PSI3322 - ELETRÔNICA II

Universidade de São Paulo

Prof. João Antonio Martino

AULA 3 - 2017

PSI3322 - João A. Martino – PSI/EPUSP

 Exercício: Desenhe as curvas características
Universidade de São Paulo
do NMOSFET abaixo e o perfil de carga
vDS
μ n ε ox
k n   μ n .C ox iDS
t ox Metal vGS W
mn = 500 cm2/V.s (condutor) Óxido de porta
eox/tox = 2 mF/cm2 (isolante)
L = 10 mm Porta tox
W = 100 mm
Vt = 1 V N+ N+
L
Fonte Dreno
P

Substrato
(ou Corpo)

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 Exercício: Desenhe as curvas características
Universidade de São Paulo
do NMOSFET abaixo e o perfil de carga
iD N N
iD
μ n ε ox
k n   μ n .C ox
t ox
mn = 500 cm2/V.s
eox/tox = 2 mF/cm2
L = 10 mm
N
W = 100 mm
Vt = 1 V vDS vGS

N N N N
P P

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Universidade de São Paulo

Alunos de PSI3322:

Vamos agora incrementar o modelo de

primeira ordem do NMOSFET

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Universidade de São Paulo

Modelo de circuito equivalente para grandes

sinais de um NMOSFET operando em saturação

W v GS  Vt  μ n ε ox
2
k n   μ n .C ox
i D  k n t ox
L 2
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 A Resistência de Saída Finita na Saturação
(modulação do comprimento de canal)
Universidade de São Paulo

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 A Resistência de Saída Finita na Saturação
(modulação do comprimento de canal)
Universidade de São Paulo

VA : Tensão de Early

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 A Resistência de Saída Finita na Saturação
(modulação do comprimento de canal)
Universidade de São Paulo

VA : Tensão de Early

W v GS  Vt 
2
i D  k n (1  .v DS )
L 2 PSI3322 - João A. Martino – PSI/EPUSP
Universidade de São Paulo

Modelo de circuito equivalente para grandes sinais de

um NMOSFET operando em saturação incorporando r0
(Efeito Early : modulação do comprimento de canal)

W v GS  Vt 
2
i D  k n (1  .v DS )
L 2
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 O Efeito de Corpo (Substrato)
Universidade de São Paulo

N N
P

• Na maioria das aplicações o terminal da fonte é curto circuitado com o terminal de

substrato, ou seja, VBS = 0, o que resulta em ter a tensão de limiar (Vt) constante.
• Porém em um circuito integrado que tem apenas um substrato e vários transistores, é
possível que o terminal de substrato esteja em um potencial menor que o da fonte (VBS < 0).
• Neste caso, quanto maior for a diferença de potencial (VBS), maior será a tensão de limiar.

Vt (VBS )  Vt (VBS  0)   ( 2 F  VBS  2 F ) 2q.e si N A


COX
F = potencial de Fermi (0,3 a 0,4V)
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Alunos de PSI3322:

Vamos agora estudar o transistor

PMOSFET

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 Transistor MOSFET - Canal P (PMOS)
Universidade de São Paulo

Porta(G)

Fonte(S) Dreno(D)

P+ P+

Substrato (B)

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 Comparação entre os Transistores
Universidade de São Paulo

Transistor PMOSFET NMOSFET

Porta
Porta(G) (G-Gate)
Fonte Dreno
Fonte(S) Dreno(D) (S-Source) Metal (D-Drain)
Óxido
P+ P+ N+ Sem. N+

N P

Substrato (B) Substrato

(B-Body)

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 Perfil de um Circuito Integrado CMOS
Universidade de São Paulo

NMOS PMOS
B S G D D G S B

P+ N+ N+ P+ P+ N+

P N

N-

N+ PSI3322 - João A. Martino – PSI/EPUSP

 Circuitos Digitais CMOS
Universidade de São Paulo

Inversor CMOS Porta NOR CMOS Porta NAND CMOS

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 Circuitos Digitais CMOS
Universidade de São Paulo

Célula de memória estática (SRAM)

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 Circuitos Analógicos CMOS
Universidade de São Paulo

Amplificador Operacional

+ VDD

Q8 Q5 Q7

_ +
Q1 Q2
IREF
CC
Q3 Q4 Q6

- VSS

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 Circuitos Integrados Mistos
Universidade de São Paulo
Transponder para o sistema de coleta de dados
brasileiro na tecnologia CMOS
(Centro de Formação de Projetistas de Circuitos
Integrados da Escola Politécnica da USP)

Analógica Digital
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 Tecnologia CMOS projetada e
fabricada na Escola Politécnica da USP
Universidade de São Paulo

Dimensões: 3mm x 3mm

7 Estruturas Van der Pauw

e 2 Resistores
3 Estruturas Kelvin
5 Capacitores
20 Transistores nMOS
20 Transistores pMOS
6 Diodos
1 Oscilador em Anel
(31 estágios)
3 Inversores

(J.A.Martino - Doutorado - USP - 1988)

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 Robôs existem graças aos circuitos integrados
(compostos por transistores MOSFET)
Universidade de São Paulo Da ficção para a realidade...
Perdidos no espaço (1965-1968)

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 Robôs existem graças aos circuitos integrados
(compostos por transistores MOSFET)
Universidade de São Paulo
Da ficção para a realidade...

Rosie – JETSONS (1962)

B9 Robot: Perdidos no espaço (1965)
R2-D2 e C-3PO (Star Wars -1977)

BB-8 (Star-Wars – 2015)

Sonny do “Eu Robot” (2004)
Wall-E (2009) PSI3322 - João A. Martino – PSI/EPUSP
 Robôs existem graças aos circuitos integrados
(compostos por transistores MOSFET)
Universidade de São Paulo
Da ficção para a realidade...

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 Robôs existem graças aos circuitos integrados
(compostos por transistores MOSFET)
Universidade de São Paulo
Da ficção para a realidade...

Robot do Joãozinho...

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 Transistor PMOSFET - Modelo
Universidade de São Paulo Porta(G)

Fonte(S) Dreno(D)
Vt < 0
P+ P+ vGS < 0
N vDS < 0
mp ~ mn/3
Substrato (B)

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 PMOSFET (análogo ao NMOS)
Modelo de iD=f(vGS, vDS)
Universidade de São Paulo

• Região de Corte: vGS Vt ou vGS-Vt  0

iD = 0
Vt < 0
• Região Triodo: vGS-Vt  vDS < 0
vGS < 0
 v DS 
2
vDS < 0
v GS  Vt v DS 
W
i D  k p 
L  2  mp ~ mn/3
• Região de Saturação: vDS vGS-Vt < 0
W v GS  Vt 
2 Onde:
i D  k p (1  .v DS ) k p 
μ p ε ox
 μ p .C ox
L 2 t ox
Parametro de Transcondutância
do processo [A/V2]
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TESTES SOCRATIVE
Sala: JAMARTINO

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