CIÊNCIA DOS MATERIAIS

PROPRIEDADE ELÉTRICA

AULA DIA 30-09-2021

 LIGAÇÃO QUÍMICA
A- METAIS
• Os elétrons de valência não estão ligados a nenhum
átomo específico (estão livres)
Há atração entre os elétrons livres (de valência) e os
íons positivos (núcleo mais elétrons de valência)
• Os metais têm elevada condutividade elétrica devido
os elétrons estarem livres para moverem-se (alta
mobilidade).

A agitação térmica reduz o livre percurso médio dos elétrons,

a mobilidade dos mesmos e como conseqüência a
condutividade.
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO
MATERIAL NA RESISTIVIDADE

ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS
ALTA TEMPERATURA

MOVIMENTO DOS ELÉTRONS

EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
 CONDUTIVIDADE ELÉTRICA ()

É o movimento de cargas
elétricas (elétrons ou íons) de
uma posição para outra.
 = 1/= n.q.
= condutividade elétrica (ohm-1.cm-1)
= resistividade elétrica (ohm.cm)
n= número de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador
(coulombs) [q do elétron= 1,6x10-19
R =  . l/A
coulombs]
= mobilidade dos portadores de carga
(cm2/V.s)
Propriedades Elétricas

..
 LIGAÇÃO QUÍMICA
B- SEMICONDUTORES
Todos os semicondutores têm ligação
covalente, com 4 elétrons de valência. Os
semicondutores compostos (grupos III-V e II-
VI) têm 4 elétrons de valência em média.

RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA

PARA UM SEMICONDUTOR
O aumento da temperatura fornece energia
que liberta transportadores de cargas
adicionais.
 BANDAS DE ENERGIA
• Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura
eletrônica em bandas de energia.
• Os elétrons de valência de dois átomos adjacentes
interagem entre si quando são aproximados um do outro,
como acontece em um sólido cristalino. Isso faz com que
novos níveis de energia sejam estabelecidos, originando
então bandas de energia (são níveis discretos de energia,
mas com diferenças apenas infinitesimais)
• A banda de energia corresponde à um nível de energia
de um átomo isolado
 As bandas de energia nem sempre se sobrepõem
 Assim como orbitais, as bandas de energia podem
comportar no máximo dois elétrons.
 SEMICONDUTORES
Tem resistividade entre metais e isolantes
• 
10-6-10-4 .cm 1010-1020 .cm
• A resistividade diminui com o aumento de
temperatura (ao contrário dos metais)
• A resistividade diminui com a adição de
certas impurezas
• A resistividade aumenta com a presença de
imperfeições nos cristais.
 EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
Silício, Germânio (Grupo IV da Tabela
Periódica)
GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da
Tabela Periódica)
 PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Periódica)

95% dos dispositivos eletrônicos são fabricados com Silício

 65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-V são para uso militar
 GAP DE ENERGIA (BANDA PROÍBIDA)

É o espaço entre as bandas de energia

• É o que distingue um semicondutor de

um condutor ou isolante.
 NÍVEL DE DE ENERGIA DE
FERMI
É definido como o nível de energia abaixo
do qual todos os estados de energia
estão ocupados a 0K.
 CONDUTOR
• Os elétrons não
preenchem todos os
estados possíveis da
banda de valência e por Nível de Fermi
isso a condução ocorre
na banda de valência.
• Num metal o nível de
Fermi esta localizado na Banda de valência
banda de valência. incompleta
 EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
SÃO USADOS PARA A FABRICAÇÃO DOS SEGUINTES
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E PTOELETRÔNICOS:

 Transistor
 Diodos
 Circuito integrado
 LEDS
 Detetores de infravermelho
Células solares, etc.
 CAMPOS DE APLICAÇÃO DOS
DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES
 Indústria de computadores (memórias,
microprocessadores, etc.)
 Indústria aeroespacial
 Telecomunicações
 Equipamentos de áudio e vídeo
 Relógios
 Na robótica
 Sistemas industriais de medidas e controles
 Sistemas de segurança
 Automóveis
 Equipamentos médicos,...
 ISOLANTES BANDA
DE
• Os elétrons CONDUÇÃO
preenchem todos os
estados possíveis da Nível de fermi GAP DE ENERGIA
banda de valência e por
isso a condução NÃO
ocorre na banda de BANDA
DE
valência. VALÊNCIA

Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de

energia

 Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

 Gap de um isolante é maior
 SEMICONDUTOR
• Da mesma forma
que nos isolantes,
os elétrons
preenchem todos os Nível de fermi GAP DE ENERGIA
estados possíveis
da banda de
valência.
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de
energia

 Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

 Gap de um isolante é maior
 SEMICONDUTOR
• Num semicondutor, os elétrons
podem ser excitados para a banda de
condução por energia elétrica,
térmica ou óptica (fotocondução)

•  Quando um elétron é excitado para a

banda de condução deixa um buraco ou
uma vacância na banda de valência
que contribui também para a corrente.
m (metal) μ (m²/V.s) Ne(m-3)
s (semicondutor) (mobilidade) (Densidade de corrente)
Na (m) 0.0053 2,6 x 1028
Ag (m) 0,0057 5,9x1028
Al (m) 0.0013 1,8x1029
Si (s) 0,15 1,5 x1010

GaAS (s) 0,85 1,8 x 106

InSb (s) 8,00 -

 CONDUÇÃO INTRÍNSECA
(SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)
• É a condução resultante dos
movimentos eletrônicos nos materiais
puros.
 Um semicondutor pode ser tipo "p" ( condução
devido aos buracos) ou tipo "n" (condução
devidos aos elétrons)
 Este tipo de condução se origina devido a
presença de uma imperfeição eletrônica ou
devido a presença de impurezas residuais.
 CONDUÇÃO INTRÍNSECA
(SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)

É a condução resultante dos movimentos eletrônicos

nos materiais puros.
 CONDUÇÃO EXTRÍNSECA
• Quando adiciona-se intencionalmente uma
impureza dopante para proporcionar elétrons ou
buracos extras.
• Os semicondutores extrínsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos
extras.
Tipo n: com impurezas que proporcionam elétrons
extras

Os processos utilizados para dopagem são difusão e

implantação iônica
 (SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)

.Quando adiciona-se intencionalmente

uma impureza dopante para CRIAR
buracos extras.
 Impurezas tipo "p" ou aceitadores 
proporcionam buracos extras
• Exemplo: Dopagem do Si (valência 4)
com Boro (valência 3)
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)

BORO É UM DOPANTE
TIPO P PARA O SILÍCIO
PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)
NÍVEL DE FERM I
 (SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)

Impurezas tipo
"n" ou
doadores.
proporcionam
elétrons extra
• Exemplo: Dopagem
do Si (valência 4)
com Fósforo
(valência 5)
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)
NÍVEL DE FERMI
 CONDUÇÃO EXTRÍNSECA
CONSIDERAÇÕES GERAIS

•  Os elétrons tem maior mobilidade

que os buracos.
•  A presença de impurezas pode
alterar o tamanho do gap de energia do
semicondutor.
 Condução em termos de bandas

Banda de condução Banda de condução vazia

completa ou Banda de condução vazia
parcialmente cheia ou
superposta
~ 4 eV > 4 eV

Banda de valência Banda de valência Banda de valência

completa completa completa

Metais Semicondutores Isolantes

EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO
MATERIAL NA RESISTIVIDADE
 OPERAÇÃO DO DIODO
(JUNÇÃO P-N)
– Dispositivos eletrônicos como transistors,
circuitos integrados, chips, etc... usam a
combinação de semicondutores
extrínsecos tipo “p” e tipo “n” .
• DIODO  é um dispositivo que permite
a corrente fluir em um sentido e não em
outro. É construído juntando um
semicondutor tipo “n” e tipo “p”.
 JUNÇÃO P-N
-Quando uma voltagem é aplicada
como no esquema abaixo, os dois
tipos de cargas se moverão em
direção à junção onde se
recombinarão. A corrente elétrica irá
fluir.
-Como no esquema abaixo, a
voltagem causará o movimento de
cargas para longe da junção. A
corrente não irá fluir no dispositivo.
 UNIDADE 2

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