
para HF (SC). Os transístores apresentam-se em vários tipos de cápsulas, conforme se ilustram
alguns exemplos na figura 1.79.
Fig. 1.79 – Encapsulamento de transístores (exemplos)
Transístor Bipolar de Junção - TBJ

O Transístor Bipolar ou Transístor de Junção consiste na combinação de dois de duas junções PN
+ = + =
Fig. 1.80 – Formação dos transístores NPN e PNP

Conforme ilustrado na figura 1.80, o transístor bipolar (NPN ou PNP) é constituído por duas
junções PN (junção base-emissor e junção base-coletor) de material semicondutor (silício ou
germânio). O transístor tem duas áreas da mesma polaridade e a área central de polaridade
contrária e cada área é ligada a um terminal: Emissor (E), Base (B) e o Coletor (C). A figura 1.81
M4.1.2 Transístores 41
mostra as áreas do transístor NPN e PNP, bem como o respetivo símbolo. Em termos de junções,
o transístor NPN é equivalente a dois díodos em série ligados pelo ânodo e o transístor PNP a dois
díodos em série ligados pelo cátodo. Em termos de funcionamento essas equivalências não
existem.
Fig. 1.81 – Transístor NPN e PNP

O emissor emite os portadores de corrente (eletrões ou lacunas, dependendo da constituição do
transístor), em direção ao coletor (os portadores são coletados). A região da base tem por função
controlar o fluxo dos portadores.
O transístor para funcionar necessita de estar corretamente polarizado e esta polarização implica a
aplicação de tensões e correntes aos seus terminais, dentro de seus limites de operação e no modo
de funcionamento desejado. O transístor funciona em 3 zonas: à saturação, na zona ativa e ao corte
e é normalmente polarizado em 3 configurações típicas: emissor comum, base comum e coletor
comum.
Constituição do transístor bipolar de junção

E C
B
Fig. 1.82 – TBJ
No transístor Bipolar de Junção – TBJ, o emissor é a região com maior nível de dopagem. Daqui
partem os portadores de carga, definindo o sentido da corrente. O símbolo do transístor possui uma
seta no seu terminal que indica o sentido: no transístor NPN os portadores maioritários são eletrões
e no transístor PNP os portadores maioritários são as lacunas. A base é a região mais estreita e
com nível médio de dopagem. A base apresenta uma zona muito fina e é a responsável pelo
funcionamento do transístor. O coletor é região de maior área e a menos dopada. O coletor tem a
maior área, pois é nessa região onde há maior dissipação de energia por efeito Joule, energia essa
originada pela corrente no coletor. Assim, o coletor recebe os portadores de corrente (eletrões ou
lacunas) da região emissora. O transístor tem duas junções: junção Base-Emissor, BE e junção
Base-Coletor, BC.
Funcionamento do transístor
Zona ativa
Nesta zona, a junção base-emissor BE é polarizada diretamente (resistência direta pequena). A
junção base-coletor BC é polarizada inversamente (resistência inversa elevada).
42 Transístores M4.1.2
A tensão da fonte da junção BC é maior que a tensão da fonte da junção BE. A junção BE fica
polarizada diretamente quando se aplica uma tensão maior do que 0,7V (transístor de silício),
permitindo o fluxo de eletrões do emissor para a base. Os eletrões vindos do terminal negativo da
fonte (IE) entram e atravessam o emissor, cruzam a junção e recombinam-se com as lacunas da
base. Por cada recombinação, um eletrão deixa a base produzindo a corrente IB.
A base muito é estreita e menos dopada do que o emissor, pelo que muitos dos eletrões que entram
na base são atraídos/acelerados pela polarização inversa da junção BC (não têm tempo para se
recombinar com as lacunas).
Fig. 1.83 – Transístor polarizada na zona ativa

Os eletrões entram no coletor, atravessam-no como portadores maioritários e saem para o terminal
positivo da fonte como corrente Ic. A junção BC, com resistência elevada impede que os
portadores maioritários atravessem a junção, apenas circula uma pequena corrente inversa de fuga
devido a portadores minoritários.
O transístor opera transferindo corrente (transferência de resistência) de um circuito de condução
para outro circuito e daí o seu nome: “transfer” e “resistor” = transístor. O transístor comporta-se
como uma fonte de corrente na malha do coletor: Ic = IE × ganho transístor ou Ic = IB × ganho
transístor. O transístor a operar na sua zona linear (zona ativa) pode ser utilizado como
amplificador ou oscilador;
Saturação
Nesta zona de funcionamento, a junção base-emissor e a junção base-coletor estão polarizadas
diretamente.
Fig. 1.84 – Transístor à saturação

A polarização do transístor pode ser analisada com o modelo equivalente usando díodos. As duas
junções estão à condução e diz-se que o transístor está saturado e corresponde a um interruptor
fechado entre o emissor e o coletor. O transístor pode ser utilizado para o controlo de carga, por
exemplo controlar a ligação de um conjunto de lâmpadas (na saturação o interruptor está fechado
e as lâmpadas acesas).
Corte
Nesta zona de funcionamento, a junção base-emissor e a junção base-coletor estão polarizadas
inversamente. Com as duas junções polarizadas inversamente, os “díodos” (junções) estão ao corte
e não conduzem. Nesta situação diz-se que o transístor está ao corte e corresponde a um interruptor
aberto entre o emissor e o coletor e se estiver a controlar uma carga não há passagem de corrente,
pelo que nesta zona de funcionamento a carga não está a ser alimentada.
Fig. 1.85 – Transístor ao corte
Zonas de funcionamento: em resumo

A condução do transístor bipolar de junção ocorre quando é aplicada na base uma corrente mínima
(a tensão VBE ≥ 0,7V), caso contrário não haverá passagem de corrente entre o emissor e o coletor,
ficando o transístor ao corte. Com uma pequena corrente na base, o transístor conduz e pode
amplificar a corrente que passa do emissor para o coletor, ficando o transístor a operar na zona
ativa.
…origina uma
grande corrente
O transístor não conduz Uma pequena
entre o emissor e o
(está ao corte) corrente entre a base
coletor
IB = 0 e o emissor…
Fig. 1.86 – Zonas de funcionamento do transístor

Aumentando a corrente de base, aumenta-se a corrente de coletor, até que o transístor entra à
saturação. A relação entre a corrente de coletor e a corrente de base define-se como o ganho do
transístor e é dado pela expressão hfe = IC/IB. Outra forma de caracterizar o ganho do transístor é a
relação entre a corrente de emissor e a corrente de coletor: IC = α.IE.
No transístor NPN a corrente de base é pequena e a corrente do coletor é originada pelos eletrões
que saem do coletor são substituídos pelos eletrões provenientes do emissor, os quais são
substituídos pelos eletrões da fonte de polarização, existindo assim um fluxo contínuo de corrente.
A fonte de polarização controla a quantidade de corrente do coletor: um pequeno aumento da
tensão de polarização VBE, implica que mais eletrões deixem o emissor e produzam uma corrente
de coletor maior, podendo a fonte ser substituída por um divisor de tensão ou por um sinal de
entrada. Este sinal controla o funcionamento da junção emissor-base polarizada diretamente e
produz um sinal amplificado no circuito do coletor.
Funcionamento de um transístor PNP

A figura 1.87 ilustra o funcionamento de um transístor PNP com as setas, indicando o sentido da
corrente, marcadas com o sentido real. O transístor PNP opera do mesmo modo que o NPN. A
diferença principal é que as áreas são feitas de materiais contrários aos do NPN. As cargas dos
portadores maioritários e minoritários são contrárias no PNP e NPN. No caso do PNP os portadores
maioritários do emissor são lacunas em vez dos eletrões no NPN. Para polarizar corretamente o
transístor PNP, a tensão de polarização é contrária à tensão do transístor NPN.
Os eletrões do emissor são atraídos para o terminal positivo da fonte de polarização e abandonam
o emissor deixando lacunas. No coletor, as lacunas são preenchidas por eletrões provenientes do
terminal negativo da fonte (que alimenta o coletor). Os eletrões deslocam-se do semicondutor em
direção ao emissor e alguns eletrões da fonte de polarização entram na base e combinam-se com
as lacunas, reduzindo deste modo as lacunas que penetram em direção ao coletor.
Fig. 1.87 – Transístor PNP

Usando o sentido convencional, na junção emissor-base, que está polarizada diretamente, as
lacunas são aceleradas para a base e a maioria das lacunas atravessam a base e entram no coletor.
No coletor, as lacunas combinam-se com os eletrões que entram no coletor, vindos da fonte. Tal
como no transístor NPN, pode-se aplicar uma pequena tensão de sinal em vez de usar a bateria de
polarização, com o objetivo de produzir um sinal amplificado na saída do coletor.
Utilização de um transístor como amplificador

Como já foi referido anteriormente, o transístor para trabalhar como interruptor eletrónico, trabalha
em duas zonas distintas: à saturação, permitindo a passagem de corrente e ao corte, interrompendo
a corrente no circuito.
No entanto, para trabalhar como amplificador de sinais ou como oscilador tem de trabalhar na zona
ativa, e tal tem de estar devidamente polarizado através de uma fonte DC: Junção PN base–emissor
deve ser polarizada diretamente e a junção base–coletor deve ser polarizada inversamente. A figura
1.88 ilustra a regra prática de polarização de transístores NPN e PNP para trabalharem
devidamente polarizados na zona ativa: o emissor é polarizado com a mesma polaridade do
semicondutor que o constitui a base é polarizada com a mesma polaridade do semicondutor que a
constitui e o coletor é polarizado com polaridade contrária à do semicondutor que o constitui.
Fig. 1.88 – Polarização de transístor na zona ativa
Circuito de polarização do transístor

O transístor é polarizado com o auxílio de resistências de polarização, que o colocam no ponto de
funcionamento em repouso:
Fig. 1.89 – Circuito de polarização

A polarização do transístor, utilizando uma única fonte, faz-se com recurso a resistências de
polarização. No caso da figura 1.89, o divisor de tensão é formado pelas resistências Rb e Rc.
Aplicando a lei dos “nós” obtém-se a relação das correntes num transístor bipolar IE = IC + IB e o
ganho de corrente do circuito, como já visto anteriormente, é dado por: β (hfe) = ΔIC/ΔIB.
Correntes e tensões no transístor

A figura 1.90 ilustra as tensões e correntes no transístor. VCE é a tensão entre coletor e emissor,
VBE é a tensão entre base e emissor e VCB é a tensão entre coletor e base. As correntes no transístor
são IC a corrente de coletor, IB a corrente de base e IE a corrente de emissor.
Fig. 1.90 – Correntes e tensões no transístor

Quando o transístor está ao corte a tensão VBE < 0,7 e as correntes IB ≈ 0; IC ≈ 0. Quando o transístor
está na zona ativa, as tensões VBE > 0,7V; VCE > 0,3V e VCB > 0. As correntes IB > 0 e IC > 0, com
o valor da corrente de coletor a depender do ganho do transístor: IC = β . IB. Com o transístor na
saturação a tensão VCE < 0,3V (tipicamente VCE ≈ 0V) e a corrente de coletor é máxima: IC = ICmax,
com IC ≈ VCC/RC. O gráfico da figura 1.91 mostra a curva característica do transístor bipolar de
junção, que relaciona a corrente de coletor com a tensão entre coletor e emissor para um conjunto
de valores de corrente de base.
I (mA)
C
V (V)
CE
Fig. 1.91 – Curva característica do transístor
O gráfico encontra-se dividido por cores, correspondentes às zonas de funcionamento do transístor.

A zona “1” corresponde à saturação, onde a corrente de coletor está no valor máximo e não
depende da variação da corrente de base. A zona “2” corresponde à zona ativa em que a corrente
de coletor varia em função da corrente de base (a corrente de base regula a corrente de coletor). A
zona “3” corresponde à zona de corte onde a corrente de coletor é praticamente nula e a zona “4”
corresponde à zona de rutura das junções, cuja corrente poderá levar à destruição do transístor.
Configuração em emissor comum

Esta montagem caracteriza-se pelo terminal do emissor ser comum aos sinais de entrada e aos
sinais de saída. O sinal de entrada é aplicado na base do transístor e o sinal de saída é retirado do
coletor. Apresenta a suas características principais: tem um ganho de corrente (100) e de tensão
(1000) altos, o ganho de potência é muito alto (100.000), a resistência de entrada é baixa (2 kΩ),
a resistência de saída tem um valor média (30 kΩ) e o sinal de saída está desfasado 180º
relativamente ao sinal de entrada. Esta configuração é a mais usada, sendo utilizada, por exemplo,
em amplificadores de sinais fracos ou amplificadores de potência.
Fig. 1.92 – Configuração em emissor comum
Configuração em coletor comum

Esta configuração caracteriza-se por ter o terminal do coletor comum aos sinais de entrada e de
saída, sendo também é conhecida por seguidor de emissor. Nesta montagem o sinal de entrada é
aplicado entre a base e o coletor e o sinal de saída é retirado do emissor.
Fig. 1.93 – Configuração em coletor comum

Esta configuração apresenta a suas características principais: tem um ganho de corrente alto (100)
e um ganho de tensão unitário (≈ 1), o ganho de potência é baixo (100), a resistência de entrada é
elevada (300 kΩ), a resistência de saída é muito baixa (50 Ω) e não existe desfasamento entre o
sinal de entrada e de saída. Esta montagem é utilizada principalmente para a adaptação de
impedâncias, sendo também utilizada em amplificadores de corrente.
Configuração em base comum

Esta configuração caracteriza-se por ter o terminal da base comum aos sinais de entrada e de saída.
Nesta montagem o sinal de entrada é injetado entre o emissor e a base e é retirado entre o coletor
e a base.
Fig. 1.94 – Configuração em base comum

Esta configuração apresenta a suas características principais: o ganho de corrente é menor do que
um, o ganho de tensão é alto (1.000) e o ganho de potência é médio (1.000). A resistência de
entrada é baixa (50 Ω), a resistência de saída é alta (200 kΩ) e não existe desfasamento entre o
sinal de entrada e de saída. Esta configuração é utilizada em amplificadores com baixa impedância
de entrada, por exemplo em pré-amplificadores de microfones.
Teste do transístor com multímetro

Do ponto de vista ohmico, o transístor é uma combinação de 2 díodos, podendo-se medir com um
ohmímetro os valores das junções, usando a polarização direta. A figura 1.95 mostra os valores
típicos medidos no teste do transístor NPN em bom estado.
Fig. 1.95 – Teste do transístor NPN com multímetro

Deve-se usar a escala de continuidade (símbolo do díodo), colocando o terminal positivo na base
e o terminal negativo no coletor ou no emissor. Em ambos os terminais (BC e BE) a leitura do
multímetro dá um valor de resistência baixa e entre o coletor e o emissor dá um valor de resistência
elevada.
A figura 1.96 mostra os valores típicos medidos no teste do transístor PNP em bom estado. Deve-
se usar a escala de continuidade (símbolo do díodo), colocando o terminal negativo na base e o
terminal positivo no coletor ou no emissor. Em ambos os terminais (BC e BE) a leitura do
multímetro dá um valor de resistência baixa e entre o coletor e o emissor dá um valor de resistência
elevada.
Fig. 1.96 – Teste do transístor PNP com multímetro
Substituição de transístores
A substituição de um transístor danificado deve ser feita respeitando determinadas regras. Num
circuito não se pode substituir um transístor de silício por um de germânio ou vice-versa e também
não se pode substituir um transístor NPN por um PNP ou vice-versa. Como os transístores são
fabricados para executarem uma função específica, deve-se utilizar tabelas de equivalência para
encontrar o dispositivo adequado. A figura 1.97 ilustra alguns exemplos de equivalências, bem
como alguns tipos de encapsulamento.
Fig. 1.97 – Tipos de encapsulamento
Dissipadores de calor
Os dispositivos semicondutores que controlam potências elevadas geram muito calor nas suas
junções, pelo que esse calor deve ser convenientemente transferido para o exterior para evitar que
o dispositivo entre em sobreaquecimento, uma vez que o calor excessivo danificas as suas junções.
Para aumentar a eficácia da transferência de calor utilizam-se dissipadores metálicos, com diversas
formas, tendo em vista aumentar a superfície de dissipação.
Fig. 1.98 – Exemplos de dissipadores
Transístor FET
O transístor bipolar é um dispositivo controlado por corrente, isto é, a corrente do coletor depende
da corrente de base. O transístor JFET (Junction Field Effect Transistor) é um transístor de efeito
de campo, onde a corrente de saída é controlada pela tensão (a aplicação de um campo elétrico).
É um dispositivo unipolar com um tipo de portador responsável pela corrente: eletrões ou lacunas.
Fig. 1.99 – Transístor FET

Existem dois tipos, o JFET Canal N, em que os portadores são eletrões) e JFET Canal P, em que
os portadores são lacunas. O JFET possui 3 terminais: Fonte (Source), Dreno (Drain) e Porta
(Gate). A figura 1.99 ilustra a constituição dos dois tipos de FET, bem como os respetivos
símbolos. O JFET é formado por um canal semicondutor N ou P e nas extremidades são colocados
2 contactos. Um contacto é a Fonte (por onde as cargas elétricas entram) e o outro é o Dreno (de
onde as cargas elétricas saem). A Porta faz o controlo da passagem das cargas, isto é, moldam o
canal. A maior região do FET é ocupada pelo canal, mas a dopagem da porta é maior do que a
dopagem do canal, de modo que a depleção seja maior na zona do canal quando for aplicado um
campo elétrico.
Na polarização do FET a relação entre as tensões porta / fonte, deve colocar a porta polarizada
inversamente e o circuito Porta Fonte - GS tem uma impedância elevada de entrada, porque está
polarizado inversamente. Os terminais Dreno (D) e Fonte (S) são intermutáveis – qualquer uma
das extremidades pode ser usada uma como Fonte e outra como Dreno. No JFET N em
funcionamento normal o dreno é positivo em relação à fonte (os eletrões fluem da fonte para o
freno).
Funcionamento do transístor FET
Fig. 1.100 – Polarização do FET (V DS=0)

A figura 1.100 mostra um FET canal N com o circuito porta fonte polarizado inversamente, mas
sem aplicação de tensão entre a fonte e o dreno. Considerando a condição do FET com VDS = 0,
aplica-se uma tensão VGS que garanta uma polarização inversa da junção PN. Inicialmente, coma
tensão VGS a zero, o canal está todo aberto entre o dreno e a fonte, mas com uma polarização
inversa aplicada, a barreira de depleção cresce no canal por ser a região menos dopada. O aumento
da tensão inversa faz crescer a barreira de depleção até o canal ficar totalmente fechado,
correspondendo ao máximo valor negativo da tensão VGS. O funcionamento do JFET é
condicionado pela variação da tensão entre a porta e a fonte VGS, pelo que sem esta tensão, o canal
N comporta-se como uma simples resistência.
A figura 1.101 mostra um FET canal N e com o circuito porta fonte polarizado inversamente e
com aplicação de tensão entre a fonte e o dreno.
Fig. 1.101 – Polarização do FET (V DS>0)

Com uma tensão VDS pequena, o canal praticamente não se altera e o dispositivo comporta-se
como uma resistência, mas com o aumento de VDS, a corrente de dreno aumenta, provocando uma
queda de tensão ao longo do canal, pelo que o estreitamento deste não é uniforme. A partir de um
certo valor de VDS ocorre o estrangulamento do canal (estreitamento máximo) e a corrente que
atravessa o canal permanece praticamente constante (tensão de saturação). Esta tensão de
estrangulamento é a tensão máxima de saturação do JFET.
Fig. 1.102 – Comportamento do FET com a variação de V DS 1
A figura 1.103 mostra a curva característica de um JFET de canal N. A corrente de dreno para VGS
igual a zero designa-se corrente de curto-circuito dreno fonte IDSS e corresponde à corrente máxima
que o JFET conduz. Para cada valor de VGS obtém-se uma curva característica de dreno até se
atingir a tensão de corte (IDS = 0). Tal como o transístor bipolar de junção, o JFET apresenta zonas
de funcionamento distintas. As zonas de corte e saturação correspondem respetivamente às zonas
em que o FET não conduz ou conduz, tendo atingido o valor máximo de corrente. Quando o FET
se encontra na zona fonte de corrente, o valor da corrente vai depender da tensão V GS. Na zona
1
Disponível em http://pt.slideshare.net/MarioTimotius/semicondutores-transistores-jfets-30861088
ohmica o FET funciona como uma resistência variável e depende de VGS que varia abaixo da
tensão de pinch off.
Fig. 1.103 – Curva característica do JFET

A figura 1.104 mostra um exemplo típico de um amplificador usando o JFET canal N, na
configuração fonte comum com polarização automática.
Resistência fixa
Resistência variável
Fonte de
corrente
Circuito aberto
Fig. 1.104 – Amplificador com JEFT canal N

A resistência RD, resistência de dreno converte as variações de corrente em variações de tensão. É
o ponto onde se obtém o sinal de saída. A corrente a circula em RS provoca-lhe uma queda de
tensão e a porta (gate) está ligada à massa através de R2 porque não circula corrente. Entre a porta
e a fonte surge uma tensão idêntica à de RS polarizando a junção no sentido negativo. O divisor de
tensão R1 e R2 asseguram a estabilização da polarização e o condensador CS faz o desacoplamento
de sinais indesejáveis (parasitas). O gráfico mostra que, consoante o ponto de funcionamento onde
o JFET esteja colocado assim vai ter um comportamento diferenciado.
Em resumo, o transístor JFET pode ser de canal N ou canal P e a corrente de saída é controlada
pela tensão porta fonte VGS. No FET canal N a corrente reduz-se à medida que a tensão VGS fica
mais negativa a partir do zero e no FET canal P a corrente reduz-se à medida que a tensão VGS fica
mais positiva a partir do zero. Os FET são utilizados como controladores de tensão (resistência),
fontes de corrente constante, amplificadores de sinal, etc.
Encapsulamento dos JFET

O encapsulamento é diversificado e similar ao dos transístores bipolares de junção. A figura 1.105
mostra alguns exemplos de encapsulamento, bem como um extrato de uma ficha técnica, onde se
podem obter os valores característicos do JFET.
Fig. 1.105- Encapsulamento de JFET

Tal como no transístor bipolar de junção, o JFET tem possui configurações típicas: fonte comum,
dreno comum e gate. A figura 1.106 mostra os esquemas simplificados de cada um dos tipos de
montagem bem como os locais onde os sinais de entrada são aplicados e onde são retirados os
sinais de saída.
Fig. 1.106 – Configurações do JFET
Teste ohmico do JFET

A figura 1.107 mostra os valores tipos que devem ser medidos nos terminais do JFET, usando um
multímetro, na função ohmímetro.
Fig. 1.107 – Teste ohmico das junções do JFET
Foto transístor
O foto transístor é um componente com um tipo de construção muito similar ao do transístor
bipolar comum, possuindo uma janela que permite a entrada de luz. É utilizado da mesma forma
que um foto díodo, mas devido à capacidade de amplificação do transístor, existe na saída um
aumento substancial de corrente, pelo que, quanto maior for a intensidade da luz, maior será a
corrente no coletor. O foto transístor tem três terminais, base, emissor e um coletor. A base é usada
para definir o ponto de funcionamento do transístor em repouso, variando o valor da corrente do

coletor em função da luz recebida. A figura 1.113 mostra uma imagem de um foto transístor e um
circuito simples usando um foto transístor. O ponto quiescente do transístor é definido para um
nível baixo de luminosidade e a corrente de coletor não é suficiente para energizar o relé. Com o
aumento da luminosidade sobre a janela do transístor, aumenta a corrente de coletor de modo que
o relé é energizado, fechando o seu contacto elétrico.
Circuito com relé
Fig. 1.113 – Foto transístor

O foto transístor, face ao foto díodo, produz uma saída de corrente muito mais elevada para a
mesma intensidade de luz, tem maior sensibilidade (maior gama de possíveis aplicações). No
entanto, o foto díodo responde mais rapidamente às mudanças de intensidade de luz, pelo que é
mais indicado para aplicações de comutação rápida do que o foto transístor.
O foto transístor é utilizado em conta-rotações, em dispositivos de controlo de exposição
fotográfica, em detetores de fumo, no ajuste de posicionamento de objetos, em dispositivos
optoelectrónicos, etc.
Opto isolador
O opto isolador também é conhecido por acoplador ótico e é um dispositivo eletrónico que utiliza
um LED e um foto transístor. O sinal de entrada é ligado ao LED que emite luz e essa luz vai gerar
uma corrente de coletor no transístor que depende do sinal de entrada. Este dispositivo é utilizado
em circuitos que se pretenda a separação elétrica do sinal de saída do sinal de entrada: A figura
1.114 mostra o esquema de um opto isolador.
Fig. 1.114 – Opto isolador
4.1.3 Circuitos Integrados – CI

O Circuito Integrado – CI é um circuito eletrónico miniaturizado, constituído pela interligação
adequada de componentes passivos e ativos de modo que o conjunto apresente as características
elétricas desejadas. Os circuitos lógicos digitais podem ser construídos de duas formas: circuitos
discretos e circuitos integrados. Os primeiros são formados por componentes separados, utilizando
díodos, transístores, resistências, etc. e os segundos possuem díodos, transístores, resistências e
condensadores alojados numa base de material semicondutor, designado “chip”. Algumas
aplicações digitais usam circuitos discretos, mas a maioria das aplicações utiliza circuitos
integrados.
O circuito integrado, devido às suas reduzidas dimensões, é colocado num invólucro que
desempenha as seguintes funções: proteção da pastilha de silício contra as ações do meio ambiente
(mecanicamente e eletricamente), disponibilizar uma forma simples de interligar o CI com outros
componentes e dissipar o calor gerado dentro da pastilha do CI (calor produzido nas junções). O
CI integra muito componentes, sendo as escalas de integração de componentes mais usadas a LSI
e a VLSI. Considera que o CI é LSI (Large Scale of Integration) quando tem integrado 1.000 a
2.000 portas lógicas ou contém uma memória de 1kbit a 64 kbit. Considera-se que o CI é VLSI
(Very Large Scale of Integration) quando tem integrado mais de 2.000 portas lógicas ou contém
uma memória com uma capacidade maior do que 64 kbit. Alguns autores consideram a barreira
entre o LSI e o VLSI 3.000 portas.
O CI reduz o peso, o tamanho e o custo do dispositivo, uma vez que possui vários componentes
num só componente, tem menor consumo de energia do que circuitos convencionais, gera menos
calor, não necessitando de dispositivos de refrigeração mais simples e podem operar em altas
velocidades.
Os Circuitos Integrados são muito fiáveis. Têm uma fiabilidade superior aos circuitos
convencionais porque são constituídos por elementos discretos semicondutores (O CI é 30 a 50
vezes mais fiável que o circuito convencional), as conexões são permanentemente ligadas entre si
através de camadas de metal e não são soldadas. Por isso, o CI é um componente importante na
construção de equipamentos aeronáuticos.
Fig. 1.115 – Chip e cápsula do CI

Mas um CI também apresenta desvantagens. Os valores das tensões e correntes de operação são
baixos e tensões elevadas podem quebrar o isolamento dos componentes constituintes do CI.
Suportam valores de potência pequenos, tipicamente menores do que 1W. Um CI não é reparável,
pelo que uma avaria num dos componentes internos implica a substituição do integrado.
Tipos de CI
Os CI podem ser construídos segundo vários processos. Os monolíticos são construídos sobre uma
bolacha muita fina de material semicondutor, como se ilustra na figura 1.116.
M4.1.3 Circuitos Integrados 55

Circuitos monolíticos
Ligações
Chip
Terminais
Fig. 1.116 – CI monolítico: da pastilha ao CI

Os circuitos integrados monolíticos são construídos sobre uma bolacha muita fina de material
semicondutor, sendo fabricados por dois métodos: o método de difusão de impurezas dopante no
substrato, cuja difusão é controlada por calor e o método epitaxial que consiste na deposição de
camadas finas sobre o substrato. Nestes CI podem-se integrar transístores, díodos, resistências e
condensadores.
Método por difusão
A bolacha de material semicondutor é colada num forno que contém uma concentração de
impurezas. A temperatura e o tempo que a bolacha permanece no forno controlam a difusão dos
átomos de impureza na bolacha. Este processo designa-se dopagem.
A figura 1.117 mostra um exemplo de implementação parcial de um circuito sobre um substrato
de material semicondutor, usando o método por difusão: CI composto por um transístor NPN, uma
resistência e um condensador integrado num único “chip” (A), correspondendo ao esquema
elétrico mostrado em (B). Esta tecnologia também é usada para produzir os transístores bipolares
de junção.
Fig. 1.117 – Implementação de um CI

Método epitaxial
Consiste na deposição de uma camada muito fina de silício, para criar uma região cristalina
uniformemente dopada (camada epitaxial) sobre o substrato. Os componentes são então
implementados através da difusão de materiais apropriados sobre a camada epitaxial, usando o
método de difusão planar. A combinação destes dois métodos permite obter CI com melhores
características devido à distribuição uniforme das camadas epitaxiais. Componentes integrados no
CI: transístores, díodos, resistências e condensadores.
Isolamento
Devido à proximidade, o isolamento entre componentes no interior do CI é muito importante, para
garantir que não existem correntes de fuga indesejáveis que comprometam a operação correta do
CI. Uma das técnicas mais utilizadas consiste em utilizar óxido de silício (excelente isolador) a
separar os componentes.
56 Circuitos Integrados M4.1.3

CI de película fina
Construído pela deposição de uma camada com uma espessura de 0,0001cm, contendo elementos
passivos, sobre a superfície dum substrato isolante (cerâmica, vidro ou silício). No processo
construtivo do CI sobrepõe-se uma máscara sobre a bolacha de material isolante e coloca-se esta
num dispositivo contendo o material a depor sob a forma de vapor. Quando o processo termina,
retira-se a máscara e a bolacha fica com a deposição da película fina nas áreas não protegidas.
CI de película espessa.
Usa técnicas de impressão em filme com uma espessura de 0,001cm sobre um substrato de
cerâmica para criar os circuitos desejados. As telas são feitas de malha de aço inoxidável fino e as
tintas são pastas com propriedades condutivas, resistivas ou dielétricas. Após a impressão, os
circuitos são cozidos em forno para fundir os filmes ao substrato. Os componentes passivos de
filme espesso (resistências e condensadores) são fabricados da mesma maneira que os dos circuitos
de filme fino;
Fig. 1.118 – CI de película fina e de película espessa
Circuitos híbridos
Os circuitos híbridos combinam dois ou mais tipos de circuito integrado, como por exemplo
combinação de circuitos de película com circuitos monolíticos, bem como componentes discretos.,
como por exemplo, resistências, condensadores, transístores, díodos e bobinas.
Fig. 1.119 – CI híbrido
Tipos de encapsulamento
A figura 1.120 mostra o encapsulamento “dual em line”. Os CI com este encapsulamento são
construídos em plástico ou cerâmica, que apresenta uma melhor proteção contra o meio ambiente
e maior gama de temperatura de operação. No encapsulamento “dual in line” os terminais de
ligação estão dispostos lado a lado e alinhados.

Fig. 1.120 – Encapsulamento “Dual in Line”

Os CI podem estar contidos noutros tipos de cápsulas, nomeadamente, cápsulas metálicas, com
uma constituição similar às cápsulas dos transístores ou cápsulas planas, formadas por uma caixa
muito fina, com ligações alinhadas e dispostas ao longo da caixa. Esta cápsula permite que o CI
possa ter até 60 pinos. A figura 1.121 mostra o exemplo de uma cápsula metálica (lado esquerdo)
e uma cápsula plana (lado direito).
Fig. 1.121 – CI em cápsula metálica e cápsula plana
Identificação dos pinos de um CI

Na cápsula “Dual In Line”, com a identificação voltada para o utilizador (pinos para baixo), o pino
mais à esquerda por debaixo do chanfro é o pino 1 e a contagem faz-se no sentido anti-horário.
Nas cápsulas metálicas existe uma extremidade que indica o último pino. Visto de cima, o pino 1
é o pino adjacente à extremidade rodando no sentido anti-horário ou, visto de baixo, o pino 1 é o
pino adjacente rodando no sentido horário.
Por cima Por baixo
Fig. 1.122 – Identificação dos pinos de um CI
Famílias de Circuitos Integrados

As famílias de CI lógicos mais usados em circuitos digitais são a ECL – Emitter Coupled Logic, a
TTL – Transistor Logic e a CMOS – Complementary Metal Oxide Semiconductor;
Família ECL
Os CI desta família apresentam uma velocidade de resposta de saída face aos sinais de entrada,
tipicamente na casa de 1 ns e integra transístores bipolares. Estes CI são usados em instrumentos
eletrónicos, memórias, sistemas digitais de comunicações, etc. As tensões típicas de
funcionamento são: -5,2V de tensão de alimentação e tensões de entrada/saída: UH = -0,9V; UL =
-1,75V.

Família TTL
Os circuitos integrados da família TTL são muito utilizados, apresentam uma velocidade de
resposta de saída face aos sinais de entrada relativamente elevada (10 ns) e são construídos com
transístores bipolares. Apresentam um comportamento assimétrico das entradas e saídas e têm um
consumo de potência superior aos integrados da família ECL. As tensões típicas aceitáveis no TTL
são: + 5V de tensão de alimentação, tensões de entrada são UL = 0 a 0,8V (nível baixo) e UH = 2 a
5,5V (nível alto). Os valores das tensões de saída são UL = 0 a 0,4V (nível baixo) e UH = 2,4 a 5,5V
(nível alto). Verifica-se assim que existe uma gama de tensões não desejadas que correspondem a
valores não definidos, pelo que deverão ser evitadas. A figura 1.123 mostra um gráfico com os
valores típicos da família TTL.
Tensão
na porta
Valor lógico
Fig. 1.123 – Tensões no CI TTL
Família CMOS
Os circuitos integrados desta família utilizam transístores CMOS e têm a vantagem de ter menor
dimensão, consumo de potência é mais reduzido, têm uma impedância de entrada muito elevada e
são de fabrico mais fácil. Apresentam a desvantagem de serem dispositivos mais lentos. As tensões
típicas de funcionamento são: de + 3 a +15V de tensão de alimentação. Os valores das tensões de
entrada e de saída são UH = 5 a 10V (nível alto) e UL menor do que 1/3 da tensão de alimentação
(nível baixo). Os valores das tensões de entrada devem ser maiores do que 2/3 do valor da tensão
de alimentação. A figura 1.124 mostra um gráfico com os valores típicos da família CMOS.
T. Alimentação
Tensão
na porta
Valor lógico
Fig. 1.124 – Tensões no CI CMOS
Comutação nos circuitos lógicos

Define-se pulso como a forma de onda quadrada de tensão ou corrente, usada como entrada na
maior parte dos circuitos lógicos e as saídas de muitos dispositivos lógicos são também pulsos. A
forma de onda de um pulso, representa o desenho da amplitude da onda em função do tempo. A
amplitude do pulso corresponde ao valor alto do pulso. No exemplo da figura 1.125, este está no
estado alto -H (amplitude de 5V) entre 2µs e 3µs e está no estado baixo - L (amplitude de 0V) no
restante tempo.

Fig. 1.125 – Características do pulso.

Define-se largura de pulso tP o tempo em que o pulso está no valor alto (no exemplo da figura
1.125: 3 – 2 = 1µs). O pulso é composto pela fase de subida da amplitude (leading edge), pela fase
em que amplitude permanece constante (flat top) e pela fase de descida da amplitude (trailing
edge).
Quando existe variação na tensão de entrada de uma porta lógica, é necessário um determinado
tempo para produzir a saída e define-se atraso de propagação como a diferença de tempo entre o
sinal de entrada e a saída produzir o sinal.
Fig. 1.126 – Atraso de propagação

Não existem problemas de acoplamento nos circuitos quando se usam CI da mesma família lógica.
O acoplamento de circuitos usando CI de famílias diferentes pode ser problemático devido à
existência de tensões diferentes para os níveis alto e baixo, bem como tensões de alimentação
diferentes, correntes de entrada. Por isso é necessário a utilização de circuitos de interface para
interligar TTL com CMOS e vice-versa.
Operadores lógicos
As portas lógicas manipulam números binários e executam operações binárias. A álgebra de Boole
é um sistema matemático que serve para descrever e desenhar circuitos binários digitais. As
operações lógicas básicas são: NOT, AND e OR. A função destes operadores pode ser descrita por
uma equação booleana ou por uma tabela de verdade. A equação booleana descreve a função dos
operadores pela apresentação das entradas e das operações que executam, sendo escrita na forma
“B = A”. Uma tabela de verdade descreve a função do operador, listando todas as entradas
possíveis e as respetivas saídas.
Porta NOT
Em português porta “Não”, sendo designada também por inversor, negação ou complemento.

O circuito que implementa esta função designa-se inversor, isto é, a saída apresenta um valor
inverso em relação à entrada. A figura 1.127 mostra o símbolo, a expressão booleana, a tabela de
verdade e o circuito elétrico que implementa esta porta.
Fig. 1.127 – Porta NOT

A porta pode ter uma saída não inversora e, neste caso, a saída S é igual à entrada A (S = A). O
circuito equivalente é representado por um interruptor em série com a saída.
Fig. 1.128 – Porta Não Inversora
Porta AND
A função AND apresenta a saída a “1” quando todas as entradas da função estão em “1” e a saída
é sempre “0” se uma (ou ambas) das entradas da função for “0”. A figura 1.129 mostra o símbolo,
a expressão booleana, a tabela de verdade e o circuito elétrico que implementa esta porta.
Fig. 1.129 – Porta AND
Porta OR
A função OR (inclusive) apresenta a saída a “1” quando uma (ou ambas) as entradas da função
está em “1” e a saída é “0” se todas as entradas da função forem “0”. A figura 1.130 mostra o
símbolo, a expressão booleana, a tabela de verdade e o circuito elétrico que implementa esta porta.
Fig. 1.130 – Porta OR
Porta NAND
A porta NAND é uma porta derivada de duas portas NOT e AND. É uma porta AND com a saída
negada. A saída é “0” quando todas as entradas estão em “1” e a saída é “1” nas restantes situações.
A figura 1.131 mostra o símbolo, a expressão booleana, a tabela de verdade e o circuito equivalente
desta porta.
Fig. 1.131 – Porta NAND

Porta NOR
Porta NOR é construída com uma porta NOT e uma porta OR. É uma porta OR com a saída negada.
A saída é “1” quando todas as entradas estão em “0” e a saída é “0” nas restantes situações. A
figura 1.132 mostra o símbolo, a expressão booleana, a tabela de verdade e o circuito equivalente
desta porta.
Fig. 1.132 – Porta NOR
Porta XOR
Porta XOR (Exclusive OR) é a porta em que a saída só é “1” quando somente uma das entradas
está em “1”. Para a saída ser “1” as entradas têm de ser complementares, porque se as 2 entradas
forem iguais a saída é “0”. A figura 1.133 mostra o símbolo, a expressão booleana, e a tabela de
verdade desta porta.
Fig. 1.133 – Porta XOR
Porta XNOR
Porta XNOR (XOR negada) tem a saída em “1” quando as entradas são iguais ( A = B), estando
ambas em “1” ou “0” e a saída é “0” quando as entradas são complementares. A figura 1.134
mostra o símbolo, a expressão booleana, e a tabela de verdade desta porta.
Fig. 1.134 – Porta XNOR
Amplificadores Operacionais
Os circuitos integrados lineares são aqueles em que a corrente e a tensão podem assumir qualquer
valor dentro de uma determinada faixa contínua de valores. O amplificador operacional (AmpOp
ou do inglês OpAmp – Operational Amplifier) é um tipo de circuito integrado linear. O termo
“AmpOp” foi inicialmente usado para designar uma cadeia de amplificadores DC usados na
realização de operações matemáticas. Atualmente são usados como amplificadores, comparadores
de sinal, osciladores, filtros, etc., sendo um componente de grande utilização por ser dispositivo
versátil e económico. O amplificador operacional é um circuito eletrónico linear, projetado para
apresentar características próximas do amplificador ideal.
Amplificador operacional ideal

O amplificador ideal é um dispositivo teórico que deve possuir o seguinte conjunto de
especificações e que podem ser comparadas com os valores de um amplificador real (por exemplo
o modelo SN72741):

• Ganho de Tensão infinito (G = ) para que uma pequena variação na entrada corresponda
a uma saída máxima (o ganho do AmpOp 741 é cerca de 200.000).
• Resistência de entrada infinita (Ri = ) para não carregar a fonte, não consome corrente na
entrada (a Ri do AmpOp 741 é à volta de 2M).
• Resistência de saída nula (Ro = 0) para se poder ligar o amplificador a qualquer carga sem
afetar a tensão de saída e evitar perda de sinal (a Ro do AmpOp 741 é à volta de 75).
• Largura de banda infinita (BW = ) para que sinais desde DC até uma frequência infinita
sejam amplificados da mesma maneira (a BW do AmpOp 741 vai de DC a 1MHz e com o
aumento da frequência para além do valor máximo, o ganho vai-se reduzindo).
Fig. 1.135 – Largura de banda num AmpOp real

• Alimentação constante, de modo que o amplificador seja imune às variações da tensão de
alimentação.
• Ruído interno produzido deve ser nulo.
Descrição do amplificador operacional

A figura 1.136 ilustra um amplificador operacional, que é representado por um triângulo e pelos
respetivos terminais de ligação. Os terminais “Vs+” e “Vs-” correspondem aos terminais de
alimentação do AmpOp, fornecida por uma fonte de tensão simétrica. A alimentação deve ser
equilibrada, sendo aplicada uma tensão positiva e uma negativa numa gama dos ±5V aos ±15V. A
tensão de referência 0V (ponto central da fonte) é comum à entrada e à saída.
Fig. 1.136 – Amplificador Operacional

O terminal Vout corresponde ao terminal de saída, que apresenta a tensão amplificada. O terminal
“V-“ corresponde à entrada inversora de sinal e o terminal “V+” corresponde à entrada não
inversora. Não confundir os sinais “+” e “–“ com as polaridades de alimentação. No amplificador
operacional a entrada marcada com “-“ significa que o sinal vai ser invertido à saída e a entrada
marcada com “+” significa que o sinal não vai ser invertido. Se a entrada não inversora for ligada
à massa e for aplicado um sinal alternado à entrada inversora, o sinal de saída estará desfasado
180º. Se a entrada inversora for ligada à massa e for aplicado um sinal à entrada não inversora, o
sinal de saída estará em fase com o sinal de entrada.
A figura 1.137 ilustra o modelo equivalente de um amplificador operacional real.

Fig. 1.137 – Modelo equivalente de um AmpOp

A resistência Rin corresponde à resistência de entrada, os terminais Vs+ e Vs- representam a
ligação da fonte de alimentação equilibrada e simétrica, Gvin é uma fonte de tensão constante e
representa o ganho do amplificador operacional, a resistência Rout corresponde à resistência de
saída e Vout é o terminal do AmpOp que disponibiliza a tensão de saída.
Os amplificadores operacionais existem em diversos tipos de CI e encapsulamento. A figura 1.138
mostra alguns exemplos típicos de encapsulamento. Um circuito integrado possui tipicamente um,
dois ou quatro Amplificadores Operacionais e as cápsulas podem ser “Dual In Line” de 8 e 16
pinos (1) e (2), cápsula metálica (3), pentawatt (4) e cápsula “Amplificador de Potência” (5).
Fig. 1.138 – Encapsulamento de AmpOp
Funcionamento do AmpOp
Se a tensão aplicada à entrada não inversora (+) é positiva em relação à outra entrada, a saída é
positiva e se a tensão aplicada à entrada não inversora (+) é negativa em relação à outra entrada, a
saída é negativa. A entrada não inversora está em fase com a saída. Se a tensão aplicada à entrada
inversora (-) é positiva em relação a outra entrada, a tensão de saída é negativa e se a tensão
aplicada à entrada inversora (-) é negativo em relação à outra entrada, a tensão de saída é positiva.
A entrada inversora está em desfasada 180º com a saída. Um AmpOp é um amplificador diferencial
que amplifica a diferença entre as duas tensões de entrada.

Fig. 1.139 – Sinais de entrada e saída no AmpOp

Nos sinais de entrada, se V+ é maior do que V- a saída é positiva, se V+ é menor do que V- a saída
é negativa e se V+ é igual a V- a saída é zero. A saída do amplificador operacional é dada pela
expressão: V0 = A0 × [(V+) - (V-)], em que A0 representa o ganho do amplificador operacional.
Curva característica do AmpOp:

A figura 141 representa a curva característica do amplificador operacional. Na zona linear existe
uma gama de valores de entrada (V+ e V-) em que a saída V0 é diretamente proporcional (de A
para B). Devido ao ganho extremamente alto, pequenas variações de tensão para além de A ou B
colocam o amplificador em saturação. Exemplo: Com uma tensão de saída de ±9V e com um
ganho de 105, a variação máxima da tensão de entrada de um AmpOp é ± 9V/105 = ± 90µV;
Fig. 1.140 – Curva característica do AmpOp

Este valor é pouco útil, pelo que se reduz o ganho para permitir sinais de maior valor na entrada.
Uma forma de reduzir o ganho do amplificador é usar realimentação (feedback) negativa.
Limitações da largura de banda

O ganho do amplificador operacional é definido pelo fabricante na configuração de malha aberta
(sem realimentação) e varia com a variação de frequência. A largura de banda é definida pelo
ponto de meia potência (70,7%). A partir deste ponto o ganho decai rapidamente até se atingir o
ponto de ganho unitário: sinal de saída com a mesma amplitude do sinal de entrada. Como se
pretende uma amplificação iguais das diversas frequências de entrada, usa-se realimentação

negativa para aumentar a largura de banda do circuito. A relação entre ganho do amplificador e a
sua largura de banda é dada pela expressão: G × BW = ponto ganho unitário.
Fig. 1.141 – Curva de resposta em frequência do AmpOp
Amplificador de tensão inversor

A figura 1.142 mostra a montagem de um amplificador de tensão inversor. O sinal é aplicado na
porta inversora e a saída está em oposição de fase com um sinal dado por V0 = A0 × Vi. Usa-se
uma realimentação negativa (negative feedback), em que parte do sinal de saída é colocado na
entrada de modo a produzir uma tensão contrária à da saída: o sinal da saída é aplicado na entrada
inversora. A aplicação da realimentação negativa confere estabilidade ao amplificador, menor
distorção, maior largura de banda e maior previsão na exatidão do ganho do amplificador.
Fig. 1.142 – Amplificador inversor

RIN é a resistência de entrada do circuito, RF é a resistência de realimentação (feedback) que
permite o controlo de ganho do amplificador. Estas duas resistências estão em série entre as tensões
de entrada e de saída VIN e VO e como a corrente que passa em cada resistência é dada por I1 =
VIN/RIN e IF = VO/RF, e é a mesma pode-se dizer que VIN/RIN = VO/RF. Resolvendo a equação em
função das tensões, retira-se que a tensão de saída é dada por:
𝑅𝐹
𝑉𝑂 = − .∙ 𝑉
𝑅𝐼𝑁 𝐼𝑁
O ganho do circuito é calculado a partir dos valores das resistências e é dado por A = RF/RIN.

Amplificador de tensão não inversor

No amplificador não inversor (figura 1.143) o sinal é aplicado na entrada não inversora, fazendo
com que o sinal de saída esteja em fase com o de entrada. As resistências R2 e R1 formam um
divisor de tensão para a tensão de saída VO, sendo esta tensão proporcional ao valor das resistências
individuais.
A relação entre as resistências e as tensões é dada por:
𝑅2 +𝑅1 𝑅2 +𝑅1
𝑉𝑜 = ∙ 𝑉𝑖 com o ganho G a ser dado por: 𝐺 =
𝑅1 𝑅1
Fig. 1.143 – AmpOp não inversor
Amplificador comparador
Removendo a realimentação negativa de um amplificador operacional inversor este passará a
funcionar como um circuito aberto com o valor de ganho no máximo. Se a tensão de entrada VIN
for mais positiva do que a tensão de referência (por exemplo 0V), a tensão de saída será Vs-, isto
é, o amplificador satura na tensão de alimentação. Se a tensão de entrada VIN for mais negativa do
que a tensão de referência (0V), a tensão de saída será Vs+.
Fig. 1.144 – AmpOp comparador

Quando as duas entradas de um amplificador operacional são usadas em conjunto, a tensão de
saída é dada por: V0 = A0 x [(V+) – (V–)]. Nesta configuração não existe circuito de realimentação
e a diferença de tensão nos terminais de entrada é amplificada e aparece na saída. Como o ganho
é muito grande, uma diferença de dezenas de micro volts faz com que a saída entre à saturação.
Vi
Vo
Fig. 1.145 – Comportamento do Comparador

Quando (V-) for maior do que (V+) a saída é quase Vs+ e quando (V-) for menor do que (V+) a
saída é quase Vs-. O AmpOp comporta-se como um interruptor de 2 estados: alterna entre “alto”

e baixo” em função da diferença dos sinais de entrada. Aplica-se uma tensão de referência na
entrada não inversora e o sinal de entrada na entrada inversora. O amplificador vai comutar entre
Vs+ (quando o sinal é menor do que a tensão de referência) e Vs- (quando o sinal é maior do que
a tensão de referência).
Amplificador somador
O amplificador configurado como amplificador inversor pode ser usado para adicionar diversas
tensões (vários sinais na entrada inversora. A figura 1.146 mostra uma montagem amplificador
somador para três entradas, sendo estas tensões Vin 1, Vin 2 e Vin 3 aplicadas através de
resistências das suas resistências de entrada R1, R2 e R3 respetivamente.
A corrente que circula na resistência de realimentação é a soma das correntes: I f = I1 + I2 + I3.
Traduzindo as correntes em função dos valores das tensões e das resistências têm-se If = - Vo/Rf;
I1 = V1/R1; I2 = V2/R2 e I3 = V3/R3. Substituindo estes valores na equação das correntes:
- Vo/Rf = [(V1/R1)+ (V2/R2) + (V3/R3)]
Generalizando: Vo = - Rf . [(V1/R1)+ (V2/R2) + (V3/R3) + … + (Vn/Rn) ];
Se R1 = R2 = R3 = Rin = Rf → Vo = - (V1 + V2 + V3). A tensão de saída é a soma das tensões de
entrada, mas de polaridade oposta.
Fig. 1.146 – Amplificador somador
Amplificador subtrator
O amplificador subtrator permite obter uma tensão na saída igual à diferença dos sinais de entrada,
mas multiplicada por um ganho:
O ganho da malha fechada é obtido à custa da resistência de realimentação e da resistência de

entrada, sendo uma entrada ligada à massa e a outra recebe o sinal. No amplificador diferencial
ambas as entradas estão em uso, de modo que os dois pares de resistências são necessários para
controlar o ganho, sendo um par para cada entrada.
Fig. 1.147 – Amplificador diferencial

Os ganhos das duas entradas têm de ser iguais, caso contrário a saída vai ser a diferença das tensões
e a diferença dos ganhos do amplificador inversor e não inversor. A expressão anterior já não é
aplicável, uma vez que é um caso particular quando a relação R2, R1 é idêntica à reação R4, R3.
Seguidor de tensão
O seguidor de tensão é um amplificador de ganho unitário e sem inversão de polarização. O sinal
de saída possui a mesma amplitude, polaridade e fase do sinal de entrada: Vo = Vi.
O seguidor de tensão é usado como um isolador de andares e como acoplamento de impedâncias,
permitindo, por exemplo, adaptar a impedância de saída de um gerador de sinal com um
amplificador de baixa impedância. Se aumentar a tensão de entrada VI, a tensão de saída VO
também aumentará na mesma proporção e vice-versa. Nesta configuração o amplificador atua
como um tampão à medida que a saída segue a entrada.
Fig. 1.148 – Seguidor de tensão
Amplificador diferenciador
O diferenciador executa a operação matemática diferenciação. O condensador é colocado na
entrada inversora e a resistência disponibiliza a realimentação negativa. O circuito só se comporta
como diferenciador para frequências abaixo da frequência de corte;
Fig. 1.149 – Amplificador Diferenciador
Amplificador integrador
Um condensador na malha de realimentação negativa cria um integrador, que efetua o cálculo
matemático da integração. Para frequências menores que a frequência de corte comporta-se como
um amplificador inversor.

Fig. 1.150 – Amplificador Integrador

Executa a operação matemática de integração, isto é, a saída é proporcional ao tempo em que a
tensão é aplicada na entrada. Para frequências menores que a frequência de corte, o dispositivo
comporta-se como um amplificador inversor, pelo que esta configuração pode ser usada como um
filtro passa baixo.
Exemplos práticos de circuitos com AmpOp

Os amplificadores operacionais são dispositivos muito utilizados em eletrónica em vários ramos
da indústria. Os circuitos são projetados para uso em circuitos lógicos diversos e sistemas
informáticos e realizam operações aritméticas e funções de tomada de decisão. Estão disponíveis
em dois tipos de construção ou família: Transistor Logic (TTL) e Metal Oxide Semiconductor
(MOS).
Filtros
Os AmpOp são usados para construir filtros. Escolhendo os valores apropriados de R e de C,
obtém-se filtros passa alto, passa baixo, passa banda, etc. A figura 1.151 mostra um exemplo do
emprego de um amplificador operacional para construir um filtro passa banda.
Fig. 1.151 – Filtro passa banda

Conversor digital analógico
Fig. 1.152 – Conversor A/D

A figura 1.152 mostra um amplificador somador desenhado para converter palavras binárias
(sinais digitais) em níveis de tensão, proporcionais a essas palavras. O conversor converte cada
uma das palavras digitais num nível de tensão único para cada palavra.
Anexo 1:
Esquema de um amplificador operacional 741

4.2. Placas de Circuito Impresso

Antes da invenção dos transístores, os circuitos eletrónicos baseavam-se em válvulas, as quais
eram montadas em chassis metálicos. A interligação era assegurada por fios ligados aos
componentes, usando soldadura, ligação mecânica por parafusos e cravação de terminais. A
interligação entre os componentes principais era efetuada pela parte de baixo do chassi.
Fig. 2.1 – Componentes montados em chassis

A montagem dos circuitos constituintes das unidades empregues nos sistemas eletrónicos das
aeronaves, implica a interligação dos diversos componentes por meio de condutores elétricos.
desenvolvimento da tecnologia de circuitos, a miniaturização (racionalização da disposição e
montagem dos componentes), a redução de peso, a simplificação da instalação e manutenção,
tornou-se primordial adotar uma técnica para implementar os circuitos necessários. Com o advento
dos transístores, a placa de circuito impresso, tornou-se a forma mais comum de construção de
circuitos eletrónicos.
Técnica para produção de uma placa de circuito impresso: uma folha metálica, é ligada a uma
placa de material isolante. É impresso um padrão, gravando na folha uma série de trilhas
condutoras de corrente, que substitui o método antigo de ligação por cablagem. Os componentes
apropriados para o circuito são dispostos na placa e ligados e/ou soldados nos pontos de ligação e,
numa única montagem, a placa satisfaz os requisitos estruturais e elétricos da unidade.
Se for um circuito simples, as pistas (trilhas) de ligação podem existir de um lado da placa e os
componentes são instalados do outro lado. Em circuitos mais complexos, as pistas são também
instaladas na face oposta da placa, a ual também serve como a montagem dos componentes. A
placa de Circuito Impresso – PCI é o suporte mecânico dos componentes e a interligação elétrica
entre eles através de pistas condutoras.
A figura 2.2 mostra um exemplo de uma PCI de uma camada, vistas do lado das soldadura (pistas
metálicas) e do lado da implementação dos componentes.
Fig. 2.2 – Vista de uma PCI dos doi s lados
M4.2 PCI 73
Material da PCI
O material de base ou laminado é um material isolante sobre o qual está aplicado o material
condutor (uma ou nas duas faces) e que também serve de montagem para os componentes que
constituem o circuito. de camadas de papel impregnada de resina fenólica ou por tela de fibra de
vidro impregnado com resina epóxi (pre-preg), de modo a formar uma folha rígida, que pode ser
facilmente perfurada e cortada. A espessura do material de base depende dos requisitos de
resistência e rigidez da placa acabada, dependendo do peso dos componentes a acomodar e do
tamanho da área dos condutores impressos. Espessuras típicas das placas: 1 / 1,5 / 2 / 2,5 / 3mm.
O material condutor mais utilizado é a folha de cobre com uma pureza de 99,5%.
No fabrico de uma placa de circuito típica, o material de base e da folha de cobre são cortados em
folhas. Estas folhas de cobre são colocadas em camadas alternadas com placas separadoras de aço
inoxidável, para garantir robustez ao conjunto. A operação de prensagem a quente derrete a resina
do material base de modo a fixar as folhas de cobre e a polimerização da resina prossegue até a
folha de cobre ficar firmemente ligada a ela. Após o arrefecimento, as placas individuais revestidas
a cobre são aparadas ao tamanho necessário e inspecionadas quanto a defeitos.
Fig. 2.3 – Base da PCI

O processo de fabrico implica que a placa (folha metálica) deve suportar uma temperatura de
250ºC  2C durante 10 segundos no processo de soldadura de componentes. Neste processo, o
cobre não deve apresentar quaisquer sinais de formação de bolhas, fissuras ou laminação. O
processo de construção de uma PCI implica a implementação das pistas condutoras que permitam
a soldadura dos componentes para implementar o circuito.
Printed Circuit Assembly

É uma placa de circuito impresso preenchida com diversos componentes eletrónicos. As PCI são
robustas, muito fiáveis e a sua construção é barata (construção em grande escala). Muitas vezes, o
custo de desenho e implementação é muito mais significativo que o custo de produção e os
componentes são fixados através de orifícios e soldados nas pistas condutoras.
Os componentes são fixados através de orifícios e soldados nas pistas condutoras, ou soldados
diretamente sobre as pistas.
Fig. 2.4 – PCI com componentes tradicionais
74 PCI M4.2
Há 3 tipos de placas de circuito impresso: camada simples, dupla face e multicamada. Existem 3
tecnologias usadas para ligar componentes às PCI: através do orifício (through hole), através do
orifício banhado (plated through hole) e montagem à superfície (surface mount).
Tecnologia de montagem à superfície
Na tecnologia de montagem à superfície, do inglês SMT (Surface Mount Technology), os
componentes SMD são colocados no mesmo lado das pistas condutoras e os terminais desses
componentes são soldados diretamente nas pistas, assegurando a condutividade elétrica e suporte
mecânico dos componentes. A tecnologia SMD permite dispor mais componentes na mesma área
de PCI, uma vez que permite componentes de ambos os lados da PCI.
Fig. 2.5 – Componentes SMD instalados numa PCI
Construção de uma PCI

A impressão de circuitos é efetuada usando um dos seguintes processos: gravação, processo aditivo
ou com fresadora.
Processo de Gravação
A figura 2.6 exemplifica o processo de gravação para criar uma PCI. A folha de cobre deve ser
limpa, quimicamente e mecanicamente (1) e de seguida é revestida com uma solução de
fotossensível, conhecido como uma "resistência", que têm a propriedade de se tornar solúvel
quando exposta à luz forte (2).
É colocado um positivo fotográfico do desenho do circuito sobre a placa sensibilizada, sendo
posteriormente exposta à luz (normalmente ultravioleta). Depois da exposição, a placa é lavada
para deixar as áreas desprotegidas de cobre em torno do padrão de circuito, a placa é seca ao ar
livre e limpa com óleo e água (3). A placa é colocada num banho que contém uma solução de
gravação, (percloreto de ferro, persulfato de amónio, etc.) que consome todo o cobre não protegido.
O tempo de ataque químico dependente de fatores, tais como a temperatura, a concentração e valor
do pH da solução usada. Quando o processo de ataque químico terminar, a placa é lavada em água
para remover todos os vestígios da solução e depois seca e limpa. O circuito em cobre fica impresso
na placa (4). A lavagem impede que o ácido continue a atacar partes indesejadas. Em processos
industriais em grande escala usa-se o processo de serigrafia: preparação, por meio de fotografia,
de um stencil de gelatina que é aplicada a uma tela de seda;
(1) Folha cobre (2) Sol. fotossensível (3) Sol. fotossensível (4)
Fig. 2.6 – Processo de gravação de PCI
M4.2 PCI 75
Processo de Adição
O cobre é depositado apenas nas áreas em que são necessários condutores. A base é revestida com
um adesivo adequado, e a placa é furada nos lugares onde os componentes irão ser instalados (1).
A placa é sensibilizada com uma solução fotossensível (2), é colocado por cima um negativo do
modelo do circuito, de modo que as áreas expostas aos UV definam a rede de ligações (3).
A placa é colocada numa solução de cobre eletrolítico que irá depositar o cobre nas zonas tratadas
(4). Quando a espessura da deposição do cobre é alcançada, retira-se a placa da solução (4). As
áreas expostas são quimicamente ativadas e a placa é colocada numa solução de cobre eletrolítico
que irá depositar o cobre nas zonas tratadas – não protegidas. Quando a espessura da deposição do
cobre é alcançada, retira-se a placa da solução (4);
Este processo apresenta as seguintes vantagens: não há ataque químico, eliminação dos
desperdícios de cobre, a espessura do cobre depositado pode ser mais reduzida e faz-se de forma
mais uniforme, a largura, espaçamento das pistas e diâmetro do furo mais reduzido, aumentando
a área para implementar pistas.
(1) Mtl Base (2) Sol. Fotossensível (3) (4)
Fig. 2.7 – Processo de adição de PCI
Processo com fresadora

Sistema similar a uma plotter. O processo de gravação é feito através de uma fresa que remove o
excesso de cobre da placa, criando as pistas condutoras.
Furação de uma PCI

A furação da PCI permite a instalação do componente à pista (fixação mecânica e contacto
elétrico). Em processos industriais de larga escala, a perfuração é assegurada por máquinas
assistidas por computador, garantindo a posição exata e o diâmetro correto dos furos. Em pistas
muito pequenas em que os processos mecânicos não são aplicáveis usa-se o processo de furação a
laser.
Fig. 2.8 – Furação de uma PCI
Exemplo de construção de uma PCI por gravação

A PCI permite a implementação física de um esquema elétrico. Em primeiro lugar deve-se
identificar a disposição dos componentes e o modo como eles irão ficar interligados, ver o modo
como se pretende implementar as ligações. Depois desenha-se o circuito, usando as medidas reais
dos componentes.
76 PCI M4.2
Fig. 2.9 – Desenho da placa a partir do esquema

A partir do desenho, elaborar o positivo fotográfico (esquema transparente que irá ser utilizado
para sensibilizar a placa de circuito impresso – versão final). Quando a placa de circuito impresso
estiver concluída, estará apta a receber os componentes, de modo a implementar o circuito
representado no esquema inicial.
Fig. 2.10 – Positivo fotográfico

No lado revestido de cobre aplica-se um revestimento fotossensível. Algumas placas já veem com
o revestimento aplicado. A máscara positiva (transparência) é colocada por cima do revestimento
fotossensível. A placa está pronta para ser exposta à luz ultravioleta.
Fig. 2.11 – Positivo sobre material fotossensível

A placa é exposta à luz ultravioleta para a sensibilizar de acordo com o desenho definido no
positivo fotográfico. De seguida a placa é colocada no revelador para revelar o desenho (proteger
a parte revelada). A placa é colocada numa solução de química que irá consumir as partes que não
foram protegidas.
Fig. 2.12 – Exposição, revelação e ataque químico da PCI
M4.2 PCI 77
A placa de circuito impresso é lavada e limpa, ficando a base isolante, as pistas de cobre e os
pontos de soldadura. A lavagem deve ser eficaz para garantir uma boa solda. A placa deve ser
perfurada para implementar os componentes e permitir a soldadura dos mesmos.
Fig. 2.13 – Lavagem e furação da PCI

Implementação dos componentes. Colocam-se os componentes através dos orifícios e efetuam-se
as respetivas soldaduras.
Fig. 2.14 – Soldadura dos componentes na PCI
Conectores de uma PCI

Para o bom funcionamento da PCI é essencial garantir uma boa condutividade desta com o restante
sistema eletrónico. A interligação é assegurada por conectores, os quais podem estar sujeitos a
condições ambientais adversas: humidade, calor, poeiras, etc. Para melhorar a fiabilidade e
aumentar o ciclo de vida destes conectores, os seus terminais são banhados a ouro. A longo prazo,
a corrosão é um dos principais fatores de anomalia nestes dispositivos. Um dos métodos de
interligação: socket edge. Os terminais da placa representam os contactos machos, sendo a placa
encaixada de topo no conector fêmea.
Fig. 2.15 – Conector “socket edge”
Placas multicamada e flexíveis

As placas PCI podem ser de face simples (cobre de um lado da placa), dupla face (cobre dos 2
lados) e multicamada. A figura 2.16 mostra um exemplo de uma placa dupla face.
Fig. 2.16 – Placa de dupla face

Com o aumento da complexidade de circuitos e consequente densidade de componentes, bem
como a crescente miniaturização dos dispositivos, houve necessidade de adotar uma tecnologia
multicamada. Uma PCI com várias camadas, economiza peso e espaço e as interligações dos
diversos componentes são muitas vezes montados em estruturas multicamada. A placa de circuito
78 PCI M4.2
impresso multicamada é formada pela sobreposição de quatro ou mais camadas de cobre,

intercaladas por substratos isolantes (tipicamente 4, 6, 8, 10 e 12 camadas).
As várias camadas que formam a PCI podem ter espessuras diferentes de laminados (base isolante),
mas o mais usual é todas as camadas terem a mesma espessura. A interligação entre as camadas é
efetuada pelos contactos dos orifícios de fixação dos componentes ou ligações apropriadas.
Normalmente cada camada é usada para transportar um tipo de sinal do circuito. A figura 2.17
ilustra o exemplo de uma placa de 4 camadas.
Fig. 2.17 – Placa multicamada (4 camadas)

Normalmente cada camada é usada para transportar um tipo de sinal do circuito. Por exemplo,
numa placa de 4 camadas, uma camada é para sinais, outra para alimentação, outra para massa, e
outra para sinais.
A interligação das trilhas condutoras das diversas camadas pode ser feita por meio de colunas de
cobre sólidas (vias) que, ao contrário de furos metalizados, podem não abarcar todas as camadas.
A figura 2.18 ilustra os vários tipos de vias utilizados. (1) via "through-hole“: tubo condutor que
estabelece a ligação elétrica entre as trilhas das camadas de face a face da PCI; (2) via "blind",
apenas uma das extremidades está exposta enquanto que a outra termina numa das camadas
internas; (3) via "buried" estabelece ligação elétrica entre trilhas de camadas interiores da PCI, não
existindo contacto com o exterior da placa.
Fig. 2.18 – Vias de interligação nas PCI multicamada

Este tipo de placa e respetivas interligações, devido à sua grande complexidade, é desenvolvida
com recurso a computador e software apropriado. Os componentes podem ser montados num dos
lados ou nos dois lados. Se uma pista se danifica é quase impossível repará-la, por isso estas placas
devem ser manuseadas com cuidado. Os terminais de solda e os pontos de massa podem existir
em ambos os lados da placa.
Fig. 2.19 – Interligação de camadas

A figura 2.20 ilustra o exemplo de uma PCI de 6 camadas: 4 camadas são para sinais (top, bottom
e mid), 1 para massa e 1 para alimentação.
M4.2 PCI 79
Fig. 2.20 – Placa de circuito impresso de 6 camadas
Placa PCI flexível

Os circuitos flexíveis servem como unidades de interligação e são úteis quando existem partes que
necessitam de ser movidos em relação às outras, ou quando são montados em planos diferentes.
Os circuitos flexíveis permitem uma montagem mais fácil quando se pretende uma densidade
elevada de embalagem de unidades. São constituídas por uma base de material isolante flexível
(por exemplo poliéster, pano de vidro epóxi e poliamida), uma de folha de cobre (circuito
condutor) e uma cobertura isolante do mesmo material que a base.
Fig. 2.21 – Placa flexível
Vantagem das PCI

As PCI apresentam diversas vantagens, nomeadamente construção modular, maior facilidade em
identificar e corrigir anomalias, maior facilidade de atualização, ligações entre placas facilitadas.
A ligação entre placas é feita com encaixe tipo socket, o qual pode ser bloqueado para não se
soltar. Os contactos normalmente são revestidos a ouro para melhorar a condutividade, com
encaixe único para não permitir trocas. O encaixe tipo socket tem a vantagem de assegurar a
ligação sem necessidade de soldadura.
Métodos de soldadura
Existem dois métodos de soldadura: manual e em massa. A soldadura manual é usada para juntas
de soldadura separadas, por exemplo, na produção de lotes limitados, ou quando um componente
ou um fio é substituído. Este método envolve o uso de ferros de mão aquecidos eletricamente, ou
de estações de soldadura, com temperatura controlada. A soldadura em massa é usada para
produção em escala. Todas as juntas da placa, com os componentes previamente montados são
soldadas simultaneamente, colocando a placa em contacto com uma superfície de solda fundida,
que está num tanque.
80 PCI M4.2
Soldadura em massa
Imersão plana ou estática: uma parte da placa entra em contacto com a solda primeiro e só
depois a outra extremidade é assente devagar para permitir a libertação de vapores resultantes da
soldadura. A retirada da placa do banho de solda também é feita em ângulo, para remover excesso
de solda. Esta técnica pode ser automatizada e instalada em linhas de linha de produção, por
transportar as placas ao longo da superfície da solda.
Fig. 2.22 – Soldadura por imersão plana

Onda de solda: a solda é mantida livre de impurezas pela sua circulação no tanque, de modo
que a que se encontra no fundo do tanque venha à superfície através de uma ranhura estreita,
criando uma onda. A altura da onda é regulada pela velocidade da bomba e a placa desloca-se na
linha, fazendo contacto com a onda com um pequeno ângulo de inclinação. Os contactos ficam
soldados. A placa desloca-se instalada num transportador apropriado.
Cada área de solda conjunta está em contacto com a solda por apenas alguns segundos para evitar
distorções e danos à placa e seus componentes montados.
Fig. 2.23 – Soldadura por onda de solda
Soldadura manual
Atualmente quase todos os componentes eletrónicos estão montados em PCI, pelo que a
manutenção dessas placas implica o conhecimento de algumas técnicas de soldar. A solda efetua
um bom contacto elétrico e assegura a rigidez mecânica do componente à PCI. Ao soldar um
componente pode-se danificar a PCI e/ou o componente por excesso de calor ou a soldadura ficar
fria por falta de calor. Soldaduras frias afetam a resistividade do circuito.
Fig. 2.24 – Estação de soldadura e ferro de soldar

Para efetuar uma soldadura deve-se segurar o ferro de soldar da mesma forma que segura um lápis
ou uma caneta. Limpar e estanhar a ponta quente antes de iniciar a soldadura. Encostar a ponta em
simultâneo na pista da PCI e no terminal do componente. Aplicar a solda na pista, de forma que a
solda derreta e ocupe toda a ilha onde está montado o terminal. Efetuar a tarefa o mais rapidamente
M4.2 PCI 81
possível para não danificar nenhum componente, mas alguns componentes necessitam de
dissipador de calor quando são soldados para evitar que sejam queimados pela soldadura.
Fig. 2.25 – Soldar com ferro elétrico

Para dessoldar um componente, deve-se utilizar um chupa-solda ou sugador para facilitar a
remoção da solda da pista e assim retirar o componente com facilidade.
A figura 2.26 ilustra o método de dessoldar, usando um chupa solda. Encostar a ponta do ferro (1)
até a soldar estar derretida (2). Encostar o sugador na zona da solda derretida e premir o êmbolo
(4). Apertar o botão para o pistão subir (4), removendo a solda. Retirar o ferro e o sugador (5).
Fig. 2.26 – Dessoldar um componente

A solda usada em eletrónica é composta por dois materiais de baixo ponto de fusão: estanho e
chumbo. A solda é identificada pela proporção entre estanho e chumbo, sendo comuns os valores
de 40/60, 50/50 e 60/40. Esta última é a mais utilizada nas Placas de Circuito Impresso. A
temperatura de solda dos componentes depende das suas características, mas a gama de
temperatura varia tipicamente entre os 220 e os 260ºC.
Para melhorar a ligação das superfícies com solda fundida, deve utilizar-se um fluxo para evitar a
oxidação. O fluxo produz um ácido que quando aquecido, dissolve óxidos que possam existir nas
trilhas.
82 PCI M4.2
Acabamento das PCI

O acabamento das placas de circuito impresso é realizado para obedecer às condições específicas
de utilização, sendo estritamente regulado pelas condições ambientais e funcionais em que o
circuito será usado. O cobre como apresenta uma baixa resistência às variações ambientais,
especialmente níveis de humidade que conduz à oxidação / corrosão prematura.
A estanhagem das pistas de cobre garante uma melhor proteção contra a oxidação (ou corrosão),
ma tem a desvantagem que pode não ficar distribuída homogeneamente pelas pistas. O tratamento
galvânico ou eletrolítico, como a niquelagem, a utilização de ródio ou ouro para aumentar a
resistência à corrosão é o mais apropriado.
Outros materiais utilizados no tratamento

A prata é muito usada em circuitos de comutação, onde é importante os contactos terem baixa
resistência. O ouro tem baixa resistência, é um revestimento durável, apresenta grande resistência
à corrosão com uma longa vida útil. A sua soldabilidade é boa, mas existe o perigo de formação
de uma liga de ouro / estanho frágil, o que pode causar juntas secas sob as condições extremas de
serviço. Ródio: Metal muito resistente ao desgaste e corrosão, é aplicado principalmente a
comutação de superfícies de contacto. O paládio tem propriedades similares aos anteriores metais
nobres, mas é mais barato e proporcionando uma impermeabilização eficiente das pistas e
contactos.
Revestimento dos orifícios

O revestimento dos orifícios é um processo que é amplamente empregue para proporcionar uma
superfície condutora nos furos tanto das placas de face única e de dupla face. Este processo é
geralmente usado com laminados epóxi / vidro porque é mais fácil o revestimento do que nos do
tipo fenólico / papel. Usando um processo de revestimento de cobre não eletrolítico, deposita-se
nas superfícies e orifícios da placa.
2.27 – Revestimento do orifício de uma PCI
Revestimento da placa
Após a manufatura das pistas são aplicadas películas protetoras orgânicas às superfícies da PCI
para as proteger da oxidação e da contaminação química. As películas a aplicar, vão depender se
a proteção é temporária ou se é permanente (após aplicação da soldadura) para proteção, não só
das pistas mas de toda a placa. A proteção temporária do revestimento é geralmente feita à base
M4.2 PCI 83
de resina que não requer a remoção antes de soldar. Os revestimentos protetores permanentes são
geralmente feitos de epóxi ou de poliuretano.
Teste às PCI
Após construção de uma PCI e antes de instalar os componentes, deve-se efetuar testes de
continuidade para detetar curto-circuitos ou circuitos abertos nas pistas. Em produção industrial
(produção de PCI em grande escala) estes testes são efetuados por estações automáticas de teste.
Após instalação de componentes, deve-se efetuar o teste funcional da PCI, nomeadamente, a
análise das soldaduras (verificação de soldaduras frias) e a medição dos valores expectáveis dos
sinais nos diversos pontos.
Manuseamento de PCI
A eletricidade estática produz-se pela fricção de dois corpos. Quando um corpo carregado é posto
em contacto com a terra ou um corpo neutro, pode-se produzir uma descarga de eletricidade
estática. Muitos LRU – Line Replaceable Unit existentes a bordo das aeronaves contêm placas de
circuito impresso com componentes que são suscetíveis de sofrer danos causados por descargas
eletrostáticas.
Estes componentes são referidos como dispositivos sensíveis às descargas eletrostáticas (ESD).
Para notificar quem manuseia estes equipamentos são colocados autocolantes de ESD nos LRU,
indicando que necessitam de tratamento especial, de modo a não serem danificados por descargas
eletrostáticas acidentais. Este assunto será analisado com maior detalhe no Módulo 5 (M5.12 –
Dispositivos ESD).
Fig. 2.28 – Etiquetas ESD
84 PCI M4.2
4.3 Servomecanismos
Síncrono é o nome dado a um conjunto de dispositivos rotativos e eletromecânicos, projetados
para fornecer uma medida física de posição de um eixo como resultado de uma entrada elétrica,
ou fornecer uma saída elétrica em função da posição do seu eixo. Os síncronos são muito usados
nos sistemas remotos de indicação, abertura e fecho de válvulas, sinalização em servo sistemas,
etc. Um síncrono assemelha-se a um pequeno motor elétrico (tamanho e aparência), mas opera
como um transformador variável.
Os Sistemas de transmissão de dados síncronos (Synchronous data transmission) indicam a
posição de um componente ou de uma superfície de controlo que não podem ser observados
diretamente e dividem-se em duas categorias: sistemas DC, designados “Desync (ou Selsyn)
Systems” e sistemas AC designados “Synchro Systems”. São compostos por dois componentes
principais: um transmissor e um recetor e estão interligados por fios que estabelecem a ligação do
sinal. A palavra síncrono indica algo “que acontece ao mesmo tempo”, ou seja, quando o
transmissor é movido, o elemento que recebe, normalmente um indicador, seguirá que o
movimento instantaneamente. O seu funcionamento baseia-se no princípio da indução
eletromagnética.
Síncronos DC
Sistemas Desyn/Selsyn
Existem vários tipos de sistema, nomeadamente o sistema básico, que é geralmente operado por
um movimento de rotação, mas pode-se encontrar também versões lineares. A conversão do
movimento linear em movimento rotativo é obtida por uma haste de impulso e roda de
engrenagem. O sistema Micro Desyn amplia pequenos movimentos fornecidos por aparelhos de
medição de pressão e são operados por movimento linear. O sistema Slab Desyn é usado quando
se necessita maior precisão, pois corrige erros de sinalização inerentes ao sistema básico. Na maior
parte dos casos os erros do sistema básico são considerados insignificantes.
Sistema básico (Desyn)

O sistema básico é formado por um transmissor, ligado por condutores a um recetor ou indicador.
O transmissor é constituído por um enrolamento resistivo enrolado numa forma circular
(resistência toroidal) e, espaçados em intervalos iguais de 120º, existem na resistência três
derivações, às quais estão ligados os fios de sinalização. O sistema é alimentado através de um
braço, montado num eixo central, que roda sobre a resistência e estabelece na resistência 2
contactos desfasados 180º entre si. Estes contactos são isolados um do outro. O indicador é
constituído por um rotor de imã permanente de dois polos, montado para rodar dentro de um estator
de ferro macio e com o ponteiro ligado ao eixo. O estator contém três enrolamentos ligados estrela
que ligados aos três fios provenientes das derivações do transmissor.
A figura 3.1 mostra o diagrama sinótico de um síncrono DC básico. O transmissor recebe a tensão
DC através do braço que está em contacto com dois pontos simétricos da resistência originando a
circulação de duas correntes iguais. A resistência circular comporta-se como um divisor de tensão
e cada metade da resistência apresenta uma tensão igual. Estas tensões irão originar tensões nos
pontos de derivação. No exemplo da figura se o ponto “1”, correspondente ao “+” do braço, está
com 24Ventão os pontos “2” e “3” estão com 8V.
M4.3 Servomecanismos 85
3 2
Fig. 3.1 – Síncrono DC básico

As diferenças de potencial nestes pontos provocam correntes a fluir nos fios que ligam ao recetor
e as correntes criam campos magnéticos nos três enrolamentos do estator no recetor. O rotor de
íman permanente alinha-se com o campo resultante, isto é, com os braços do transmissor.
Fig. 3.2 – Princípio de funcionamento do síncrono DC

A figura 3.2 mostra a resultante sobre o íman permanente do indicador das correntes que circulam
nos enrolamentos, originadas pela rotação do braço no transmissor.
Em resumo, o movimento da unidade onde está instalado o transmissor faz rodar o ponteiro do
indicador (instalado no eixo do rotor do recetor). Este sistema é muito utilizado em aeronaves com
geração elétrica DC, como por exemplo em sistemas de indicação de flaps ou indicação de trem.
Fig. 3.3 – Exemplo de aplicação de um síncrono DC

Este sistema tem a desvantagem que se houver uma falha de energia no sistema, o ponteiro
permanecerá em sua última posição. No entanto a situação pode ser corrigida com a instalação de
um pequeno íman permanente no indicador. Em operação normal, o campo do imã permanente é
fraco, comparativamente com os campos produzidos pelos enrolamentos, pelo que não tem
86 Servomecanismos M4.3
qualquer efeito. Quando a alimentação é removida, o pequeno ímã permanente atrai o rotor de imã
permanente, movendo o ponteiro para um valor fora de escala.
Falhas típicas
Na tabela abaixo apresentam-se alguns exemplos de falhas que podem ocorrer nos síncronos DC,
bem como as causas que as originaram.
Sintoma Causa
Ponteiro fora de escala Falha na alimentação DC
Ponteiro desfasado 180º, mas com rotação Polaridade da alimentação invertida

correta
Sentido de rotação do ponteiro invertido Duas linhas de transmissão trocadas
Ponteiro desviado 120º ou 240º e com rotação Três linhas de transmissão trocadas
correta
Ponteiro desviado e movendo-se em passos de Uma linha de transmissão interrompida ou um

180º CC entre duas linhas de transmissão
Síncronos AC
Magnesyn
O magnesyn tem uma constituição e operação similar ao selsyn, mas operando em AC: tem um
transmissor e um recetor. Em vez de resistência no transmissor (divisor de tensão em DC) usa o
princípio da indução elétrica. Os rotores do transmissor e do recetor usam imanes permanentes. A
posição do íman permanente no transmissor induz a f.e.m. no enrolamento, originando tensões nos
condutores que criam um campo resultante no recetor: íman alinha com o novo campo.
Fig. 3.4 - Magnesyn
Síncronos AC
Um síncrono AC assemelha-se a um pequeno motor elétrico, mas opera como um transformador
elétrico. É formado basicamente por um estator com 3 enrolamentos secundários ligados em estrela
e um rotor com o enrolamento primário que gira dentro do estator. Um síncrono AC pode ser de
dois tipos: síncrono de binário, que fornece uma saída mecânica ou síncrono de controlo que
fornece uma saída elétrica.
A figura 3.5 ilustra o aspeto físico de um síncrono AC.
Fig. 3.5 – Constituição do síncrono AC

O síncrono de binário é usado para pequenas cargas (indicadores de posição, ponteiros, etc.) e o
síncrono de controlo é usado em servos sistemas para acionar grandes cargas. Os síncronos
apresentam a seguinte classificação:
Transmissor de binário TX: O rotor está mecanicamente posicionado, para transmitir a informação
elétrica correspondente à posição angular do rotor em relação ao estator.
Recetor binário TR: O rotor é livre para girar. Desenvolve um binário dependente da diferença
entre a posição do rotor e da informação angular elétrica recebida do transmissor que lhe está
ligado.
Transmissor diferencial de binário TDX: Rotor posicionado mecanicamente, para modificar
informações angulares elétricas recebidas do transmissor de binário. Transmite informação elétrica
correspondente à soma da diferença entre a entrada e o ângulo de posição do seu rotor.
Recetor diferencial de binário TDR: O rotor gira livremente, desenvolvendo um binário
dependente da diferença entre a posição do seu rotor e a soma da diferença entre os dois conjuntos
de informação angular recebido a partir de dois transmissores de binário.
Transmissor de Controlo CX: O rotor é mecanicamente posicionado, para transmitir a informação
elétrica correspondente à posição angular do rotor em relação ao estator.
Transformador de Controlo CT: Recebe informações angulares elétricas e fornece uma tensão
proporcional ao seno da diferença entre o ângulo de entrada elétrica e o ângulo do seu próprio
rotor.
Transmissor diferencial de Controlo CDX: O rotor é posicionado mecanicamente, para modificar
informações angulares elétricas recebidas do transmissor de binário. Transmite informação elétrica
correspondente à soma da diferença entre a entrada e o ângulo de posição do seu rotor.
Símbolos elétricos dos síncronos AC
Fig. 3.6 – Símbolos dos síncronos
A figura 3.6 mostra 3 tipos de símbolos usados para representar síncronos. O da esquerda é o
símbolo mais simples e mais utilizado. As letras no interior identificam o tipo e a função do
síncrono. O símbolo do meio é usado em esquemas de explicação da operação do síncrono. Neste
caso indica que o rotor está na posição 0º. O símbolo da direita é um símbolo com funções idênticas
ao anterior, mas mais simples e mais utilizado do que o símbolo do meio.
Os síncronos em esquemas de aeronaves utilizam tipicamente a convenção para o estator: S1 →
X, S2 → Z, S3 → Y e para o rotor: R1 → H, R2 → C. Quando há ligações à terra, no estator liga-
se o Z e no rotor liga-se o C.
(A) (B)
(C) (D) (E)
Fig. 3.7 – Símbolos de síncronos

Legenda da figura 3.7: (A) símbolo genérico para transmissores, recetores e transformadores de
controlo, (B) transmissores e recetores diferenciais, (C) transmissores e recetores, (D)
transmissores e recetores diferenciais, (E) transformadores de controlo.
Identificação de síncronos
Fig. 3.8 – Exemplos de síncronos

Os contactos do rotor e do estator são identificados pelas respetivas referências: S1, S2 e S3
(estator) e R1 e R2 (rotor). Os síncronos têm uma aparência externa semelhante, pelo que é
necessário colocar uma designação que forneça as características principais (elétricas e
mecânicas).
A identificação (por exemplo 11 CX 4c) permite obter a caracterização do síncrono. O número
inicial indica o diâmetro em polegadas (11 - 1,1 polegadas). A primeira letra indica o tipo de
síncrono (C – Controlo, ou T - Binário). As restantes letras a função (X – Transmissor, ou R –
recetor, D – diferencial, T - Transformador). A adição da letra B, indica que o síncrono tem o
estator rotativo (p.e 16 CTB 4a). Número indica a frequência da alimentação do síncrono (por
exemplo, 4 indica 400 Hz e 6 indica 60Hz). A última letra indica a versão do síncrono (c indica a
3ª versão). Se a tensão não vier marcada, o síncrono opera com 115V.
A indicação “16 CTB 4a" significa que é um Transformador de Controlo com estator rotativo, com
1,6 polegadas de diâmetro, frequência de alimentação de 400Hz e é a primeira versão.
Princípio de funcionamento do síncrono AC
Fig. 3.9 – Síncrono AC

A figura 3.9 mostra um síncrono com o rotor alimentado a 115VAC. Com o rotor alinhado com o
enrolamento S2, tipicamente a tensão máxima induzida no enrolamento S2 do estator é 52V e as
tensões em S3 e S1 são 26V (52 × cos 60º = 26). Assim a tensão entre S3 e S1 é zero (S3 – S1 =
0V) e as tensões entre S2 e S3 ou S2 e S1 é 78V (S2 – S3 ou S2 – S1 = 78V).
Se o rotor rodar 30º sentido anti-horário, a tensão em S3 é dada por 52 × cos 90º = 0V. As tensões
nos diversos terminais vão ser: tensão entre S2 e S1 = 52 × cos 30º = 45V, tensão entre S3 e S1 =
45V, tensão entre S2 e S3 = 45V e tensão entre S2 e S1 = 90V.
Fig. 3.10 – Princípio de funcionamento

Os síncronos usam 26VAC ou 115VAC para tensão de excitação do rotor que cria um campo
magnético na bobina do rotor. O campo magnético induz uma tensão nos enrolamentos do estator
e o valor da tensão em cada enrolamento do estator depende do ângulo entre a bobina do rotor e a
bobina do estator. Conforme se ilustra na figura 3.10, o síncrono é um transformador rotativo. O
acoplamento é máximo quando os enrolamentos do rotor e do estator são paralelos e é nulo quando
os enrolamentos são perpendiculares.
Sistema síncrono de binário

É constituído por um transmissor de binário TX e um recetor de binário TR interligados por
condutores elétricos. A fonte de alimentação CA alimenta os dois rotores, que estão ligados em
paralelo e os terminais R2 e S2 são ligados à massa. A tensão induzida nas bobinas do estator
depende da razão de transformação e da posição angular entre o rotor e o estator. A saída do
síncrono TX é um sinal AC que dá uma informação angular.
O rotor do transmissor é rodado mecanicamente pelo sistema: fornece a posição ao ponteiro. Os
dados transmitidos são enviados ao recetor que posiciona o rotor. As tensões são induzidas nos
enrolamentos do estator do TX e TR. Com os rotores na mesma posição angular, as tensões no TX
e TR são iguais e opostas, não há circulação de corrente nas bobinas do estator: sistema está
equilibrado.
Fig. 3.11 – Síncrono de binário

Com a rotação do rotor TX, as tensões induzidas no estator mudam, mas as tensões no estator do
TR não. Esta situação originará circulação de corrente, produzindo campos magnéticos nos
enrolamentos do estator. Os campos combinam-se para formar um campo resultante entre o estator
de ambos TX e TR. Cria-se um binário de reação entre os campos do rotor e do estator tanto no
TX como no TR.
O rotor do TX é posicionado pelo sistema (não se pode mover), mas o rotor do TR é livre para
girar, e movimenta-se em resposta ao binário induzido até ficar na mesma posição angular do rotor
do TX. As tensões voltam a ser iguais e opostas e deixa de haver circulação de corrente (sistema
volta a estar equilibrado). Para garantir precisão no sistema deve haver uma corrente suficiente
para produzir um binário (até mesmo em pequenas mudanças na posição do transmissor).
Fig. 3.12 – Exemplo de um síncrono de binário
A impedância dos enrolamentos deve ser muito pequena e prisões no ponteiro do recetor, podem
originar grandes diferenças de potencial entre TX e TR, que originam grandes correntes, podendo
queimar um, ou os dois síncronos;
Falhas num síncrono de binário

Os síncronos podem apresentar erros de funcionamento devido a falhas. Por exemplo, uma falha
de alimentação no TR faz com que o síncrono tenha um binário baixo com um erro provável de
180º. Uma falha de alimentação no TX faz com que não haja operações sincronizadas. A
interrupção de uma das ligações dos enrolamentos do estator faz com que o recetor oscile entre 2
pontos separados 75º. Um curto-circuito entre 2 ligações dos enrolamentos do estator: o rotor
desloca-se em passos de 60º (60º, 120º, 180º, 240º ou 300º). A figura 3.12 mostra a falha causada
pela troca das ligações S1 com S3:
Fig. 3.12 – Troca das ligações S1 com S3

A tabela seguinte mostra alguns erros causados por trocas de condutores tanto ao nível do estator
como do rotor.
S1 trocada com S2 O recetor indica 120º e roda na posição contrária ao
transmissor
S2 trocada com S3 O recetor indica 240º e roda na posição contrária ao

transmissor
S1 trocada com S3 O recetor dá a indicação correta, mas roda na direção oposta

do transmissor
R1 trocada com R2 O recetor indica erro de 180º, mas roda na mesma direção
do transmissor
R1 trocada com R2 e S1 trocada O recetor indica um erro de 60º e roda na direção oposta do
com S2 ou S2 trocada com S3 transmissor
R1 trocada com R2 e S1 trocada O recetor indica um erro de 180º e roda na direção oposta do
com S3 transmissor
Erros: Hunting – Caça

Quando existe uma entrada angular alta no rotor do TX num período curto de tempo, o rotor do
TR tenta seguir rapidamente o rotor do TX. Devido à velocidade, o TR ultrapassa a posição
desejada, produzindo um erro na outra direção originando novo movimento do rotor TR para
assumir a posição desejada. Para diminuir este efeito, a maioria dos TR está equipado com um
disco de amortecimento que faz uso das correntes parasitas. Os síncronos são fabricados para o
TX e o TR serem intermutáveis.
Erros: Deadband - Zona morta

Este erro ocorre devido às imperfeições do dispositivo e à fricção. Quando o rotor TR se aproxima
da posição corresponde, o binário no rotor vai reduzindo. O binário pode ser tão pequeno que não
seja suficiente para ultrapassar a resistência das imperfeições e a fricção. A diferença angular
resultante entre TX e TR é conhecida como a zona morta.
Zero elétrico
O ajuste “Zero Elétrico” é um meio padrão de alinhar síncronos para todos terem a mesma posição
no mesmo instante e estabelece um ponto de referência comum a todos os síncronos antes de serem
instalados. Zero Elétrico: posição do rotor em relação ao seu estator, quando a tensão entre S1 e
S3 é zero e a tensão no S2 em relação a S1 ou S3 está em fase com o de R1 – rotor paralelo a S2
com R1 na parte superior. V1 marca 0V e V2 uma tensão inferior à alimentação. Se R2 estiver na
parte superior, V1 marca 0V, mas V2 marca uma tensão superior à alimentação.
Fig. 3.13 – Zero elétrico
Sistema síncrono de binário diferencial

O transmissor síncrono diferencial TDX, para além do estator, tem um rotor com três enrolamentos
desfasados 120º. Tem uma relação de transformação 1:1 entre os enrolamentos do diferencial e os
enrolamentos do estator do TX e do TR.
Fig. 3.14 - TDX

O sistema diferencial é constituído por um transmissor síncrono TX, usado em conjunto com um
transmissor diferencial TDX e um recetor síncrono TR. A saída representa a diferença ou a soma
entre as duas entradas das unidades mecânicas, dependendo do modo como são efetuadas as
ligações. Quando as tensões induzidas nos estatores (e através dos transformadores) são iguais
(não há circulação de corrente), o sistema está equilibrado.
O síncrono diferencial não está ligado diretamente à alimentação elétrica. O estator está ligado aos
enrolamentos do estator do transmissor e o rotor está ligado aos enrolamentos do estator do recetor.
O TDX é ligado para produzir soma ou subtração das entradas. Quando há movimento em TX e
TDX, os 3 componentes sentem a reação do binário criado pela interação dos campos do estator
com o rotor, mas só o rotor do recetor TR está livre para se movimentar.
Diferencial subtrativo
Se o rotor do TX rodar 75º e o rotor do TDX rodar 30º, as tensões irão forçar a circulação de
corrente nos seus enrolamentos que originam campos magnéticos. Os campos magnéticos
resultantes no rotor do recetor, farão com que este gire até à posição de 45º. Quando TX e o TDX
ficam estacionários, as tensões vão ser diferentes e há circulação de corrente, criando um binário
no TR, obrigando o rotor a girar até a corrente parar. O movimento em TR corresponde à diferença
dos 2 movimentos e o valor da saída é dado por TR = TX – TDX.
Fig. 3.15 – Sistema diferencial subtrativo

Na subtração das entradas as ligações de S1 e S3 entre o TX e TDX estão cruzados e as ligações
de S1 e S3 entre o TDX e TR também estão cruzadas – ligação padronizada.
Diferencial aditivo
O TDX produz a soma das 2 saídas quando as ligações não estão padronizadas (não existem
cruzamentos no TX e TDX). As ligações S1 e S3 entre TX e TDX estão trocadas e as ligações de
R1 e R3 do TDX com TR estão trocadas. O valor da saída é dado por TR = TX + TDX.
Fig. 3.16 – Sistema diferencial aditivo
TR = TX - TDX
TR = TX + TDX
Fig. 3.17 – TDX subtrativo e aditivo
Recetor síncrono diferencial - TDR

Subtração com TDR
O recetor diferencial de binário TDR é eletricamente igual ao TDX e é acionado pelas saídas de
dois TX, produzindo um binário que movimenta o seu rotor. A partir do ponto de referência, o
rotor de TX1 gira 75º, fazendo com que o rotor do TDR se posicione em 75º (equilíbrio). O TX2
rodou 30º e o TDR gira -30º para obter o equilíbrio. O valor da saída é dado por TDR = TX1 -
TX2.
Fig. 3.18 – Sistema TDR subtrativo
Soma com TDR

A configuração do sistema para somar é obtida trocando apenas R1 e R3 do rotor do TDR com os
terminais S1 e S3 do TX. A partir do ponto de referência, o rotor de TX1 gira 75º, fazendo com
que o rotor do TDR se posicione em 75º (equilíbrio). O TX2 rodou 30º e o TDR gira +30º (105º)
para obter o equilíbrio. O valor da saída é dado por TDR = TX1 + TX2.
Fig. 3.19 – Sistema TDR aditivo
Sistema síncrono de controlo

Os síncronos de controlo (transformadores de controlo) são usados em sistemas servo mecânicos
e de posicionamento. Produzem um sinal representativo da posição do transmissor. Este sinal pode
então ser amplificado para alimentar motores muito grandes que podem mover grandes cargas para
uma posição desejada. O síncrono de controlo tem uma construção semelhante ao de binário, mas
mais leve porque não tem de acionar nenhuma carga. Como o sinal de saída ainda vai ser
amplificado, a impedância dos enrolamentos pode ser mais elevada. Este sistema é o mais comum
dos sistemas síncronos e tem uma grande aplicação em instrumentos e sistemas de navegação de
aeronaves.
A alimentação elétrica é apenas ligada ao rotor do transmissor CX e o sinal que representa a
posição do transmissor é obtido no rotor do elemento de receção CT.
Fig. 3.20 – Sistema síncrono de controlo

Na situação de equilíbrio, os rotores do CX e CT estão desfasados 90º um do outro. Quando o
rotor do CX está em paralelo com S2, é induzida no seu estator a tensão máxima e metade da
tensão máxima é induzida nos enrolamentos S1 e S3. Não existe fem induzida nos enrolamentos
do estator do CT: existe uma diferença de potencial entre enrolamentos do CX e CT, havendo
circulação de corrente.
A corrente que circula no estator do CT produz campos magnéticos, que são cortados pelo
enrolamento do rotor. A fem induzida no rotor do CT depende da sua posição em relação ao campo
resultante. Com o rotor paralelo ao campo resultante à tensão máxima induzida. Com o rotor 90º
em relação ao campo resultante à não há tensão induzida. A amplitude da fem induzida é
proporcional ao sen do ângulo entre o rotor e o campo resultante e a fase depende do sentido de
rotação do rotor. O transformador de controlo pode ser considerado um detetor de nulo e é muito
usado no sistema servo.
A figura 3.21 mostra como a posição dos rotores do CX e CT condiciona a f.e.m. induzida no
rotor do CT:
Rotor do CX e CT em 0º Rotor do CX paralelo ao CT (90º)
Rotor do CX rodado 60º à esquerda

Rotor do CX rodado 60º à direita
Fig. 3.21 – Posição dos rotores do CX e do CT
Sistema síncrono de controlo

A tensão de saída do CT é normalmente referenciada como um sinal de erro. Esta tensão representa
a quantidade e direção que os rotores do CX e do CT estão desfasados. Também designado por
servo sistema: o rotor do recetor entrega um sinal a um amplificador servo que aciona um motor.
O ponto nulo é quando o CX e o CT estão desfasados 90º e o sinal de erro é zero nesse ponto. O
sinal de erro é máximo quando o CX está desalinhado com o CT, em 0º e 180º.
Fig. 3.22 – Sistema síncrono de controlo

Um síncrono de controlo é usado como parte de um servo sistema. Em equilíbrio não há indução
de fem no rotor do CT, não havendo saída para o motor servo e o ponteiro está parado. Se o rotor
CX se mover no sentido horário, o campo resultante no CT cria uma tensão com uma determinada
polaridade, porque os respetivos rotores deixam de estar em quadratura.
O sinal de erro do CT é aplicado ao amplificador discriminador que deteta a relação de fase
(informação da direção de movimento do motor) e aplica o sinal ao motor. O motor aciona a carga
e o rotor do CT (resposta do sistema) e o sinal de erro vai-se reduzindo com a rotação do rotor do
CT. Quando o rotor atinge o ponto de equilíbrio (90º com o campo resultante), a fem induzida é
zero, o motor para e o sistema fica em equilíbrio na nova posição.
Fig. 3.23 – Exemplo de um sistema síncrono

A figura 3.23 exemplifica uma aplicação pratica de um sistema síncrono de controlo: a orientação
de uma antena. O sistema indica ao CX a posição da antena e o CT irá mover a antena até esta
obter o ângulo desejado.
Síncrono diferencial de controlo

Síncrono diferencial de controlo CDX é usado em conjunção com um transmissor de controlo CX
e um transformador de controlo CT. O seu funcionamento similar ao síncrono diferencial de
binário. O diferencial é ligado para produzir um sinal elétrico proporcional à soma/subtração das
entradas.
Fig. 3.24 – Síncrono diferencial de controlo
Servomecanismos
Muitos sistemas elétricos e eletrónicos necessitam operar remotamente cargas mecânicas que estão
afastadas da fonte de controlo. A operação suave e contínua destas cargas é feita com síncronos,
os quais não têm potência para as acionar, usando-se servomecanismos, que usam um pequeno
sinal de controlo para movimentar grandes cargas para uma posição desejada e com grande
precisão, como por exemplo as superfícies de manobra de um avião. Um sistema de controlo
consiste num grupo de componentes interligados que executam uma função específica, apresenta
um ganho elevado entre o sinal de entrada e o sinal de saída. Um sistema de controlo tem por
objetivo manter automaticamente uma quantidade física num valor desejado, equilibra as
influências externas que agem sobre o sistema que está a ser controlado.
Fig. 3.25 – Sistema de controlo

Um sistema de controlo, em termos genéricos, é um sistema controlado, onde o processo mantém
a grandeza física controlada no valor desejado. A comunicação é assegurada por transdutores de
medição (sensores) e elementos motrizes (atuadores). Um transdutor é dispositivo que converte
um tipo de energia noutro tipo de energia. No sistema de controlo, o valor desejado é comparado
automaticamente com o valor medido.
Dependendo do resultado, o controlador gera um sinal de correção (sinal de erro), usado para
manter a saída no seu valor desejado. Um sistema de controlo deve possuir as seguintes
propriedades: é ativado pelo erro, tem amplificação de potência, contém peças móveis e efetua
operações automáticas. Os servomecanismos classificam-se em duas categorias: sistemas de malha
aberta sistemas de malha fechada. Os sistemas de malha fechada são mais usados em avião porque
respondem e movem cargas com maior rapidez e mais precisão do que os sistemas de malha aberta.
A rapidez na resposta e a maior precisão no sistema de malha fechada, deve-se à existência de
informação automática de retorno (automatic feedback) da saída sobre a entrada.
Sistema de malha aberta
Fig. 3.26 – Malha aberta

O sistema é controlado diretamente pelo sinal de entrada, não havendo qualquer informação sobre
o estado da saída. O sinal de entrada gera uma resposta elétrica equivalente à posição, é
amplificado para o nível de potência adequado e aplicado a um motor para posicionar a carga. A
fase (sistema AC) ou a polaridade (sistema DC) do sinal de entrada determinam a direção do
movimento do motor. O motor só para quando o sinal de entrada se reduzir a zero ou for removido,
necessitando de um operador para controlar a velocidade e direção do movimento de saída.
Sistema de malha fechada
Fig. 3.27 – Malha fechada

Um sistema de malha fechada, também designado por servo sistema deve ser capaz de: receber a
ordem que define o resultado desejado, determinar as condições atuais através de um método de
retorno da situação de saída (feedback), comparar o resultado desejado com as condições atuais e
obter a diferença: sinal de erro, produzir uma ordem corretiva para alterar corretamente a situação
atual para a situação desejada e implementar a ordem corretiva.
Fig. 3.28 – Servo sistema de malha fechada

Um servomecanismo é composto por um conjunto de componentes eletromecânicos: um sistema
síncrono de controlo, um amplificador, um servo motor e um sistema de retorno do sinal de saída
(feedback). O sistema síncrono permite o controlo remoto de uma carga, usando pequenos sinais.
O amplificador e o servo motor desenvolvem a potência necessária para acionar a carga. Se existir
uma diferença angular entre o rotor do CX e do CT, o servo motor irá posicionar a carga para o
novo ângulo. Possui uma linha de resposta da saída para um detetor de erros: se existirem erros na
saída, serão executas as correções para eliminar o erro.
Características essenciais de um sistema de malha fechada: informações relativas ao
comportamento da carga são enviadas para a entrada (feedback) – tensão de retorno; a posição de
feedback é comparada com a exigida pela entrada num sistema síncrono ou num amplificador
somador; produção de um sinal de erro proporcional à diferença entre os sinais de pedido e de
realimentação; amplificação de potência do sinal de erro para controlar a carga; movimento da
carga na direção que reduz o sinal de erro a zero - a saída é a mesma que a entrada, não há sinal
de erro.
Exemplo de um sistema de malha fechada
Fig. 3.29 – Erro no sistema malha fechada

Se rotor do CX se mover 90º (indicando que a carga deve-se mover 90º), o síncrono produz um
sinal de erro, cuja amplitude é proporcional ao deslocamento que a carga deve sofrer. A fase da
tensão irá indicar qual a direção de deslocamento que a carga (enrolamento do CT) deve tomar
para reduzir e anular o sinal de erro. Com o sinal amplificado o motor começa a executar uma
função de posicionamento (posicionar a carga para a nova posição desejada)
Quando o enrolamento do CT atinge o zero elétrico do sistema, deixa de produzir sinal de erro e
o motor para. A carga fica posicionada na nova posição. O movimento original do CX foi
"detetado" pelo CT, por isso também se chama detetor de erro.
Fig. 3.30 – Erro anulado no sistema mal ha fechada

Os servo sistemas podem ser classificados de acordo com a sua função: posição, velocidade e
aceleração. Os dois primeiros são os mais comuns.
Servo sistema posicional

O servo sistema posicional (Position Servo Loop) permite controlar remotamente a posição da
carga que está a ser acionada. A amplitude e a fase (sistemas AC) ou a polaridade (sistema DC)
determinam a quantidade de deslocamento e a direção de rotação da carga.
Fig. 3.31 – Servo sistema posicional

O sistema básico do servo posicional é constituído por transdutores, que convertem uma entrada
mecânica num sinal elétrico para o servo, um amplificador, que aumenta a potência do sinal de
entrada para um nível adequado para posicionar o dispositivo e motores, que são usados para
mover o dispositivo que está sendo controlado. Os motores estão normalmente acoplados a uma
caixa de velocidades e produzem movimento linear ou rotativo.

O sistema utiliza a realimentação posicional (PFB) para o eixo de saída seguir o eixo de entrada
de forma precisa. Se a posição angular do veio de saída corresponder exatamente com a posição
angular do veio de entrada as tensões dos potenciómetros de entrada e de feedback são iguais. No
amplificador somador, o sinal de realimentação é subtraído do sinal de entrada. Na ausência de
sinal de erro, o motor está estacionário e o sistema está em repouso. Se o eixo de entrada rodar um
ângulo que produza uma tensão maior, o erro vai ser maior do que zero. O motor roda na direção
determinada pela polaridade da tensão de erro e reposiciona a carga. O potenciómetro é movido,
aumentando a tensão feedback. Quando as tensões são iguais, o erro é zero, o motor para.
Exemplo de funcionamento
Fig. 3.32 – Sistema posicional

As resistências R1=R4 e R2=R3. Com os cursores no ponto intermédio de R1 e R4: tensões iguais
e polaridade inversa. A resultante das tensões à entrada do amplificador somador é 0V, o motor
não está alimentado e a carga permanece estacionária. O cursor de R1 deslocou-se para cima,
criando uma tensão de +10V: o valor da tensão à entrada do somador: +5V (caem 5V em cada
resistência, R2 e R3). A tensão resultante de +5V é o sinal de erro, que irá ser amplificado e
aplicado ao motor. A amplitude e a polaridade da tensão fazem o motor rodar numa determinada
direção e, enquanto a carga se move, movimenta também o cursor do potenciómetro de feedback.
Com o aproximar da carga da posição desejada é fornecida menor potência ao motor porque o
sinal de erro no amplificador somador vai diminuindo. Quando o sinal de erro atinge zero a carga
deixa de ser acionada.
Entradas no servomecanismo
(A) PASSO. Usado tipicamente como sinal de teste para analisar comportamento do servo:
desligar a alimentação, mover o eixo de entrada e voltar a ligar a energia.
(B) RAMPA. Criada quando o veio de entrada é subitamente rodado a uma velocidade angular
constante (rad/s).
(C) ACELARAÇÃO. Criado quando o veio de entrada é rodado com uma aceleração constante
(rad/s2).
As entradas B e C ocorrem durante o funcionamento normal de um servomecanismo.
Fig. 3.33 – Tipos de entradas

Servo de controlo de velocidade

Baseado no mesmo princípio de geração de um sinal de erro que é usado no servo de posição, mas
com algumas diferenças. A saída da malha é a velocidade da carga e não a sua posição (sinal de
entrada é usado para controlar a velocidade angular do veio). Quando a velocidade da malha
corresponde a uma posição nula, continua a haver sinal de erro que mantém a carga em movimento,
mas não existe retorno (feedback) de posição do eixo, apenas de velocidade.
Fig. 3.34 – Servo controlo de velocidade

A velocidade é regulada pelo nível de sinal de erro presente. O sinal de feedback é produzido
tipicamente por um tacómetro (pequeno gerador que produz uma tensão proporcional à sua
velocidade). O potenciómetro de controlo de velocidade produz uma tensão proporcional à
velocidade desejada e o tacómetro fornece uma tensão proporcional à velocidade angular do veio
de saída. Se houver diferença o amplificador recebe uma tensão de erro. A saída do amplificador
vai acelerar ou desacelerar o motor até a tensão do tacómetro ser igual à tensão de entrada: o motor
gira na velocidade desejada. Este tipo de servo sistema é utilizado em aplicações em que se
necessita de acionar a carga com uma velocidade constante, como por exemplo o movimento
rotativo de uma antena de radar.
Fig. 3.35 – Exemplo de funcionamento

O tacómetro gira com a mesma velocidade da carga, produzindo uma determinada tensão, que é
aplicada a R3 do somador: o feedback. Com o potenciómetro (entrada) na posição intermédia a
tensão em R2 é 0V e se o motor estiver parado, o tacómetro não produz tensão: do o valor em R3
0V. Se o cursor for movido para uma posição que origine, por exemplo -9V, aparece um sinal de
erro à entrada do somador, que no instante do arranque vale -4,5V (divisor de tensão com 2
resistências iguais).
Esta tensão irá colocar o motor em marcha, fazendo com que o tacómetro produza uma tensão
proporcional à rotação atual. O motor continuará a acelerar até o tacómetro gerar uma tensão que
equilibre a tensão do potenciómetro e quando atingir esse valor, o motor continua a girar com uma
velocidade constante.

Resposta de um servo sistema

Num servomecanismo, o servo motor aciona a carga para a nova posição (ou velocidade) desejada.
Devido ao momento de inércia, a carga ultrapassa o valor desejado, criando assim um novo sinal
de erro, mas agora com polaridade inversa ao anterior. Se não existir nenhum controlo no
dispositivo, inicia-se o processo de oscilação, conhecido por caçada (hunting) até a carga atingir o
equilíbrio.
Fig. 3.36 – Resposta do sistema

A resposta do servomecanismo demora um certo tempo entre a reação ao sinal de entrada e o seu
novo posicionamento. Para minimizar o efeito da caçada utilizam-se processos "anti-hunting" ou
amortecimento (dumping). Define-se tempo de atraso (time lag) ou tempo de estabilização (setting
time) como o tempo que medeia entre o servo comparar o sinal de resposta (feedback) com o sinal
de entrada e atuar. O peso da carga pode aumentar o tempo de atraso, pelo que se deve aumentar
o ganho de amplificação para que o servo responde mais rapidamente. Com ganhos elevados o
servo pode ultrapassar o ponto desejado devido ao momento de inércia e entrar em oscilação,
tornando-se instável. O ganho está limitado às condições de estabilidade do servo. Para evitar as
oscilações é necessário dotar o sistema com amortecimento.
A figura 3.37 ilustra a resposta do sistema em reação a uma entrada a passo. Quando a resposta de
saída atinge o valor desejado no ponto 'x', a carga adquiriu um impulso considerável – vai
ultrapassar o valor desejado.
Fig. 3.37 – Resposta do sistema

Amortecimento
O amortecimento num servomecanismo pode ser obtido através da aplicação de uma tensão em
oposição ao sinal, ou usando uma restrição mecânica à saída do servo. O amortecimento executa
a função "anti-hunting", isto é, reduzir a amplitude e duração das oscilações e o grau de
amortecimento é determinado pelo uso e objetivo do sistema.
O amortecimento pode ser caracterizado em três tipos: no subamortecimento (underdamped)
verificam-se ultrapassagens do valor de erro e oscilações transitórias na saída do servomecanismo.
No sobre-amortecimento (overdamped) não há ultrapassagens do valor de erro, mas é introduzido
um intervalo de tempo no sistema e no amortecimento crítico (critically damped) o sistema
responde ao erro na forma mais rápida sem ultrapassar o valor de erro e sem apresentar oscilações.
A figura 3.38 ilustra os diversos tipos de amortecimento: subamortecimento (a), amortecimento
necessário (b), amortecimento crítico (c) e sobreamortecimento (d). O amortecimento crítico é um
modelo teórico que está entre o subamortecimento e o sobreamortecimento.
Fig. 3.38 – Tipos de amortecimentos

O sistema subamortecido responde mais rapidamente ao sinal de erro, mas oscila de uma forma
errática em volta do ponto de sincronismo, não possui muitas restrições ao seu movimento. Os
sistemas são construídos para operar entre os extremos de sobre-amortecimento e
subamortecimento, dependendo dos valores desejados de precisão, suavidade e tempo de
sincronismo. O amortecimento por embraiagem de fricção é uma forma simples de criar
amortecimento que utiliza uma embraiagem que, por ação da velocidade, absorve energia ao
motor, decrementando a sua velocidade. A embraiagem magnética é um dispositivo que cria um
campo magnético que se opõe à rotação do servo motor ou gera correntes de Foucault que criam
um sentido de rotação contrário ao do motor.
Fig. 3.39 – Método de amortecimento

Um método muito usado para criar amortecimento consiste em aplicar uma velocidade negativa
de retorno (feedback), como se ilustra na figura 3.39. A realimentação relativa à velocidade de
retorno é aplicada à entrada através de um gerador tacómetro – TG, acionado pelo eixo de saída.

Este método tem a vantagem de o valor da tensão de retorno (ou seja o valor do amortecimento)
poder ser controlado com o uso de um simples potenciómetro.
A figura 3.40 mostra um diagrama simplificado de um exemplo de aplicação de um servo sistema:
o sistema de piloto automático dos aviões.
Fig. 3.40 – Diagrama de blocos de um piloto automático
Transdutores analógicos
Convertem um sinal analógico num sinal elétrico proporcional: O valor elétrico medido
corresponde ao valor da grandeza física.
Fig. 3.41 - Transdutor

Um transdutor ativo gera uma corrente ou tensão elétrica em resposta a um estímulo exterior.
Exemplo: termopar é um dispositivo que gera um sinal elétrico em função da energia térmica
recebida. Um transdutor passivo necessita uma fonte de tensão exterior e altera uma propriedade
elétrica em função de um estímulo exterior. Um termístor altera a saída elétrica, variando a sua
resistência em função da temperatura que está a sentir.
Transdutor sensor de posição

Converte a variação da sua posição mecânica num sinal elétrico (AC ou DC) representativo dessa
posição. A resistência variável é usada em movimentos limitados e que o dispositivo pode
acompanhar: a variação da resistência depende da variação angular ou de um deslocamento linear.
Assim o movimento pode ser angular ou linear.
Fig. 3.42 – Transdutores de posição

As resistências variáveis podem ser configuradas como potenciómetros ou reóstatos, consoante se
pretenda uma tensão ou um corrente proporcional ao deslocamento do cursor.

Um sistema servo de malha fechada usa potenciómetros equilibrados como sensores de posição:
Fig. 3.43 – Sensor de posição num servo sistema

A entrada de controlo está fisicamente ligada ao cursor do potenciómetro R1 e a carga está
fisicamente ligada ao cursor do potenciómetro R2 (feedback). A tensão é aplicada a ambos os
potenciómetros que atuam como divisores de tensão.
Linear Variable Differential Transformer -LVDT

O transformador linear variável diferencial é um transformador de núcleo móvel com um
movimento linear. O enrolamento do primário é ligado à alimentação elétrica (excitação do sensor)
e os enrolamentos do secundário estão ligados em série, com polarização oposta. No secundário,
a tensão num enrolamento está em oposição de fase com a tensão do outro enrolamento.
Fig. 3.44 - LVDT

O LVDT converte uma variação de posição linear num sinal elétrico AC. Com a variação da
entrada mecânica, a posição do núcleo altera-se, alterando o acoplamento magnético existente
entre o enrolamento primário e os enrolamentos secundários. Com o núcleo na posição central, o
acoplamento magnético entre o primário e os enrolamentos do secundário é igual. Ambos os
enrolamentos secundários recebem o mesmo fluxo magnético, são induzidas tensões iguais, mas
desfasadas 180º, pelo que a tensão de saída do transformador vai ser zero.
Fig. 3.45 – LVDT em equilíbrio

O núcleo deslocou-se: o enrolamento secundário nessa zona recebe mais fluxo magnético,
implicando que a tensão induzida nesse enrolamento é mais elevada. Por outro lado, o enrolamento
secundário mais afastado recebe menos fluxo, logo a tensão induzida é mais baixa. Como a tensão

de um enrolamento é mais elevada do que a do outro, a saída vai ser diferente de zero. A fase da
tensão de saída corresponde à fase da tensão do enrolamento que tem maior acoplamento
magnético. A fase da tensão é determinada pela direção do movimento do núcleo e a amplitude
pela distância que ele se move.
Fig. 3.46 – Variação do núcleo do LVDT
Exemplo prático aplicável a um LVDT

O CI AD598 é um condicionador padrão da indústria que efetua o processamento de sinal
proveniente do LVDT. A excitação varia de 1 a 24 VRMS.
Fig. 3.47 – CI para LVDT
Rotary Variable Differential Transformer – RVDT

É um transdutor que converte a informação de variação angular num sinal elétrico. Possui um
núcleo de ferro rotativo e no estator estão montados: um enrolamento primário e dois enrolamentos
secundários.
Fig. 3.48 - RVDT

A variação mecânica na entrada produz um movimento do núcleo que altera o acoplamento
magnético entre os enrolamentos primário e secundários. O enrolamento secundário com maior
acoplamento tem mais fluxo magnético pelo que a tensão induzida é mais elevada. A saída é obtida
pela diferença de fase e amplitude das tensões produzidas pelos dois enrolamentos.
A figura 3.49 mostra o comportamento do RVDT em função do deslocamento angular do seu eixo,
podendo-se considerar três posições: a posição zero, quando o eixo é rodado no sentido horário e
quando é rodado no sentido anti-horário.
A imagem (A) mostra a posição zero e ocorre quando o núcleo se encontra na situação em que o
acoplamento magnético é idêntico para os dois enrolamentos. O fluxo produzido pelo primário
(L3) divide-se de igual modo pelos enrolamentos do secundário. As tensões induzidas têm a

mesma amplitude, mas estão em oposição de fase, pelo que a saída do RVDT (entre os dois
enrolamentos L1 e L2) é zero.
(A) (B) (C)
Fig. 3.49 – Princípio de funcionamento do RVDT

Rotação no sentido horário (B): Existe maior acoplamento magnético entre L3 e L2 e menor entre
L3 e L1. A tensão induzida em L2 é maior do que em L1, logo a tensão entre T-S é maior do que
entre R-S. O sinal resultante tem a fase da tensão induzida em L2 e é a resultante da soma das duas
tensões.
Rotação no sentido anti-horário (C): Existe maior acoplamento magnético entre L3 e L1 e menor
entre L3 e L2. A tensão induzida em L1 é maior do que em L2: A tensão entre R-S é maior do que
entre S-T. O sinal resultante tem a fase da tensão induzida em L1 e é a resultante da soma das duas
tensões.
Transdutor transformador E-I

É um transdutor usado como detetor de erro em sistemas em que a carga não necessite de se mover
com ângulos elevados. A tensão AC de excitação é aplicada ao enrolamento primário localizado
no núcleo central do “E”. Os enrolamentos do secundário localizados nos extremos do “E” são
ligados em série e em oposição. O acoplamento magnético entre o primário e os enrolamentos do
secundário vai depender da posição do núcleo móvel. Com a armadura em equilíbrio as tensões
induzidas são iguais (mesmo fluxo magnético) e a saída do secundário é zero.
Fig. 3.50 – Transformador E-I

Uma força exterior desloca a barra para um dos lados fazendo com que o enrolamento desse lado
receba mais fluxo magnético, pelo que o valor da tensão induzida nesse enrolamento é maior que
no enrolamento oposto. A tensão resultante tem a fase da tensão induzida de maior valor e a sua
amplitude é a resultante da soma das duas tensões.
A figura 3.51 mostra um exemplo de aplicação de um aneroide com um transformador E-I usado
para converter uma pressão num sinal elétrico. O aneroide expande-se e contrai-se, convertendo a
pressão num movimento linear do núcleo móvel do transformador E-I.

Fig. 3.51 – Aplicação do transformador E -I.
Transdutor de velocidade: Tacómetro

Usado para sentir a velocidade da carga. É um pequeno gerador AC ou DC que produz uma tensão
proporcional à rotação do veio e cuja fase ou polaridade depende do sentido de rotação do eixo. É
constituído por 2 enrolamentos em quadratura, montados no estator e um rotor feito em alumínio
ou cobre. Um dos enrolamentos do estator é energizado para criar um campo magnético. Em
situação de repouso o fluxo magnético não sofre distorção e a saída do segundo enrolamento é
zero (fluxo magnético perpendicular ao enrolamento).
Fig. 3.52 - Tacómetro

O rotor em movimento provoca a distorção do fluxo magnético e este deixa de estar perpendicular
ao enrolamento, induzindo no rotor uma tensão. Quanto maior for a velocidade maior será a
distorção e maior será a tensão induzida. Uma variante é o tacómetro gerador de indução, conforme
ilustrado na figura 3.53. A roda dentada faz variar a relutância magnética do circuito e os pontos
mais altos da roda dentada vão provocar maior indução de tensão. A variação da velocidade da
roda dentada faz variar a frequência do sinal de saída.
Fig. 3.53 – Tacómetro de indução

Transdutores capacitivos
A figura 3.54 mostra exemplos de sensores capacitivos, utilizando diversas geometrias. Este tipo
de sensores apresentam uma capacidade, cujo valor depende do deslocamento relativo entre as
placas.
Fig. 3.54 – Sensores capacitivos
Sensor piezoelétrico
Quando se exerce uma força num cristal piezoelétrico, este deforma-se ligeiramente induzindo
uma fem que pode ser medida. A aplicação de tensão a um cristal piezoelétrico provoca a sua
deformação. Os cristais piezoelétricos são muito comuns em dispositivos de controlo de
movimento e são usados em conjunção com sistemas laser, permitem a deteção de pequenos
movimentos não detetáveis pelo olho humano.
Resolver
É um dispositivo eletromecânico usado para executar cálculos matemáticos eletricamente. Resolve
um sinal de entrada nos seus componentes sen e cos: a saída é uma função trigonométrica da
entrada. Executa operações de adição e subtração de vetores e converte coordenadas polares em
coordenadas cartesianas e vice-versa. As coordenadas polares definem uma posição através de um
vetor (amplitude ρ e ângulo α) e as coordenadas cartesianas definem uma posição através da
distância desse ponto aos eixo do x e do y. O resolver é basicamente um transformador rotativo
em que o coeficiente de acoplamento entre os enrolamentos no rotor e no estator varia em função
do ângulo do eixo.
Fisicamente é semelhante aos síncronos: tem dois enrolamentos em quadratura no estator e dois
enrolamentos em quadratura no rotor (4 enrolamentos no total). Quando o enrolamento do rotor é
excitado com uma tensão AC (sinal de referência) induz uma tensão nos enrolamentos do estator
e cujas amplitudes variam de acordo com o sen e o cos da posição do eixo. A ligação elétrica dos
enrolamentos do rotor é feita através de anéis deslizantes e escovas ou por acoplamento indutivo.

sen
cos
Fig. 3.55 - Resolver
O estator é uma estrutura laminada cilíndrica de fendas onde estão enroladas as duas bobinas. O
rotor é composto por um eixo, circuito ferromagnético laminado, duas bobinas em quadratura e
quatro anéis coletores. O acoplamento magnético entre o primário e o secundário é variável. O
resolver recebe entradas elétricas ou mecânicas e as saídas são proporcionais ao produto da entrada
pelo sen ou cos do angulo que o rotor girou.
Fig. 3.56 – Constituição do resolver

O resolver como conversor de coordenadas polares em retangulares: a tensão V e o ângulo ϴ
representam a amplitude e a direção de uma quantidade conhecida. A tensão V aplicada ao
primário induz as tensões V1 e V2 nos dois enrolamentos em quadratura. Os valores obtidos em
função da posição do rotor, representam as componentes vertical e horizontal do sinal conhecido.
Fig. 3.57 – Conversão de coordenadas polares

Resolver como conversor de coordenadas retangulares em polares: são aplicadas duas tensões
conhecidas (V1 e V2 que representam as componentes vertical e horizontal do sinal). As tensões
são aplicadas aos enrolamentos do estator. Estas duas tensões vão induzir uma tensão V resultante
nos enrolamentos do rotor e que representa a hipotenusa (o vetor). Esta tensão pode ser aplicada
num servo de malha fechada para posicionar o veio do rotor.

Fig. 3.58 – Conversão de coordenadas retangulares
Sistema usando resolvers

Para transmitir coordenadas polares de um ponto para outro é necessário um transmissor RS e um
recetor RS. O Transmissor converte coordenadas polares (tensão V, ângulo θ) em coordenadas
retangulares(tensão x, tensão y) e aplica essas tensões x e y no Recetor. Este transforma as
coordenadas (x,y) em coordenadas polares: A aplicação de uma tensão que aciona o servo motor.
Fig. 3.59 – Sistema com resolvers

Uso de um TX com um Transformador Scott-T para implementar um Resolver: as três fases de
saída do TX são processadas pelo transformador Scott-T num par de tensões em quadratura.
Fig. 3.60 – Resolver com transformador Scott -T

O Resolver é muito útil quando se pretende converter o valor de uma posição rotacional em sinais
elétricos seno e coseno, como por exemplo nas manetes de potência dos motores dos aviões. Uma
entrada rotacional aplicada ao resolver é convertida em dois sinais seno e coseno (o ângulo de
entrada);
Os sinais são enviados para um conversor analógico digital, (resolver-to-digital converter) e as
saídas são usadas pelo computador digital (por exemplo o Electronic Engine Control).

Fig. 3.61 – Resolver nas manete s de potência

Bibliografia
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apostila-completa acedido em 25 junho 2015
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Apresentações das sessões de formação

4.1.1. Díodos semicondutores ......................................................................................................... 1

4.1.1. Díodos semicondutores

Fig. 1.1 – Bandas de energia dos materiais

Fig. 1.2 – Estrutura atómica do Silício

Fig. 1.3 – Semicondutor tipo N

eletrão em falta ou lacuna

Fig. 1.4 – Semicondutor tipo P

Fig. 1.5 – Movimento aparente de lacunas

Fluxo de corrente nos semicondutores

Semicondutor tipo N Semicondutor tipo P

Fig. 1.8 – Junção PN e barreira de potencial

Fig. 1.9 – Formação da barreira de potencial na junção PN

Polarização direta da Junção PN

Fig. 1.10 – Polarização direta da junção PN

Polarização inversa da Junção PN

Fig. 1.11 – Polarização inversa da junção PN

Fig. 1.12 – Símbolos do díodo de junção

Díodos de baixa potência

Fig. 1.13 – Tipos de encapsulamento de díodos

Fig. 1.14 – Encapsulamentos com mais de um díodo

Polarização direta do díodo

Fig. 1.15 – Curva característica do díodo polarizado diretamente

Polarização inversa do díodo

Fig. 1.16 - Curva característica do díodo polarizado inversamente

Efeito da temperatura no díodo

Fig. 1.17 – Efeito da temperatura no díodo

Valores característicos do díodo de junção

Fig. 1.18 – Valores característicos do díodo

Fig. 1.19 – Extrato de uma ficha técnica de um díodo

Modelos equivalentes do díodo

Fig. 1.20 – Modelo ideal do díodo

Díodo com tensão constante

Fig. 1.21 – Modelo díodo com tensão constante

Fig. 1.22 – Modelo real do díodo com tensão

Fig. 1.23 – Curva característica do díodo real

Ponto de funcionamento do díodo

Fig. 1.24 – Circuito com um díodo

Fig. 1.25 – Ponto de funcionamento do díodo

Teste funcional de díodos

Díodo em bom estado

Fig. 1.26 – Valores marcados pelo multímetro digital e analógico

Díodo em curto circuito ou circuito aberto

Díodo em Díodo em circuito

Fig. 1.27 – Díodo defeituoso

Figura 1.28 – Associação série de díodos

Fig. 1.29 – Associação de díodos em paralelo

Aplicações dos díodos

Díodo usado como retificador

Entrada Saída Entrada Saída

Díodo usado como limitador

Fig. 1.32 – Limitador em corrente alternada

Limitador com fonte de referência

Fig. 1.33 – Limitador com tensão de referência

Díodo usado como porta lógica

Fig. 1.34 – Porta “OU”

Fig. 1.35 - Porta “E”

Retificação de uma onda alternada

Retificação de meia onda

Fig. 1.36 – Retificação de meia onda

Retificação de onda completa (transformador com ponto intermédio)