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MODELOS PARA O

DIODO SEMICONDUTOR

• DIODO IDEAL
• DIODO REAL
DIODO IDEAL

ANODO ( A ) CATODO ( C )
A C
P N

POLARIZAÇÃO DIRETA

A C Polarização Direta: Anodo Positivo e


+ - Catodo Negativo. Se comporta como
uma “chave fechada”. Conduz uma
corrente elevada.

POLARIZAÇÃO REVERSA

A C Polarização Reversa: Anodo Negativo e


- + Catodo Positivo. Se comporta como
uma “chave aberta”. Não conduz
corrente.
CURVA
“ TENSÃO VERSUS
CORRENTE ”
ID
PARA O DIODO
IDEAL

VR 0 VD

ID = CORRENTE NO SENTIDO
IR DIRETO.
IR = CORRENTE NO SENTIDO
REVERSO.
NOTAR QUE ESTA SITUAÇÃO CONSIDERA QUE NÃO HÁ
TENSÃO NA REGIÃO DE DEPLEÇÃO ( BARREIRA DE VD = TENSÃO NO SENTIDO
POTENCIAL ), O QUE SIGNIFICA QUE A CONDUÇÃO SE DÁ À DIRETO.
PARTIR DA POLARIZAÇÃO DIRETA, INDEPENDENTEMENTE
DO VALOR DA TENSÃO DA FONTE. ASSIM, O DIODO VR = TENSÃO NO SENTIDO
SIMPLESMENTE “NÃO CONDUZ NA POLARIZAÇÃO
REVERSA” E “CONDUZ NA POLARIZAÇÃO DIRETA”. REVERSO.
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO REAL

ID
TENSÃO DE RUPTURA
( BREAKDOWN VOLTAGE ) :
AO SER ATINGIDA,
OCORRERÁ O EFEITO POLARIZAÇÃO
AVALANCHE ( OU EFEITO
ZENER ). DIRETA

VK VK
VR VD
0 V

TENSÃO DE CONDUÇÃO
POLARIZAÇÃO ( V GAMA )
REVERSA V = 0,7V ( Si ), aprox.
V = 0,3V ( Ge ), aprox.
IR

NOTA:
BREAKDOWN = COLAPSO, AVARIA, PANE, DESTRUIÇÃO.
VK = TENSÃO DE JOELHO ( K = KNEE = JOELHO, INCLINAÇÃO, DOBRA )
- DIODO REAL -

IDEAL REAL
POLARIZAÇÃO DIRETA
CONDUZ UMA PEQUENA CORRENTE OU, PRATICA-
A TENSÃO EM SEUS TERMINAIS É “ZERO” E O MENTE, NÃO CONDUZ QUALQUER CORRENTE, EN-
DIODO PODE CONDUZIR GRANDES QUANTO A TENSÃO EM SEUS TERMINAIS NÃO
CORRENTES. ATINGIR O VALOR MÍNIMO CORRESPONDENTE À
TENSÃO DA “BARREIRA DE POTENCIAL”, REPRE-
SENTADA POR Vγ. APROXIMADAMENTE: Vγ = 0,7V
PARA O SILÍCIO E Vγ = 0,3V PARA O GERMÂNIO.
APÓS ATINGIR ESTE VALOR, A CORRENTE PODE
CRESCER, ASSUMINDO VALORES SIGNIFICATIVOS.

POLARIZAÇÃO REVERSA
HÁ UMA PEQUENA CORRENTE REVERSA CAUSADA
NÃO HÁ CORRENTE PELO DIODO, AINDA QUE POR PORTADORES MINORITÁRIOS GERADOS POR
HAJA EM SEUS TERMINAIS UMA TENSÃO EFEITO DA TEMPERATURA. EM GERAL
QUALQUER. CONSIDERA-SE APENAS ESTA CORRENTE,
DENOMINADA “CORRENTE DE SATURAÇÃO” (IS),
SENDO QUE SEU VALOR SÓ DEPENDE DA
TEMPERATURA. HÁ TAMBÉM A CORRENTE DE
FUGA SUPERFICIAL, PROVOCADA POR FUGAS
OHMICAS NA SUPERFÍCIE DO CRISTAL, SENDO QUE
SEU VALOR PODE VARIAR COM A TENSÃO
APLICADA AO DIODO. ESTAS DUAS CORRENTES
FORMAM A DENOMINADA “CORRENTE REVERSA”
RESISTÊNCIAS DE UM DIODO REAL

1) RESISTÊNCIA EM CORRENTE CONTÍNUA OU RESISTÊNCIA


ESTÁTICA.
2) RESISTÊNCIA EM CORRENTE ALTERNADA SUPERPOSTA A
CORRENTE CONTÍNUA OU RESISTÊNCIA DINÂMICA.

RESISTÊNCIA EM CORRENTE CONTÍNUA OU RESISTÊNCIA ESTÁTICA.


COMO REGRA GERAL, A RESISTÊNCIA EM CORRENTE CONTÍNUA OU RESISTÊNCIA
ESTÁTICA NÃO TEM MUITO INTERESSE, JÁ QUE NÃO É COMUM O USO DO DIODO
OPERANDO APENAS EM CORRENTE CONTÍNUA PURA. O VALOR DESTA RESISTÊNCIA
DEPENDE DO PONTO DE OPERAÇÃO DO DIODO, OU SEJA, DOS VALORES DE ID E DE VD , E É
DADO POR:

ID

RD = VD []
ID
ID
VD

0 VD
RESISTÊNCIAS DE UM DIODO REAL

RESISTÊNCIA EM CORRENTE ALTERNADA SUPERPOSTA A CORRENTE


CONTÍNUA OU RESISTÊNCIA DINÂMICA.
O DIODO AO SER SUBMETIDO A UMA CORRENTE ALTERNADA SUPERPOSTA A UMA
CORRENTE CONTÍNUA, TERÁ UM VALOR DE RESISTÊNCIA DEPENDENTE DA VARIAÇÃO
SOFRIDA PELA CORRENTE EM TORNO DO VALOR DC. ISTO É PARTICULARMENTE
IMPORTANTE QUANDO O DIODO É USADO EM CIRCUITOS COM PEQUENOS SINAIS.
O VALOR DA RESISTÊNCIA DINÂMICA DO DIODO É DADO POR:

ID

rD = VD / ID []


I

VD
0
V
CÁLCULO DA RESISTÊNCIA DINÂMICA

TANGENTE À FAZ-SE VARIAÇÕES EM VD ( VD1 e VD2 ) EM


CURVA
CARACTERÍSTICA
TORNO DO PONTO DE OPERAÇÃO ( Q ) E
NO PONTO DO TOMA-SE AS VARIAÇÕES
OPERAÇÃO CORRESPONDENTES EM ID ( ID1 e ID2 ).
VD
ESTAS VARIAÇÕES DEVEM SER AS
MENORES POSSÍVEIS. O VALOR DA
RESISTÊNCIA DINÂMICA É DADO POR:

ID2
Q
I ID rD = V / I []
ID1

I = ID2 – ID1
ID
VD1 VD VD2

V A RESISTÊNCIA DINÂMICA rD POSSUI


VALORES PEQUENOS. PARA O DIODO
1N4007, POR EXEMPLO, SEU VALOR ESTÁ
V = VD2 – VD1 EM TORNO DE 0,2 [].
CÁLCULO DA RESISTÊNCIA DINÂMICA

TANGENTE À FAZ-SE VARIAÇÕES EM VD ( VD1 e VD2 ) EM


CURVA
CARACTERÍSTICA
TORNO DO PONTO DE OPERAÇÃO ( Q ) E
NO PONTO DO TOMA-SE AS VARIAÇÕES
OPERAÇÃO CORRESPONDENTES EM ID ( ID1 e ID2 ).
VD
ESTAS VARIAÇÕES DEVEM SER AS
MENORES POSSÍVEIS. O VALOR DA
RESISTÊNCIA DINÂMICA É DADO POR:

ID2
Q
I ID Q rD = V / I []
ID1

I = ID2 – ID1
ID
VD1 VD VD2

V A RESISTÊNCIA DINÂMICA rD POSSUI


VALORES PEQUENOS. PARA O DIODO
1N4007, POR EXEMPLO, SEU VALOR ESTÁ
V = VD2 – VD1 EM TORNO DE 0,2 [].
RETA DE CARGA
E
PONTO DE OPERAÇÃO
OU
PONTO QUIESCENTE
RETA DE CARGA E PONTO DE OPERAÇÃO OU PONTO QUIESCENTE

O PROBLEMA: Encontrar uma corrente de operação adequada para um elemento não-


linear, tal como um diodo, por exemplo, produzida a partir de uma fonte de tensão contínua
e uma resistência linear.

A SOLUÇÃO: Usar um método gráfico, à partir da curva característica VD x ID do diodo,


traçando sobre ela uma reta denominada RETA DE CARGA. Isto irá determinar um ponto
sobre a curva característica, ao qual corresponde um valor de VD e um valor de ID , que
representam os valores de operação estática do diodo. Este ponto é conhecido como PONTO
DE OPERAÇÃO ou PONTO QUIESCENTE ( quiescente = descanso, repouso ).

COMO TRAÇAR A RETA DE CARGA: Sabemos que uma reta é definida a partir de 2 de
seus pontos (( VD1 , ID1 ) e ( VD2 , ID2 )).

COMO DETERMINAR OS 2 PONTOS: Considerando a corrente ID1 = 0 e calculando a


tensão VD1 ( VDmáx ) correspondente; considerando a tensão VD2 = 0 e calculando a corrente
ID2 ( Idmáx ) correspondente.
RETA DE CARGA E PONTO DE OPERAÇÃO OU PONTO QUIESCENTE

O PROBLEMA: Encontrar uma corrente de operação adequada para um elemento não-


linear, tal como um diodo, por exemplo, produzida a partir de uma fonte de tensão contínua
e uma resistência linear.

COMO É A “RETA DE CARGA” ?


A SOLUÇÃO: Usar um método gráfico, à partir da curva característica VD x ID do diodo,
traçando sobre ela uma reta denominada RETA DE CARGA. Isto irá determinar um ponto
sobre a curva característica, ao qual corresponde um valor de VD e um valor de ID , que
E O “PONTO QUIESCENTE” ?
representam os valores de operação estática do diodo. Este ponto é conhecido como PONTO
DE OPERAÇÃO ou PONTO QUIESCENTE ( quiescente = descanso, repouso ).
ID [mA]
PONTO
COMO TRAÇAR A RETA DE CARGA: Sabemos que uma retaQUIESCENTE ( Q )de 2 de
é definida a partir
RL, ID2 )).
seus pontos (( VD1 , ID1 ) e ( VD2 VL 50
VDD + I D 100  40 Q RETA DE
- 30 CARGA
5V
D
COMO DETERMINAR OS 2 PONTOS: VD Considerando
20 a corrente ID1 = 0 e calculando a
tensão VD1 ( VDmáx ) correspondente; considerando 10 a tensão VD2 = 0 e calculando a corrente
ID2 ( Idmáx ) correspondente. 0
1 2 3 4 5 6 VD [V]
FOLHA DE DADOS DE
DIODOS
EXEMPLOS DE INFORMAÇÕES DA FOLHA DE DADOS DE DIODOS

ON SEMICONDUCTORS

FAIRCHILD
ALGUMAS
ALGUMAS
LETRASLETRAS
USADASSÍMBOLOS
COMO SUBSCRITO
USADAS E
PARA
SEUSDIODOS
SIGNIFICADOS
(AV), (av) Average = Valor Médio
F Forward = Direta
I, i Input = Entrada
C, c Capacitance = Capacitância
J Junction = Junção
j–a E,e to Ambiente
Junction Energy = Energia
= Junção ao Ambiente
K Kneef = joelho, Frequency
dobra = Freqüência
M, m Peak
I, or
i Crest Value = Valor
Current de Pico ou Valor de Crista
= Corrente
max , mim Maximum = Máximo(a) , Minimum = Mínimo(a)
P, p Power = Potência
O, o Output = Saída
on
R,r
Turn-on = Ligar
Resistance = Resistência
P, p S = Pulso
Pulse Temperature = Temperatura
R, r Comot primeiroTime = Tempo
subscrito: Reverse ou Rise = Reverso(a) ou Subida. Como segundo
subscrito: Repetitive ou Recovery = Repetitivo ou Recuperação
(RMS), (rms) V, v Voltage
Root-Mean-Square Value==Voltagem
Valor Médioou Tensão( Valor Eficaz )
Quadrático
S, s Z primeiroImpedance
Como = Impedância
subscrito: Storage, Series, Switching = Armazenamento, Série,
Comutação. Como segundo subscrito: Surge ( non-repetitive ) = Surto ( não-repetitivo )
stg Storage = Armazenamento
th Thermal = Térmico(a)
W Working = Trabalho, Operação, Funcionamento, Atividade
CIRCUITOS
EQUIVALENTES PARA
DIODOS REAIS:
APROXIMAÇÕES.
CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS

EXISTEM DIVERSAS APROXIMAÇÕES QUE REPRESENTAM UM DIODO


SEMICONDUTOR. APRESENTAREMOS 3 (três) DELAS.

AS APROXIMAÇÕES SÃO USADAS QUANDO NÃO SE DISPÕE DA CURVA


CARACTERÍSTICA (OU NÃO HÁ NECESSIDADE DE SEU USO) PARA A
DETERMINAÇÃO DA CONDIÇÃO DE OPERAÇÃO DO DIODO (VD E ID).

1a. APROXIMAÇÃO:
CONSIDERA O DIODO COMO UM ELEMENTO IDEAL, TAL COMO JÁ VISTO
ANTERIORMENTE. NA POLARIZAÇÃO DIRETA POSSUI TENSÃO E RESISTÊNCIA
ZERO (CURTO-CIRCUITO) EM SEUS TERMINAIS. NA POLARIZAÇÃO REVERSA
POSSUI TENSÃO CUJO VALOR DEPENDE DOS DEMAIS ELEMENTOS DO CIRCUITO
E POSSUI RESISTÊNCIA INFINITA (ABERTO).

ID

POLARIZAÇÃO POLARIZAÇÃO
DIRETA REVERSA
A C A C A C VR 0 VD
IR

DIODO CIRCUITOS EQUIVALENTES CURVA CARACTERÍSTICA


CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS - CONTINUAÇÃO

2a. APROXIMAÇÃO:
CONSIDERA A TENSÃO 0,7V PARA DIODO DE SILÍCIO, MAS NÃO CONSIDERA SUA
RESISTÊNCIA DINÂMICA (rD).
PARA O DIODO CONDUZIR É NECESSÁRIO QUE A TENSÃO ENTRE ANODO E
CATODO (VD) SEJA MAIOR DO QUE 0,7V.
QUANDO O DIODO CONDUZ, A TENSÃO SOBRE ELE É IGUAL AO VALOR DE 0,7V.

DIODO REAL
POLARIZAÇÃO DIRETA POLARIZAÇÃO REVERSA
ID
A 0,7V
A 0,7V A 0,7V
C
C C
DIODO
IDEAL
VD = 0,7V 0 0,7V
VD VD

CIRCUITOS EQUIVALENTES CURVA CARACTERÍSTICA


CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS - CONTINUAÇÃO

3a. APROXIMAÇÃO:
CONSIDERA A TENSÃO 0,7V DO DIODO E CONSIDERA TAMBÉM SUA RESISTÊNCIA
DINÂMICA (rD) . PARA O DIODO CONDUZIR É NECESSÁRIO QUE A TENSÃO ENTRE
ANODO E CATODO (VD) SEJA MAIOR DO QUE 0,7V. QUANDO O DIODO CONDUZ, A
TENSÃO SOBRE ELE É IGUAL AO VALOR DE 0,7V ACRESCIDO DA TENSÃO EM rD .

Se admitirmos Vγ = 0,7 [V] , rD = 0,2  e ID = 20 [mA] , teremos VD = 0,7 + 0,2 x 20.10-3 = 0,704 [V].

DIODO REAL POLARIZAÇÃO REVERSA


POLARIZAÇÃO DIRETA ID
A 0,7V rD A
A Vγ
0,7V rDr D C
C C

DIODO IDEAL ID

VD 0 0,7V VD
VD

CIRCUITOS EQUIVALENTES CURVA CARACTERÍSTICA


CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS - CONTINUAÇÃO

CONCLUSÕES SOBRE AS APROXIMAÇÕES APRESENTADAS


OS RESULTADOS MAIS PRECISOS SÃO OBTIDOS AO SE USAR CUIDADOSAMENTE
AS CURVAS CARACTERÍSTICAS DOS DIODOS (MANUAIS OU DATA SHEETS). DAS
APROXIMAÇÕES APRESENTADAS, A 3a. É A QUE DARÁ MAIOR PRECISÃO, PORÉM
É USADA APENAS EM ALGUMAS PROJETOS.

A 1a. APROXIMAÇÃO É MAIS APLICADO NO ANÁLISE DE SISTEMAS DE


ALIMENTAÇÃO DE POTÊNCIA ONDE HÁ TENSÕES MAIORES, E NA VERIFICAÇÃO
DE DEFEITOS.

ALÉM DO QUE FOI MOSTRADO, NENHUMA REFERÊNCIA FOI FEITA SOBRE OS


EFEITOS CAPACITIVOS APRESENTADOS PELO DIODO. ISTO, SE FOR
SIGNIFICATIVO EM UMA DETERMINADA APLICAÇÃO, DEVE SER CONSIDERADO E
PRODUZIRÁ MAIS UMA APROXIMAÇÃO.
ASSOCIAÇÕES
COM
DIODOS
ASSOCIAÇÕES DE DIODOS (1/3)

ESTE TIPO DE ASSOCIAÇÃO É MUITO USADA QUANDO


SE TEM UM DIODO QUE SUPORTA UMA TENSÃO
D1 D2 D3 REVERSA MENOR DO QUE AQUELA A QUE FICARÁ
SUBMETIDO.

SUPONDO-SE OS 3 DIODOS AO LADO RIGOROSAMENTE


400 V 400 V 400 V
IGUAIS ( rr1 = rr2 = rr3 ) , ELES FORMAM UM DIVISOR
PARA A TENSÃO REVERSA DE 1200 V, DE TAL FORMA
QUE A TENSÃO EM CADA UM É DE 400 V. ISTO SIGNIFICA
QUE, SE CADA DIODO SUPORTASSE NÃO MAIS DO QUE
FIGURA 1 1200 V 500 V, QUALQUER UM DELES SERIA DANIFICADO SE
LIGADO DIRETAMENTE À FONTE DE 1200 V.

D1 D2 D3 NA PRÁTICA, PORÉM, OS 3 DIODOS NÃO SERÃO


IGUAIS. DIGAMOS QUE A TENSÃO REVERSA QUE
CADA UM SUPORTA SEJA VRWM = 400V. ADMITAMOS
TAMBÉM QUE rr de D2 > rr de D1 > rr de D3.
400 V 500 V 300 V
SUPONHA QUE A DIVISÃO DA TENSÃO DE 1200 V SEJA
DA FORMA ILUSTRADA NA FIGURA 2. ISTO SIGNIFICA
QUE O DIODO D2 SERÁ DANIFICADO.
FIGURA 2 1200 V COMO RESOVER TAL PROBLEMA ?
ASSOCIAÇÕES DE DIODOS (2/2)

A SOLUÇÃO É SE LIGAR UMA RESISTÊNCIA R,


D1 D2 D3 DENOMINADA RESISTÊNCIA DE EQUALIZAÇÃO
OU EQUALIZADORA, EM PARALELO COM CADA
DIODO . ESTA RESISTÊNCIA R DEVE TER VALOR:
rd  R  rr
ONDE:
R R R rd = RESISTÊNCIA DIRETA DO DIODO
rr = RESISTÊNCIA REVERSA DO DIODO.

O VALOR PRÁTICO DE R VARIA ENTRE 100 k E 470


k .

ASSOCIAÇÃO EM PARALELO

A ASSOCIAÇÃO EM PARALELO É USADA QUANDO A


CORRENTE FOR MAIOR DO QUE AQUELA SUPORTADA D1
POR UM ÚNICO DIODO. COM ISTO, FAZ-SE UM
DIVISOR DE CORRENTE, DE TAL FORMA QUE EM
CADA DIODO A CORRENTE NÃO EXCEDA À MÁXIMA
POR ELE SUPORTADA.
ADMITAMOS QUE A CORRENTE NO CIRCUITO AO V RL
D2
LADO, FOSSE DE 3,6 [A] E QUE CADA DIODO TIVESSE
UM IF(AV) = 2 [A]. COM A LIGAÇÃO EM PARALELO DE 2
DIODOS, A CORRENTE EM CADA UM SERIA DE 1,8 [A],
DENTRO DO LIMITE POR ELE SUPORTADO.
O PROBLEMA NESTES CASOS É A POSSIBILIDADE DE
UM DIODO INICIAR A CONDUÇÃO ANTES DO OUTRO,
O QUE IRIA DANIFICA-LO.

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