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Eletrônica
Transístor a vácuo supera eletrônica sólida
Redação do Site Inovação Tecnológica - / /

Pegando o vácuo

Há cerca de um mês, cientistas causaram sensação ao

apresentar um nanotransístor a vácuo, que mais
parece uma reinvenção das antigas válvulas
eletrônicas.

Parece que a ideia tem sustentação, tendo vindo para

ficar.

Agora foi a vez de uma equipe da Universidade de

Pittsburgh, nos Estados Unidos, apresentar a sua
versão de transístor a vácuo - já com uma tensão
operacional muito mais baixa.

Eletrônica a vácuo Os elétrons, representados pelas esferas azuis,

emitidos na interface entre uma camada de óxido
Mas por que voltar a um princípio de funcionamento (verde) e silício (azul claro) viajam no ar e são
virtualmente abandonado desde a invenção do capturados por uma camada de grafeno.
transístor, em 1947? [Imagem: Univ.Pitt]

Ocorre que o vácuo é um meio muito mais eficiente

para o transporte de elétrons do que os semicondutores.

E, conforme os componentes eletrônicos ficam cada vez menores, a trupe de elétrons passando por eles
representa uma liberação de calor cada vez maior, atrapalhando o funcionamento do próprio
componente.

O limite final para a velocidade de um transístor é determinado pelo tempo de trânsito do elétron, o
tempo que leva para que um elétron viaje de um componente a outro.

Quando viajam por um semicondutor, os elétrons sofrem colisões na rede atômica do material. Assim,
para que eles andem mais rápido, é necessário aplicar-lhes energias cada vez maiores.

"A melhor forma de evitar esse espalhamento - esse congestionamento - é não usar nenhum meio de
trânsito, mas uma espécie de vácuo, ou uma porção de ar em escala nanométrica," afirma o Dr. Hong Koo
Kim, líder da equipe.

Gás de elétrons

As válvulas eletrônicas já faziam isso, mas exigiam tensões e correntes muito elevadas.

Para evitar isso, os pesquisadores repensaram toda a estrutura da eletrônica a vácuo.

Coube a Siwapon Srisonphan e Yun Suk Jung descobrirem que os

elétrons aprisionados no interior de um semicondutor na interface
com uma camada de óxido ou de metal podem ser facilmente
extraídos para o ar.

Mais do que isso, a repulsão coulombiana - a interação entre

partículas eletricamente carregadas - permite que os elétrons
sejam facilmente "extraídos" do silício.

Os elétrons capturados dessa maneira formam uma camada de

cargas, chamada gás eletrônico bidimensional. O próximo passo será construir
circuitos híbridos - com transistores
Uma vez no vácuo, os elétrons viajam balisticamente por um canal "duros" e transistores a vácuo - que
nanométrico, sem qualquer colisão ou espalhamento. demonstrem isso na prática.
[Imagem: Srisonphan/Nature Nanotechnology]
Circuitos híbridos

Para capturar os elétrons de volta, depois que eles chisparam pelo vácuo, os cientistas usaram uma malha
de grafeno, que dá aos elétrons um meio de condução muito mais rápido do que os outros materiais
usados no dispositivo.

"A emissão desse sistema de elétrons em canais de vácuo pode viabilizar a criação de uma classe
inteiramente nova de transistores de alta velocidade e baixa potência," disse o Dr. Kim.

Com a vantagem de que os transistores a vácuo, em tese serão totalmente compatíveis com a eletrônica
sólida atual.

O próximo passo será construir circuitos híbridos - com transistores "duros" e transistores a vácuo - que
demonstrem isso na prática.

Bibliografia:

Artigo: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a vacuum channel

Autores: Siwapon Srisonphan, Yun Suk Jung, Hong Koo Kim
Revista: Nature Nanotechnology
Vol.: Published online
DOI: 10.1038/nnano.2012.107

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