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DIODO SEMICONDUTOR
• DIODO IDEAL
• DIODO REAL
DIODO IDEAL
ANODO ( A ) CATODO ( C )
A C
P N
POLARIZAÇÃO DIRETA
POLARIZAÇÃO REVERSA
VR 0 VD
ID = CORRENTE NO SENTIDO
IR DIRETO.
IR = CORRENTE NO SENTIDO
REVERSO.
NOTAR QUE ESTA SITUAÇÃO CONSIDERA QUE NÃO HÁ
TENSÃO NA REGIÃO DE DEPLEÇÃO ( BARREIRA DE VD = TENSÃO NO SENTIDO
POTENCIAL ), O QUE SIGNIFICA QUE A CONDUÇÃO SE DÁ À DIRETO.
PARTIR DA POLARIZAÇÃO DIRETA, INDEPENDENTEMENTE
DO VALOR DA TENSÃO DA FONTE. ASSIM, O DIODO VR = TENSÃO NO SENTIDO
SIMPLESMENTE “NÃO CONDUZ NA POLARIZAÇÃO
REVERSA” E “CONDUZ NA POLARIZAÇÃO DIRETA”. REVERSO.
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO REAL
ID
TENSÃO DE RUPTURA
( BREAKDOWN VOLTAGE ) :
AO SER ATINGIDA,
OCORRERÁ O EFEITO POLARIZAÇÃO
AVALANCHE ( OU EFEITO
ZENER ). DIRETA
VK VK
VR VD
0 V
TENSÃO DE CONDUÇÃO
POLARIZAÇÃO ( V GAMA )
REVERSA V = 0,7V ( Si ), aprox.
V = 0,3V ( Ge ), aprox.
IR
NOTA:
BREAKDOWN = COLAPSO, AVARIA, PANE, DESTRUIÇÃO.
VK = TENSÃO DE JOELHO ( K = KNEE = JOELHO, INCLINAÇÃO, DOBRA )
- DIODO REAL -
IDEAL REAL
POLARIZAÇÃO DIRETA
CONDUZ UMA PEQUENA CORRENTE OU, PRATICA-
A TENSÃO EM SEUS TERMINAIS É “ZERO” E O MENTE, NÃO CONDUZ QUALQUER CORRENTE, EN-
DIODO PODE CONDUZIR GRANDES QUANTO A TENSÃO EM SEUS TERMINAIS NÃO
CORRENTES. ATINGIR O VALOR MÍNIMO CORRESPONDENTE À
TENSÃO DA “BARREIRA DE POTENCIAL”, REPRE-
SENTADA POR Vγ. APROXIMADAMENTE: Vγ = 0,7V
PARA O SILÍCIO E Vγ = 0,3V PARA O GERMÂNIO.
APÓS ATINGIR ESTE VALOR, A CORRENTE PODE
CRESCER, ASSUMINDO VALORES SIGNIFICATIVOS.
POLARIZAÇÃO REVERSA
HÁ UMA PEQUENA CORRENTE REVERSA CAUSADA
NÃO HÁ CORRENTE PELO DIODO, AINDA QUE POR PORTADORES MINORITÁRIOS GERADOS POR
HAJA EM SEUS TERMINAIS UMA TENSÃO EFEITO DA TEMPERATURA. EM GERAL
QUALQUER. CONSIDERA-SE APENAS ESTA CORRENTE,
DENOMINADA “CORRENTE DE SATURAÇÃO” (IS),
SENDO QUE SEU VALOR SÓ DEPENDE DA
TEMPERATURA. HÁ TAMBÉM A CORRENTE DE
FUGA SUPERFICIAL, PROVOCADA POR FUGAS
OHMICAS NA SUPERFÍCIE DO CRISTAL, SENDO QUE
SEU VALOR PODE VARIAR COM A TENSÃO
APLICADA AO DIODO. ESTAS DUAS CORRENTES
FORMAM A DENOMINADA “CORRENTE REVERSA”
RESISTÊNCIAS DE UM DIODO REAL
ID
RD = VD []
ID
ID
VD
0 VD
RESISTÊNCIAS DE UM DIODO REAL
ID
VD
0
V
CÁLCULO DA RESISTÊNCIA DINÂMICA
ID2
Q
I ID rD = V / I []
ID1
I = ID2 – ID1
ID
VD1 VD VD2
ID2
Q
I ID Q rD = V / I []
ID1
I = ID2 – ID1
ID
VD1 VD VD2
COMO TRAÇAR A RETA DE CARGA: Sabemos que uma reta é definida a partir de 2 de
seus pontos (( VD1 , ID1 ) e ( VD2 , ID2 )).
ON SEMICONDUCTORS
FAIRCHILD
ALGUMAS
ALGUMAS
LETRASLETRAS
USADASSÍMBOLOS
COMO SUBSCRITO
USADAS E
PARA
SEUSDIODOS
SIGNIFICADOS
(AV), (av) Average = Valor Médio
F Forward = Direta
I, i Input = Entrada
C, c Capacitance = Capacitância
J Junction = Junção
j–a E,e to Ambiente
Junction Energy = Energia
= Junção ao Ambiente
K Kneef = joelho, Frequency
dobra = Freqüência
M, m Peak
I, or
i Crest Value = Valor
Current de Pico ou Valor de Crista
= Corrente
max , mim Maximum = Máximo(a) , Minimum = Mínimo(a)
P, p Power = Potência
O, o Output = Saída
on
R,r
Turn-on = Ligar
Resistance = Resistência
P, p S = Pulso
Pulse Temperature = Temperatura
R, r Comot primeiroTime = Tempo
subscrito: Reverse ou Rise = Reverso(a) ou Subida. Como segundo
subscrito: Repetitive ou Recovery = Repetitivo ou Recuperação
(RMS), (rms) V, v Voltage
Root-Mean-Square Value==Voltagem
Valor Médioou Tensão( Valor Eficaz )
Quadrático
S, s Z primeiroImpedance
Como = Impedância
subscrito: Storage, Series, Switching = Armazenamento, Série,
Comutação. Como segundo subscrito: Surge ( non-repetitive ) = Surto ( não-repetitivo )
stg Storage = Armazenamento
th Thermal = Térmico(a)
W Working = Trabalho, Operação, Funcionamento, Atividade
CIRCUITOS
EQUIVALENTES PARA
DIODOS REAIS:
APROXIMAÇÕES.
CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS
1a. APROXIMAÇÃO:
CONSIDERA O DIODO COMO UM ELEMENTO IDEAL, TAL COMO JÁ VISTO
ANTERIORMENTE. NA POLARIZAÇÃO DIRETA POSSUI TENSÃO E RESISTÊNCIA
ZERO (CURTO-CIRCUITO) EM SEUS TERMINAIS. NA POLARIZAÇÃO REVERSA
POSSUI TENSÃO CUJO VALOR DEPENDE DOS DEMAIS ELEMENTOS DO CIRCUITO
E POSSUI RESISTÊNCIA INFINITA (ABERTO).
ID
POLARIZAÇÃO POLARIZAÇÃO
DIRETA REVERSA
A C A C A C VR 0 VD
IR
2a. APROXIMAÇÃO:
CONSIDERA A TENSÃO 0,7V PARA DIODO DE SILÍCIO, MAS NÃO CONSIDERA SUA
RESISTÊNCIA DINÂMICA (rD).
PARA O DIODO CONDUZIR É NECESSÁRIO QUE A TENSÃO ENTRE ANODO E
CATODO (VD) SEJA MAIOR DO QUE 0,7V.
QUANDO O DIODO CONDUZ, A TENSÃO SOBRE ELE É IGUAL AO VALOR DE 0,7V.
DIODO REAL
POLARIZAÇÃO DIRETA POLARIZAÇÃO REVERSA
ID
A 0,7V
A 0,7V A 0,7V
C
C C
DIODO
IDEAL
VD = 0,7V 0 0,7V
VD VD
3a. APROXIMAÇÃO:
CONSIDERA A TENSÃO 0,7V DO DIODO E CONSIDERA TAMBÉM SUA RESISTÊNCIA
DINÂMICA (rD) . PARA O DIODO CONDUZIR É NECESSÁRIO QUE A TENSÃO ENTRE
ANODO E CATODO (VD) SEJA MAIOR DO QUE 0,7V. QUANDO O DIODO CONDUZ, A
TENSÃO SOBRE ELE É IGUAL AO VALOR DE 0,7V ACRESCIDO DA TENSÃO EM rD .
Se admitirmos Vγ = 0,7 [V] , rD = 0,2 e ID = 20 [mA] , teremos VD = 0,7 + 0,2 x 20.10-3 = 0,704 [V].
DIODO IDEAL ID
VD 0 0,7V VD
VD
ASSOCIAÇÃO EM PARALELO