Captulo 13 Sistemas de Memria 13. 1 Introduo Memria tem papel crtico no desempenho de um sistema computacional.

. Ela recebe dados do mundo externo transferidos para processador, e tambm recebe dados do processador a transferir para mundo externo. O objetivo deste captulo analisar os tipos de dispositivos de memrias mais comumente usados. J foram estudados os Flip-Flops que so dispositivos de memria eletrnicos. Tambm vimos como grupos de FFs chamados registros, podem ser usados para armazenar informaes e como essas informaes podem ser transferidas a outros locais. Registros de FFS so elementos de memrias de alta velocidade que so intensamente usados em operaes internas de um computador digital no qual informaes digitais esto sendo transferidas, continuamente, de um local para outro. Recentes avanos da tecnologia LSI (tecnologia que consegue comprimir em uma nica pastilha, uma grande quantidade de componentes eletrnicos) tem tornado possvel obter-se grande quantidade de FFs numa nica pastilha arranjada de vrias maneiras. Essas memrias de semicondutores bipolar e MOS so memrias mais rpidas disponveis e seu custo tem decrescido na medida do desenvolvimento da tecnologia LSI. Devido alta velocidade as memrias a semicondutores podem ser usados como memrias internas de um computador no qual importante que as operaes sejam rpidas. A memria interna de um computador est em constante comunicao com o resto do computador na medida em que executa um programa de instrues e os dados so usualmente armazenados nessas memrias internas.

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Embora memrias a semicondutores sejam apropriadas para memrias internas de alta velocidade, seu custo por bit de armazenamento torna-as de uso proibitivo como memrias de massa (bulky memory). As memrias de massa referem-se memrias externas ao computador principal, que so capazes de armazenar grande quantidade de informaes (milhes de bits). Fitas magnticas e discos magnticos so dispositivos de memrias de massa mais comumente utilizados. 13.2 - Caractersticas tecnolgicas As principais caractersticas tecnolgicas que diferenciam os vrios tipos de dispositivos de memria incluem custo, tempo e modo de acesso e persistncia do armazenamento. 13.2.1 - Custo. Est relacionado com a tecnologia utilizada para armazenar os bits de dados e sua velocidade de acesso. Mostra-se a seguir, uma relao das memrias e seu custo, comeando da memria SRAM, que apresenta um maior custo por Mbyte, at memria de fita magntica, com o menor custo de armazenamento por Mbyte: SRAM: $$$$$/Mbyte DRAM: $$$/Mbyte Discos magnticos: $$/Mbyte Fitas magnticas: $/Mbyte

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13.2.2 - Tempo de acesso. o tempo para localizar, ler ou escrever um item de informao da (ou para a) memria. Usualmente separa-se tempo de acesso (apenas localizao) do tempo de transferncia (que depende da dimenso do dado). Tempos tpicos so da ordem de: SRAM: 1325 ns DRAM: 6070 ns Discos magnticos: 810 ms

13.2.3 - Modo de acesso. Especifica o modo pelo qual a localizao pode ser determinada para a transferncia do dado: Acesso a posies aleatrias: o acesso a posies arbitrrias ocorre em tempo independente da posio acessada. Por exemplo, dispositivos semicondutores de memria (RAM). Acesso serial: acesso ocorre apenas em seqncias pr-estabelecidas, como ocorre com fitas magnticas. Acesso direto (ou semi-aleatrio): combina caractersticas de acesso aleatrio e seqencial. O acesso a uma posio arbitrria possvel, porm afeta consideravelmente o tempo de acesso. Por exemplo, discos magnticos. 13.2.4 - Alterabilidade. Caracteriza se o processo de escrita de um item de informao reversvel ou no.
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Memrias de escrita e leitura podem ter seus contedos livremente alterados, como em memrias RAM e discos magnticos. O processo irreversvel caracterizado por memrias apenas de leitura, como ROM e PROM. 13. 3 - Terminologia das memrias. Antes de uma anlise sobre os vrios dispositivos de memria sero definidos alguns dos mais importantes termos que so comuns maioria dos sistemas de memria. 13.3.1 - Clula de memria um circuito eltrico para armazenar um nico bit (0 ou 1). Exemplos de clulas de memrias: Um Flip Flop. 13.3.2 - Palavra de memria (Word) um grupo de bits que representa informaes ou dados de algum tipo. Por exemplo, um registro consistindo de 8 FFs pode ser considerado uma memria que armazena uma palavra de oito bits. Os tamanhos das palavras nos modernos computadores esto na faixa de 8 a 138 bits, dependendo do tamanho do computador. 13.3.3 - Byte um termo especial usado para uma palavra de 8 bits. Um Byte sempre consiste de 8 bits, que o tamanho mais comum de palavras num microcomputador.

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13.3.4 Capacidade a maneira de especificar quantos bits podem ser armazenados numa memria particular. Para efeito de ilustrao suponha-se que se tem uma memria que pode armazenar 4096 palavras de 20 bits. Isto representa uma capacidade total de 81.920 bits. Pode-se tambm expressar esta capacidade de memria como 4096 x 20. Quando expressa dessa maneira, o primeiro nmero o nmero de palavras (4096) e o segundo o nmero de bits (20) por palavra (tamanho da palavra). O nmero de palavras numa memria freqentemente, um mltiplo de 1024. comum usar a designao 1K para representar 1024 quando referindo-se capacidade da memria. Assim, uma memria que possua uma capaciade de 4k x 20 realmente uma memria de 4096 palavras.

Exerccios. 1) Uma certa memria a semicondutor especificada como 2k x 8. Quantas palavras podem ser armazenadas na memria? Qual o tamanho da palavra? Quantos bits totais podem ser armazenados? 2) Uma certa memria a semicondutor especificada como 16k x 8. Quantas palavras podem ser armazenadas na memria? Qual o tamanho da palavra? Quantos bits totais podem ser armazenados? 3) Uma certa memria a semicondutor especificada como 32M x 16. Quantas palavras podem ser armazenadas na memria? Qual o tamanho da palavra? Quantos bits totais podem ser armazenados? 13.3.5 - Endereo (Address) um nmero que identifica o local de uma palavra na memria. Cada palavra armazenada na memria tem um nico endereo. Os endereos so
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sempre especificados em nmeros binrios, embora que possam ser expressos em octal, hexadecimal ou decimal, por questo de convenincia. A tabela que segue, mostra uma pequena memria consistindo de 8 palavras. Cada uma dessas 8 palavras tem um endereo especificado por um nmero de 3 bits compreendendo 000 111. Endereo Palavra 000 001 010 011 100 101 110 111 Palavra 0 Palavra 1 Palavra 2 Palavra 3 Palavra 4 Palavra 5 Palavra 6 Palavra 7

Sempre que houver referncia a um local definido da palavra na memria, usa-se o cdigo de endereo para especific-lo. Exerccios: 1) Uma memria especificada como 4k x 8. Quantas linhas de entrada e de sada ela possui? Quantas linhas de endereo ela possui? Qual a sua capacidade total em bytes? 2) Uma memria especificada como 8k x 8. Quantas linhas de entrada e de sada ela possui? Quantas linhas de endereo ela possui? Qual a sua capacidade total em bytes?

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13.3.6 - Operao de leitura (Read) uma operao pela qual uma palavra binria armazenada num local especfico (endereo) da memria identificada e ento, transferida para outro local. Por exemplo, se for desejado usar a palavra 4 da memria por qualquer motivo, deve-se realizar a operao de leitura no endereo 1002. A operao de leitura muitas vezes chamada de operao de busca (fech operation), uma vez que uma palavra est sendo buscada na memria. Exerccios: Qual o nmero a ser escrito nas entradas de endereo para: 1) Acessar a primeira palavra. 2) Acessar a dcima palavra. 3) Acessar a palavra de nmero 135. 4) Acessar a palavra de nmero 37. 13.3.7 - Operao de escrita (Write) uma operao pela qual uma nova palavra colocada (armazenada) num local particular da memria. Esta operao tambm referida como uma operao de armazenagem, sempre que uma nova palavra for escrita num local da memria, ela substitui a palavra que havia sido anteriormente armazenada. 13.3.8 - Tempo de ciclo uma medida de velocidade da memria. o tempo requerido para a memria e o instante em que o dado torna-se disponvel na sada da memria. O smbolo tACC usado para tempo de acesso.

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13.4 Tipos de memrias 13.4.1 - Memria voltil Refere-se a qualquer tipo de memria que necessite de energia eltrica para armazenar informao. Na falta da energia eltrica toda a informao perdida. Muitas memrias semicondutores so volteis, enquanto todas as memrias magnticas so no volteis. 13.4.2 - Memria de acesso seqencial (Seqencial Access Memory SAM) o tipo de memria no qual o tempo de acesso no constante, varia dependendo do local do endereo. Encontra-se uma palavra particular armazenada seqenciado todos os locais de endereo ate o endereo desejado ser alcanado. Isso produz um tempo de acesso que muito mais longo do que aquele para as RAMs. Exemplos de SAMs incluem fitas, discos e tambores magnticos. 13.4.3 - Memria para Ler/Escrever (Read/Write Memory RWM) qualquer memria destinada leitura ou escrita com igual facilidade. 13.4.4 - Memrias Estticas So memrias a semicondutor nas quais os dados ficam permanentemente armazenados enquanto houver fonte de energia eltrica, sem necessidade de reescrever, periodicamente, os dados na memria.

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13.4.5 - Memrias Dinmicas So memrias a semicondutores nas quais os dados no ficam, permanentemente, armazenados, mesmo com a presena da fonte de energia eltrica, a no ser que os dados sejam reescritos periodicamente nas memrias.

13.5 - Classificao das memrias Existem diversos tipos de memrias, diferenciadas pela sua capacidade de armazenamento, tempo de acesso, volatilidade e tambm separadas entre aquelas em que pode-se apenas ler um dado ou ler e escrever dados. Mostra-se a seguir, todos estes tipos de memria. 13.5.1 - Memria ROM ROM a sigla para Read Only Memory (memria somente de leitura). J pelo nome, possvel perceber que esse tipo de memria s permite leitura, ou seja, suas informaes so gravadas pelo fabricante uma nica vez e aps isso no podem ser alteradas ou apagadas, somente acessadas. Em outras palavras, so memrias cujo contedo gravado permanentemente. Existem trs tipos bsicos de memria ROM: PROM, EPROM e EAROM: PROM (Programmable Read Only Memory) - um dos primeiros tipos de memria ROM, o PROM tem sua gravao feita por aparelhos especiais que trabalham atravs de uma reao fsica com elementos eltricos. Os dados gravados na memria PROM no podem ser apagados ou alterados; EPROM (Electrically Programmable Read Only Memory) - A tecnologia EPROM permite a remoo de seu contedo atravs de uma luz ultravioleta. A memria poder ser gravada e ter seus dados apagados para uma nova gravao, quantas vezes forem necessrias. Para isto elas possuem uma janela de vidro, no qual o raio ultra-violeta poder incidir em

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seu interior, provocando uma reao das molculas dos semicondutores que ficam dopados com determinada polaridade e assim aceitam uma nova programao. EAROM (Electrically Alterable Read Only Memory) - so memrias similares EPROM. Seu contedo pode ser apagado aplicando-se uma voltagem especfica aos pinos de programao (da o nome "electrically alterable - alterao eltrica"); Um fato importante a ser citado que, atualmente, usa-se um tipo diferente de memria ROM. Trata-se da FlashROM, um tipo de chip de memria para BIOS de computador que permite que esta seja atualizada atravs de softwares apropriados. Essa atualizao pode ser feita por disquete ou at mesmo pelo sistema operacional. Tudo depende dos recursos que o fabricante da placa-me em questo disponibiliza. 13.5.2 - Memria RAM RAM a sigla para Random Access Memory (memria de acesso aleatrio). Este tipo de memria permite tanto a leitura como a gravao e regravao de dados. No entanto, assim que elas deixam de ser alimentadas eletricamente, ou seja, quando o usurio desliga o computador, a memria RAM perde todos os seus dados. Existem 2 tipos de memria RAM: estticas e dinmicas, descritas a seguir: DRAM (Dynamic Random Access Memory): so as memrias do tipo dinmico e geralmente so armazenadas em cpsulas CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Memria desse tipo possuem capacidade alta, isto , podem comportar grandes quantidades de dados. No entanto, o acesso a essas informaes costuma ser mais lento que o acesso memrias estticas. As memrias do tipo DRAM costumam ter preos bem menores que as memrias do tipo esttico. Isso ocorre

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porque sua estruturao menos complexa, ou seja, utiliza uma tecnologia mais simples, porm vivel; SRAM (Static Random Access Memory): so memrias do tipo esttico. So muito mais rpidas que as memrias DRAM, porm armazenam menos dados e possuem preo elevado se compararmos o custo por MB. As memria SRAM costumam ser usadas em chips de cache (Memria Cache). 13.5.3 - Memria EDO EDO a sigla para (Extended Data Out). Trata-se de um tipo de memria RAM que chegou ao mercado no incio de 1997 e que possui como caracterstica essencial a capacidade de permitir ao processador acessar um endereo da memria ao mesmo tempo em que esta ainda estava fornecendo dados de uma solicitao anterior. Esse mtodo permite um aumento considervel no desempenho da memria RAM. Esse tipo de memria precisava ser usada com pentes em pares. Isso porque os processadores daquela poca (Pentium) podiam acessar 64 bits por vez, mas cada pente de memria EDO trabalhava apenas com 32 bits. No caso de processadores 486, esse acesso era feito a 32 bits e assim um nico pente poderia ser usado. Memrias EDO usavam o encapsulamento SIMM-72, visto em um tpico mais frente. 13.5.4 - Memria SDRAM Na busca de uma memria mais rpida, a indstria colocou no mercado a memria SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory), um tipo de memria que permite a leitura ou o armazenamento de dois dados por vez (ao invs de um por vez, como na tecnologia anterior). Alm disso, a memria SDRAM opera em freqncias mais altas, variando de 66 MHz a 133 MHz. A memria SDRAM utiliza o encapsulamento DIMM, a ser visto no tpico seguinte.

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13.6 - Histrico de encapsulamentos A seguir, so mostrados os tipos de encapsulamento de memrias mais usados nos PCs: 13.6.1 - DIP DIP (Dual In Line Package) - esse um tipo de encapsulamento de memria antigo e que foi utilizado em computadores XT e 286, principalmente como mdulos EPROM (que eram soldados na placa). Tambm foi muito utilizado em dispositivos com circuitos menos sotisticados;

Memria com encapsulamento DIP 13.6.2 - SIP SIPP (Single In Line Pin Package) - esse tipo encapsulamento uma espcie de evoluo do DIP. A principal diferena que esse tipo de memria possui, na verdade, um conjunto de chips DIP que formavam uma placa de memria (mais conhecida como pente de memria). O padro SIPP foi aplicado em placas-me de processadores 286 e 386; 13.6.3 - SIMM SIMM (Single In Line Memory Module) - o encapsulamento SIMM uma evoluo do padro SIPP. Foi o primeiro tipo a usar um slot (um tipo de conector de encaixe) para sua conexo placa-me. Existiram pentes no padro SIMM com capacidade de armazenamento de 1 MB a 16 MB. Este tipo foi muito usado nas plataformas 386 e 486 (primeiros modelos). Na verdade, houve dois tipos de padro SIMM: o SIMM-30 e o SIMM-72. O primeiro o descrito no pargrafo anterior e usava 30 pinos para sua conexo. O segundo um pouco mais evoludo, pois usa 72 pinos na conexo e armazena
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mais dados (j que o pente de memria maior), variando sua capacidade de 4 MB a 64 MB. O SIMM-72 foi muito utilizado em placas-me de processadores 486, Pentium e em equivalentes deste;

Memria com encapsulamento SIMM-72 13.6.4 - DIMM DIMM (Double In Line Memory Module) - esse o padro de encapsulamento que surgiu aps o tipo SIMM. Muito utilizado em placas-me de processadores Pentium II, Pentium III e em alguns modelos de Pentium 4 (e processadores equivalentes de empresas concorrentes), o padro DIMM composto por mdulos de 168 pinos. Os pentes de memria DIMM empregam um recurso chamado ECC (Error Checking and Correction - deteco e correo de erros) e tem capacidades mais altas que o padro anterior: de 16 a 513 MB. As memrias do tipo SDRAM utilizam o encapsulamento DIMM.

Memria com encapsulamento DIMM

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13.7 - Memria DDR As memrias DDR (Double Data Rating) esto cada vez mais presentes nos computadores e so consideradas as substitutas naturais das populares memrias SDRAM. Isso se deve a vrios fatores, entre eles, a rapidez deste novo ipo de memria. 13.7.1 Surgimento da memria DDR Na poca em que o Pentium III, da Intel, era o processador mais usado, a velocidade padro do FSB (Front Side Bus - velocidade externa do processsador, ou seja, a velocidade na qual o processador se comunica com a memria e componentes da placa-me) era de 133 MHz, equivalente a 1.064 MB por segundo. No entanto, sabe-se que no geral, o chipset da placa-me no usa a freqncia de FSB para se comunicar com a memria, mas sim a velocidade desta. Nessa poca, o padro para velocidade das memrias era 133 MHz (as conhecidas memrias SDRAM PC133), que tambm fornecia uma taxa de velocidade de 1.064 MB por segundo. Com isso, possvel notar que havia um equilbrio na velocidade de comunicao entre os componentes do computador. No entanto, com o lanamento da linha Pentium 4, da Intel, Duron e Athlon da AMD, esse "equilbrio" deixou de existir, pois o FSB dos processadores passou a ter mais velocidade enquanto que as memrias continuavam no padro PC133, mantendo a velocidade em 133 MHz. Isso significa que o computador no conseguia aproveitar todos os recursos de processamento.

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O simples lanamento das memrias DDR no foi uma soluo imediata para os problemas de velocidade das memrias e do FSB. Somente com o lanamento das memrias Dual DDR que a soluo se tornou comprovadamente eficaz. 13.7.2 - Funcionamento das memrias DDR As memrias DDR funcionam de maneira parecida s memrias SDRAM. Seus pentes (ou mdulos) possuem 184 pinos, 16 h mais que as memrias tradicionais, que possuem 168. Fisicamente, h apenas uma diviso no encaixe do pente, enquanto que na memria SDRAM h dois. Um detalhe interessante que a voltagem das DDR 2.5v, contra 3.3v das SDRAM. Isso diminui o consumo de energia e gera menos calor. Para um PC normal isso pode at no fazer muita diferena, mas faz em um notebook, por exemplo. O grande diferencial das memrias DDR est no fato de que elas podem realizar o dobro de operaes por ciclo de clock (em poucas palavras, a velocidade em que o processador solicita operaes. Assim, uma memria DDR de 266 MHz trabalha, na verdade, com 133 MHz. Como ela realiza duas operaes por vez, como se trabalhasse a 266 MHz. Como j dito antes, as memrias DDR so muito parecidas com as memrias SDRAM. Veja o porqu: os pentes de memrias SDRAM e DDR so divididos logicamente em bancos, onde cada um contm uma determinada quantidade de endereos de memria disponveis. Cada banco, por sua vez, se divide em combinaes de linhas e colunas. Acessando uma linha e coluna de um banco que se acessa um endereo de memria. Dentro de cada banco, somente um linha pode estar sendo usada por vez, mas possvel que haja mais de um acesso simultneo, desde que seja a endereos diferentes. isso que a memria DDR faz: basicamente acessa duas linhas, em vez de uma, no sendo preciso mudar a estrutura da memria. Basta fazer alguns ajustes em circuitos e claro, criar chipsets que possuam controladores de memria que consigam fazer acessos desse tipo.

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Um fato importante a citar que possvel acessar mais de 2 endereos de memria, mas isso gera custos bem maiores. Alm disso, quanto maior a quantidade de dados transferidos, maior o nvel de rudo eletromagntico. A tabela que segue, compara as velocidades entre os diversos tipos de memrias mais comumente usadas: Memria Velocidade

SDRAM PC100 800 MB/s SDRAM PC133 1.064 MB/s DDR200 PC1600 DDR266 PC2100 DDR333 PC2700 DDR400 PC3200 Dual DDR226 Dual DDR333 Dual DDR400 13.8 - Dual DDR As memrias do tipo Dual DDR funcionam baseadas na seguinte idia: em vez de utilizar uma nica controladora para acessar todos os slots de memria da placa-me, por que no usar duas controladoras ao mesmo tempo? Essa a principal diferena do esquema Dual DDR. As memrias atuais seguem o padro de 64 bits e so alocadas em bancos. Usando duas controladoras simultaneamente, o acesso passa a ser de 138 bits. Para isso necessrio usar dois pentes de memria idnticos no computador. Essa igualdade deve ocorrer, inclusive com a marca, para evitar instabilidades. ou ou ou ou 1.600 MB/s 2.100 MB/s 2.700 MB/s 3.200 MB/s 4.200 MB/s 5.400 MB/s 6.400 MB/s

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Para trabalhar com Dual DDR no basta colocar dois pentes de memria idnticos no computador. necessrio que sua placa-me tenha esse recurso. Alm disso, o esquema Dual DDR s se torna realmente eficiente se utilizado com processadores Pentium IV, Athlon XP ou superiores. Mesmo que sua placa-me suporte esse recurso, uma dica interessante comprar um kit para Dual DDR. Esse kit contm dois pentes de memria DDR exatamente iguais, prprios para funcionar como Dual. Se voc comprar dois pentes de memria DDR iguais, mas que venham separadas, o funcionamento pode ser normal, mas as chances de instabilidade aumentam. Isso ocorre principalmente com o padro DDR400. claro que os kits so mais caros, principalmente no Brasil. A foto ao lado mostra uma placa-me trabalhando com Dual DDR.

13.9 - Operao geral das memrias. Embora que cada tipo de memria seja diferente na sua operao interna h certos princpios de operao bsicos que so os mesmos para todos os sistemas de memria. Uma compreenso dessas idias bsicas ajudar o estudo das memrias individuais. Cada sistema de memria requer vrios tipos de linhas de entrada e sada para desempenhar as seguintes funes: 12Selecionar o endereo na memria que est sendo acessada para operao de leitura ou escrita. Selecionar a operao de leitura ou escrita a ser realizada.
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Fornecer os dados de entrada a serem armazenados na memria durante a operao escrita. Manter os dados na sada da memria durante a operao leitura. Habilitar (ou desabilitar) a memria de tal sorte que ela responder (ou no responder) aos comandos de endereo e de leitura/escrita. A Figura que segue ilustra essas funes bsicas num diagrama

simplificado de memria 32 x 4 que armazena 32 palavras de 4 bits. Desde que o tamanho das palavras seja de 4 bits h 4 linhas de entrada I0 a I3 e 4 linhas de sada O0 a O3. Durante a operao escrita os dados a serem armazenados na memria tem que ser aplicados nas linhas de entrada de dados. Durante a operao leitura a palavra a ser lida na memria aparece nas linhas de sada de dados. Esta memria tem 32 diferentes locais de armazenagem e por isso, 32 diferentes endereos, desde 00000 a 11111. Assim, h necessidade de 5 entradas A0A4, para especificar um dos 32 locais de endereo. Para acessar um dos locais de memria, para operao de leitura ou escrita, o cdigo de 5 bits para o local particular, tem que ser aplicado nas entradas de endereo.

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Exerccios: 1) Explique resumidamente os modos de acesso das memrias: Acesso a posies aleatrias. Acesso serial. Acesso direto o semi-aleatrio. Clula. Palavra. Byte.

2) Conceitue:

3) Uma certa memria a semicondutor especificada como 16k x 32. Quantas palavras podem ser armazenadas na memria? Qual o tamanho da palavra? Quantos bits totais podem ser armazenados? 4) Para que serve o barramento de endereos de uma memria. 5) Conceitue: uma. 7) Combine duas memrias RAMs de 16 x 16 para obter uma de 16 x 32. 8) Combine duas memrias RAMs de 16 x 16 para obter uma de 32 x 16. 9) Combine duas memrias RAMs de 8 x 4 para obter uma de 8 x 8. 10) Combine duas memrias RAMs de 8 x 4 para obter uma de 16 x 4. 11) Combine duas memrias RAMs de 16 x 8 para obter uma de 16 x 16.
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Tempo de ciclo de uma memria. Memria voltil. Memria RAM. Memria SAM. Memria RWM. Memria ROM. Memrias estticas. Memrias dinmicas.

6) Quais os tipos de memrias ROMs existentes? Explique resumidamente cada