EXERCÍCIOS RESOLVIDOS DE ELETROMAGNETISMO

CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

CAPÍTULO 05

CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

5.1) Um capacitor de placas paralelas está cheio de ar, possui placas de áreas 4 x 4 cm2,
separadas uma da outra por uma distância de 0,3 cm. Como devem ser usadas 2 cm 3 de
parafina (  R = 2,25 ) para obter máxima capacitância? Qual é o valor desta máxima
capacitância?

Resolução:
Volume entre as placas = 4  4  0,3 = 4,8 [cm 3 ]
Dados: 
Volume de parafina = 2 [cm ]
3

Para aumentar a capacitância, a melhor combinação consiste em colocar toda a parafina

entre as placas, de modo que sua capacitância fique em paralelo com a capacitância do
restante do meio entre as placas (ar).
Portanto, C max = C parafina + C ar (01)

▪ Cálculo de x:
Volume de parafina = 2 = 4  0,3  x  x = 1,667 [cm]

▪ Cálculo de C parafina :

 =  o  R
 S parafina 
C parafina = , onde S parafina = 4  x = 6,668 cm 2 = 6,668  10 − 4 [m 2 ]
d d = 0,3 cm = 0,3  10 - 2 [m]

−4
   6,668  10 8,854  10 −12  2,25  6,668  10 − 4
C parafina = o R  C parafina =
0,3  10 − 2 0,3  10 − 2
 C parafina = 4,428 [pF] (02)

▪ Cálculo de C ar :

 = o
 S ar 
C ar = , onde Sar = (4 − x )  4  10- 4 [m 2 ]
d 
d = 0,3 cm = 0,3  10 [m]
-2

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

 o  (4 - x )  4  10 − 4 8,854  10 −12  (4 - 1,667 )  4  10 − 4

C ar = =
0,3  10 − 2 0,3  10 − 2
(03)
 C ar = 2,754 [pF]

Substituindo (02) e (03) em (01), temos:

C max = 4,428 + 2,754  C max = 7,182 [pF]

5.2) As superfícies esféricas, r = 2 cm e r = 10 cm, são condutoras perfeitas. A corrente total

passando radialmente para fora através do meio entre as esferas é de 2,5 A. Determinar:
a) a diferença de potencial entre as esferas;
b) a resistência entre as esferas;

c) o campo elétrico E na região entre as esferas.
Assumir que a região está preenchida com um material dielétrico cuja condutividade é
 = 0,02 mho/m (ou  = 0,02 S/m).

Resolução:

 I  I 
a) J = ar  J = ar (01)
S 4 r 2

   J  I 
J = EE = E = ar (02)
 4 r 2

▪ Cálculo de Vab :

a 
Vab = −  E • dL (03)
b

Substituindo (02) em (03), temos:

a
 I   
Vab = −  a r  • dr a r
b  4 r
2


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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

a r = 2cm
I dr 2,5  − 1
Vab = −
4  2
 Vab = −
4  0,02  r  r =10cm
r =b r

 1 1 
Vab = 9,95   −   Vab = 9,95  50 − 10  Vab = 398 [V]
 0,02 0,10 

Vab 398
b) R =  R =  R = 159,2 []
I 2,5

c) Da Equação (02) do ítem a, temos:


E=
I  
ar  E =
2,5  
ar  E =
9,94 
ar V m
4 r 2
4 0,02 r 2 r2

5.3) Uma pequena esfera metálica de raio a, no vácuo, dista d (d >> a) de um plano condutor.
Calcular o campo elétrico a meia distância entre a esfera e o plano condutor.

Resolução:

▪ Método das Imagens:

O Campo Elétrico resultante no ponto P será:


   E é o campo elétrico gerado no ponto P pela carga 1;
E = E1 + E 2 , onde   1
E 2 é o campo elétrico gerado no ponto P pela carga 2.

▪ Cálculo de E :

  −Q 
E=
Q
ax + (− a x )  E = 4Q 
ax +
4Q 
ax
4 o d ( 2) 2
( 2)
4 o 3d
2
4 o d 2
4 o 9d 2

 Q  1   10Q 
E= 1 + a x  E = ax
 o d 2  9 9 o d 2

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

5.4) As superfícies esféricas, r = 2 cm e r = 6 cm, são condutoras perfeitas e a região entre

elas é preenchida com um material de condutividade  = 80 mho/m. Se a densidade de
  10  
corrente é J =  a [A/m2] para 2 < r < 6 cm, determinar:
2 r
 r 
a) A corrente I fluindo de uma superfície condutora perfeita para a outra;

b) O campo elétrico E na região entre as esferas;
c) A diferença de potencial entre as duas superfícies condutoras;
d) A potência total dissipada no material condutor.

Resolução:
   10  
 J =  2  a r
a) I =  J • dS , onde   r 
dS = r 2 sen  d d a
S
 r

 2
I = 
10
 r sen d 
2
 d  I =
10
− cos  0   02
r 2 
 =0  =0

10
I =  2  2  I = 40 [A]


b)
  
J =EE=
J


E=
10

1  
ar  E =
1 
ar V m
 r 2 80 8 r 2
a 
c) Vab = −  E • dL
b

a
 1   
Vab = −   a  • dr a r
2 r
b  8r 
0,02 0,02
1  dr  1  1
Vab = −
8   r 2   Vab = − 8  − r 
r = 0,06 r = 0,06

1  1 1 
 50 − 16,67  Vab = 1,326 [V]
1
Vab =  −   Vab =
8  0,02 0,06  8

d) P = VI  P = 1,326  40  P = 53,05 [W]

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

5..5) A fronteira entre dois dielétricos de permissividade relativas R1 = 5 e R2 = 2 é definida
pela equação do plano 2x + y = 2 . Se, na região do dielétrico 1, a densidade de fluxo
   
elétrico for dada por D1 = 2a x + 5a y − 3a z , determinar:

a) D n 2 ;

b) D t 2 ;

c) D 2 ;

d) P2 ;
e) A densidade de energia na região do dielétrico 2.

Resolução:

▪ Cálculo de a n :

Seja f = 2x + y − 2 a fronteira entre os dois meios (plano de separação).


( )
    f  1  
f = 2a x + a y . Logo, a n =   a n =  2a x + a y
f 5

▪ Cálculo dos componentes de D 1 :
  
D1 = D n1 + D t1

▪ Cálculo de D n1 :

( )
   
D n1 = D1 • a n a n
   
   2a x + a y   2a x + a y 
( )
  
D n1 =  2a x + 5a y − 3a z •     
    
 5   5 
 
  18a x + 9a y  C 
D n1 =  
 
  2
 5   m 

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

▪ Cálculo de D t1 :
  
D t1 = D1 − D n1
 
 18a x + 9a y 
( )
   
D t1 = 2a x + 5a y − 3a z −  
 
 5 

D t1 = −1,6a x + 3,2a y − 3a z C 2 
    
 m 
 
    18a x + 9a y  C 
a) D n2 = D n1  D n2 =  
 
  2
 5   m 

   D t1   
b) E t2 = E t1  D t2 =  o  R2   D t2 = R2 D t1
 o  R1  R1

( )
 
D t2 =  − 1,6a x + 3,2a y − 3a z  D t2 = −0,64a x + 1,28a y − 1,2a z C 2 
2        
5  m 
  
c) D 2 = D n2 + D t2
 
 18a x + 9a y 
( )
   
D 2 =   + - 0,64a x + 1,28a y − 1,2a z

 5 

D 2 = 2,96a x + 3,08a y − 1,2a z C 2 
  
 m 

     D2    1 
d) P2 = D 2 −  o E2  P2 = D 2 −  o  P2 = D 2  1 − 
 o  R2   R2 

( )
     1
P2 = 2,96a x + 3,08a y − 1,2a z  1 − 
 2

( )
    C 
 P2 = 1,48a x + 1,54a y − 0,6a z
 m 2 

dWE 1   dWE 1  D2 dWE 1 D 22
e) = D2 • E2  = D2 •  = •
d vol 2 d vol 2  o  R2 d vol 2  o  R2

1 (2,96 2 + 3,08 2 + 1,2 2 )  10 − 8

= 0,556  J 3 
dWE dWE  
=  
d vol 2 2  8,854  10 −12 d vol  m 

Nota:
▪ Cálculo de  1 e  2 :

 D t1   1,6 2 + 3,2 2 + 32 
 1 = arctg     1 = arctg    = 49,3
D    1
 n1   2
3,6 + 1,8 2

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

 D t2   0,64 2 + 1,28 2 + 1,2 2 

 2 = arctg     2 = arctg     = 24,9
D    2
 n2   3,6 2 + 1,8 2 

5.6) Duas pequenas esferas metálicas iguais de raio a estão bastante afastadas de uma
distância d e imersas num meio de condutividade . Aplica-se a elas uma tensão V.
Calcule a resistência oferecida pelo material entre as duas esferas.

Resolução:
Como d >> a, pode-se considerar as duas esferas como duas cargas pontuais. Isto é, a corrente flui
radialmente de uma esfera a outra sendo a resistência entre elas igual a soma das resistências de
aterramento de cada uma, isto é, duas resistências iguais em série.

1o modo:
▪ Cálculo da resistência de aterramento de uma única esfera:
 
V −  E • dL
R= R=   (01)
I  J • dS
S
 Q 
▪ Cálculo de V para uma esfera com o campo elétrico sendo E = ar :
4 o r 2
 Q Q  dr
V=  dr  V =  
r = a 4o r
2 4o r = a r 2
(02)
Q  1 1 Q
V=  − +   V =
4o   a 4o a

▪ Cálculo de I:

  Q
I =  J • dS  I =   E • dS  I =  4 r 2
S S S o

2 
Q 1 Q Q
I=
4o   2
 r 2 sen  d d  I =
4o
 2  2  I =
o
(03)
 =0  =0 r

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

Substituindo (02) e (03) em (01), temos:

Q  1 1
R=  o  R=  R 2esferas = 2R =
4o a  Q 4 a 2 a

2o modo:
E • dL
R= 
V
R= (01)
I I

▪ Cálculo de E :
I
J= = E
Area
I I  I 
= EE = E= ar (02)
4 r 2 4  r 2 4  r 2
▪ Cálculo de V:
 I I  dr
V=  dr  V =  
r = a 4 r2 4 r = a r 2

I  1 1 I (03)
V=  − +   V =
4   a  4 a

Substituindo (03) em (01), temos:

I 1 1 1
R=   R=  R 2esferas = 2R =
4 a I 4 a 2 a
  
(
)
5.7) O vetor unitário a N12 = −2a x + 3a y + 6a z 7 , é dirigido da região 1 para a região 2,

sendo normal a fronteira plana entre os dois dielétricos perfeitos com R1 = 3 e R2 = 2.

 
    
Sendo E1 = 100a x + 80a y + 60a z V m , determine E 2 .

Resolução:

▪ Cálculo dos componentes de E1 :
  
E1 = E n1 + E t1

▪ Cálculo de E n1 :
 
(  
E n1 = E1 • a N12 a N12 )
     
  − 2a x + 3a y + 6a z   − 2a x + 3a y + 6a z 
( )
   
E n1 =  100a x + 80a y + 60a z •     
  7   7 
   
   
E n1 = −16,327a x + 24,49a y + 48,98a z V
m
 
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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

▪ Cálculo de E t1 :
  
E t1 = E1 − E n1

( ) ( )
      
E t1 = 100a x + 80a y + 60a z − − 16,327a x + 24,49a y + 48,93a z
   
 E t1 = 116,327a x + 55,51a y + 11,02a z V m

▪ Cálculo dos componentes de E 2 :
  
E 2 = E n2 + E t2 (01)

▪ Cálculo de E n2 :
 
 D n2 D n1   
E n2 = =  E n2 = R1 E n1
 o  R2  o  R2  R2

( )
 3   
E n2 =  − 16,327a x + 24,49a y + 48,98a z
2
   
 E n2 = −24,491a x + 36,735a y + 73,47a z V  m (02)


▪ Cálculo de E t2 :
    
E t 2 = E t1 = 116,327a x + 55,51a y + 11,02a z V m (03)

Substituindo (02) e (03) em (01), temos:

( ) ( )
      
E 2 = 116,327a x + 55,51a y + 11,02a z + − 24,491a x + 36,735a y + 73,47a z
   
 E 2 = 91,836a x + 92,245a y + 84,449a z V m
5.8) Dado o campo potencial V = (200sen  cos  ) / r 2 [V], determinar:

a) A equação da superfície condutora na qual V = 100 V;


b) O campo elétrico E no ponto P (r, 30o, 30o) sobre a superfície condutora;
c) A densidade superficial S no ponto P.
ASSUMIR:  = o na superfície adjacente
Resolução:
a) Para determinar a equação da superfície condutora na qual V = 100 V, basta substituir este
valor na equação de campo dada.
(200sen cos  )
Portanto: V = = 100  r 2 = 2 sen cos 
r2

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

b) Dados: P (r, = 30o,  = 30o )

  V  1 V  1 V 
E = −V = − ar − a − a
r r  r sen 

  400 sen cos    1  200 cos    200 sen 

 (− sen ) a
1
E = − −  a r −   cos   a − 
 r3  r r2  r sen  r2 
  400 sen cos     200 cos  cos     200 sen  
E =   a r −   a +   a
3 2
 r   r   r3 
 200
E=
3

(2 sen cos  ) a r − (cos  cos  ) a + sen a  (01)
r

Substituindo as coordenadas de P em (01), temos:

 200
E= (    
2 sen 30 cos 30)a r − (cos 30 cos 30)a + sen 30 a  
r3

( )
 200   
E= 0,866 a r − 0,75 a + 0,5 a  (02)
r3

Mas r 2 = 2 sen  cos  (item a).Portanto r 2 = 2 sen 30cos 30  r = 0,9306 (03)

Substituindo (03) em (02), temos:

( )
 200   
E= 0,866 a r − 0,75 a + 0,5 a
3
0,9306
   
E = 215 a r − 186,1 a + 124,1 a V m
c) S = D N

▪ Cálculo de D N :

  
D =  o E  D N =  o E N  D N =  o E  D N =  o 215 2 + 186,12 + 124,12

D N =  o ( 310,256)  D N =  S = 2,75 C 2 

 
 m 

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

5.9) Duas cargas pontuais e simétricas de 100 C estão localizadas acima de um plano
condutor situado em z = 0, sendo a carga positiva em ( = 1 m,  = /2, z = 1 m) e a carga
negativa em ( = 1 m,  = 3/2, z = 1 m). Determinar:
a) A densidade superficial de carga na origem;
b) A densidade superficial de carga no ponto A( = 1 m,  = /2, z = 0);

c) A densidade de fluxo elétrico D no ponto B( = 0,  = 0, z = 1 m).

Resolução:
Q1 = Q 4 = Q = 100C ; Q 2 = Q 3 = −Q = −100C


( )
Dados: A =  = 1,  =  2 , z = 0  A = (0,1,0)

B = (  = 0,  = 0, z = 1)  B = (0,0,1)

a) Na origem, o vetor densidade de fluxo elétrico ( D 0 ) é nulo, pois os campos criados pelas
   
cargas objeto ( D10 e D 20 ) são anulados pelos campos criados pelas cargas imagem ( D30 e D 40 ).

Logo,  S = D 0 = 0

 
b)  S A = D A , onde D A é o vetor densidade de fluxo elétrico resultante no ponto (01)

▪ Cálculo de D A :
    
D A = D1A + D 2A + D3A + D 4A (02)

R  
 = 2a y − a z ; R 1A = 5
Q1   1A
D1A = a R , onde    (03)
4R 12A 1A  2a y − a z
a R =
 1A 5

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 EXERCÍCIOS RESOLVIDOS DE ELETROMAGNETISMO
CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA


R 
 Q2   2A = −a z ; R 2A = 1
D 2A = a R , onde   (04)
4R 22A 2A a R = −a z
 2A


R  
 = 2a + a z ; R 3A = 5
Q3   3A y
D 3A = a R , onde    (05)
4R 32A 3A  2a y + a z
a R =
 3A 5

R 
 Q4   4A = a z ; R 4A = 1
D 4A = a R , onde   (06)
4R 24A 4A a R = az
 4A

Substituindo (03), (04), (05) e (06) em (02), temos:

   
 Q 2a y − az −Q  − Q 2a y + a z Q 
DA =  +  (− a z ) +  +  az
20 5 4 4 5 5 4
   
 Q  2a y − az  2a y + a z    Q  −2 
DA =  + az − + a z   D A =  + 2 a z
4  5 5 5 5  4  5 5 
 Q  −1   Q  5 5 − 1   100  25 − 5  
DA =  + 1a z  D A =   a z  D A =   a z
2  5 5  2  5 5  2  25 

( )
 
 D A =  25 − 5 a z C 2  ou D A = 14,49 a z C 2 
2  
  m   m  (07)

Substituindo (07) em (01), temos:

SA =

2
(  
)
 25 − 5 a z C 2  ou
 m 

 S = 14,49 a z C



2
m 

c) Cálculo de D B :
    
D B = D1B + D 2B + D3B + D 4B (01)


R = a ; R = 1
 Q1   1B y 1B
D1B = a R , onde   (02)
4R 12B 1B a R = a y
 1A
 
R = −
 Q2   2 B a y ; R 2B = 1
D 2B = a R , onde   (03)
4R 22B 2B a R = −a y
 2B

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 EXERCÍCIOS RESOLVIDOS DE ELETROMAGNETISMO
CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA


R  
 = a + 2a z ; R 3B = 5
Q3   3B y
D 3B = a R , onde    (04)
4R 32B 3B  a y + 2a z
a R =
 3B 5


R  
 = −a y + 2a z ; R 4B = 5
Q4   4 B
D 4B = a R , onde    (05)
4R 4B
2 4B  − a y + 2a z
a R =
 4B 5

Substituindo (02), (03), (04) e (05) em (01), temos:

   
− Q a y + 2a z  − a y + 2a z
( )
 Q  −Q  Q
DB =  ay +  − ay +  +  az
4 4 4 5 5 4 5 5
    
 Q   a y + 2a z − a y + 2a z   Q   2a y 
DB =  a y + a y − +   DB =   2a y − 
4  5 5 5 5 
 4  5 5 


 Q   2a y   Q  1   Q  5 5 − 1 
DB =   2a y −   DB =   1 − a  D =  a y
5 5  2  5 5 
y B
4  2  5 5

 Q  25 − 5    100  25 − 5  
DB =   a y  D B =   a y
2  25  2  25 

( )
 
D B =  25 − 5 a y C 2  ou D B = 14,49 a y C 2 
2  
  m   m 

5.10) A região entre as placas de metal de um capacitor é preenchida por 4 (quatro) camadas
de dielétricos diferentes, com permissividades 2o, 3o, 4o e 5o, onde o é a
permissividade elétrica do vácuo. Cada camada tem espessura a e área S. Determinar,
para os arranjos de dielétricos em série e em paralelo:
a) As magnitudes do campo elétrico (E) e da densidade de fluxo (D) em cada camada;
b) A diferença de potencial (Vo) entre as placas;
c) A capacitância total (C) resultante;
Nota: Usar apenas os parâmetros dados, adotando as cargas das placas iguais Q.

Obs: Para um arranjo série de dielétricos, deve-se considerar que a área das placas que formam o
capacitor é igual a área de cada camada de dielétrico , ou seja, Splaca = Scamada = S; (Arranjo Série)
Para um arranjo paralelo de dielétricos, deve-se considerar que a área das placas que formam
o capacitor foi dividida em quatro, de modo que Splaca = 4Scamada = 4S; (Arranjo Paralelo)

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

Resolução:

▪ Arranjo Série:

a) Pelas condições de contorno, D n1 = D n 2 = D .

 Q
Sabe-se que D = e que  = Q . Portanto, D = D1 = D 2 = D 3 = D 4 = (01)
S S
Mas D =  E (02)

Substituindo (01) em (02), temos:

Q
D1 S  E = Q
E1 =  E1 = 1
1 2 o 2S o

Q
D2 S  E = Q
E2 =  E2 = 2
2 3 o 3S o

Q
D3 S  E = Q
E3 =  E3 = 3
3 4 o 4S o

Q
D4 S  E = Q
E4 =  E4 = 4
4 5 o 5S o

b) Vo = V1 + V2 + V3 + V4
d1 = d 2 = d 3 = d 4 = a

Vo = E1d1 + E 2 d 2 + E 3d 3 + E 4 d 4 , onde  (01)
 , ,
 1 2 3 4
E E E , E foram calculados no item (a)

Substituindo os valores de E1, E 2 , E 3 e E 4 em (01), temos:

Q  a 1 1 1 1
Vo =  + + + 
S  o  2 3 4 5

Q  a  30 + 20 + 15 + 12  77 Q  a
Vo =    Vo = 
S  o  60  60 S   o

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

c) O cálculo da capacitância pode ser feito de duas maneiras. A primeira considera a definição
de capacitância para um capacitor de placas paralelas ( C = Q V ). A segunda considera que a
o
capacitância total (C)do arranjo acima é equivalente à capacitância resultante quando admitimos
que os quatro capacitores formados pelas camadas de dielétricos acima estão colocados em série.
1o modo:
Q Q 60 S   o
C= C=  C= 
Vo 77 Q  a 77 a

60 S   o

2o modo:
1 1
C= C=
1 1 1 1 a a a a
+ + + + + +
C1 C 2 C 3 C 4 2 o S 3 o S 4 o S 5 o S

1 1 60  o Sa
C= C=  C= 
a 1 1 1 1 a 77 77 a
 + + +  
oS  2 3 4 5  o S 60

▪ Arranjo Paralelo:

Para esta configuração, a solução torna-se mais simples quando iniciada em ordem inversa.
c) C = C1 + C 2 + C3 + C 4 (01)

  S 2  S
C1 = 1 1  C1 = o
d1 a
  2  S2 3 o  S
C 2 =  C2 =
 d2 a
onde   3  S3 4 o  S v (02)
C 3 =  C3 =
 d3 a
  4  S4 5 o  S
C 4 =  C4 =
 d4 a

Substituindo (02) em (01), temos:

2 o  S 3 o  S 4 o  S 5 o  S  S  S
C= + + +  C = o  (2 + 3 + 4 + 5)  C = 14  o
a a a a a a

Q Q Q 1 Qa
b) C=  Vo =  Vo =  Vo =  (03)
Vo C oS 14  o S
14 
a

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

V
a) Sabe-se que : V = Ed  E = (04)
d

Vo = V1 = V2 = V3 = V4

Mas  (05)
a = d1 = d 2 = d 3 = d 4


Vo 1 Q
Substituindo (05) em (04), tem-se: E = E1 = E 2 = E 3 = E 4 =  E=  (06)
a 14  o S

Sabe-se que : D =   E (07)

Substituindo (07) em (06) para cada região, tem-se:

Q 2 Q
D1 =  1  E  D1 = 2 o   D1 = 
14 o S 14 S

Q 3 Q
D 2 =  2  E  D 2 = 3 o   D2 = 
14 o S 14 S

Q 4 Q
D 3 =  3  E  D 3 = 4 o   D3 = 
14 o S 14 S

Q 5 Q
D 4 =  4  E  D 4 = 5 o   D4 = 
14 o S 14 S

Nota: Das equações (02) e (03) , pode-se calcular a forma com que a carga total Q foi distribuída
entre as camadas de dielétricos.
2 o  S 1 Q  a 2
Q1 = C1Vo  Q1 =    Q1 = Q
a 14  o S 14

3 o  S 1 Q  a 3
Q 2 = C 2 Vo  Q 2 =    Q2 = Q
a 14  o S 14

4 o  S 1 Q  a 4
Q 3 = C 3 Vo  Q 3 =    Q3 = Q
a 14  o S 14

5 o  S 1 Q  a 5
Q 4 = C 4 Vo  Q 4 =    Q4 = Q
a 14  o S 14

Logo, devido às diferentes permissividades, a carga Q não foi igualmente distribuída entre as
camadas. Deve-se ressaltar que a relação Q = Q1 + Q 2 + Q3 + Q 4 continua verdadeira.

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

5.11) Duas esferas condutoras concêntricas de raios r = 3 mm e r = 7 mm são separadas por

dois dielétricos diferentes, sendo a fronteira entre os dois dielétricos localizada em r = 5
mm. Se as permissividades relativas são R1 = 4, para o dielétrico mais interno, e R2 = 6,
para o outro dielétrico, e S = 10 C/m2 na esfera interna, determinar:
a) A expressão que fornece o campo elétrico entre as duas esferas, utilizando a Lei de
Gauss;
b) A diferença de potencial entre as duas esferas;
c) A capacitância (*) do capacitor esférico formado.
(*) A fórmula da capacitância do capacitor esférico não poderá ser usada diretamente.

Resolução:


a = 3mm ; b = 7mm
Dados: 
 C
 R1= 4 ;  R 2 = 6 ;  S = 10 m 2


a) Pela Lei de Gauss:  D • dS = Q interna =   v dv
S vol

▪ Seja a superfície Gaussiana esférica de raio r < a:

 
D1 = 0, pois Q interna = 0  E1 = 0

▪ Seja a superfície Gaussiana esférica de raio a < r < b:

 
D = Dr a r ;

   
 D • dS = Q interna , onde: dS = dSr a r = r sen  d d a r ;
2

S 
Q interna =  S dS
 
 S

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CAPÍTULO 05 – CONDUTORES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂNCIA

 2  2 

   D r r sen d d a r =   S a sen d d
2 2
D • dS = Q interna 
S  =0  =0  =0  =0

S  a 2 10  10 − 9  (3  10 − 3 ) 2  90  10 −15 
Dr =  Dr = D= ar
r2 r2 r2
 
Mas D =  E e portanto, teremos duas expressões para o campo elétrico entre as duas esferas.
▪ Campo elétrico para 3mm < r < 5mm:
90  10 −15
 

E1 =
D
1

 E1 =
D
 o  R1

 E1 = r2
− 12
 
a r  E1 =
2,541
2

 10 − 3 a r V
m
 
4  8,854  10 r

▪ Campo elétrico para 5mm < r < 7mm:

90  10 −15
 

E2 =
D
2

 E2 =
D
 o R 2

 E2 = r2  
ar  E2 =
1,694 
 10 − 3 a r V  
6  8,854  10 −12 r2 m

a  5mm a 
b) Vab = −  E • dL  Vab = −  E 2 • dr +  E1 • dr 
 
b  b 5mm 
 5mm 1,694 3mm
2,541 

Vab = −  −3
 10 dr +   10 − 3 dr 
 2 2 
 7 mm r 5mm r 

5 10 − 3 3 10 − 3
1,694   2,541 
Vab =   10 − 3  +  10 − 3 
 r  7 10 − 3  r  5 10 − 3

Vab = 96,8085  10 − 3 + 338,8  10 − 3  Vab = 0,4356 V 

Q
  S dS 4a 2  S
Q
c) C=  C = interna  C = S C=
Vo Vab Vab Vab

4  (3  10 − 3 ) 2  10  10 − 9
C=  C = 2,596 F
0,4356

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