NP202 : Eletrônica Analógica I - 1º Semestre de 2013

Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto

4.2.1 – Polarização Fixa

Reta de Carga

Deslocamento do ponto de
operação com a variação de IB,
para VCC e R C constantes.
4 – TRANSISTOR - TBJ

Ponto Q

Ponto Q

Ponto Q

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto
4.2.1 – Polarização Fixa

Reta de Carga

Deslocamento do ponto de
operação com a variação de IC,
para VCC e I B constantes.
4 – TRANSISTOR - TBJ

Ponto Q Ponto Q Ponto Q

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto
4.2.1 – Polarização Fixa

Reta de Carga

Deslocamento do ponto de
operação com a variação de
VCC, para IB e RC constantes.
4 – TRANSISTOR - TBJ

Ponto Q
Ponto Q Ponto Q

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.1 – Polarização Fixa
Exemplo 4.3: Dada a reta de carga abaixo e o ponto de operação
especificado, determine os valores necessários de VCC, RC e RB.
4 – TRANSISTOR - TBJ

Ponto Q

Respostas
VCC [V] 20
RC [kΩ] 2
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e RB [kΩ] 772
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4.2.2 – Polarização Emissor Estabilizado
4 – TRANSISTOR - TBJ

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.2 – Polarização Emissor Estabilizado

IC IC

IB
4 – TRANSISTOR - TBJ

VCC  IBR B  VBE  IER E Ri    1 RE

IE  (  1) IB VCC  VBE
IB 
R B    1 R E
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.2 – Polarização Emissor Estabilizado

IC

IB
4 – TRANSISTOR - TBJ

VCC  ICR C  VCE  IER E VC  VCC  ICR C VB  VCC  IBR B

VCE  VCC  IC R C  R E  VC  VCE  VE VB  VBE  IER E

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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.2 – Polarização Emissor Estabilizado
Exemplo 4.4: Dado o circuito abaixo, determine:

a) IB
b) IC
c) VCE
d) VC
4 – TRANSISTOR - TBJ

e) VE
f) VB Respostas

g) VBC IB [μA] 40,1

IC [mA] 2,01
VCE [V] 13,97
VC [V] 15,98
VE [V] 2,01
VB [V] 2,71
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e VCB [V] 13,27
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4.2.2 – Polarização Emissor Estabilizado
Exemplo 4.5: Preencha as tabelas abaixo, para os circuitos das figuras
(a) e (b). Compare os resultados, considerando as variações individuais no
ponto de operação, em função da variação do β.
4 – TRANSISTOR - TBJ

(a) (b)

β IB(µA) IC(mA) VCE(V) β IB(µA) IC(mA) VCE(V)

50 47,08 2,35 6,83 50 40,1 2,01 13,97
100 47,08 4,71 1,64 100 36,3 3,63 9,11
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.2 – Polarização Emissor Estabilizado
Exemplo 4.6: Determine a corrente de saturação para o circuito do
exemplo 4.4.
4 – TRANSISTOR - TBJ

Respostas
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e ICsat [mA] 6,67
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4.2.2 – Polarização Emissor Estabilizado

Reta de Carga

VCC
IC  VCE  0
R C  RE
4 – TRANSISTOR - TBJ

Ponto Q
ICQ

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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e VCEQ VCE  VCC IC  0
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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão
4 – TRANSISTOR - TBJ

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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão

Na polarização por divisor de

tensão, o ponto de operação é
mais estável em relação às
variações de β.

O valor de IBQ é ajustado em

4 – TRANSISTOR - TBJ

Ponto Q IBQ resultante função das variações de β.

O ponto de operação definido

por ICQ e VCEQ poderá
permanecer fixo, se forem
empregados parâmetros de
circuito apropriados.

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão

IC IC
I1 IB

I2
4 – TRANSISTOR - TBJ

R2 E Th  VBE
E Th  VR 2  VCC IB 
R1  R 2 R Th    1 R E
R 1R 2
R Th 
R1  R 2 VCE  VCC  IC R C  R E 
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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão
Exemplo 4.7: Determine as correntes IB e IC e a tensão VCE para o
circuito abaixo:
4 – TRANSISTOR - TBJ

IB

Respostas
IB [μA] 6,05
IC [mA] 0,85
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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e VCE [V] 12,22
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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão
Exemplo 4.9: Repita a análise do circuito do exemplo 4.7 com β = 70 e
compare os resultados.
4 – TRANSISTOR - TBJ

β IBQ(μA) ICQ(mA) VCEQ(V)

140 6,05 0,85 12,22
70 11,81 0,83 12,46

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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão

Análise Aproximada

VE  VB  VBE
Ri    1RE  RE

VE
4 – TRANSISTOR - TBJ

IE 
RE
RE  10R2

IC  IE
R2
VB  VCC VCE  VCC  IC R C  R E 
R1  R 2

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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão
Exemplo 4.8: Verifique se é possível a utilização do método aproximado
para na análise do circuito do exemplo 4.7. Se possível, refaça a análise e
compare os resultados.
4 – TRANSISTOR - TBJ

Técnica IBQ(μA) ICQ(mA) VCEQ(V)

Exata 6,05 0,85 12,22
Aproximada 6,15 0,861 12,1

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Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão
Exemplo 4.10: Determine os valores de VCEQ e ICQ para o circuito abaixo,
utilizando as técnicas exata e aproximada e compare os resultados.
Justifique se houver discrepância nos resultado encontrados.
4 – TRANSISTOR - TBJ

Técnica ICQ(mA) VCEQ(V)

Exata 1,98 4,54
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Aproximada 2,59 0,388
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4.2.3 – Polarização por Divisor de Tensão
Exemplo 4.27: Determine VB, VE, IE e VCE para o circuito abaixo.
4 – TRANSISTOR - TBJ

Respostas
VB [V] -3,16
VE [V] -2,46
IE [mA] 2,24
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e VCE [V] -10,16