Universidade Federal de Pernambuco

CCEN - Departamento de Fı́sica

Fı́sica Experimental 2 - 2020.3

Prática 6: Material suplementar teórico

Filtros e Retificadores
1 Introdução
Nesta prática estudaremos o comportamento de circuitos elétricos simples cuja resposta (amplitude e fase)
varia como função da frequência da excitação senoidal. É importante enfatizar que estaremos trabalhando no
regime linear, isto é a resposta depende apenas da frequência de excitação, mas não depende da amplitude. Este
tipo de investigação pode ser realizada no: (1) Domı́nio da frequência, quando o circuito é excitado em uma única
frequência ω e a resposta é medida em função da frequência; (2) Domı́nio do tempo, onde a excitação é um pulso
curto de tensão aplicado na entrada do circuito e a resposta é investigada em função do tempo. O método de
resposta no domı́nio do tempo (também chamado análise transiente) foi usado na Prática 3, onde estudamos a
resposta temporal de um circuito RC excitado por uma onda quadrada. Vários conceitos serão explorados, tais
como: função de transferência, filtros (passa baixa, passa alta, passa banda), ruı́do, integradores e diferenciadores
RC, fase, defasagem entre grandezas elétricas, retificação usando diodos retificadores, etc. Para investigar os
filtros usaremos componentes simples, tais como resistores, capacitores e indutores para montar circuitos RC e
RLC em série excitados por formas de ondas senoidais e quadradas. É importante enfatizar que todos os sinais
elétricos variáveis podem ser analisados em termos de suas componentes senoidais, como aprendemos em aplicações
do teorema de Fourier. Sinais que vão desde a alimentação de energia elétrica doméstica até aqueles usados em
comunicação por televisão ou telefonia celular são exemplos de sinais que podem ser decompostos em componentes
de Fourier.

2 Ruı́dos, filtragem e filtros passivos

Todos os sinais elétricos com os quais normalmente trabalhamos estão contaminados com algum tipo de ruı́do
elétrico que precisa ser filtrado. Em muitas situações, o sinal de interesse está misturado com outros sinais que
possuem amplitude, frequência e fase diferentes que não são necessariamente considerados ruı́dos, mas também
precisam ser filtrados. Existem muitas técnicas de filtragem de ruı́do tanto nas áreas de Engenharia como em
Ciências Básicas e qualquer circuito, ou software, que realize esta tarefa é chamado de filtro. A aplicação mais
familiar dos filtros ocorre nos sistemas de áudio. Os equalizadores permitem que diferentes faixas de frequências
possam ser amplificadas ou atenuadas para satisfazer o ouvinte ou satisfazer as propriedades acústicas do ambiente.
Uma outra aplicação importante dos filtros é a recuperação ou amplificação de um sinal que vem misturado com
ruı́do. É o que se conhece como aumentar a relação sinal-ruı́do simplesmente diminuindo ou suprimindo o ruı́do
indesejável que contamina o sinal. A figura 1 mostra a densidade espectral de potência (potência/unidade de
largura de banda) dos tipos de ruı́dos elétricos mais comumente encontrados.
O chamado ruı́do determinı́stico pode variar desde componentes de frequências únicas como o ruı́do de 60 Hz
proveniente da alimentação doméstica até interferências de rádio frequência causadas por pulsos de energia estreitos
devidos a chaveamentos industriais, pulsos de lasers, transmissores de rádio, etc. O ruı́do estocástico ou aleatório
é encontrado em muitos sistemas na forma de ruı́do branco (onde a densidade espectral de potência independe
da frequência), ou ruı́do 1/f (onde a densidade espectral decresce com o aumento da frequência. A densidade
espectral de ruı́do é usualmente medida em unidades de valor médio quadrático da tensão/frequência V 2 /Hz ou
valor médio quadrático da corrente/frequência A2 /Hz (Burdett, R. 2005. Amplitude Modulated Signals: The
Lock-in Amplifier. Handbook of Measuring System Design.)
Existem duas abordagens principais para aumentar a relação sinal-ruı́do:

1. Redução da largura de banda: O ruı́do é diminuı́do reduzindo-se a largura de passagem (ou largura de
banda) do ruı́do. Esta abordagem funciona bem quando os espectros de frequência do ruı́do e do sinal não
se superpõem significativamente, de forma que a redução da largura de banda do ruı́do não afete o sinal.

2. Realização de médias ou técnicas de integração: Sucessivas medidas do sinal são realizadas ou sincronizadas
e somadas umas com as outras. O sinal de interesse cresce com o número de medidas realizadas n e o
√
ruı́do cresce com n. Portanto, depois de um grande número de medidas, a relação sinal ruı́do aumentará
consideravelmente.
 Mudanças
ano-1
de turnos,

nid. Arbit.)
intervalos Rede de potência
para almoço 60 Hz
180 Hz Fontes
dia-1 Elevadores
banda (un chaveadas
h d
120 Hz Monitor de PC
hora-1
gura de b

Rádi AM
Rádio
Temperatura min-1
TV analógica
de de larg

Interferências
típicas de
rádio-
rádio
Potência/unidad

frequência
Ruído 1/f

Ruído branco

Frequência (Hz)

Figura 1: Fontes de ruı́dos elétricos ambientais mais comuns.(Burdett, R. 2005. Amplitude Modulated Signals:
The Lock-in Amplifier. Handbook of Measuring System Design.)

2.1 Filtros passivos

Um filtro é um circuito projetado para deixar passar sinais com frequências desejadas e rejeitar (ou atenuar)
outras frequências. Os filtros passivos são constituı́dos apenas por elementos passivos como, resistores, indutores e
capacitores. Basicamente, existem 4 tipos de filtros que se classificam de acordo com a dependência da função de
transferência em função da frequência, como ilustrado na figura 2. O filtro passa baixa deixa passar componentes
de frequência menores do que uma frequência caracterı́stica ωc (conhecida como frequência de corte); o filtro
passa alta deixa passar componentes de frequências acima da frequência de corte ωc ; o filtro passa banda deixa
passar componentes de frequência numa banda de passagem situada entre as frequências ω1 e ω2 ; por último, o
filtro rejeita banda corta as componentes de frequências situadas entre ω1 e ω2 e deixa passar todas as outras
componentes.

|H( )|
|H(Z)| |H( )|
|H(Z)| |H( )|
|H(Z)| | ( )|
|H(Z)|

Zc Z Zc Z Z1 Z2 Z Z1 Z2 Z
Passa-baixa Passa-alta Passa-banda Rejeita-banda

Figura 2: Ilustração das funções de transferências |H(ω)| de 4 diferentes tipos de filtros.

2.2 Notação em decibel

Quando trabalhamos com circuitos eletrônicos operando com sinais CA, geralmente medimos a razão entre
a potência de entrada e a potência de saı́da. Um amplificador apresenta a potência de saı́da P0 maior do que a
potência de entrada Pe , enquanto que um atenuador apresenta a potência de saı́da menor do que a de entrada.
A razão entre as potências de saı́da e de entrada fornece o ganho (no caso de um amplificador) ou a perda (no
caso de um atenuador). Como esta razão pode variar muito, várias ordens de grandeza, é comum apresentá-la em
escala logarı́tmica para comprimir e manusear estas variações mais facilmente. A unidade que descreve a razão
entre os dois sinais é o Bel e é calculada como Bel = log10 (P0 /Pe ). Como o Bel é uma unidade muito grande,
é mais conveniente trabalhar com unidades de 0,1 Bel. Por exemplo, uma variação de 0,1 Bel em intensidade de
som está no limiar de audição do ouvido humano. Portanto, usaremos unidades de 0,1 Bel por razões práticas.
Usando o prefixo deci, que significa um décimo, definimos a nova unidade como decibel (dB). Como o decibel é
igual a (1/10)Bel, então  
P0
dB = 10log10 . (1)
Pe
Em muitas situações, trabalhamos com ganhos (ou atenuação) de tensão elétrica, em vez de ganho de potência
elétrica. Assim, usamos a relação P = V 2 /R, obtemos
 2   
V0 /R V0
dB = 10log10 2
= 20log10 . (2)
Ve /R Ve

Quando medimos a razão entre correntes a expressão é igual à da equação (2) mudando V por I.

3 Resposta de circuitos RC excitados por tensões senoidais

Nesta parte, estudaremos a resposta de um circuito RC excitado por tensões senoidais. Essencialmente,
estaremos interessados em investigar a função de transferência H(ω) = V0 (ω)/Ve (ω) dos circuitos mostrados
nas figuras 3(a) e 3(b). Para isto, precisamos recapitular o conceito de impedância de componentes lineares.
Impedância é o termo geral para a razão tensão/corrente Z = V /I. Geralmente a impedância Z é caracterizada
por um módulo e uma constante de fase φ. Resistência é o caso especial quando √ φ = 0 e reatância quando
φ = ±π/2. Em análise de circuitos usa-se a letra j para representar o imaginário −1 em vez da letra i, que é
normalmente usada para representar corrente elétrica. A função de transferência do circuito da figura 3(a) é dada
por

(a) (b) (c)

R C
Ve(t)
Ve(t) ~ C V0(t) Ve(t) ~ R V0(t) V0(t)

Figura 3: Circuitos RC usados para investigar a função de transferência H(ω) = V0 (ω)/Ve (ω). Em (a) a tensão
de saı́da é sobre o capacitor C, em (b) sobre o resistor R. A letra (C) ilustra o conceito da função de transferência
de um circuito de duas portas.

V0 1/jωC 1
H(ω) = = = . (3)
Ve R + 1/jωC 1 + jωRC
Cujos módulo e fase são dados por
1
|H(ω)| = p (4)
1 + (ω/ω0 )2
 
ω
φ = −Arctg . (5)
ω0
Aqui ω0 = 1/RC.
As figuras 4(a), 4(b) e 4(c) mostram p a dependência do módulo da função de transferência |H(ω)|, da constante
de fase φ e da impedância total Z = R2 + 1/(ωC)2 em função da frequência, respectivamente, em unidades de
ω0 (= 1/RC), do circuito da figura 3(a). Observe que usamos escala log-log no gráfico de |H(ω)| × ω e monolog
no gráfico de φ(ω) √× ω. A frequência de corte definida como ω = ω0 = 1/RC é aquela para a qual a tensão de
saı́da é igual a 1/ 2 da tensão de entrada e a constante de fase é igual a π/4 = 45o . Na frequência ω0 a reatância
capacitiva 1/ω0 C é igual à resistência R. A constante de tempo τ = RC, definida na Prática 3, está relacionada
com a frequência de corte: τ = RC = 1/ω0 . Em baixas frequências, a impedância do circuito RC é dominada pelo
reatância capacitiva, significando que a tensão VC ≡ V0 (medida entre os terminais do capacitor) está atrasada
de 90o em relação à corrente. As dependências de VC e φ com a frequência são importantes em aplicações de
 0
Frequência de corte
(a) (b) (c)
0

Ângulo de fase, I (graus)

-3 -15
3R
Atenuação (dB)

Impedância Z
-10 -30

-45 2R
-20
-60
-20 dB/década
-30 R
-75

-40 -90
0,01Z0 0,1Z0 Z0 10Z0 100Z0 0,1Z0 Z0 10Z0 100Z0 Z0 2Z0 3Z0
Frequência angular, Z Frequência angular, Z Frequência angular, Z

Figura 4: Curvas de resposta de um circuito passa baixa. Em (a) temos a dependência do módulo da função de
transferência em função da frequência de excitação. Em (b) temos o gráfico da constante de fase φ(ω) e em (c)
temos a dependência da impedância total. As frequências estão expressas em unidades da frequência de corte ω0 .

circuitos RC. Em baixas frequências, a tensão de entrada está aplicada principalmente sobre o capacitor e em
altas frequências aplicada principalmente sobre o resistor. As duas tensões se somam para resultar na tensão
aplicada pelo gerador de sinais, isto é, Ve = VC + VR . Observe que em baixas frequências a impedância total é
muito alta devido à reatância capacitiva 1/ωC (o capacitor é um circuito aberto para CC). Em altas frequências,
a reatância capacitiva tende a zero (o capacitor não tem tempo de se carregar) e assim a impedância tende a ser
igual à resistência R.

3.1 Curva de resposta em função da frequência - filtro passa baixa

A figura 4(a) mostra claramente a frequência de corte ω0 onde a atenuação é igual a −3dB. Em frequências
ω < ω0 a atenuação diminui rapidamente até atingir 0dB. Em altas frequências, a atenuação aumenta rapidamente
para em seguida cair a uma taxa constante de 20dB por década de frequência. A forma do gráfico mostra a
caracterı́stica de um filtro passa baixa. Frequências abaixo da frequência de corte ω0 passam com atenuação
insignificante e frequências acima da frequência de corte são significativamente atenuadas. Esta caracterı́stica
justifica o nome filtro passa baixa. Todos os filtros passa baixa de primeira ordem são caracterizados pela mesma
curva resposta mostrada na figura 2(a). Os filtros de ordem superior são obtidos adicionando-se mais estágios RC
ao estágio anterior. Se a reta de −20dB por década for estendida até a linha de 0dB como mostrado pela linha
preta tracejada, o ponto de interseção continua sendo na frequência de corte. Em muitas circunstâncias é útil e
mais simples a utilização de linhas retas para descrever o desempenho de um filtro. Enquanto que os filtros de
1a ordem caem 20 dB por década de frequência na região de atenuação, os filtros de 2a ordem caem 40 dB por
década e os de 3a ordem caem 60 dB por década.
A figura 4(b) mostra a curva de φ × ω do filtro passa baixa. Neste caso, a tensão de saı́da é medida nos
terminais do capacitor e está atrasada em relação à corrente por um ângulo que varia de 0 a 90o e depende da
frequência do sinal. As variações mais significativas do ângulo de fase φ ocorrem na região de uma década em
torno da frequência de corte. Observe que nas regiões ω > 10ω0 e ω < 10ω0 não há praticamente mudança na fase
φ. Por conta deste deslocamento de fase, sinais não senoidais (resultante da superposição de inúmeros harmônicos,
como por exemplo uma onda quadrada) com componentes de frequência em torno da frequência de corte serão
bastante distorcidos por este tipo de filtro. Tais distorções devem ser consideradas quando se projetam filtros para
alguns tipos de aplicações, como em sistemas de áudio e de comunicações.

3.2 Filtro passa baixa como integrador

A tensão de saı́da, V0 depende da constante de tempo RC e da frequência do sinal de entrada. Se o sinal de
entrada for senoidal, o circuito comporta-se como um simples filtro passa baixa de 1a ordem como visto acima.
Se o sinal de entrada variar como uma chave liga-desliga (onda quadrada), a resposta do circuito passa baixa
muda dramaticamente e passamos a ter um outro tipo de circuito conhecido como integrador, como ilustrado
na figura 5. O integrador é basicamente um filtro passa baixa operando no domı́nio do tempo convertendo os
degraus da onda quadrada em uma forma de onda de saı́da na forma triangular à medida que o capacitor carrega
e descarrega. Uma forma de onda triangular consiste de rampas de tensão com inclinações positivas e negativas.
Se a constante de tempo RC for longa em comparação com o perı́odo T do sinal de entrada, a forma de onda de
saı́da será triangular e quanto maior for a frequência menor será a amplitude da onda triangular de saı́da.
Para mostrar matematicamente que o filtro passa baixa se comporta como um integrador no regime de altas
frequências, suponha a figura 3(a) ou a figura 5. A tensão através dos terminais de R é Ve − V0 , tal que I =
 Sinal de entrada = Ve
V0

Sinal de saída Sinal de saída Sinal de saída

(baixas frequências) (frequências (altas frequências)
intermediárias)

Figura 5: Circuito RC operando no domı́nio do tempo excitado por uma onda quadrada. No regime de altas
frequências, o sinal de saı́da é a integral do sinal de entrada.

C(dV0 /dt) = (Ve − V0 )/R. Se fizermos RC muito grande, tal que V0 << Ve então

dV0 Ve
C ≈ (6)
dt R
 t
1
V0 (t) = Ve (t0 )dt0 . (7)
RC 0

Desta maneira, temos um circuito que realiza a integral temporal do sinal de entrada. A integral da onda quadrada
é uma onda triangular, como mostrado na figura 5.

3.3 Curva de resposta em função da frequência - filtro passa alta

No circuito da figura 3(b), a tensão de saı́da é medida sobre os terminais do resistor em vez de sobre os
terminais do capacitor. A função de transferência é dada por
V0 jωRC
H(ω) = = . (8)
Ve 1 + jωRC
Cujos módulo e fase são dados por
ω/ω0
|H(ω)| = p (9)
1 + (ω/ω0 )2
ω 
0
φ = Arctg . (10)
ω

90
Frequência de corte
(a) (b)
0
Ângulo de fase, I (graus)

-3 75
Atenuação (dB)

-10 60

45
-20
30
-30
+20 dB/década 15

-40 0
0,01Z0 0,1Z0 Z0 10Z0 100Z0 0,1Z0 Z0 10Z0 100Z0
Frequência angular, Z Frequência angular, Z

Figura 6: Curvas de resposta do circuito passa alta. Em (a) temos a dependência do módulo da função de
transferência em função da frequência de excitação. Em (b) temos o gráfico da constante de fase φ(ω).

Neste tipo de arranjo, a reatância do capacitor é muito alta em baixas frequências atuando como um circuito
aberto atenuando as componentes do sinal de entrada Ve com frequências abaixo da frequência de corte ω0 = 1/RC.
Para as componentes de sinais com frequências acima da frequência ω0 , a reatância do capacitor é suficientemente
reduzida de forma que C funciona como um curto-circuito permitindo que todo o sinal de entrada passe diretamente
para a saı́da. A curva de resposta em frequência mostrada na figura 6(a) é o oposto exato de um filtro passa baixa.
Aqui o sinal é atenuado (ou amortecido) em baixas frequências com a saı́da aumentando em +20 dB/década até
que a frequência atinge o valor da frequência de corte ω0 onde novamente XC = R. O ângulo de fase φ do sinal
de saı́da está adiantado em relação ao sinal de entrada e é igual a +45o na frequência de corte. Embora a curva
de resposta em função da frequência mostre que o filtro passa alta permite a passagem de todas as componentes
de frequência acima da frequência de corte, na prática a largura de banda está limitada pelas caracterı́sticas
intrı́nsecas dos componentes utilizados.

3.4 Filtro passa alta como diferenciador

Como visto anteriormente, a resposta do filtro passa alta também muda dramaticamente quando o sinal de
entrada é uma onda quadrada. Neste caso, passamos a ter um diferenciador que converte uma onda quadrada em
“spikes” de curta duração, como ilustrado na figura 7. Se a constante de tempo RC for pequena, comparada com
o perı́odo da onda quadrada, o capacitor se carrega rapidamente antes da próxima mudança do ciclo. Quando o
capacitor está completamente carregado a tensão de saı́da sobre o resistor é nula. A mudança brusca para zero
na onda quadrada causa uma reversão na descarga do capacitor provocando um “spike” negativo, como visto na
figura 7. Portanto à medida que a onda quadrada de entrada muda em cada ciclo, os “spikes” de saı́da mudam
de valores positivos para valores negativos.

Sinal de entrada = Ve
V0

Sinal de saída Sinal de saída Sinal de saída

(baixas frequências) (frequências (altas frequências)
intermediárias)

Figura 7: Circuito RC operando no domı́nio do tempo excitado por uma onda quadrada. No regime de baixas
frequências o sinal de saı́da é a derivada do sinal de entrada.

Para mostrar matematicamente que o filtro passa alta se comporta como um diferenciador no regime de baixas
frequências, considere a figura 4(b). A tensão através de C é Ve − V0 , tal que I = Cd(Ve − V0 )/dt = (V0 )/R. Se
fizermos RC muito pequeno, tal que dV0 /dt << dVe /dt, então

dVe V0
C ≈ (11)
dt R
dVe
V0 (t) = RC . (12)
dt
Desta maneira, temos um circuito que realiza a derivada temporal do sinal de entrada. Em baixas frequências, o
circuito da figura 7 realiza a derivada da onda quadrada gerando os pulsos (“spikes”) na saı́da.

4 Circuitos RLC, ressonância e filtros passa banda

Muitos circuitos fazem uso de indutores e capacitores de diferentes maneiras para obter as suas funcionalidades.
Filtros, circuitos de casamento de impedância e osciladores são exemplos comuns. Iniciaremos o nosso estudo com
o circuito RLC em série. Estes circuitos são bastante simples para permitir uma análise completa, mas ao mesmo
tempo são muito ricos para formar uma base de conhecimento de vários fenômenos fı́sicos. Entre estes fenômenos
fı́sicos destacamos: pêndulos, osciladores mecânicos do tipo massa-mola, osciladores moleculares, cavidades de
micro-ondas, etc. O entendimento dos circuitos RLC proporcionará uma visão prática comum a muitas situações
fı́sicas.
O circuito RLC série mostrado na figura 8 é muito simples de ser analisado. A impedância vista pela fonte é
simplesmente dada por
1
Z = R + jωL + (13)
jωC
 
1
Z = R + jωL 1 − 2 . (14)
ω LC

jZL 1/jZC
Ve(t) I V0(t)
Ѻ
R

Figura 8: Circuito RLC série.

1
A impedância é puramente real na frequência de ressonância que ocorre quando Im(Z) = 0, isto é, ωR = ± √LC .
Na frequência de ressonância, o valor da impedância é mı́nimo. Os cálculos das tensões sobre cada um dos
elementos é similar ao caso resistivo puro, isto é, a tensão entre os terminais de cada componente é proporcional
à sua corrente. Assim as tensões através dos terminais do resistor, do capacitor e do indutor são
Ve Ve
VR = IR = R= R (15)
Z R + j(ωL − 1/ωC)
1 Ve 1 Ve 1
VC = I = = (16)
jωC Z jωC R + j(ωL − 1/ωC) jωC
Ve Ve
VL = I · (jωL) = · (jωL) = · (jωL). (17)
Z R + j(ωL − 1/ωC)

As suas magnitudes são

Ve R
|VR | = p (18)
R2 + (ωL − 1/(ωC))2
Ve /(ωC)
|VC | = p (19)
R + (ωL − 1/(ωC))2
2

Ve (ωL)
|VL | = p . (20)
R + (ωL − 1/(ωC))2
2

É importante entender o que causa a ressonância, ou o cancelamento das reatâncias indutiva e capacitiva.
Como as tensões no capacitor e no indutor estão sempre defasadas de 180o , e uma reatância está diminuindo e a
outra aumentando, haverá uma frequência onde as duas magnitudes serão iguais. Portanto, a ressonância ocorre
quando ωL = 1/ωC. O diagrama de fasores da figura 9 ilustra detalhadamente este efeito.
Este circuito é interessante por várias razões. Uma delas é que na frequência de ressonância a tensão sobre as
reatâncias podem ser muito grandes, muito maiores do que sobre o resistor R. Em outras palavras, este circuito
apresenta um ganho de tensão. Claro que não apresenta um ganho de potência, pois é um circuito passivo. Na
ressonância as tensões sobre o resistor, sobre o indutor e sobre o capacitor podem ser escritas como
Ve
VR = RI = R = Ve , (21)
R
Ve Ve
VL = jωR LI = jωR L = jωR L = jQ × Ve , (22)
Z R
1 1 Ve 1 Ve
VC = I= = = −jQ × Ve . (23)
jωR C jωR C Z jωR C R

Aqui definimos o fator Q do circuito por Q = ωR L/R. Esta propriedade de multiplicação da tensão é uma
caracterı́stica importante deste tipo de circuito que permite utilizá-lo como um transformador de impedância.
 VL VL

VL Ve

VR VR VR
Ve
Ve VC

VC
VC
aZZR bZ ZR cZ!ZR

Figura 9: O diagrama de fasores das tensões elétricas de um circuito RLC série. Em (a) está abaixo da frequência
de ressonância, em (b) está exatamente na frequência de ressonância e em (c) acima da ressonância.

O fator Q pode ser reescrito de diferentes formas como visto na equação a seguir
√ r
ωR L 1 1 LC 1 L 1 Z0
Q= = = = = , (24)
R ωR C R C R CR R
q
L
onde definimos a impedância caracterı́stica do circuito como Z0 = C .

4.1 Função de transferência do circuito RLC série

A função de transferência do circuito RLC mostrado na figura 8 quando medida nos terminais do resistor é
dada por
V0 R
H(ω) = = 1 (25)
Ve R + jωL + jωC
jωRC
H(ω) = . (26)
1 − ω 2 LC + jωRC
Como o circuito não pode conduzir corrente CC, existe um zero na função de transferência. O módulo da função
de transferência e a fase são dados por

R
|H(ω)| = q (27)
1 2
R2 + (ωL − ωC )
 
XL − XC
φ = Arctg (28)
R
Em termos do fator Q definido acima, o módulo da função de transferência e sua respectiva fase podem ser
reescritos como
1
|H(ω)| = r  2 (29)
ω ω
1 + Q2 ωR − ω R

  
ω ωR
φ = Arctg Q − (30)
ωR ω
A figura 10 mostra a magnitude da função de transferência em função da frequência de excitação do circuito
RLC da figura 8. A seletividade do circuito (largura da curva de ressonância) está relacionada com o inverso do
fator Q. No limite quando Q → ∞ o circuito é infinitamente seletivo e apenas a frequência ωR é transferida da
fonte de excitação para o resistor R (carga). Note que o ganho no pico é sempre unitário, independente do valor
de Q, pois na ressonância L e C efetivamente desaparecem e a tensão de entrada se transfere para a carga R.
A defasagem entre a corrente e a tensão é dada pela dependência do ângulo de fase φ com a frequência de
excitação. A figura 11 mostra a dependência φ × ω, normalizada pela frequência de ressonância. Observe que
φ = 0 na frequência de ressonância, φ → −π/2 para ω → 0 (reatância capacitiva) e φ → π/2 para ω → ∞
(reatância indutiva). A transição é tanto mais abrupta quanto maior for o valor do fator de qualidade Q.
 1,0

0,8

0,6

Z)|
|H(Z
0,4

0,2

0
0,5  1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0

Frequência, Z(ZR)

Figura 10: Magnitude da função de transferência do circuito RLC-série em função da frequência de excitação.
A tensão de saı́da é medida entre os terminais do resistor. O aumento do fator de qualidade Q torna a resposta
mais seletiva, isto é, a ressonância é mais estreita.

S/2
I(rad)

S/2
-S/2
0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10
Frequência ZZR 
Frequência,

Figura 11: Fase entre a corrente e a tensão de excitação do circuito RLC-série em função da frequência, norma-
lizada pela frequência de ressonância. A taxa de mudança da fase depende do fator de qualidade Q.

4.2 Largura de banda do circuito RLC série

A banda de passagem do circuito RLC é definida em termos das frequências à meia potência. Vamos definir
as frequências ω1 e ω2 que satisfazem às relações P (ω1 ) = P (ω2 ) = P (ωR )/2. Assim ω1 e ω2 são chamados de
pontos de meia potência. A largura de banda ∆ω = |ω2 − ω1 | está ilustrada na figura 12. A condição de pontos
de meia potência pode ser calculada aplicando-se a condição |H(ω)|2 = 1/2 na equação (27). Assim podemos
calcular as frequências ω1 e ω2 , que serão soluções da seguinte equação.

1 1
|H(ω)|2 = 2 = , (31)
2

ω ωR
1+ Q2 ωR − ω

que produz a seguinte equação

 2 − ω2 2
ωR
= 1. (32)
ωR ω/Q

A equação (32) tem 4 soluções, correspondendo a duas frequências positivas e duas negativas. A largura de
banda é caracterizada pela diferença entre estas frequências, que são
s 
R R 2 1
ω1 = − + + (33)
2L 2L LC
s 
R R 2 1
ω2 = + + . (34)
2L 2L LC
 Im ou Vm

Z1 ZR Z2 Z
Largura
de banda

Figura 12: Ilustração da largura de

√ banda. Os pontos de meia potência são aqueles onde a amplitude da corrente
(ou tensão) de saı́da e igual a 1/ 2 da amplitude máxima (medida na ressonância).

Ve Ve Ve

((a)) Para f < fR ((b)) Para f = fR ((c)) Para f > fR

I está adiantada I está em fase com Ve I está atrasada

90o
+90

0o
frequência

-90o XC > XL XC < XL

Capacitivo Indutivo
I está adiantada I está atrasada

Figura 13: Ilustração das relações de fase do circuito RLC série.

Observe que a frequência de ressonância ωR e a largura de banda ∆ω podem ser escritas em termos de ω1 e
ω2 como
√
ω1 ω2 ωR = (35)
R ωR 2 ωR
∆ω = ω2 − ω1 = = = ωR RC → Q = . (36)
L Q ∆ω
O fator de qualidade Q é a razão entre a frequência de ressonância ωR e a largura de banda ∆ω. Se a
largura de banda for estreita, o fator de qualidade do circuito ressonante é alto, e vice-versa.
A figura 13 ilustra a defasagem entre a corrente no resistor e a tensão de excitação para frequências no regime
capacitivo f < fR , no regime indutivo f > fR e no regime puramente resistivo f = fR .

5 Diodos retificadores
Na maioria dos equipamentos eletrônicos, a tensão de alimentação doméstica CA deve ser convertida para
tensão CC com especificações de intensidade e estabilidade adequados. Por exemplo, quando ligamos um com-
putador na tomada de energia elétrica, a fonte de alimentação do PC converte a tensão doméstica de 220 VCA
em pelo menos 5 tipos de tensão CC, que são: ±5V , ±12V e 3, 3V. A maneira mais simples de se conseguir
uma tensão CC a partir de uma tensão CA é utilizando-se circuitos de retificação elétrica baseados em diodos
retificadores. A função principal do circuito retificador é converter corrente alternada em corrente unidirecional.
A seguir serão apresentados conceitos fı́sicos elementares que explicam o funcionamento dos diodos de junção bem
como circuitos elementares de retificação.

5.1 Junção PN
Os diodos são dispositivos passivos não lineares formados pela junção de dois materiais semicondutores (Si
ou Ge) dopados com impurezas. O semicondutor tipo N é obtido a partir do Si (ou Ge) puro que é dopado com
impurezas doadoras de elétrons, tais como: o fósforo (P), o arsênio (As) ou o antimônio (Sb). O semicondutor
tipo P é obtido a partir do Si (ou Ge) puro que é dopado com impurezas aceitadoras de elétrons, tais como:
o alumı́nio (Al) e o boro (B). O elétron “extra” no semicondutor tipo N se propaga facilmente aumentando a
condutividade (termicamente ativada) do material. O elétron faltando deixa um “buraco” no semicondutor tipo
P que pode ser preenchido por um elétron vizinho, também aumentando a condutividade (termicamente ativada).
No caso do semicondutor tipo P os portadores de carga se movem no sentido contrário aos portadores de carga
do semicondutor tipo N. Os buracos podem ser pensados como portadores de cargas positivas.
Quando dois materiais semicondutores, um do tipo P e outro do tipo N, são unidos em nı́vel atômico, obtemos
uma junção PN. A figura 14 ilustra o que ocorre quando tal junção é obtida. Ao juntarmos os materiais P e N
ocorrerá a difusão de elétrons do lado N para o lado P e de buracos no sentido inverso. Devido à recombinação
que ocorre entre os elétrons e os buracos que se difundem através da junção PN, ı́ons positivos se formarão no lado
N da junção e ı́ons negativos se formarão no lado P. A presença destes ı́ons cria uma região com uma distribuição
espacial de cargas que origina uma barreira de potencial impedindo a difusão de elétrons do lado N para o lado P
e de buracos no sentido inverso. A largura da barreira de potencial não é necessariamente simétrica como aquela
mostrada na figura 14. Se a densidade de buracos (no lado P) for menor do a densidade de elétrons (no lado N),
então a largura da região de ı́ons negativos no lado esquerdo da junção será maior do que a largura da região de
ı́ons positivos no lado direito da junção. A presença de cargas não compensadas de cada lado da junção gera um
campo elétrico E que aponta no sentido de evitar a difusão dos portadores de carga. Mesmo nas condições de
equilı́brio descritas na figura 14, pares elétron buracos estão sendo continuamente formados na região da barreira
devido à agitação térmica. No entanto estes pares elétron buraco rapidamente se recombinam.

Região
ortadores

de carga
Região neutra espacial Região neutra

- -
ão de po

buracos ++ elétrons
- - ++
- - ++
- -
oncentrçã

Ti p
Tipo ++
- - ++ Tipo n
- - ++
- - ++
Co

- - ++
campo E
Difusão de buracos Difusão de elétrons
Força sobre buracos Força sobre elétrons

Figura 14: Ilustração de uma junção PN em equilı́brio. O campo elétrico gerado pela distribuição espacial de
cargas cria uma força elétrica sobre os buracos e sobre os elétrons contrária à difusão. Na situação de equilı́brio,
a barreira de potencial formada na interface PN evita o fluxo de portadores de cargas através da junção.

5.2 Polarização direta e reversa

A figura 15 ilustra a situação onde externamente aplicamos uma diferença de potencial entre os terminais do
diodo. Na condição de polarização direta aplicamos uma tensão onde o terminal positivo da bateria está aplicado
no lado P e o terminal negativo no lado N. Neste caso, a diferença de potencial na junção diminui e quando barreria
de potencial desaparece se estabelecerá uma corrente elétrica devido aos portadores majoritários: buracos no lado
P e elétrons no lado N. Na condição de polarização reversa aplicamos uma tensão onde o terminal positivo da
bateria está aplicado no lado N e o terminal negativo no lado P. Neste caso, a diferença de potencial na junção
aumenta mais ainda a barreria de potencial e praticamente não há corrente elétrica fluindo na junção, exceto pela
corrente de fuga devido aos portadores minoritários.
A figura 16 mostra a curva caracterı́stica I × V de um diodo semicondutor. A natureza da junção PN mostra
que o diodo conduz corrente elétrica quando polarizado diretamente e corta (não conduz) a corrente quando
polarizado inversamente. A corrente direta é “ligada” quando a tensão direta atinge um valor em torno de 0,6
V (para um diodo de Si) e atinge correntes muito altas para tensões da ordem de 0,7 V. O comportamento não
linear da curva I × V do diodo na condição de polarização direta é dada pela equação do diodo
 −qV 
D
ID (VD ) = I0 e ηkB T
−1 , (37)

onde I0 é a corrente de saturação reversa, kB = 1, 3807×10−23 J/K é a constante de Boltzmann, T é a temperatura

absoluta, q = −1, 60219×10−19 C é a carga do elétron e η é um parâmetro adimensional que depende da qualidade
do diodo. Considerando que a temperatura ambiente é T = 300K, temos kB T ' 4,14 ×10−21 J ' 0, 026 eV. Para
diodos de Si a corrente de saturação reversa I0 é da ordem de algumas dezenas de nA. A tensão de ruptura Vb
que aparece na figura 16, é a tensão reversa que essencialmente curto-circuita o diodo e é gerada pelo mecanismo
Zener que não é explicado pela Eq. (37). Neste caso, portadores de carga termicamente gerados são acelerados
pelo campo elétrico (gerado pela tensão reversa) e adquirem energia suficiente para romper ligações cristalinas
 V0

( ) Diferença
(a) Dif d potencial
de t i l na junção
j ã PN que surge
P N em virtude das cargas não compensadas.

V0
(b) Polarização direta. Quando aplicamos uma
P N polarização direta entre os terminais do diodo
de junção a diferença de potencial na junção
diminui diminuindo assim a barreira de
V potencial
potencial.
+ -
V0
(c) Polarização reversa. Quando uma
P N polarização
l i ã reversa é aplicada
li d nos tterminais
i i
do diodo de junção, a região de cargas
espaciais se expande para dentro das
V regiões P e N aumentando assim a barreira
de potencial.
- +

Figura 15: Ilustração das condições de polarização direta e reversa de uma junção PN.

produzindo novos portadores de cargas (pares elétron buraco). Os novos pares elétron buracos geram novos
portadores produzindo uma avalanche de portadores.

V0

Figura 16: Curva caracterı́stica de um diodo (curva sólida) e a caraterı́stica simplificada (linha tracejada). Note
as diferenças de escala entre o primeiro e o terceiro quadrantes. A equação do diodo (Eq. (37)) só explica a curva
do primeiro quadrante. Para um diodo de Si, V0 ' 0, 7V.

5.3 Circuitos de retificação

A figura 17 mostra dois circuitos retificadores muito simples. O circuito da figura 17(a) é um retificador de meia-
onda que converte tensão CA em tensão pulsante CC. Este circuito permite que metade do ciclo passe para a
carga, não permitindo que a corrente flua no sentido contrário durante a outra metade do ciclo. A forma de onda
resultante, que alimenta a carga RL , possui apenas os ciclos positivos de tensão. O configuração mostrada na
figura 17(b) é um retificador de onda completa. Este circuito manipula a tensão CA incidente de forma que ambas
as metades do ciclo provocam corrente elétrica na carga fluindo no mesmo sentido. A forma de onda resultante
opera com os dois ciclos de oscilação de forma a gerar uma corrente elétrica fluindo no mesmo sentido sobre a
carga RL . Observe que a corrente elétrica resultante que alimenta a carga RL flui em um único sentido. Embora
a ondulação (“ripple”) seja muito grande para ser utilizada em aplicações que exigem alimentação CC de baixo
ruı́do, esta forma de onda pode ser usada para alimentar pequenos motores ou lâmpadas. As tensões DC indicadas
nas figuras 17(a) e 17(b) (sem introdução do capacitor de filtragem) são calculadas tomando-se o valor médio da
tensão de saı́da 
1 T
VDC = Vmed = V (t)dt. (38)
T 0
Para o retificador de meia-onda, VDC = Vm /π e para o retificador de onda completa VDC = 2Vm /π.
A figura 17(c) mostra a situação onde inserimos um capacitor em paralelo com a carga RL . Este capacitor
tem a função de filtrar o “ripple” que não é aceitável em fontes CC de baixo ruı́do. O sinal retificado carrega
o capacitor para uma tensão igual à tensão de pico da fonte CA quando o diodo conduz. Quando o diodo está
cortado, o circuito fica essencialmente desligado da fonte, formando um circuito RC com o capacitor descarregando
sobre o resistor. Em geral quanto maior for o capacitor melhor será o filtro. O fator de ripple ∆V mostrado na
figura 17(c) depende do valor do capacitor de filtro. O valor do capacitor escolhido deve ser tal que RL C >> 1/f
 Corrente flui
½ ciclo quando D1
par conduz
Tensão
Tensão Diodo
VL CA Corrente flui
CA V0 ½ ciclo quando D2
ímpar conduz

Forma de onda de saída

Forma de onda de entrada

Forma de onda de saída
(a) (b)
Capacitor de
suavização

Saída

Saída com capacitor

p
Carga Descarga

Saída sem
capacitor
capac o
Forma de onda de saída
(c) (d)

Figura 17: Em (a) temos um circuito retificador de meia onda. Durante cada ciclo positivo da tensão CA o
diodo é polarizado diretamente e a corrente flui através da carga RL . Durante cada ciclo negativo da tensão CA
o diodo está polarizado reversamente e a corrente não flui pela carga RL . Em (b) temos um circuito retificador
de onda completa consistindo de dois diodos conectados a uma única carga RL onde cada diodo conduz em ciclos
alternados. Quando o ponto A do transformador é positivo com relação ao ponto C, o diodo D1 conduz (como
indicado pela seta). Quando o ponto B é positivo em relação em relação ao ponto C (na parte negativa do ciclo),
o diodo D2 conduz (como indicado pela seta). Em ambos os ciclos a corrente flui no mesmo sentido pela carga
RL . Em (c) temos a introdução de um capacitor de filtro que suaviza a forma de onda de saı́da, diminuindo
consideravelmente a ondulação. Em (d) tem a situação realı́stica da forma de onda na carga no caso do retificador
de meia-onda, onde mostramos a tensão subtraı́da da barreira de potencial do diodo.

onde f é a frequência de “ripple” (f = 60 Hz no caso do retificador de meia onda e f = 120 Hz no caso do

retificador de onda completa). A figura 17(d) mostra a forma de onda de saı́da de um retificador de meia-onda
onde levamos em consideração a barreira de potencial do diodo. O diodo só conduz depois que a tensão de entrada
atinge o valor V0 ' 0, 7V.
A figura 18 mostra a configuração de retificador de onda completa mais utilizada. É uma ponte de 4 diodos.
Observe que no ciclo positivo de oscilação a corrente flui pelos diodos D2 e D3 (como indicado pelas setas ver-
melhas). No ciclo de negativo de tensão os diodos D1 e D4 conduzem de forma que a corrente flui no mesmo
sentido através da carga RL (como indicado pelas setas azuis). O circuito da figura 18(a) mostra a situação onde
os diodos D2 e D3 estão conduzindo. Nesta situação temos o ciclo positivo de tensão. O circuito da figura 18(b)
mostra a situação onde os diodos D1 e D4 estão conduzindo. Nesta situação temos o ciclo negativo de tensão.
Durante o processo de retificação, a tensão (e a corrente) CC resultante de saı́da, liga e desliga durante cada
ciclo. Isto resulta em um valor médio baixo fornecido à carga além de possuir uma ondulação muito alta. A tensão
fornecida à carga RL é exatamente a tensão de saı́da da fonte menos tensão corresponde à barreira de potencial
dos diodos. Por exemplo, se a amplitude da tensão de entrada for 12 V, então a tensão sobre a carga RL será
12 − 2 · 0, 6 = 10, 8 V, como mostrado na figura 18(c). Na verdade os valores médios fornecidos à carga RL são
Vmed = Vpico /π = 0, 318Vpico para o retificador de meia-onda e Vmed = 2Vpico /π = 0, 636Vpico para o retificador de
onda completa. A figura 19 mostra o retificador de onda completa, onde agora inserimos o capacitor de filtragem
C. Neste caso o “ripple” é muito mais suavizado do que no caso do retificador de meia-onda. Se definirmos a
tensão de ondulação como ∆V , podemos estimar este valor para o retificador de meia-onda como
− RT C
∆V ' Vp − Vp e L , (39)

onde T = 1/f e f = 60 Hz. Como e−x ≈ 1 − x, então

Vp
∆V ' . (40)
f RL C
 ((a
a))
+
D
((t))
-
RL Ve(t) V0(t)
Vm

Ve(t) = Vmsen(Zt)
(b)
- V0(t) = (Vm-1,2
1 2 )sen(Zt)
)sen( t)
D
()
(t) ((c))
+
RL

Figura 18: Ilustração do circuito ponte de diodos usado como retificador de onda completa. Observe que este tipo
de circuito pode ser utilizado tanto para retificar onda senoidal proveniente do secundário de um transformador
como proveniente da saı́da de um gerador de funções. Em (a) vemos a retificação de ciclos positivos e em (b) a
retificação de ciclos negativos. Em (c) mostramos a forma de onda de saı́da real (ciclos em preto) que deve levar
em consideração a tensão devido à barreira de potencial dos diodos que estão conduzindo. Por isto a amplitude
da senoide de saı́da deve ser Vm − 1, 2.

A ondulação para o retificador de onda completa é dada por

Vp
∆V ' . (41)
2f RL C
Assim podemos concluir, das equações (40) e (41) que a ondulação é inversamente proporcional ao capacitor
de filtragem C e é duas vezes menor para o retificador de onda completa, em comparação com o retificador de
meia-onda.

(a)
Descarga Saída com capacitor
“Ripple” g
Carga

Saída sem
Capacitor capacitor
de filtro RL

T
(b)
t

RLC
VC VP e
VP 'V

T/2

Tdes.
T

Figura 19: Circuito retificador de onda completa com o capacitor de filtro. Neste caso o fator de “ripple” é muito
menor do que no caso do retificador de meia-onda.

6 Bibliografia
[1] Berkeley Physics Laboratory - Electric Circuits, Alan M. Portis a Hugh D. Young. McGraw-Hill Book Company,
2a edição, 1971.
[2] Eletrônica Básica, James J. Brophy. Ed. Guanabara Dois, 3a edição, 1977.
[3] Curso de Fı́sica Básica 3 - Eletromagnetismo, H. Moysés Nussenzveig. Ed. Edgard Blucher Ltda., 1997.
[4] Fundamentos de Fı́sica - Vol. 3, David Halliday, Robert Resnick e Jearl Walker. Ed. LTC, 8a Edição, 2009.
[5] The Art of Electronics, Paul Horowitz e Winfield Hill. Cambridge University Press, 2a edição, 1991.