Universidade de Sao Paulo

HISTÓRIA DA
MICROELETRÔNICA

João Antonio Martino

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo

 Evolução da Eletrônica

Válvula  Transistor  Circuitos Integrados

1896 1947 1959
Microeletrônica

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo

 O que é uma Válvula ?

1

1 2 3 3

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo

 O que é um Transistor ?
C

E B C

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo

 O que é um Circuito Integrado ?

UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO
ESCOLA POLITÉCNICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELETRÔNICA
LABORATÓRIO DE SISTEMAS INTEGRÁVEIS

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo O Primeiro Transistor

•Transistor de contato puntual

•Concebido em 1947 por W.
Shockely, W. Brattain e J.
Bardeen, nos laboratórios da
AT&T
•alternativa para as válvulas

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo Transistor de junção

•Desenvolvido por W.
Shockley em 1950

•Mais estável que o transistor

de contato puntual

João Antonio Martino

 Primeiro Circuito Integrado – 1959
Universidade de Sao Paulo

•Jack St Clair Kilby

(Universidade de Illinois, 1947)

•Texas Instruments em 1958

• U.S. Patent 3.138.743

(Submetida em 1959) em
“Miniaturized Electronic
Circuits”

•Projetou a primeira calculadora

eletrônica portátil (4 operações)

•Prêmio Nobel em 2000

João Antonio Martino

 Primeiro Circuito Integrado – 1959
Universidade de Sao Paulo

•Jack St Clair Kilby

•Texas Instruments

• U.S. Patent 3.138.743

(Submetida em 1959) em
“Miniaturized Electronic
Circuits”
Oscilador de Deslocamento de Fase
•Prémio Nobel em 2000

João Antonio Martino

 Primeiro Circuito Integrado lógico
Universidade de Sao Paulo

•Diâmetro de 1,5 mm

• Biestável

• Processo Planar

João Antonio Martino

 Primeiro Amplificador Operacional
Universidade de Sao Paulo

•Projetado por Robert Widlar

• Sucesso comercial da
Fairchild

• Possui 12 transistores e 5
resistores

• Ganho 7000

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo
Um grande sucesso - A709

•Também projetado por Robert

Widlar

• Um dos maiores sucessos da

indústria de Microeletrônica

• 14 transistores e 15 resistores

• Ganho 70000

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo
Memória Estática

•Primeira memória de
capacidade razoável - 256 bits

• Projetada por H. T. Chua

• Utilizada no ILLIAC IV

• 2,5 mm x 3,2 mm

• Tamanho de um núcleo de
ferrite

João Antonio Martino

 Memória Dinâmica
Universidade de Sao Paulo

•Armazenamento de 1K

• Armazenava 25 palavras de
5 letras

• Projetada por J. Karp e Bill

Regitz

João Antonio Martino

 Primeiro Microprocessador de 8 bits
Universidade de Sao Paulo

Sucessor do 4004--->calculadoras

Projeto encomendado para fazer

parte de um terminal inteligente

Rejeitado por ser muito lento

Projetado por Hal Feeney, Ted

Holf, Frederico Faggin e Stan
Mazer

Aproximadamente com 3300

transistores

3 mm x 4,3 mm João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo
Primeira Memória de 4 Mbits

João Antonio Martino

Complexidade do Circuito Integrado
LEI DE MOORE (Gordon Moore – Intel)

Fonte : Intel
Um Exemplo da Revolução da Microeletrônica

30 anos
Intel 8008 (1972) Intel Pentium 4 (2002)
200 KHz X 12.000 2,2 GHz
3.300 transistores 42.000.000 transistores
13 mm2 146 mm2
Dobra a cada 2 anos  LEI DE MOORE
Menores dimensões
Tecnológicas [m]
Exemplos
Fio de cabelo: 100 m

Ameba: 15 m

Glóbulo vermelho: 7 m

Vírus da AIDS: 0,1 m

Fonte : Intel
Evolução do Custo Médio por Transistor
em um Circuito Integrado

Fonte : Intel
 Tecnologia NMOS com Porta de Silício
Universidade de Sao Paulo
Policristalino (5m) : Brasil (EPUSP)

Dimensões: 3mm x 3mm

4 Resistores
5 Capacitores
8 Transistores nMOS
1 Diodo
1 Oscilador em Anel
(31 estágios)
2 Inversores
2 Somadores

(J.A.Martino - Mestrado - USP - 1984) João Antonio Martino

 Tecnologia NMOS com Porta de Silício
Universidade de Sao Paulo
Policristalino (5m) : Brasil (EPUSP)

Inversor
Resistores

Oscilador em anel

Memória SRAM projetada por

Prof. Dr. Rogério Furlan, 1984)

Capacitor

Transistor

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo Resistores (USP)

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo Capacitores (USP)

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo
Transistor - NMOSFET (USP)

João Antonio Martino

 Tecnologia CMOS projetada e fabricada
Universidade de Sao Paulo
na Escola Politécnica da USP - Brasil

Dimensões: 3mm x 3mm

7 Estruturas Van der Pauw

e 2 Resistores
3 Estruturas Kelvin
5 Capacitores
20 Transistores nMOS
20 Transistores pMOS
6 Diodos
1 Oscilador em Anel
(31 estágios)
3 Inversores

(J.A.Martino - Doutorado - USP - 1988) João Antonio Martino

 Tecnologia CMOS de Cavidade Dupla (2 m):
Universidade de Sao Paulo
Brasil (EPUSP)
Van der Pawn e 2 resistores
Inversor

Transistores

Diodos

Oscilador em anel

Estruturas Kelvin

João Antonio Martino

 Tecnologia SOI CMOS (0,5 m)
Universidade de Sao Paulo
IMEC/Bélgica
Dimensão: 10mm x 10mm
• 221 estruturas
• mais de 1000 terminais
• cascatas de transistores
de L=10m até 0,4m

(J.A.Martino - Livre Docência - USP/Bélgica - 1998)

João Antonio Martino
 Tecnologia SOI CMOS Ultra-Submicrométrica
Universidade de Sao Paulo
(0,1 m) IMEC/Bélgica
Gate (VGF)

Source (VS) Drain (VD)

N N
P+ P+ N+
N+
P

Buried Oxide

Substrate

Substrate (VGB)

Dimensão: 10mm x 10mm

. cascatas de transistores
de L=10m até 0,08m
João Antonio Martino
 Transistor SOI MOSFET de
Universidade de Sao Paulo Porta Dupla
Porta Fonte

Dreno
ID

Óxido Enterrado

João Antonio Martino

 Primeiro Transistor FinFET (3D)
Universidade de Sao Paulo
(construído com litografia de feixes de elétrons)

USP/Brazil (2012)
(feixe de eletrons)

* MARTINO, J. A, FAPESP Week, Salamanca, Spain, December,12, 2012

* RANGEL, R. ; POJAR, M.; SEABRA, A.C.; SANTOS Filho, S.G.; MARTINO, J. A, SBMicro 2013,
Curitiba, Proc. IEEExplorer, p.1-5.
João Antonio Martino
 Primeiro Transistor 3D (2012)
Universidade de Sao Paulo (SOI FinFET de porta tripla)

USP/Brazil (2012)
VGF = -0.50V
9
(feixe de eletrons)
VGF = -0.25V
VGF = 0V
8 VGF = 0.25V
7 VGF = 0.50V
VGF = 0.75V
6 VGF = 1V
5

ID(A)
WFIN= 50-100nm, HFIN= 100nm, 4
3
VGB = 0V

tox= 4.5nm, tbox = 200nm, 2

1
0
L = 2.5m, Si-Poli 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VD(V)

* MARTINO, J. A, FAPESP Week, Salamanca, Spain, December,12, 2012

* RANGEL, R. ; POJAR, M.; SEABRA, A.C.; SANTOS Filho, S.G.; MARTINO, J. A, SBMicro 2013,
Curitiba, Proc. IEEExplorer, p.1-5. João Antonio Martino
 Novo Transistor: BE SOI MOSFET
Universidade de Sao Paulo (Back Enhanced Silicon-On-Insulator MOSFET)
(FLEX Transistor)

Principais Caracteristicas: Não precisa de dopagem; Pode

funcionar como nMOS (VGB >>0) or pMOS (VGB << 0);
Aplicações como sensor… V =-25V V =15V GB GB

10-5
V =-20V V =20V
p-type GB GB
VGB=-15V VGB=25V

10-6 n-type

10-7

ID(A)
BE SOI MOSFET
10-8 VDS=1V
L=100m
10-9 W=100m

-2 -1 0 1 2
Estrutura BE SOI MOSFET VGF(V)

*J. A. Martino and R. C. Rangel, “BE SOI MOSFET” patent BR 10 2015 020974 6,
August, 28th, 2015.
* R. C. Rangel and J. A. Martino, “Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET,” 30th Symposium on
Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), IEEExplorer, p.1-4, 2015.
João Antonio Martino
 BE SOI MOSFET e Tunel-FET
Universidade de Sao Paulo
como plataforma Biossensora
Estrutura BE SOI MOSFET Estrutura BE SOI Tunel-FET
patent BR 10 2015 020974 6, (em desenvolvimento)

Validação da plataforma: Sensor de Glicose

Projeto e fabricação do sensor, processamento de sinais, testes
(futura aplicação: sensor inteligente implantável)

Participações: LSI/USP, UNESP, FATEC,Hospital Albert Einstein

João Antonio Martino

 Evolução da Tecnologia
Universidade de Sao Paulo

Nós Tecnológicos Agora Futuro

65nm 45nm 32nm 22nm 14nm 10nm, 7nm, 5nm, 3.5nm

(Fin,Tri, Nanowire)
Intel, IBM/Global Foundries

Planar Tri-Gate Alternativa

Si channel

(FDSOI)
FD: Fully Depleted
STMicroelectronics,
IBM/Global Foundries

João Antonio Martino

Universidade de Sao Paulo Universidade de São Paulo

Grazie
Merci
Thank you
Obrigado

João Antonio Martino

Universidade de São Paulo
martino@usp.br
João Antonio Martino