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1. COMPONENTES SEMICONDUTORES RPIDOS DE POTNCIA 1.

Diodos de Potncia Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A figura 1.1 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.

Figura 1.1. Estrutura bsica de um diodo semicondutor Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores). Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso negativa no anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio aumenta, elevando a barreira de potencial. Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra na regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando, basicamente, com a temperatura. Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que destri o componente. Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca

de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo. Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta regio permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o campo eltrico na regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de carga). Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos so altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com caracterstica hmica e no semi-condutor (como se ver adiante nos diodos Schottky). O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas). No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja carga aquela presente na prpria regio de transio. Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que cresce a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons venham da regio N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.2. Suponha-se que se aplica uma tenso vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar alguns aspectos da forma de onda). Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um pico de tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram com a sobre-tenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso para cerca de 1V. Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns. No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso negativa. Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos.

O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos "softrecovery", nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso gerados.

Figura 1.2. Estrutura tpica de diodo de potncia.e Formas de onda tpicas de comutao de diodo de potncia. 1. Diodos Schottky Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento hmico, ou seja, a resistncia do contato governa o fluxo da corrente. Quando este contato feito entre um metal e uma regio semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando a haver tambm um efeito retificador. Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato direto com um semicondutor, como indicado na figura 1.3. O metal usualmente depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte metlica ser o anodo e o semicondutor, o catodo. Numa deposio de Al (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do semicondutor tipo N migraro para o metal, criando uma regio de transio na juno. Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos materiais) esto em trnsito. O seu chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos biplares, uma vez que no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N tem uma dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perda de conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V.

A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tenso, nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas.

Figura 1.3 Diodo Schottky construdo atravs de tcnica de CIs. 1. Transistor Bipolar de Potncia (TBP) 1. Princpio de funcionamento A figura 1.4 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.

Figura 1.4. Estrutura bsica de transistor bipolar A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada. No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cintica suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo, ento, atrados pelo potencial positivo do coletor. O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo.

Na realidade, a estrutura interna dos TBPs diferente. Para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de bloqueio do componente. A figura 1.5. mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As bordas arredondadas da regio de emissor permitem uma homogenizao do campo eltrico, necessria manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor. O TBP no sustenta tenso no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a 20V).

Figura 1.5. Estrutura interna de TPB e seu smbolo O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente. 1. Limites de tenso A tenso aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda sobre a juno J2 a qual, tipicamente, est reversamente polarizada. Existem limites suportveis por esta juno, os quais dependem principalmente da forma como o comando de base est operando, conforme se v nas figuras 1.6 e 1.7. Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na regio ativa, o limite de tenso Vce Vces o qual, se atingido, leva o dispositivo a um fenmeno chamado de primeira ruptura. O processo de primeira ruptura ocorre quando, ao se elevar a tenso Vce, provoca-se um fenmeno de avalanche em J2. Este acontecimento no danifica, necessariamente, o dispositivo. Se, no entanto, a corrente Ic se concentrar em pequenas reas, o sobreaquecimento produzir ainda mais portadores e destruir o componente (segunda ruptura).

Com o transistor desligado (Ib=0) a tenso que provoca a ruptura da juno J2 maior, elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. Isto uma indicao interessante que, para transistores submetidos a valores elevados de tenso, o estado desligado deve ser acompanhado de uma polarizao negativa da base.

Figura 1.6. Tipos de conexo do circuito de base e mximas tenses Vce.

Figura 1.7 Caracterstica esttica de transistor bipolar. 1. rea de Operao Segura (AOS) A AOS representa a regio do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem se danificar. A figura 1.8 mostra uma forma tpica de AOS.

Figura 1.8. Aspecto tpico de AOS de TBP A: Mxima corrente contnua de coletor B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno) C: Limite de segunda ruptura D: Mxima tenso Vce medida que a corrente se apresenta em pulsos (no-repetitivos) a rea se expande. Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento trmico do componente para se saber se possvel utiliz-lo numa dada aplicao, uma vez que a AOS, por ser definida para um nico pulso, uma restrio mais branda. Esta anlise trmica feita com base no ciclo de trabalho a que o dispositivo est sujeito, aos valores de tenso e corrente e impedncia trmica do transistor, a qual fornecida pelo fabricante. 1. Regio de quase-saturao Consideremos o circuito mostrado na figura 1.9, e as curvas estticas do TBP al indicadas. Quando Ic cresce, Vce diminui, dada a maior queda de tenso sobre R. medida que Vce se reduz, caminha-se no sentido da saturao. Os TBP apresentam uma regio chamada de quase-saturao gerada, principalmente, pela presena da camada N- do coletor. semelhana da carga espacial armazenada nos diodos, nos transistores bipolares tambm ocorre estocagem de carga. A figura 1.10 mostra a distribuio de carga esttica no interior do transistor para as diferentes regies de operao. Na regio ativa, J2 est reversamente polarizada e ocorre uma acumulao de eltrons na regio da base. Quando se aproxima da saturao, J2 fica diretamente polarizada, atraindo lacunas da base para o coletor. Tais lacunas associam-se a eltrons vindos do

emissor e que esto migrando pelo componente, criando uma carga espacial que penetra a regio N-. Isto representa um "alargamento" da regio da base, implicando na reduo do ganho do transistor. Tal situao caracteriza a chamada quase-saturao. Quando esta distribuio de carga espacial ocupa toda a regio N- chega-se, efetivamente, saturao.

Figura 1.9 Regio de quase-saturao do TBP. claro que no desligamento toda esta carga ter que ser removida antes do efetivo bloqueio do TBP, o que sinaliza a importncia do timo circuito de acionamento de base para que o TBP possa operar numa situao que minimize a tempo de desligamento e a dissipao de potncia (associada ao valor de Vce).

Figura 1.10 Distribuio da carga esttica acumulada no TBP 1. Ganho de corrente O ganho de corrente dos TBP varia com diversos parmetros (Vce, Ic, temperatura), sendo necessrio, no projeto, definir adequadamente o ponto de operao. Em baixas correntes, a recombinao dos portadores em trnsito leva a uma reduo no ganho, enquanto para altas correntes tem-se o fenmeno da quase-saturao reduzindo o ganho, como explicado anteriormente.

Para uma tenso Vce elevada, a largura da regio de transio de J2 que penetra na camada de base maior, de modo a reduzir a espessura efetiva da base, o que leva a um aumento do ganho.

Figura 1.11 Comportamento tpico do ganho de corrente em funo da tenso Vce, da temperatura e da corrente de coletor. 1. Caractersticas de chaveamento As caractersticas de chaveamento so importantes pois definem a velocidade de mudana de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo relativas s comutaes, que so dominantes nos conversores de alta freqncia. Definem-se diversos intervalos considerando operao com carga resistiva ou indutiva. O sinal de base, para o desligamento , geralmente, negativo, a fim de acelerar o bloqueio do TBP. a) Carga resistiva A figura 1.12 mostra formas de onda tpicas para este tipo de carga. O ndice "r' se refere a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores mximos), enquanto "f" relaciona-se aos tempos de descida. O ndice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de atraso. td: tempo de atraso Corresponde a tempo de descarregamento da capacitncia da juno b-e. Pode ser reduzido pelo uso de uma maior corrente de base com elevado dib/dt. tri: tempo de crescimento da corrente de coletor Este intervalo se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e depende da corrente de base. Como a carga resistiva, uma variao de Ic provoca uma mudana em Vce.

Figura 1.12 Caracterstica tpica de chaveamento de carga resistiva ts: tempo de armazenamento Intervalo necessrio para retirar (Ib<0) e/ou neutralizar os portadores estocados no coletor e na base tfi: tempo de queda da corrente de coletor Corresponde ao processo de bloqueio do TBP, com a travessia da regio ativa, da saturao para o corte. A reduo de Ic depende de fatores internos ao componente, como o tempo de recombinao, e de fatores externos, como o valor de Ib (negativo). Para obter um desligamento rpido deve-se evitar operar com o componente alm da quase-saturao, de modo a tornar breve o tempo de armazenamento. b) Carga indutiva Seja Io>0 e constante durante a comutao. A figura 1.13 mostra formas de onda tpicas com este tipo de carga. b.1) Entrada em conduo Com o TBP cortado, Io circula pelo diodo (=> Vce=Vcc). Aps td, Ic comea a crescer, reduzindo Id (pois Io constante). Quando Ic=Io, o diodo desliga e Vce comea a diminuir. Alm disso, pelo transistor circula a corrente reversa do diodo. b.2) Bloqueio Com a inverso da tenso Vbe (e de Ib), inicia-se o processo de desligamento do TBP. Aps tsv comea a crescer Vce. Para que o diodo conduza preciso que Vce>Vcc.

Enquanto isto no ocorre, Ic=Io. Com a entrada em conduo do diodo, Ic diminui, medida que Id cresce (tfi). Alm destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic de 10% a 2% tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic

Figura 1.13. Formas de onda com carga indutiva 1. Circuitos amaciadores (ou de ajuda comutao) - "snubber" O papel dos circuitos amaciadores garantir a operao do TBP dentro da AOS, especialmente durante o chaveamento de cargas indutivas. a) Desligamento - Objetivo: atrasar o crescimento de Vce (figura 1.14) Quando Vce comea a crescer, o capacitor Cs comea a se carregar (via Ds), desviando parcialmente a corrente, reduzindo Ic. Df s conduzir quando Vce>Vcc. Quando o transistor ligar o capacitor se descarregar por ele, com a corrente limitada por Rs. A energia acumulada em Cs ser, ento, dissipada sobre Rs. Sejam as formas de onda mostradas na figura 1.15. Considerando que Ic caia linearmente e que IL constante, a corrente por Cs cresce linearmente. Fazendo-se com que Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de potncia se reduzir a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador (supondo trv=0)

Figura 1.14. Circuito amaciador de desligamento e trajetrias na AOS

Figura 1.15. Formas de onda no desligamente sem e com o circuito amaciador. O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo ligado do TBP e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possvel. b) Entrada em conduo: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 1.16) No circuito sem amaciador, aps o disparo do TBP, Ic cresce, mas Vce s se reduz quando Df deixar de conduzir. A colocao de Ls provoca uma reduo de Vce, alm de reduzir a taxa de crescimento de Ic. Normalmente no se utiliza este tipo de circuito, considerando que os tempos associados entrada em conduo so bem menores do que aqueles de desligamento. A prpria indutncia parasita do circuito realiza, parcialmente, o papel de retardar o crescimento da corrente e diminuir a tenso Vce. Inevitavelmente, tal indutncia ir

produzir alguma sobretenso no momento do desligamento, alm de ressoar com as capacitncias do circuito.

Figura 1.16. Circuito amaciador para entrada em conduo. 1. Conexo Darlington Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usulmente so utilizadas conexes Darlington (figura 1.17), que apresentam como principais caractersticas: - ganho de corrente = 1(+1)+ - T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada - tanto o disparo quanto o desligamento so sequenciais. No disparo, T1 liga primeiro, fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo a corrente de base de T2.

Figura 1.17. Conexo Darlington. Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as perdas de chaveamento. Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia ponte), como mostrado na figura 1.18, quando o conjunto superior conduz, o inferior deve estar desligado. Deve-se lembrar aqui que existem capacitncias associadas s junes dos transistores. Quando o potencial do ponto A se eleva (pela conduo de T2) a juno B-C ter aumentada sua largura, produzindo uma corrente a qual, se a base de T3 estiver aberta,

circular pelo emissor, transformando-se em corrente de base de T4, o qual poder conduzir, provocando um curto-circuito (momentneo) na fonte. A soluo adotada criar caminhos alternativos para esta corrente, por meio de resistores, de modo que T4 no conduza. Alm destes resistores, usual a incluso de um diodo reverso, de emissor para coletor, para facilitar o escoamento das cargas no processo de desligamento. Alm disso, tal diodo tem fundamental imporncia no acionamento de cargas indutivas, uma vez que faz a funo do diodo de circulao.

Figura 1.18 Conexo Darlington num circuito em ponte. Usualmente associam-se aos transistores em conexo Darlington, outros componentes, cujo papel garantir seu bom desempenho em condies adversas, como se v na figura 1.18.

Figura 1.19. Conexo Darlington com componentes auxiliares. 1. Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento Um ponto bsico utilizar uma corrente de base adequada:

Figura 1.20 Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP. As transies devem ser rpidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado Ib1 permite uma reduo de tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP operar na regio de quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa, acelerando assim a retirada dos portadores armazenados. Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para evitar a saturao, como mostrado na figura 1.21. Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib desviado por D1. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.

Figura 1.21. Arranjo de diodos para evitar saturao. 1. MOSFET 2. Princpio de funcionamento (canal N) O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um diodo entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre quando Vds>0. A figura 1.22 mostra a estrutura bsica do transistor. Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico) presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (Rds), permitindo o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva".

Figura 1.22. Estrutura bsica de transistor MOSFET. A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N-. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente Id se mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A figura 1.23 mostra a caracterstica esttica do MOSFET, Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012 ohms. Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas. A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes. A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de volts, por causa da capacidade de isolao da camada de SiO2.

Figura 1.23. Caracterstica esttica do MOSFET. 1. rea de Operao Segura A figura 1.24 mostra a AOS dos MOSFET. Para tenses elevadas ela mais ampla que para um TBP equivalente, uma vez que no existe o fenmeno de segunda ruptura. Para baixas tenses, entretanto, tem-se a limitao da resistncia de conduo. A: Mxima corrente de dreno contnua B: Limite da regio de resistncia constante C: Mxima potncia (relacionada mxima temperatura de juno) D: Mxima tenso Vds

Figura 1.24. AOS para MOSFET. 1. Caracterstica de chaveamento - carga indutiva a) Entrada em conduo (figura 1.25) Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo (Vth), aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito

Miller), fazendo com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg. Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja descarregado.

Figura 1.25 Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva. Os manuais fornecem informaes sobre as capacitncias operacionais do transistor (Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 1.26, as quais se relacionam com as capacitncias do componente por: Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curto-circuitada Crs = Cgd Coss ~ Cds + Cgd

Figura 1.26. Capacitncias de transistor MOSFET b) Desligamento O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de entrada. Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP. 1. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento semelhante dos transistores bipolares. 1. Princpio de funcionamento A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 1.27. Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar. O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas

regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.

Figura 1.27. Estrutura bsica de IGBT. 1. Caractersticas de chaveamento A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+. Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibllitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente. 1. Alguns Critrios de Seleo Um primeiro critrio o dos limites de tenso e de corrente. Os MOSFET possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A. J os TBP e IGBT atingem potncias mais elevadas, indo at 1200V/500A. Como o acionamento do IGBT muito mais fcil do que o do TBP, seu uso tem sido crescente, em detrimento dos TBP. Outro importante critrio para a seleo refere-se s perdas de potncia no componente. Assim, aplicaes em alta freqncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados

MOSFETs. Em freqncias mais baixas, qualquer dos 3 componentes podem responder satisfatoriamente. No entanto, as perdas em conduo dos TBPs e dos IGBTs so sensivelmente menores que as dos MOSFET. Como regra bsica: em alta freqncia: MOSFET em baixa freqncia: IGBT