Aula 2 - Memórias Estáticas e Dinâmicas - 2s2022

MICROPROCESSADORES
Aula 2
Memórias Estáticas e Dinâmicas
Profº. Rogério D. Dantas
Curso: Eng. De Controle e Automação (Integral)
Profº. Rogério D. Dantas Aula 2 – Microprocessadores – MPE06 Agosto 2022 1/82

Aula sobre Memórias
Após a aula de hoje saberemos:
 Explicar como uma memória armazena dados binários;

 Discutir a organização básica de uma memória;
 Descrever a operação de escrita;
 Descrever a operação de leitura;
 Descrever a operação de endereçamento;
 Explicar o que são RAMs e ROMs .

Dispositivos de Memória
Memórias
• A memória é a parte de um sistema de armazenamento de uma grande quantidade de

dados em binário.
• As memórias semicondutoras consistem em arranjos de elementos que geralmente

são latches (Flip Flop RS) ou capacitores.

Memórias conhecidas
• FF: armazena 1 bit.
• Registrador: armazena 1 palavra.
• Avanços tecnológicos permitem aumentar o número de FF’s por CI.

 Memórias baseadas em FF’s são as mais rápidas que existem;
 No entanto, são as mais caras (preço/bit).
• Dados digitais também podem ser armazenados como carga em capacitores, produzindo memórias
semicondutoras com:
 Alta densidade de integração (ocupam pouco espaço (por bit)).
 Velocidade razoável;
 Baixo consumo;
 Bom compromisso “custo” x “capacidade”, baixo preço por bit.
Memória Principal (Sistemas Computacionais)
• Implementada usando memórias semicondutoras;
• Mantêm constante comunicação com CPU;
• Armazena dados e programas;
• Constituída por memórias RAM e ROM.
Memória auxiliar ou de massa, em geral são:

 Externa;
 Armazena elevado volume de dados;
 São mais lentas.

Terminologia de Memórias
• Célula de memória: Dispositivo para armazenar um único bit.
Exemplo: FF, um capacitor carregado, ou um pequeno ponto em uma fita ou disco magnético.
• Palavra de memória: Agrupamento de bits (células).
• Byte: Agrupamento de 8 bits.
• Capacidade: Determina a quantidade de bits que podem ser armazenados em um sistema de memória.
Exemplo: 4096 × 20 = 81.920

Quantidade de bits por palavra
Número de palavras

• Prefixo para número de (endereços) de memórias:
2N -> Número de endereços da memória.
• 210 = 1.024 ⇒ 1 Kilo (1K)

• 212 = 4.096 ⇒ 4 Kilo (4K)
• 213 = 8.192 ⇒ 8 Kilo (8K)
• 220 = 1.048.576 ⇒ 1 Mega (1M)
• 230 = 1.073.741.824 ⇒ 1 Giga (1G)
• 240 = 1.099.511.627.776 ⇒ 1 Tera (1T)

• Exemplo 1: Uma memória é especificada pelo fabricante como 2K X 8. Quantas palavras podem ser
armazenadas? Qual é o tamanho da palavra? Qual o número de bits que pode armazenar?
2K = 2 × 1.024 = 2048 palavras.
Cada palavra é de 8 bits (1 byte).
Número de bits = 2.048 × 8 = 16.384 bits.
• Exemplo 2: Qual é a memória que armazena mais bits: uma memória de 5M × 8 ou uma que armazena
1M de palavras com um tamanho de palavra de 16 bits?
5M × 8 = 5 × 1.048.576 8 = 41.943.040 bits
1M × 16 = 1.048.576 × 16 = 16.777.216 bits
A memória de 5M × 8 armazena mais bits.

• Densidade: Indica a capacidade de armazenamento. Maior densidade significa maior número de bits
em um mesmo espaço.
• Tempo de acesso: Tempo necessário para realizar uma operação de leitura.
• Endereço: Indica a posição da palavra na memória.
• Operação de leitura: Detecta uma palavra em uma posição específica da memória e a transfere para
outro dispositivo.
• Operação de escrita: armazena uma palavra numa posição específica da memória.
• Memória volátil: Requer tensão elétrica para armazenar a informação.

• RAM (Random Access Memory, “memória de acesso direto”): A posição da palavra não tem efeito
sobre o tempo de leitura ou de escrita. Mesmo tempo de acesso para qualquer endereço.
• SAM (Sequential Access Memory): O tempo de acesso não é constante, mas varia de acordo com o
endereço da palavra.
• RWM (read / write memory): Qualquer memória que pode ser lida ou escrita de uma forma igualmente
fácil. (De maneira informal, emprega-se o termo “RAM” para designar memórias de escrita e leitura, em
oposição ao termo “ROM”.)
• ROM (Read Only Memory): Memórias nas quais a razão de operações de leitura por operações de
escrita é muito alta. (Normalmente, o termo “ROM” é usado para designar qualquer dispositivo de
memória que, em operação normal no circuito, é usado apenas para leitura.)

• Dispositivos de memória estática: Não há necessidade de reescrever os dados periodicamente na
memória.
• Dispositivos de memória dinâmica: Há necessidade de reescrever os dados periodicamente na
memória. Requer um ciclo de refresh.
• Memória principal (ou trabalho): Armazena os dados que a CPU utiliza no momento. É a memória
mais rápida do computador e sempre semicondutora.
• Memória auxiliar (ou de massa): Armazena grande quantidade de informações externas à memória
principal. É a memória mais lenta e sempre não volátil.

Estrutura Básica de uma Memória
Estrutura básica de um chip de memória:

Categorias de Memória
São divididas em duas grande categorias.
• Voláteis:
São aquelas que mantém o seu conteúdo apenas enquanto há alimentação elétrica. Uma vez que a
alimentação é desligada, o conteúdo se perde.
• Não Voláteis:
São aquelas em que a informação é preservada mesmos após a perda da alimentação elétrica.
Quando a alimentação é restabelecida, os dados podem ser novamente lidos sem nenhuma alteração
no seu conteúdo.

Não Voláteis
• Podem ser de leitura / Escrita ou apenas leitura. Essa classificação se deve ao fato de originalmente as
memórias não voláteis serem apenas de leitura.
• Até hoje há uma certa confusão entre memórias de apenas Leitura - ROM e memórias não voláteis,
aparecendo uma como equivalente da outra, embora isso não seja correto.
• As memórias não voláteis mais recentes podem ser lidas e escritas, e podem preservar o conteúdo
armazenado mesmo quando perde a alimentação.
• Como exemplo de memórias não voláteis de leitura/escrita temos as memórias FLASH que são
utilizadas em dispositivos como "PENDRIVES" e cartões de memória.

Voláteis
• As memórias voláteis se dividem em duas grande categorias:
 Memória de Acesso Aleatório: Onde os dados pode ser lidos e escritos sem ordem pré-
estabelecidas. Pertencem a esta categoria as memórias estáticas e dinâmicas.
 Memória de Acesso Sequencial: Onde os dados podem ser lidos e escritos apenas em uma
sequencia determinada. As memórias FIFO (First In - First Out) e os registradores de deslocamentos
são alguns exemplos.

Voláteis - Memória Estáticas ou Dinâmicas
As memórias voláteis de acesso aleatório (RAM) pode ser estáticas ou dinâmicas dependendo da
tecnologia que foram fabricadas.
 Recebem esse nome porque necessitam ter suas informações periodicamente atualizadas, isto é,
lidas e novamente escritas sob o risco dos dados serem perdidos.
 As memórias estáticas não precisa deste tipo de operação, preservando a informação enquanto
houver alimentação.

Características Importantes:
Capacidade ( Mega bits, Bytes) Ex: 1024 bits

Organização (M palavras de N bits) Ex: 1024x1, 256x4 bits.
Tempo de Acesso (nano segundos).
Consumo / Dissipação (miliamperes).
Densidade de Integração (Área do Chip).

São divididas em duas grande categorias.
• Não Voláteis:
Memórias do tipo ROM.
ROM;
PROM;
EPROM;
EEPROM ou E2PROM;
FLASH (E2PROM).
• Voláteis:
Memórias tipo RAM.
DRAM – Dinâmica;
SRAM – Estática.
PRINCÍPIOS DE OPERAÇÃO DA MEMÓRIA
De modo geral, certos princípios básicos são os mesmos para todos os tipos de
memórias:
1 - Selecionar um endereço de memória para operação de leitura ou de escrita;

2 - Selecionar uma operação de escrita ou leitura para ser realizada;
3 - Fornecer os dados a serem armazenados durante uma operação de escrita;
4 - Manter os dados de saída vindos da memória durante operação de leitura;
5 - Habilitar (ou desabilitar) a memória de modo que ela responda (ou não) às entradas
de endereço e ao comando de leitura ou de escrita.

Exemplo: Memória 32 X 4.
• Para 32 palavras, são requeridos 32 endereços binários diferentes.

• Geralmente, são necessárias N entradas de endereço para uma memória com
capacidade de 2N palavras.
• Visualize a memória como um arranjo de 32 registradores, cada um com palavra de 4
bits.
Exemplo: Operação de leitura e de escrita.
CONDIÇÃO: CONDIÇÃO:
 Endereço = 00011  Endereço = 11110
 Entrada = 0100  Entrada = XXXX
 R/W’ = 0  R/W’ = 1
 ME = 1  ME = 1
 Saída = XXXX  Saída = 1101
Obs:
• A operação de escrita substitui os dados da posição de memória previamente
armazenados.
• Operação de leitura não modifica o conteúdo da posição de memória.
Conexões CPU-Memória
Interface com a CPU:
A memória principal tem sua interface de comunicação com a CPU através de três
barramentos:
• Linhas de endereço;
• Linhas de dados;
• Linhas de controle.
Conexões CPU-Memória
Passos requeridos na operação de escrita.
 A CPU fornece o endereço da posição de memória;
 A CPU coloca os dados no barramento de dados;
 A CPU ativa as linhas de controle para operação de escrita;
 Os CIs de memória decodificam o endereço;
 Os dados são transferidos para a posição de memória selecionada.
Passos requeridos na operação de leitura.

 A CPU fornece o endereço da posição de memória;
 A CPU ativa as linhas de controle para operação de leitura;
 Os CIs de memória decodificam o endereço;
 Os CIs de memória colocam o dado no barramento.

ROM - Memória Apenas de Leitura
• Projetada para manter dados que são permanentes (não mudam frequentemente).
• Há memórias ROM que permitem a escrita de dados eletricamente (programação ou
queima).
• Usadas principalmente no armazenamento de programas de computador.
• São não voláteis (programas/dados não são perdidos quando o sistema é
desenergizado).
• A saída de dados na maioria das ROMs são saídas tristate para permitir a conexão de
vários CIs de ROMs (expansão de memória).

ROM - Memória Apenas de Leitura
Exemplo: ROM 16 x 8 (16 bytes)
Condição:
 Endereço = 1010
 CS’ = 0
 Saída = 10111000

Arquitetura da ROM
Exemplo: Arquitetura de uma ROM de 16 × 8, onde cada registrador armazena uma palavra
de 8 bits. Partes constitutivas:
• Matriz de registradores.
• Decod. de endereço.
• Buffers de saída.
• Registradores de 8 bits.
Exemplo: Qual registrador

é habilitado pelo endereço
1101?
A3 A2 = 11 (coluna 3).
A1 A0 = 01 (linha1)
Registrador 13.
Temporização da ROM
Tempo de acesso, tACC: Atraso de propagação entre a aplicação das entradas da ROM, e o
aparecimento dos dados na saída.
• Em t1, o novo endereço é valido;

• Em t2, a entrada CS’ é ativada para habilitar
os buffers de saída;
• Em t3, as saídas mudam de alta impedância
para dados válidos.

Tipos de ROM
ROM programada por máscara (MROM)
Informações armazenadas através do

terminal S (Source) de um transistor.
• Cada célula é um NMOS.

VGS = 0 => “chave” aberta
VGS = 1 => “chave” fechada.
• Decodificador seleciona a linha para

leitura dos dados.
A1 A0 = 00, linha 0 ativa.

Tipos de ROM
Exemplo: Armazenamento de tabelas de funções matemáticas.
• Considere a função y = x 2 + 3. A entrada de endereço corresponde a x e a saída de dados é y.

• Deve-se construir a tabela da função (x => 2 bits);
Por exemplo: X = 102 = 210 . A saída é y = 22 + 3 = 710 = 01112
• Considerando a arquitetura anterior: A1 A0 = 00 seleciona a primeira linha e, portanto, as saídas de Q2

e Q3 devem estar ligadas (conexão a VDD) e as saídas de Q0Q1 desligadas.
Tipos de ROM
ROMs Programáveis (PROMs)
• Diferentemente da MROM, a PROM pode ser programada pelo próprio usuário.
• Uma vez programada, a PROM não pode ser apagada ou alterada.
• O processo de programação baseia-se na queima seletiva de determinados fusíveis.

Tipos de ROM
ROMs Programáveis (PROMs)
Para programar:
 Selecionar o endereço apropriado.
 Posicionar os dados de entrada.
 Aplicar um pulso em um pino especial de
programação.
 Transistores nos quais um 0 aparece no fusível
ligado ao Terminal S, terá uma corrente muito
alta, abrindo o mesmo.

Tipos de ROM
ROM Programável e Apagável (EPROM - Erasable Programmable ROM)
• Pode ser apagada e reprogramada pelo usuário.

• A célula de armazenamento é um transistor MOS.
• A programação é feita polarizando adequadamente o transistor, através de um pulso de
alta tensão na entrada apropriada.
• Para programar um “1” (estado inicial), a EPROM é exposta a luz UV.
Desvantagens:
1 - Necessidade de remoção do circuito para programação.
2 - Apaga todo o conteúdo.
Tipos de ROM
ROM Programável e Apagável (EPROM - Erasable Programmable ROM)

Tipos de ROM
PROM Apagável Eletricamente (EEPROM ou E2PROM)
• Pode ser apagada (deve-se apagar tudo) e reprogramada (byte por byte) sem remover do
circuito.
• Estrutura de porta flutuante como da EPROM, mas com região fina de óxido acima do
dreno, possibilitando ser apagada eletricamente.
• Para programar a EEPROM um pulso de alta tensão é aplicado à entrada apropriada,
polarizando adequadamente o transistor MOS.
• Tem capacidade de apagar e reescrever bytes individualmente.
• Possui um único pino de alimentação, sendo de fácil utilização.
Desvantagens com relação à EPROM
1 - Menor capacidade de bit por milímetro quadrado de silício.
2 - Custo mais elevado.
Tipos de ROM
PROM Apagável Eletricamente (EEPROM ou E2PROM)
Na borda de subida de WE’, em t4, são registrados os “dados” no “endereço” desejado.

Memória Flash
Memória Flash
• A memória Flash é uma evolução das memórias EEPROM, e seu nome foi criado pela
empresa Toshiba para expressar o quão rápido ela poderia ser apagada.
• É amplamente utilizada para armazenamento em módulos como "PENDRIVES" e cartão
de Memória.
• Há alguns anos as memórias FLASH substituíram as memórias ROMs como memórias
de BIOS dos computadores, assim elas podem ser atualizadas diretamente nas placas ao
invés de serem removidas e substituídas.

Memória Flash
Memória Flash
• Uma grande limitação das memórias flash, é que embora elas possam ser lidas ou escritas byte a byte,
como em uma memória comum, elas devem ser apagadas em blocos.
• Usualmente todos os bits são levados para "1".
• Assim, em um bloco de memória flash totalmente apagada, qualquer posição desse bloco pode ser
programado.
• Contudo, uma vez que um bit tenha sido colocado em "0", apenas apagando todo o bloco ele pode ser
colocado em "1" novamente.
• Em outras palavras, as memórias flash podem ser lidas e escritas aleatoriamente, mas não oferecem
um tipo de facilidade para operações de reescritas ou apagamento.

Memória Flash
Memória Flash
• Podem ser apagadas eletricamente no próprio circuito (EEPROM), mas com densidades e custos
próximos das EPROMs.
• Denominação vem do fato de terem tempos curtos de leitura e escrita.
• Permitem apagamento por setor (por exemplo, 512 bytes), evitando a reprogramação de todas as
células.
• Modelos mais recentes têm aperfeiçoamentos: única fonte Vcc, baixa tensão de alimentação (1,8V),
escrita rápida de blocos de dados (data burst), possibilidade de apagamento de apenas um setor (por
exemplo, um bloco de 512 bytes).

Memória Flash
Memória Flash
• Uma memória ideal tem uma alta capacidade de armazenamento, é não-volátil, tem capacidade de
leitura e escrita no sistema, é compatível com operações rápidas e tem um custo eficaz. As tecnologias
tradicionais de memória como ROM, PROM, EPROM, EEPROM, SRAM e DRAM exibem
individualmente um ou mais dessas características, porém nenhuma apresenta todas essas
características, exceto a memória flash.
Flash CMOS 28F256A
• Pinos DQi assim designados pois são bidirecionais,
podendo: enviar “dados” durante a leitura; receber
“comandos” ou “dados” durante a escrita.

Memória Flash
Arquitetura Interna da Memória Flash
Arquitetura interna da Flash:
O registrador de comando gerencia as
funções do chip:
 Apagar (comando 20h);
 Apagar-Verificar (comando FFh);
 Programar (comando 40h);
 Programar-Verificar (comando C0h);
 Ler (comando 00h);

Memória Flash
Arranjo básico de uma Memória Flash
Célula de memória Flash:

 O transistor MOS, possui duas portas
(Controle / Flutuante);
• A quantidade de carga presente na porta flutuante determina se o transistor estará ligado e conduzindo
corrente do dreno para a fonte quando uma tensão de controle for aplicada durante uma operação de
leitura.
Tecnologia flash: NOR e NAND
Memórias NOR e NAND
• Os primeiros dispositivos flash foram criados como tentativa de melhorar o EEPROM
com o ajuste em forma do apagamento em bloco em vez de bytes.
• Estes dispositivos flash são referidos com tecnologia flash NOR.
• Um exemplo recente de um CI flash NOR é o Spansion S29AL032D.

• As memórias Flash são construídas com portas NOR ou NAND. As NOR funcionam
como memórias de computador, enquanto as NAND funcionam como se fossem Discos
Rígidos.
• As memórias Flash tipo NOR são utilizadas em câmeras digitais, aparelhos celulares e
Tablets, armazenando o sistema operacional e outros dados que mudam com pouca
frequência.
• As memórias Flash tipo NAND são utilizadas para armazenar dados como em
PENDRIVES para USB, Tocadores de MP3 e fotos em câmeras digitais.


NAND - Células em série,

NOR - Células em paralelo,
acesso sequencialmente os
acessa cada segmento de
dados, a escrita e o
memória por indexação
apagamento são mais rápidos e
aumentando a rapidez de
a fabricação mais barata.
leitura.

Memórias Flash NAND
• Desenvolvidas pela Toshiba uma ano depois das memórias NOR da Intel, a memória
Flash tipo NAND parece com um disco rígido para sistema operacional.
• Leituras e escritas são feitas em blocos de 512 bytes (igual ao setor de um disco) de um
modo mais rápido que as memórias NOR.
• Contudo, tipicamente, páginas de 2KB (quatro blocos) são lidas e escritas de uma vez.
• Antes da escrita, as células são apagadas em blocos de 16 a 512 KB.
• Menos caras que a Flash tipo NOR a Flash NAND pode ser reescrita até 1.000.000 de
vezes.

Desempenho NOR x NAND
• Desenvolvidas pela Intel em 1998, as memórias Flash tipo NOR permitem uma acesso
aleatório de alguns bytes, o que é ideal para execução de instruções de um programa.
• As memórias Flash do tipo NOR permitem cerca de 100.000 ciclos de escrita antes de se
esgotarem.
• As células devem ser apagadas em blocos de 64, 128 e 256KB antes de serem escritas,
e isto pode levar alguns segundos.
• Contudo, a leitura e escrita de um byte pode vez é muito rápido.

Desempenho NOR x NAND

Características NOR x NAND

Memória Flash
• Relações de compromisso entre as memórias semicondutoras não voláteis: A
complexidade e custo aumentam a medida que a flexibilidade no apagamento e na
programação aumenta.
 Pode ser apagada eletricamente no circuito, byte a byte.
 Pode ser apagada eletricamente no circuito, por setor ou

em bloco (todas as células);
 Pode ser apagada em bloco por luz UV, apagada e

reprogramada fora do circuito;
 Não pode ser apagada e reprogramada

Memórias de Acesso Randômico
RAM (Random Access Memory)
Os tipos básicos de SRAM são:
• SRAMs assíncronas;
• SRAMs síncronas com uma característica de rajada.
Os tipos básicos de DRAM são:

• DRAMs com Modo de Página Rápida (FPM DRAM – Fast Page Mode DRAM);
• DRAM com Saída de Dados Estendida (DRAM EDO Extended Data Out);
• DRAM EDO em Rajada (DRAM BEDO);
• DRAMs síncronas (SDRAM).


• Memória do tipo volátil (Apenas mantém a informação armazenada enquanto
estive sendo energizada) e pode ser lida e escrita (Read / Write).
• As RAMs são fabricadas com capacidades de palavras de 1K, 4K, 8K, 16K,
64K, 128K, 256K e 1024K e com tamanhos de palavra de 1, 4 ou 8 bits.
Existem dois tipos:
 DRAM – Dinâmica
 SRAM - Estática

RAM Semicondutora
• Memória de acesso direto, ou seja, qualquer endereço possui a mesma facilidade de

acesso.
• Esta é uma memória MWR (Memória de Escrita / Leitura), diferentemente da ROM.
• Utilizada pelo computador para armazenamento temporário de programas e dados.
• Ciclos rápidos de escrita e leitura, para não tornar lenta a operação do computador.
• Tem a desvantagem de ser volátil e perder a informação quando não há alimentação
elétrica.
• Tem a vantagem de escrever e ler rapidamente e com a mesma facilidade.

Arquitetura da RAM
• A RAM pode ser vista como um conjunto de registradores, cada um armazenando uma única palavra e
com um endereço único.
Exemplo: Arquitetura simplificada de uma RAM 64x4. Leitura
Selecionar endereço
R/W’ = 1
CS’ = 0
Escrita
Selecionar endereço
R/W’ = 0
CS’ = 0
• Os buffers são habilitados conforme a operação
efetuada.
• Com CS’ = 1 todas as entradas e saídas estão
desabilitadas.
RAM Semicondutora
• Pinos de entrada e saída podem ser combinados (pinos de I/O) e controlados pela entrada R/W’.
Exemplo:
• RAM NMOS 4K x 1 com entrada e saída de dados separadas.
• RAM CMOS 32K x 8 com pinos de I/O comuns.
• Memórias com pinos de entrada e saída separados são

conectadas no mesmo barramento, quando este é
bidirecional.
• RAM de porta dupla é utilizada em aplicações em que a
velocidade é muito importante e a origem e o destino
dos dados são diferentes.
• Ex. RAM de vídeo.

SRAM - RAM Estática
• Pode armazenar dados enquanto a alimentação é mantida no CI.
• A célula básica é um FF.
• Disponíveis nas tecnologias bipolar (mais rápida) e MOS (menor consumo).
• A célula bipolar requer mais área no CI (o transistor bipolar é mais complexo).

Dado no barramento
para captura da CPU
• Antes de t0, o endereço é proveniente da operação anterior.

• Em t0 a CPU aplica um novo endereço para leitura na RAM.
• Em t1 a RAM responde colocando os dados na via.
• CS’ = 0 quando o endereço está estável.
Intervalo de
Tempo de Escrita
Tempo de setup Tempo de hold

dos dados dos dados
• Em t0 a CPU aplica um novo endereço para escrita na RAM.

• A CPU aciona R/W’ e CS’ após tAS (tempo de setup de endereço).
• Durante tw, em t1 a CPU fornece dados válidos para escrita na RAM.
Temporização de uma RAM estática
• Essencialmente, o tempo do ciclo de leitura (TRC) e o tempo do ciclo de escrita (TWC) determinam a
velocidade que CI pode operar.
• Exemplo: RAM CMOS MCM6264C 8k x 8 TRC e TWC = 12 ns e consumo, em modo standby, de 100mW.

• Os padrões industriais criados pelo JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) fizeram com
que os dispositivos de memória sejam bastante intercambiáveis.
• Um CI 27256 pode substituir um CI 2764, para aumentar a capacidade de memória RAM, simplesmente
adicionando-se duas linhas de endereço.
DRAM - RAM Dinâmica
• Fabricadas com tecnologia MOS, destacam-se pela sua alta capacidade, baixo consumo e velocidade
moderada de operação.
• Armazenam 1s e 0s como carga em pequenos capacitores MOS (normalmente de poucos picofarads).
• Devido a tendência de fuga das cargas armazenadas (perda de informação) a DRAM requer ciclos de
refresh (2, 4 ou 8 ms).
• Os dispositivos mais modernos possuem circuitos de refresh incorporado, porém é mais difícil projetar
um sistema com SRAM.
• A célula da DRAM é mais simples do que a célula da SRAM, o que implica em menor espaço por célula
-> maior densidade.
• Comparação: SRAM x DRAM -> (alta velocidade e pequenas quantidades x alta capacidade e baixo
consumo).

• Estrutura e Operação da RAM Dinâmica:
• Matriz de células de 1 bit: 128 x

128 = 16384 células = 214
• A0 a A6 - seleção da coluna e A7 a
A13 - seleção da linha.
• Quando a palavra tem n bits, cada

posição da matriz contêm n
células.

Estrutura e Operação da RAM Dinâmica:
• Representação simbólica de uma célula de memória dinâmica.
• As chaves Sw1 a Sw2 são MOSFET controlados pelo decodificador de endereço e pelo sinal R/W’.
• O capacitor é a célula de armazenamento.
• Escrita: Fecha SW1 e SW2 e abre SW3 e SW4 -> carrega dado de entrada e abre as chaves para reter
os dados.
• Leitura: Fecha SW2, SW3 e SW4 e abre SW1 -> compara dado (V) com Vref e produz uma tensão bem
definida na saída.
• Obs: O bit de dado é restaurado cada vez que é lido.
Estrutura e Operação da RAM Dinâmica:
• Multiplexação de endereço: Visa reduzir o número de pinos em DRAM de alta
capacidade.

Ciclo de LEITURA e escrita de uma DRAM:
• Muito mais complexo de que para uma SRAM.
t0: MUX em “0” aplica os bits de endereço de linha A8 a A15
nas entradas de endereço da DRAM.
t1: A entrada RAS’ carrega o endereço de linha na DRAM
Supor R/W’ = “1”.
t2: MUX em “1” aplica os bits de
endereço de coluna A0 a A7 nas entradas de endereço da
DRAM.
t3: A entrada CAS’ carrega o endereço de coluna na RAM.
t4: A DRAM responde com dados válidos na linha de dados.
t5: Os sinais MUX, RAS’, CAS’ e de Saída voltam aos
estados iniciais.
CLICO DE LEITURA
Ciclo de leitura e ESCRITA de uma DRAM:
• Muito mais complexo de que para uma SRAM.
t0: MUX em “0” aplica os bits de endereço de linha A8 a A15
nas entradas de endereço da DRAM.
t1: A entrada RAS’ carrega o endereço de linha na DRAM.
t2: MUX em “1” aplica os bits de endereço de coluna A0 a
A7 nas entradas de endereço da DRAM.
t3: A entrada CAS’ carrega o endereço de coluna na RAM.
t4: coloca dado para escrita na linha de dados.
t5: R/W’ é pulsado para escrever o dado na DRAM.
t6: Os dados de entrada são removidos da linha de dados.
t7: Os sinais retornam aos seus estados iniciais.
CLICO DE ESCRITA
Refresh da RAM Dinâmica :
• Sempre que uma operação de leitura for realizada em uma célula, todas as células daquela linha são
reavivadas (operação de refresh).
• É necessário fazer uma operação de leitura em cada linha da matriz da DRAM a cada 4 ms.
• Um contador de refresh pode ser utilizado para fornecer os bits do endereço da linha para as entradas
de endereço da DRAM.
Exemplo: DRAM 4M x 1
Para a TMS44100, refresh em
rajada pode completar em
113µs e é repetido a cada
16ms.
• Um contador de refresh fornece os endereços sequenciais da linha 0 até a linha 1023. O sinal RAS’
carrega o endereço da linha na DRAM para reavivar todas as células daquela linha (método por rajada).
Expansão do Tamanho da Palavra e da Capacidade
• Expansão do tamanho da palavra: Nem sempre o tamanho da palavra do CI disponível é adequado
para a aplicação desejada.
Uma memória RAM de 16 x 8 pode

ser conseguida através de duas
memórias RAM de 16 x 4 (com linha
de I/O comuns).
Observações:
RAM0: dados de mais alta ordem.
RAM1: dados de mais baixa ordem.

Barramento de Memórias
• Exemplo: O CI 2125A é uma SRAM de 1K x 1 e entrada e saída de dados separadas. Forme um
módulo de 1K x 8.

• Expansão da capacidade: Nem sempre a capacidade do CI disponível é adequado para a aplicação desejada.
• Uma memória RAM de 32 x 4 pode ser conseguida através de duas memórias RAM de 16 x 4 (com linha de I/O comuns).

• Exemplo: Combine algumas PROM de 2K x 8 para produzir uma capacidade total de 8K x 8. Quantos CI são necessários?
Quantas linhas no barramento de endereço são necessárias?
• São necessários 4 CI de PROM.
• São necessárias 16 linhas endereço para
memórias, sendo.
• A0 a A10 (Endereçamento direto).
• A11 a A12 (Seleção da Memória – Decodificador
74ALS138).
• A14 e A15, bits de barramento de controle pelo
Decodificador 74ALS138.

Funções Especiais de Memórias
Funções Especiais de Memória
RAM e ROM são usadas como a memória interna de alta velocidade dos computadores que se comunicam
diretamente com a CPU.
• Armazenamento de dados com o sistema desligado

1. Dados armazenados em RAM alimentada por bateria;
2. Armazenamento em memória flash não volátil;
3. Transferência de dados da RAM para a RAM com bateria ou uma memória flash não volátil.
• Memória cache
1. Não é econômico usar dispositivos de alta velocidade para toda memória interna;
2. Cache – bloco que se comunica em alta velocidade com a CPU (8 – 64Kbytes nos PCs modernos);
3. Quando a CPU não encontra na cache, ela procura na DRAM (mais lenta).

Funções Especiais de Memórias
Funções Especiais de Memória
Memória first-in, first-out (FIFO) – buffers lineares
1. Sistema de memória em que o primeiro a entrar é o primeiro a sair ⇒ leitura na ordem da escrita;
2. Útil como um buffer de transferência de dados entre sistemas que transferem dados a taxas
diferentes.
Exemplo: computador para impressora.

 Um buffer linear completo não permite
entrada adicional e, portanto, não
perde informação.
 Um buffer circular escreve a entrada
atual sobre a mais antiga.

Comparação entre Memórias Flash e outras Memórias
Vamos comparar as memórias flash com outros tipos de memórias tendo como referência o que aprendemos.
• Flash versus ROM, EPROM e EEPROM: As memórias apenas de leitura são dispositivos de alta densidade e
não-voláteis. Entretanto, uma vez programada, o conteúdo de uma ROM nunca pode ser alterado. Além disso, a
programação inicial é um processo caro e que consome tempo. Embora a EPROM seja uma memória de alta
densidade e não-volátil, ela pode ser apagada apenas removendo a do sistema e usando uma luz ultravioleta. Ela
pode ser reprogramada apenas com equipamentos especializados.
• A EEPROM tem uma estrutura de células mais complexa que a ROM ou a EPROM e assim a densidade não é
tão alta, embora ela possa ser reprogramada sem ser removida do sistema. Devido à sua baixa densidade, o
custo por bit é maior que para as ROMs e EPROMs. Uma memória flash pode ser reprogramada facilmente no
sistema porque ela é essencialmente um dispositivo de LEITURA/ESCRITA. A densidade de uma memória flash
se compara com a de uma ROM e de uma EPROM porque ambas tem células de transistor único. Uma memória
flash (assim como uma ROM, EPROM ou EEPROM) é não-volátil, o que permite que os dados sejam
armazenados indefinidamente mesmo sem alimentação.

Vamos comparar as memórias flash com outros tipos de memórias tendo como referência o que
aprendemos.
• Flash versus SRAM: Conforme aprendemos, as memórias estáticas de acesso aleatório são
dispositivos de LEITURA/ESCRITA voláteis. Uma SRAM requer uma alimentação constante para manter
os dados armazenados. Em muitas aplicações, uma bateria de backup é usada para evitar a perda de
dados se a fonte de alimentação principal for desligada. Entretanto, como é sempre possível ocorrer
uma falha no circuito da bateria, a retenção indefinida dos dados armazenados numa SRAM não pode
ser garantida. Devido a célula de memória numa SRAM ser basicamente um flip-flop que consiste de
diversos transistores, a densidade é relativamente baixa.
• Uma memória flash também é uma memória de LEITURA/ESCRITA, porém diferentemente da SRAM
ela não é volátil. Além disso, uma memória flash tem uma densidade muito maior que uma SRAM.

Vamos comparar as memórias flash com outros tipos de memórias tendo como referência o que
aprendemos.
• Flash versus DRAM As memórias dinâmicas de acesso aleatório são dispositivos de

LEITURA/ESCRITA voláteis e de alta densidade. As DRAMs necessitam não somente de uma
alimentação constante para manter os dados, mas também que os dados armazenados têm que ser
frequentemente reavivados. Em muitas aplicações, um armazenamento de backup, tal como um disco
rígido, tem que ser usado em conjunto com uma DRAM.
• As memórias flash apresentam densidades maiores que as DRAMs porque uma célula de memória flash
consiste de um transistor e não precisa de refresh, ao passo que uma célula de DRAM é constituída de
um transistor mais um capacitor e precisa ser reavivada. Tipicamente, uma memória flash consome
muito menos potência que uma DRAM equivalente e pode ser usada como substituição a um disco
rígido em muitas aplicações.

• A Tabela a seguir, apresenta um resumo das comparações entre as tecnologias de memórias.

Atividade - Lista 2
Lista 2: Memórias RAM / ROM.
• Objetivo: Revisar o conteúdo necessário para o desenvolvimento na disciplina de

Microprocessadores
 Entrega até as 23:55hs do dia 28/08/2022 via moodle
link: https://moodle.gru.ifsp.edu.br/mod/assign/view.php?id=58529

Referência
Referências Bibliográficas:

Considerações Finais
Materiais da aula:
• Os slides das aulas e listas de exercícios estão disponíveis no site.
https://moodle.gru.ifsp.edu.br/course/view.php?id=4234
• Disciplina: MPE06 Microprocessadores - 2º Semestre 2022

Apresentação da Disciplina
Obrigado, e até a próxima aula!
Profº. Rogério D. Dantas
e-mail: rogerio.dantas@ifsp.edu.br

Aula 2 - Memórias Estáticas e Dinâmicas - 2s2022

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MICROPROCESSADORES

Profº. Rogério D. Dantas

Curso: Eng. De Controle e Automação (Integral)

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 Explicar como uma memória armazena dados binários;

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• A memória é a parte de um sistema de armazenamento de uma grande quantidade de

• As memórias semicondutoras consistem em arranjos de elementos que geralmente

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• Avanços tecnológicos permitem aumentar o número de FF’s por CI.

Memória auxiliar ou de massa, em geral são:

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• Palavra de memória: Agrupamento de bits (células).

• Byte: Agrupamento de 8 bits.

Exemplo: 4096 × 20 = 81.920

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• 210 = 1.024 ⇒ 1 Kilo (1K)

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• Tempo de acesso: Tempo necessário para realizar uma operação de leitura.

• Endereço: Indica a posição da palavra na memória.

• Operação de escrita: armazena uma palavra numa posição específica da memória.

• Memória volátil: Requer tensão elétrica para armazenar a informação.

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Estrutura básica de um chip de memória:

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• As memórias voláteis se dividem em duas grande categorias:

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Capacidade ( Mega bits, Bytes) Ex: 1024 bits

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1 - Selecionar um endereço de memória para operação de leitura ou de escrita;

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• Para 32 palavras, são requeridos 32 endereços binários diferentes.

Passos requeridos na operação de leitura.

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Exemplo: Qual registrador

• Em t1, o novo endereço é valido;

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Informações armazenadas através do

• Cada célula é um NMOS.

• Decodificador seleciona a linha para

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• Considere a função y = x 2 + 3. A entrada de endereço corresponde a x e a saída de dados é y.

• Considerando a arquitetura anterior: A1 A0 = 00 seleciona a primeira linha e, portanto, as saídas de Q2

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• Pode ser apagada e reprogramada pelo usuário.

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Na borda de subida de WE’, em t4, são registrados os “dados” no “endereço” desejado.

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• Denominação vem do fato de terem tempos curtos de leitura e escrita.

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Célula de memória Flash: