Ramos FranciscoAntonioTadeu M

i
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

Faculdade de Tecnologia
Francisco Antônio Tadeu Ramos
Análise de um amplificador classe B para cargas

piezelétricas
Limeira
2021
ii
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

Faculdade de Tecnologia
Análise de um amplificador classe B para cargas piezelétricas
Dissertação de Mestrado apresentado ao

Programa de Pós-Graduação da Faculdade
de Tecnologia da Universidade Estadual de
Campinas para obtenção do título de
Mestre em Tecnologia na área de Ciências
dos Materiais.
Orientador: Prof. Dr. Francisco José Arnold.
Este trabalho corresponde à versão final da dissertação defendida pelo aluno Francisco
Antônio Tadeu Ramos, e orientada pelo prof. Dr. Francisco José Arnold.
Limeira
2021
iii
iv
Dissertação de Mestrado em Tecnologia

Área de Concentração: Ciências dos Materiais
Análise de um amplificador classe B para cargas piezelétricas
Abaixo se apresentam os membros da comissão julgadora da sessão pública de defesa de

dissertação para o Título de Mestre em Tecnologia na área de concentração de Ciência dos
Materiais, a que submeteu o aluno Francisco Antônio Tadeu Ramos, em 14 de dezembro de
2021 na Faculdade de Tecnologia- FT/ UNICAMP, em Limeira/SP.
__________________________________________________________________________
Prof. Dr. Francisco José Arnold
FT - UNICAMP
Presidente
__________________________________________________________________________
Prof. Dra. Talia Simões dos Santos Ximenes
FT - UNICAMP
___________________________________________________________________________
Prof. Dr. José Martins Júnior
EEP - FUMEP
Ata da defesa, assinada pelos membros da Comissão Examinadora, consta no SIGA/Sistema de

Fluxo de Dissertação/Tese e na Secretaria de Pós-Graduação da FT.
v
Dedicatória
Dedico este trabalho à minha querida esposa, Maria Angélica, pelo incentivo, força e
compreensão nesta jornada.
À minha filha Nathália,’Billie’, que também foi uma grande motivadora para a busca
de um Sol brilhante em nossas vidas.
Ao amigo Hélcio Silva (i.m.), vítima dessa terrível pandemia, grande companheiro
de trabalho e estudos.
vi
Agradecimentos
Agradeço primeiramente a Deus que me deu forças para trilhar por esse caminho.
À Profa. Dra. Talia Simões dos Santos Ximenes e ao Prof. Dr. Rangel Arthur pela
atenção, apoio e informações dispensadas, no decorrer dessa pós-graduação.
Agradeço especialmente ao meu orientador, Prof. Dr. Francisco José Arnold, pelo
profissionalismo, atenção e disponibilidade de atendimento dedicados para a elaboração deste
trabalho.
Agradeço também aos professores e funcionários da Faculdade de Tecnologia da

Universidade Estadual de Campinas pelo grandioso serviço prestado à pesquisa e também a
todos meus colegas da pós-graduação.
O presente trabalho foi realizado com apoio da Coordenação de Aperfeiçoamento

de Pessoal de Nível Superior - Brasil (CAPES) - Código de Financiamento 001.
vii
Resumo
Transdutores piezelétricos são dispositivos utilizados em diversas aplicações no

campo da instrumentação industrial, incluindo a geração de ultrassom para diversos fins. Para
geração de ultrassom, esses dispositivos precisam ser excitados por potências elétricas que, por
meio da conversão piezelétrica, transformam energia elétrica em energia acústica. Para
aplicações de ultrassom de potência empregam-se amplificadores eletrônicos de elevada
eficiência para alimentar o transdutor. A carga desse amplificador é constituída pelo transdutor
e pelo meio de propagação. Estes elementos podem sofrer modificações de suas propriedades
físicas, as quais influenciarão na resposta do amplificador. Portanto, o projeto do amplificador
deve levar em conta variações de impedância elétrica (magnitude e fase) de sua carga. A
proposta deste trabalho é analisar um amplificador de potência classe B para acionar
transdutores piezelétricos. Este estudo concentrou-se no balanço de potência dos amplificadores
de classe B sob cargas reativas aplicadas, de modo a emular o comportamento de um transdutor
piezelétrico. Resultados teóricos e experimentais foram confrontados com a intenção de
compreender os limites de operação do amplificador quando sua carga apresenta componentes
reativas. Os resultados mostraram que a inclusão de componentes reativas na carga do
amplificador leva a situações de perda de eficiência e aumento na dissipação dos transistores.
Com este estudo espera-se obter subsídios para aplicação de um sistema de preservação desses
amplificadores através de circuitos seguidores de ressonância.
Palavras-chave: Eficiência, Amplificador de Potência, Transdutor de Potência.

viii
Abstract
Piezoelectric transducers are devices used in various applications in the field of

industrial instrumentation, including the generation of ultrasound for various purposes. For
ultrasound generation, these devices need to be excited by electrical powers that, through
piezoelectric conversion, transform electrical energy into acoustic energy. For power ultrasound
applications, high-efficiency electronic amplifiers are used to power the transducer. The load of
this amplifier is constituted by the transducer and the propagation medium. These elements can
undergo changes in their physical properties, which will influence the amplifier's response.
Therefore, the amplifier design must take into account electrical impedance variations
(magnitude and phase) of its load. The purpose of this work is to analyse a class B power
amplifier to drive piezoelectric transducers. This study focused on the power balance of class
B amplifiers under applied reactive loads, in order to emulate the behaviour of a piezoelectric
transducer. Theoretical and experimental results were compared with the intention of
understanding the amplifier operating limits when its load has reactive components. The results
showed that the inclusion of reactive components in the amplifier load leads to situations of
loss of efficiency and increase in transistor dissipation. With this study it is expected to obtain
subsidies for the application of a preservation system for these amplifiers through resonance
follower circuits.
Keywords: Efficiency, Power Amplifiers, Piezoelectric transducer.

ix
Sumário
1. Introdução ............................................................................................................................. 10
1.1 Objetivos ......................................................................................................................... 12

1.2 Revisão bibliográfica ...................................................................................................... 12
1.2.1 Piezeletricidade, transdutores piezelétricos e circuitos equivalentes. ...................... 12
1.2.2 Amplificadores em Classe B .................................................................................... 13
1.3 Organização do trabalho ................................................................................................. 13
2. Fundamentos Teóricos .......................................................................................................... 14
2.1) Modelo BVD ................................................................................................................. 14

2.2 Características de um amplificador Classe B ................................................................. 17
2.2.1 Características Gerais ............................................................................................... 17
2.2.2 Funcionamento ......................................................................................................... 18
2.2.3. Distorção de cruzamento (crossover) ...................................................................... 19
2.2.4 Equações para amplificadores com cargas reativas ................................................. 20
3. Metodologia.......................................................................................................................... 22
3.1 Determinação da carga do amplificador ......................................................................... 23

3.2 Procedimentos experimentais com o amplificador classe B ........................................... 23
Os componentes do amplificador estão listados na Tabela 1: .............................................. 24
4. Resultados e discussões ........................................................................................................ 26
4.1) Circuito BVD e variações .............................................................................................. 26

4.2 Análises das Potências .................................................................................................... 27
4.3 Análises de potências no domínio do tempo................................................................... 38
4.3.1 Resultados com L = 2μH .......................................................................................... 38
4.3.2 Resultados com R = 82Ω ......................................................................................... 41
5. Conclusão e sugestão para trabalhos futuros ........................................................................ 44
6. Referências bibliográficas .................................................................................................... 46
ANEXOS : RESULTADOS ..................................................................................................... 49

10
1. Introdução
Os amplificadores são circuitos eletrônicos capazes de aumentar a potência elétrica

de um sinal elétrico a ser fornecido a uma carga. Ao amplificar um sinal, é muito importante
que a informação contida nele não seja modificada, tampouco introduzida uma informação
nova. Portanto, em um amplificador alimentado com um sinal, o esperado é que o sinal da saída
seja uma cópia exata desse sinal de entrada, exceto quanto à amplitude, que deverá ser maior.
Qualquer modificação na forma de onda da saída será considerada uma distorção (SEDRA,
A.S. et al. 2000).
O modo pelo qual um amplificador opera é definido por classes que são
relacionadas ao consumo de potência desses circuitos. Existem várias classes de amplificadores,
mas para aplicações de alta potência as mais empregadas são a B, D e E e variações destas. Em
geral, esses amplificadores ampliam a potência por meio da magnificação da corrente, portanto
são amplificadores tipicamente de corrente.
Em sistemas de ultrassom para aplicações de potência elevada, como em tanques
de limpeza, ferramentas de corte e soldagem, litotripsores, entre outros, um dos fatores mais
importantes é ter amplificadores com elevada eficiência. Portanto, esse fator restringe a escolha
dos amplificadores às classes acima mencionadas.
De forma geral, os amplificadores são projetados para concentrar sua resposta em
cargas resistivas, por isso a natureza do problema vem do fato que os transdutores piezelétricos
possuem, intrinsecamente, componentes reativas. Embora essas componentes possam ser
anuladas por circuitos auxiliares, ao operar em potência elevada, os transdutores podem
apresentar variações das ressonâncias que, consequentemente, irão promover novamente
componentes reativos na impedância da carga do circuito do amplificador. As variações na
impedância elétrica dos transdutores devem-se a oscilações de temperatura, vibrações com
magnitudes elevadas, montagens do transdutor em dispositivos mecânicos, entre outras.
Os amplificadores de classe D e E operam a partir do chaveamento de transistores,
em geral transistores de efeito de campo (FET), por isso apresentam eficiência superior a 90%.
No entanto, é necessário utilizar filtros e técnicas apropriadas para eliminar as harmônicas
decorrentes do chaveamento o que, em muitas vezes, conduz a uma maior complexidade do
projeto. Por outro lado, os amplificadores de classe B apresentam eficiência não superior a 70%,
mas fornecem à carga sinal harmônico com baixas taxas de distorção.
11
Neste trabalho foi realizado um estudo para analisar o comportamento de

amplificadores de classe B. Foram analisados os principais elementos considerados em um
projeto de amplificador como aqueles ligados ao consumo de potência e à eficiência quando a
carga modifica suas características elétricas por alterações na sua impedância.
Para esse circuito, os sistemas de ultrassom de potência são compostos por um
circuito oscilador, um amplificador de potência, filtros (ou circuitos de sintonia) e o transdutor
piezelétrico, como pode ser visto na Figura 1. O oscilador gera um sinal elétrico senoidal com
frequência fundamental sintonizada na ressonância (ou próxima dela) do transdutor. Nessas
condições a eficiência do sistema se maximiza. No entanto, esses transdutores piezelétricos
podem ter seu comportamento elétrico modificado por agentes externos já mencionados. Assim,
o comportamento da carga do amplificador (transdutor), modifica-se na resposta em frequência,
passando a ter outra ressonância e estabelece-se uma divergência com o sinal produzido pelo
circuito oscilador. A consequência disso é a diminuição abrupta da eficiência, visto que
normalmente estes transdutores possuem elevado fator Q.
Figura 1 - Diagrama de blocos de um sistema de ultrassom.
Fonte: elaborada pelo autor (2021).

Com a diferença entre a frequência do oscilador e a da ressonância do transdutor, a
etapa de saída do amplificador passará a ter tensões e correntes com defasagens, isto é, a carga
passa a ter componente reativa, que pode ser de natureza capacitiva ou indutiva. Além da
diminuição da eficiência, este efeito também deverá estabelecer riscos aos transistores dos
amplificadores.
Diante desse problema, é necessário agregar ao esquema da Figura 1 circuitos de
proteção dos transistores (snubbers) e circuitos que promovam a correção da ressonância do
circuito oscilador a partir das variações da impedância do transdutor. Como etapa precedente
do desenvolvimento desses circuitos deve-se conhecer o impacto que o surgimento de
componentes reativas produz nos circuitos amplificadores. Portanto, este trabalho está
direcionado a uma análise do comportamento dos amplificadores usados para excitar
12
transdutores piezelétricos de potência, particularmente o de classe B, visando obter subsídios

para o projeto de circuitos rastreadores de ressonância (resonance tracker) e snubbers.
O presente trabalho também prevê a realização da caracterização dos transdutores
piezelétricos e a obtenção da margem de variação dos valores dos componentes do seu circuito
elétrico equivalente. Assim, por meio deste segmento de estudo será possível avaliar como tais
variações afetam, de fato, os indicadores de potência e resposta em frequência do amplificador
a ser desenvolvido. O desenvolvimento do trabalho foi baseado em protótipos e simulações. Os
resultados teóricos do trabalho foram confrontados com testes experimentais em bancada e com
simulações computacionais.
1.1 Objetivos
O objetivo deste trabalho é analisar o comportamento e as limitações dos

amplificadores de classe B na ocorrência de variações de impedância de um transdutor
piezelétrico usado como carga. O estudo irá analisar detalhes do funcionamento desses
amplificadores transistorizados em termos do seu balanço de potências em circuitos com cargas
reativas.
1.2 Revisão bibliográfica
1.2.1 Piezeletricidade, transdutores piezelétricos e circuitos equivalentes.
Piezeletricidade é a capacidade que alguns materiais possuem de gerar diferenças

de potencial em resposta a uma tensão (stress) mecânica aplicada (GAUTSCHI, 2002) (efeito
piezelétrico direto). O efeito piezelétrico é reversível, isto é, também é possível a geração de
energia elétrica mediante tensão mecânica aplicada (SKOOG et al., 2009) (efeito piezelétrico
reverso). No efeito piezelétrico direto encontram-se principalmente aplicações em geração de
energia, enquanto que no efeito reverso, uma das aplicações principais é na geração de
ultrassom. Os transdutores piezelétricos modernos utilizados na geração de ultrassom são
projetados a partir de cerâmicas piezelétricas de PZT ou de composições similares, pois
apresentam fatores de conversão muito superiores aos dos materiais piezelétricos naturais
como, por exemplo, o quartzo.
13
A análise dos transdutores piezelétricos é feita de diversas formas, pela modelagem

analítica usando as equações piezelétricas (BERLINCOURT et al., 1964), por métodos
numéricos (LERCH, 1990) e por circuitos elétricos equivalentes (BALLATO, 2001). Este
último é muito comum devido à facilidade na manipulação dos circuitos elétricos e da
correspondência de efeitos que há entre a eletricidade e a mecânica. Nas aplicações de ultrassom
em potências elevadas com elevado fator Q, o modelo Butterworth-Van Dyke (BVD) é o mais
conhecido e eficaz (ANSI/IEEE, 1987).
1.2.2 Amplificadores em Classe B
A teoria sobre os amplificadores classe B é bem conhecida e encontra-se em livros

de eletrônica básica (MALVINO et al, 2016), (BOYLESTAD et al, 2013), (SEDRA et al, 2000).
Usualmente, nessas referências as análises levam em conta cargas resistivas e destacam
aspectos como potência fornecida, potência consumida, potência dissipada nos transistores e
eficiência. No entanto, neste trabalho, além da condição resistiva da carga também devemos
considerar componentes reativas decorrentes dos desvios de ressonância já mencionados. Uma
análise devida às cargas reativas encontra-se em (BORTONI, 1999).
Os amplificadores que operam em potências elevadas possuem intrinsecamente
elevadas dissipações de potência, o que impacta diretamente na eficiência do circuito. Os
limites relativos a dissipação de potências nos amplificadores classe B são discutidos em
(RECKLINGHAUSEN, 1965; INBAR, 1965; BAKER, 1962).
Um amplificador de classe B com eficiência melhorada para utilização como
acionador de piezelétricos foi apresentado por Wallenhauer, (2009). Foi Wang (1987), que usou
uma adaptação de amplificador classe B (classe AB) para acionar pilhas de cerâmicas
piezelétricas. Svilainis (2006), projetou um amplificador classe B, baseado em MOSFETs, para
cargas piezelétricas usadas em um sistema de ultrassom.
1.3 Organização do trabalho
Este trabalho está organizado em cinco capítulos, relacionados da seguinte forma:
• Capítulo 1 – é composto pela introdução do trabalho e pela revisão bibliográfica.

14
• Capítulo 2- apresenta o embasamento teórico necessário para a proposta do projeto:

todas as características e funcionamento do amplificador classe B;
• Capítulo 3 - apresenta os resultados em testes de: simulação, modelo teórico

(BORTONI, 2021) e experimental, em amplificador de potência classe B com carga
reativa RL. Para os testes de simulação e modelo teórico os circuitos foram
esquematizados em software de simulação LTspice da Linear Technology, Matlab da
MathWorks e no Octave da GNU;
• Capítulo 4 – apresenta os resultados dos testes de simulações realizadas no amplificador

classe B, em gráficos e tabelas.
• Capítulo 5 – conclui o trabalho, verificando os objetivos pretendidos na análise, quanto

ao rendimento energético da potência útil e sugestão para trabalhos futuros.
2. Fundamentos Teóricos
Neste capítulo serão apresentados os fundamentos teóricos sobre circuitos elétricos

BVD a serem empregados neste trabalho. Também é apresentada a descrição particularizada
das características do amplificador de classe B com cargas resistivas e reativas.
2.1 Modelo BVD
A Figura 2 apresenta o circuito BVD. Este circuito possui dois ramos: um ramo
elétrico, constituído por C0, que indica a capacitância intrínseca do transdutor sem deformação;
o ramo mecânico, constituído por C1, L1 e R1, que representam as propriedades elásticas,
inerciais e dissipativas, respectivamente. (KIM et al., 2008).
Figura 2– Circuito elétrico equivalente BVD de um transdutor piezelétrico.
Fonte: adaptada de Van Dyke (1928).

15
A impedância do transdutor modelado pelo circuito BVD (Z = ZR + jZI ) possui ZR e ZI

como as suas componentes real e imaginária, que são dadas pelas equações 1 e 2:
𝑅1(𝐶1)2 𝜔
𝑍𝑅 = (𝐿1𝐶1𝐶0)2𝜔5+[(𝑅1𝐶0𝐶1)2−2𝐿1(𝐶0𝐶1(𝐶0+𝐶1)]𝜔3+(𝐶0+𝐶1)2𝜔 (1)
−(𝐿1𝐶1)2 𝐶0𝜔4 +[𝐿1𝐶1(𝐶1+2𝐶0)−(𝑅1𝐶1)2 𝐶0]𝜔2 −(𝐶0+𝐶1)

𝑍𝐼 = (𝐿1𝐶1𝐶0)2 𝜔5+[(𝑅1𝐶0𝐶1)2−2𝐿1(𝐶0𝐶1(𝐶0+𝐶1)]𝜔3+(𝐶0+𝐶1)2𝜔 (2)
ω = 2πf é a frequência angular em rad/s;

f é a frequência em Hz.
A Figura 3 ilustra a curva da impedância elétrica típica de um transdutor

piezelétrico nas proximidades da ressonância. O valor mínimo do módulo da impedância
corresponde à frequência de ressonância. Nessas condições o ramo mecânico assume um
comportamento meramente resistivo.
Figura 3 - Impedância e ângulo de fase em função da frequência.
Fonte: adaptada de Murata Manufacturing (2013).
Quando o transdutor é sujeito a efeitos externos como variações da carga acústica

(VERRATI et al., 2020; ARNOLD et al., 2021; SHUYU, 2005) e alteração do pré-
tensionamento mecânico (ARNOLD et al., 2014) a curva da impedância se desloca
estabelecendo outras ressonâncias. Além disso, os efeitos externos também modificam a
magnitude da impedância. Por meio de metodologias apropriadas descritas nos trabalhos
referenciados neste parágrafo, é possível determinar as variações dos valores dos componentes
do circuito equivalente BVD.
16
Quando o ramo mecânico do circuito BVD está em ressonância, a impedância

resultante ainda apresenta uma componente reativa promovida por C0. Como os amplificadores
têm melhor desempenho trabalhando com cargas reais, é adequado empregar uma indutância
L0 ligada em paralelo ao transdutor para anular o componente reativo de C0. A introdução de
L0 não altera a ressonância. A Figura 4 mostra o circuito resultante dessa associação e que será
empregada como carga do amplificador e denominada TPL0.
Figura 4 - Circuito equivalente BVD em paralelo com indutor L0 (TPL0).
A impedância elétrica total de TPL0 é dada pela Equação 3
𝑍𝐿0 = 𝑍𝑅𝐿0 + 𝑗𝑍𝐼𝐿0 (3)
onde ZRL0 é a componente real e ZIL0 é a componente imaginária de TPL0, representadas pela
equações 4 e 5:
(𝑍𝑅2 +𝑍𝐼2 )𝑅𝐿0 +𝑍𝑅 (𝑅𝐿0
2 2
+𝑋𝐿0 )
𝑍𝑅𝐿0 = (4)
(𝑍𝑅 +𝑅𝐿0 )2 +(𝑍𝐼 +𝑋𝐿0 )2
𝑋𝐿0 [𝑍𝑅2 +𝑍𝐼2 +𝑋𝐿0 𝑍𝐼 ]+𝑍𝐼 𝑅𝐿0

2
𝑍𝐼𝐿0 = (5)
(𝑍𝑅 +𝑅𝐿0 )2 +(𝑍𝐼 +𝑋𝐿0 )2
onde RL0 e XL0 são as componentes real e imaginária do indutor Lo.

A equação 3 mostra que a representação final do circuito da Figura 1 pode ser
representada por um circuito em série composto por um componente resistivo e um componente
imaginário. Outros estudos, (ARNOLD et al., 2021; KAUCSOR et al.,2004), demonstram que
efeitos externos ao transdutor podem promover variações na impedância do mesmo, a qual pode
ser emulada por pequenos aumentos de R1 e C1. Estas variações resultam em uma diminuição
da frequência de ressonância e a carga do amplificador tem um comportamento semelhante a
um circuito série com componentes resistiva e indutiva.
17
2.2 Características de um amplificador Classe B
Nesse tópico serão apresentadas as análises teóricas de um amplificador classe B

para cargas resistivas e reativas. Serão apresentadas as principais características, equações de
potencias de saída e fornecida pela fonte, eficiência e a potência dissipada nos transistores.
2.2.1 Características Gerais
Um amplificador classe B é baseado em um circuito push-pull onde os transistores

só conduzem em um semiciclo, o que faz melhorar a eficiência do amplificador. A Figura 5
mostra o diagrama esquemático um amplificador classe B
Figura 5 - Amplificador classe B.
Os transistores de um amplificador classe B são polarizados com o ponto quiescente

próximo a região de corte. Nesta operação a corrente do coletor circula por apenas 180º do ciclo
CA. Para tanto o ponto Q deve se situar no corte para as duas retas de carga CC e CA. Isso
polariza a junção do diodo emissor dos transistores com tensões entre 0,6 e 0,7 V, ficando no
limite de condução, idealmente com a corrente quiescente do coletor igual a zero (ICQ = 0)
(MALVINO et al.,2016).
O circuito da Figura 6 ilustra o amplificador classe B, com seguidor de emissor npn
e um seguidor de emissor pnp conectados num arranjo simétrico, formado pelos transistores Q1
e Q2, respectivamente. Os transistores Q1 e Q2 deve ser um par casado, ou seja, devem possuir
características elétricas idênticas, mas em configurações opostas.
18
Fazendo uma análise do circuito só com correntes contínuas, escolhem-se os

resistores de polarização para situar o ponto Q no ponto de corte. Em geral, esses resistores
estabelecem uma distribuição simétrica com R1=R4 e R2=R3 que garanta a operação no limiar
𝑉𝑐𝑐
da região de corte, ou seja ICQ = 0 e 𝑉𝐶𝐸𝑄 = .
2
Análises detalhadas sobre a polarização, reta de carga e circuitos equivalentes CC

e CA são encontradas nas referências básicas de eletrônica analógica (MALVINO et al.,2016),
(BOYLESTAD et al, 2013), (SEDRA et al, 2000).
2.2.2 Funcionamento
No circuito da Figura 6, no semiciclo positivo do sinal de tensão na entrada (vCA),

o transistor Q1 entra em condução e o Q2 mantem-se em corte. Assim, por se estabelecer uma
configuração de seguidor de emissor, a tensão na carga é aproximadamente igual à tensão de
entrada. No próximo semiciclo da tensão de entrada, a polaridade se inverte: Q2 conduz e Q1
mantem-se no corte. Logo a tensão na carga também fica aproximadamente igual à da entrada.
Portanto, a tensão da carga é uma reprodução aproximada do sinal de entrada resultante do
fornecimento de potência alternado dos transistores nos 2 semiciclos. Essa condição de
operação alternada faz com que a fonte +Vcc forneça potência no semiciclo positivo, enquanto
a fonte -Vcc forneça no semiciclo negativa.
Figura 6 - Amplificador classe B (operando em push-pull).

19
Uma vantagem do uso dessa classe de amplificadores é que cada transistor fica em
corte quando não há sinal de entrada, portanto não há dreno de corrente quando o sinal for igual
à zero. Outra vantagem é a melhoria na eficiência na presença de um sinal de entrada. A
eficiência teórica máxima de um amplificador classe B é de 78,5%, (MALVINO, et al., 2016).
2.2.3. Distorção de cruzamento (crossover)
Durante o funcionamento do amplificador, a tensão da entrada nos transistores

precisa ser aproximadamente ente 0,6 e 0,7 V, que faz o sinal vencer as barreiras de potenciais
das junções base-emissor. Se não existir uma polarização adequada nesses diodos, não circulará
corrente pelos transistores quando o sinal de entrada for menor que 0,6 V para o semiciclo
positivo de Q1 e maior que -0,6 V para o semiciclo negativo de Q2. Isto leva a um tipo de
distorção chamado de cross-over, ilustrado na Figura 7.
Figura 7 - Distorção por crossover.
Fonte: Boylestad (2013).
O efeito da distorção cruzada será mais significativo quando a amplitude do sinal

de entrada é pequena. Esta distorção pode ser tratada com uma pré-polarização nestes
transistores, posicionando o ponto Q um pouco acima da região de corte (Figura 8a) pela
inclusão de diodos com características elétricas iguais aos diodos de base e emissor do transistor
(Figura 8b).
Figura 8 a) Ponto Q um pouco acima da região de corte; b) polarização com diodos.

20
a)
b)
Fonte: adaptado de Boylestad (2013).
2.2.4 Equações para amplificadores com cargas reativas
O diagrama esquemático do circuito do amplificador classe B com carga reativa

usado neste trabalho está apresentado na Figura 9:
Figura 9 - Amplificador com carga reativa.

21
A operação desse amplificador sob cargas puramente resistivas é amplamente

discutida nas referências bibliográficas (BOYLESTAD et al., 2013; MALVINO, 1987;
SEDRA, SMITH, 2007). A introdução de uma componente reativa na carga, redefine-a como
ZL0. Portanto, haverá uma defasagem entre a tensão e a corrente na carga. Com isso a potência
média na carga será dada pela Equação 6.
𝑉𝐿2
𝑃𝐿 (𝜔) = 2|𝑍 𝑐𝑜𝑠𝜑(𝜔) (6)
𝐿0 (𝜔)|
onde VL é a tensão na carga ZL0.
Pela Lei de Kircchoff para tensões, Vcc = VCE + VL. Quando VL alcança um valor
máximo haverá saturação de um dos transistores. Assumiremos que a tensão de saturação VCEsat
seja um valor próximo de zero, logo Vcc = VCEsat + VLmax. Cada fonte de alimentação do circuito
da Figura 9 fornece corrente na forma senoidal em um semiciclo, logo o valor médio da corrente
𝑉𝑅𝐿 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡)
na carga, e por conseguinte, fornecido pela fonte será dado por 𝐼𝐿 = . Assim, a
𝜋∣𝑍𝐿0 (𝜔)∣
potência média fornecida pelas fontes de alimentação serão obtidas pelo produto de Vcc e IL.
Após alguma manipulação algébrica, a potência média total fornecida pelas fontes de
alimentação (Ps) são dadas Equação 7.
2 𝑉𝐿 𝑉
𝑃𝑠 (𝜔) = 𝜋 |𝑍 𝑉𝐿𝑚𝑎𝑥 (1 + 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ) (7)
𝐿0 (𝜔)| 𝐿𝑚𝑎𝑥
22
A potência dissipada nos transistores PD, dada pela Equação 8, é obtida pela
diferença entre a potência fornecida pela fonte e a consumida pela carga.
2 𝑉𝐿 𝑉 𝑉𝐿2
𝑃𝐷 (𝜔) = 𝜋 |𝑍 𝑉𝐿𝑚𝑎𝑥 (1 + 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ) − 2|𝑍 𝑐𝑜𝑠𝜑(𝜔) (8)
𝐿0 (𝜔)| 𝐿𝑚𝑎𝑥 𝐿0 (𝜔)|
Finalmente, a eficiência do amplificador é obtida pela razão das potências entregue

à carga e fornecida pela fonte de alimentação, dada na Equação 9
𝑉
𝜂%(𝜔) = 𝜋𝑉𝐿 /[(4𝑉𝐿𝑚𝑎𝑥 (1 + (𝑉 𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ) 𝑐𝑜𝑠𝜑(𝜔))] (9)
𝐿𝑚𝑎𝑥
Podem ser observadas as seguintes situações:
- para VCEsat = 0 e VL= VLmax , o rendimento 𝜂𝑚𝑎𝑥 em amplificadores classe B com cargas
reativas será de 78,5%, como é visto em (BOYLESTAD et al., 2013; MALVINO, 2016);
- se a frequência for ressonante (o ângulo de defasagem 𝜑= 0), o circuito reativo da
carga passará a ser idealmente resistivo;
- em ambos os casos citados, o valor da eficiência será igual à carga resistiva. Uma vez
saindo-se da frequência de ressonância (𝜑≠ 0), a eficiência do amplificador será menor.
3. Metodologia
Foi verificado em outros estudos (KAUCZOR et al, 2004) que os aumentos de R1

e C1 do circuito BVD deslocam a curva da impedância para a esquerda, reduzindo a
ressonância, e indicando que a carga do amplificador pode ser representada por um circuito
equivalente RL série. Por essa razão, utilizou-se um circuito série resistivo/reativo RL
(BOYLESTAD, 2012) para emular efeitos semelhantes ao efeito causado pela carga. As cargas
reativas indutivas podem avaliar a condição de trabalho do amplificador conforme o grau de
defasagem na qual geralmente os sistemas operam e dessa forma, o mesmo pode ser exposto a
cargas com diferentes características de impedância que implicarão em diferentes valores de
potencias e eficiência do amplificador.
23
Para avaliar essas condições de eficiência e potências foram efetuados

experimentos visando um comparativo dos resultados simulados no software LTspice da Linear
Technology, os resultados do modelo teórico calculados no GNU Octave e Matlab, e finalmente
com os resultados em testes experimentais.
3.1 Determinação da carga do amplificador
Inicialmente foi montado no laboratório de Eletrônica da Faculdade de Tecnologia

da Unicamp, um transdutor piezelétrico utilizado como carga, composto por duas peças de
cerâmica piezelétrica e peças de alumínio. Uma descrição mais detalhada deste transdutor é
mostrada em Arnold et al. (2021). Usando-se um analisador de impedância HP4194A – Agilent,
obteve-se a curva de impedância do transdutor em função da frequência. Encontra-se na
literatura formas mais econômicas para medir impedâncias de transdutores piezelétricos
(VIANA et al., 2015). Os dados obtidos com este equipamento serviram para determinar os
valores dos componentes do circuito BVD por meio de um algoritmo genético que calcula do
desvio quadrático mínimo (ARNOLD et al., 2016). Em seguida, determinou-se a indutância de
sintonia que foi ligada em paralelo ao transdutor para eliminar os efeitos reativos da
capacitância intrínseca da cerâmica piezelétrica. Este conjunto serviu de carga para um
amplificador de classe B.
3.2 Procedimentos experimentais com o amplificador classe B
Nos dois primeiros experimentos foi utilizado um amplificador de potência classe

B, com carga reativa RL, ilustrado na Figura 10, que através de simulações por computador
obteve-se o valor da fase, potência fornecida pela fonte de alimentação entre outros valores
descritos no decorrer dessa metodologia. Os testes experimentais foram realizados em um
protótipo de um amplificador classe B (os procedimentos estão descritos no item 3.2).
24
Figura 10 - Amplificador classe B utilizado nos experimentos.
Por meio das medições das tensões nos pontos A e B (VA e VB), assinalados na
Figura 10, em relação à terra, pode-se determinar as potências de interesse do problema. Para
determinar a potência na carga usa-se VB e IL. Para determinar a potência dissipada no transistor
Qn usa-se a diferença de potenciais entre Vcc e VA para obter VCE e IL. Logo, a potência fornecida
pela fonte será a soma das potências na carga e dissipada nos transistores.
Os componentes do amplificador estão listados na Tabela 1:
Tabela 1 – Componentes do amplificador classe B

Valores
02 fontes de alimentação CC Vcc+;Vcc- 5 V
01 fonte de sinal CA Vca 5 Vp
02 capacitores eletrolíticos C1 e C2 220 μF
02 resistores (polarização) R1 e R2 6800 Ω
02 diodos D1 e D2 1N4148
01 transistor (TBJ) NPN Q1 2N2222
01 transistor (TBJ) PNP Q2 2N2907
Resistores R ver item 4
Indutores L ver ítem 4
Nos procedimentos experimentais e simulações foram levantadas as seguintes

características dos circuitos analisados:
25
Fase (°);
Corrente no coletor dos transistores Q1 e Q2 ICMax;
Potência fornecida pelas fontes de alimentação VCC PsMax;
Potência média nas fontes de alimentação Vcc Psmed;
Potência média e máxima na carga RL PLmed e PLMax;
Potência média e máxima dissipada nos transistores Q1 e Q2 PDmed e PDMax;
Eficiência do amplificador (η).
A obtenção do sinal de entrada vca do amplificador foi feita por um gerador de

funções Tektronix AFG3013C. O amplificador foi alimentado por uma fonte de Alimentação
Dupla DC Regulada 30V/3A - MINIPA-MPC-3003, com tensão simétrica de 5 Vcc. As
medidas de VRL e iL (tensão e corrente na carga), foram obtidas através de osciloscópio nos
pontos A e B do circuito, respectivamente, e ilustrado Figura 10.
No decorrer dos experimentos, sequencialmente os componentes R e L eram

trocados do estágio de saída do amplificador, fazendo-se a leitura da tensão de saída (VRL) e da
corrente na carga (iL) no osciloscópio TDS 2004C – Tektronix. Esses dados registrados foram
exportados ao software Octave/ Matlab onde obteve-se os resultados investigados descritos no
item 3 (fase, correntes, potências e eficiência).
A Imagem 1 apresenta a placa protótipo do amplificador classe B utilizada nos

experimentos.
Imagem 1 - Placa do amplificador classe B
Fonte: autor (2021).

26
4. Resultados e discussões
Neste capítulo encontram-se organizados os resultados obtidos a partir de

procedimento experimental descrito no capítulo 3. Em 4.1 são apresentados os valores do
circuito BVD de referência e os resultados de emulações dos efeitos externos que modificam
esse circuito. Em 4.2 apresentamos a análise de potência para os casos relacionados em 4.1 em
função da fase definida pela impedância da carga do amplificador. Finalmente, em 4.3 são
apresentados os comportamentos das potências em função do tempo por meio da comparação
entre resultados experimentais e previstos no modelo teórico.
4.1 Circuito BVD e variações
Foram determinados os componentes do circuito BVD: R1, L1, C1, C0 e a

frequência de ressonância do circuito fr:
R1 = 43,05 Ω;
L1 = 109,48 mH;
C1 = 359,54 pF;
C0 = 3,57 nF;
fr = 25,367 kHz.
Também foi determinada a indutância de sintonia L0, cujo objetivo foi anular a
componente reativa de C0 (conforme descrito no item 1.2.1). Determinou-se também a
indutância de sintonia L0 em relação ao circuito formado por L0-C0 por ter a mesma
ressonância de L1-C1. O valor calculado para L0 foi de 11,14 mH. Esta indutância foi obtida
por meio de uma década de indutores disponível no laboratório. A resistência interna deste
indutor foi medida e obteve-se RL0 = 206,82 Ω.
Os valores iniciais de C0, C1, L1, R1, L0 e RL0 foram substituídos nas Equações
1, 2, 4 e 5 a fim de determinar a impedância de carga ZLo da Equação 3.
Para os efeitos da influência do meio externo foram incrementados pequenos
valores em R1 (dezenas de Ω) e C1 (unidade de pF). Como consequência destes incrementos,
a ressonância foi diminuída e a carga resultante na saída do amplificador tem um
comportamento semelhante ao circuito de série RL.
27
Tabela 2. Valores de impedância / fase e indutância / resistência
R1a = 43,05 Ω R1b = 53,05 Ω R1c = 63,05 Ω R1d = 73,05 Ω R1e = 83,05 Ω
C1a = 42.98 Ω / 52.92 Ω / 62.84 Ω/ 72.76 Ω / 82.66 Ω/
359,54 0.55 º 0.43 º 0.35 º 0.29 º 0.24 º
pF 2.59 µH / 42.98 2.49 µH / 52.92 2.41 µH / 62.84 2.30 µH / 72.36 2.17 µH /
Ω Ω Ω Ω 82.66 Ω
C1b = 49.54 Ω / 29.67 58.37 Ω / 24.80 67.50 Ω/ 76.82 Ω / 18.51 86.25 Ω / 16.39
360,04 º º 21.22 º º º
pF 153.86 µH / 153.61 µH / 153.29 µH / 153.01 µH / 152.70 µH /
43.04 Ω 52.99 Ω 62.92 Ω 72.85 Ω 82.74 Ω
C1c = 65.01 Ω / 48.37 71.95 Ω / 42.39 79.53 Ω/ 87.56 Ω / 33.52 95.94 Ω / 30.21
360,54 º º 37.52 º º º
pF 304.87 µH / 304.34 µH / 303.90 µH / 303.37 µH / 302.88 µH /
43.19 Ω 53.14 Ω 63.08 Ω 73,00 Ω 82.91 Ω
C1d = 84.58 Ω / 59.12 90.01 Ω / 53.64 96.16 Ω/ 102.89 Ω / 110.10 Ω /
361,04 º º 48.83 º 44.62 º 40.95 º
pF 455.44 µH / 454.78 µH / 454.15 µH / 453.43 µH / 452.74 µH /
43.41 Ω 53.36 Ω 63.30 Ω 73.23 Ω 83.16 Ω
C1e = 105.98 Ω/ 110.34 Ω / 115.39 Ω / 121.04 Ω / 127.20 Ω/
360,54 65.65 º 60.90 º 56.55 º 52.58 º 48.99 º
pF 605.78 µH / 604.90 µH / 604.05 µH / 603.13 µH / 602.22 µH /
43.70 Ω 53.66 Ω 63.60 Ω 73.55 Ω 83.47 Ω
Os resultados apresentados na Tabela 2 servem de referência para planejar as

simulações computacionais, fazer cálculos baseados no modelo teórico e elaborar os
experimentos. Por exemplo, verificamos que os valores de indutância obtidos variam entre 2,59
µH e 605,78 µH. Por essa razão, pela proximidade dos valores dos indutores disponíveis no
laboratório, relacionamos 5 indutâncias: 2 µH, 156 µH, 300 µH, 452 µH e 607 µH. Da mesma
forma, as resistências encontradas na Tabela 1 ficam entre 42,98 Ω e 83,47 Ω. Logo, pelo
mesmo motivo de disponibilidade usamos 5 resistores cujos valores são: 47 Ω, 56 Ω, 82 Ω, 91
Ω e 100 Ω.
4.2 Análises das Potências
Os resultados (teóricos, simulados e experimentais) foram apresentados como

gráficos das potências médias em função da fase entre a tensão e a corrente definida pela razão
entre reatância indutiva e resistência de cada par possível de combinação dentre os valores
disponíveis mencionados no parágrafo anterior. Na seção dos Anexos são apresentadas as
tabelas (A1, A2 e A3) com os todos os valores obtidos nos experimentos e simulações
realizados. As Figuras 12 a 16 ilustram as potências para os 5 valores de resistores escolhidos
em função da fase.
28
A Figura 11 apresenta as potências fornecidas para R = 47Ω e variações de L.

Figura 11. Potências na carga (vermelho), fornecida pela fonte (azul) e dissipada nos
transístores (verde) em função da fase quando R=47Ω: As linhas, círculos e quadrados
representam os resultados obtidos a partir do modelo teórico, da simulação e dos
experimentos, respectivamente.

29

30

31


32
Os resultados demonstram que o aumento da fase provocado pelo aumento das

indutâncias provoca uma diminuição da potência entregue à carga. A diminuição é mais
acentuada quando a componente resistiva é pequena. Portanto, o desgaste no desempenho do
amplificador é mais equilibrado quando o transdutor tem um fator Q menor. Verificou-se
também que a potência média dissipada nos transistores cresce até cerca de 50º, quando se torna
igual à potência decrescente fornecida na carga. Fases superiores a 50º tornam a potência
dissipada no transistor maior do que a dissipada nas cargas.
As Figuras 16 a 20 ilustram as três curvas de eficiência do amplificador em função
da reatância indutiva utilizada como carga. Mostram os valores das eficiências em função da
componente de reatância do modelo teórico, simulado e experimental, para três casos de cargas
reativas.
A Figura 16 apresenta a eficiência para R=47 Ω e valores de L.

33
Figura 16 - Eficiência em função da fase para R=47Ω. Os resultados teóricos, simulados

e experimentais são representados pelo traço contínuo, por círculos e quadrados,
respectivamente.

34

respectivamente.

35

respectivamente.

36

respectivamente.

37

Figura 20 - Eficiência em função da fase para R=100Ω. Os resultados teóricos,
simulados e experimentais são representados pelo traço contínuo, por círculos e
quadrados, respectivamente.
Nas curvas de eficiência dos modelos teórico, simulado e experimental onde foram
mostrados os valores do amplificador em função da fase. Observa-se que a diminuição da
eficiência é mais acentuada para cargas resistivas de menor resistência.
A eficiência máxima de um amplificador de classe B de acordo com a teoria é de

78,5% para cargas resistivas. Os resultados mostram que este valor é severamente atenuado
quando o componente reativo se torna significante na carga. Fases até 20º podem ser aceitáveis
para garantir o desempenho razoável do amplificador, pois em todos os resultados constatamos
menos de 10% de redução da eficiência.
De modo geral, pode-se afirmar que os resultados simulados pelo modelo sempre
apresentam valores maiores de potência, visto que as dissipações inclusas nas malhas de
polarização do amplificador não estão contempladas nos seus cálculos.
38
4.3 Análises de potências no domínio do tempo
Nesta seção são apresentados os ensaios com o modelo teórico e os resultados

experimentais para obtenção das potências em função do tempo. Os resultados foram divididos
em duas partes. Na seção 4.3.1 fixou-se o valor da indutância da carga em 2 μH e variou-se os
valores de R com os valores anteriormente definidos. Na seção 4.3.2, utilizou-se o valor da
resistência da carga fixo em 82 Ω e variou-se L na faixa já mencionada.
4.3.1 Resultados com L = 2μH
As Figuras 21 a 25 mostram os resultados baseados no modelo teórico (a) e os

provenientes do procedimento experimental (b) para os quais a indutância foi mantida em 2 μH.
Figura 21a. Potências na carga (traço Figura 21b. Potências na carga (traço
vermelho), fornecida pela fonte (traço azul) vermelho), fornecida pela fonte (traço azul)
e dissipada no transistor (traço verde) em e dissipada no transistor (traço verde) em
função do tempo obtidas pelo modelo função do tempo obtidas
teórico para R = 47 Ω e L = 2 μH. experimentalmente com R = 47 Ω e L = 2
μH.
39
vermelho), fornecida pela fonte (traço azul) e vermelho), fornecida pela fonte (traço azul) e
dissipada no transistor (traço verde) em dissipada no transistor (traço verde) em
função do tempo obtidas pelo modelo teórico função do tempo obtidas experimentalmente
para R = 56 Ω e L = 2 μH. com R = 56 Ω e L = 2 μH.
Fonte: autor (2021). Fonte: autor (2021).

40
Inicialmente deve-se notar que os resultados experimentais para as potências

fornecida pela fonte e dissipada no transistor estão representadas em apenas um semiciclo. Isto
explica-se pelo fato dessas determinações terem sido feitas apenas para o transistor npn.
41
Cada semiciclo de potência apresenta 2 valores máximos de potência dissipada nos

transistores numa disposição simétrica. Essas potências, assim como as demais, são reduzidas
com o aumento do valor de R.
Os resultados mostrados nas Figuras 21 a 25 mostram que a indutância de 2 μH

resulta numa reatância indutiva muito menor que os valores de R utilizados na frequência usada
nos experimentos. Portanto, a carga do amplificador pode ser considerada praticamente apenas
resistiva. Nesse sentido, verifica-se que os valores das potências obtidas experimentalmente
diminuem com o aumento de R, conforme o esperado pela teoria (MALVINO, 2016;
BOYLESTAD et al., 2013).
4.3.2 Resultados com R = 82Ω
As Figuras 26 a 30 mostram os resultados baseados no modelo teórico (a) e os

provenientes do procedimento experimental (b) para os quais a resistência foi mantida em 82Ω.

42

43

44
As Figuras 26 a 30 mostram que o aumento da componente indutiva na carga do

amplificador reduz consideravelmente a potência entregue à carga (R) o que se deve ao aumento
do módulo da impedância da carga.
O aspecto de simetria da forma das curvas das potências dissipadas nos transistores
também é modificado. O aumento da indutância implica na presença crescente de potência
reativa no sistema e, embora isso contribua para a diminuição da potência fornecida pela fonte,
também leva a maior dissipação nos transistores, tanto em valores médios, como pelo valor
máximo que se acentua em um dos picos.
5. Conclusão e sugestão para trabalhos futuros
Os experimentos realizados por simulação, com modelo teórico e experimental (em

bancada), mostram que as variações na impedância da carga do amplificador classe B afetam o
desempenho do amplificador. Ficou evidente que maior rendimento do sistema ocorre quando
a carga possui natureza resistiva. Sendo assim, os efeitos da capacitância C0 do circuito BVD
devem ser neutralizados pelo uso de um indutor de sintonia (L0), habitualmente conectado em
paralelo ao transdutor nos transdutores usados para largas velocidades de vibração. Mesmo
assim, as variações devidas aos efeitos externos que atuam no transdutor em operação podem
produzir modificações na impedância e levar a um déficit de rendimento do amplificador.
Os resultados também mostram que as potências médias fornecidas pela fonte e

consumidas na carga diminuem com o desvio de ressonância, mas a ritmos diferentes. As
potências médias e máximas de dissipação dos transistores atingem valores máximos quando
as fases estão próximas dos 50° e 45°, respectivamente. A eficiência do amplificador reduz em
até cerca de 10% do seu valor máximo quando as fases se aproximam dos 20°.
Para atenuações das oscilações geradas por cargas reativas de um transdutor

piezelétrico, seria pertinente pesquisar o emprego de circuitos rastreadores de ressonância
(resonance tracker) que consequentemente dariam mais estabilidade aos componentes do
amplificador. Nossa sugestão é que a possibilidade de haver defasagens superiores a 20º torna o uso
desses circuitos recomendado no caso de usar amplificadores de classe B.
Sugere-se também a realização de um estudo em amplificadores de potência

chaveados, como por exemplo, o de classe D, para acionar transdutores piezelétricos. Sugere-
45
se fazer um estudo comparativo de resultados quanto ao balanço de potências e o consumo

energético, em relação ao de classe B.
46
6. Referências bibliográficas
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49
ANEXOS : RESULTADOS
As Tabelas A1, A2 e A3 apresenta os resultados obtidos com os procedimentos

metodológicos do trabalho para as simulações no LT Spice, para o modelo téorico e para os
dados experimentais, respectivamente.
Tabela A1- Valores encontrados após simulações no LTspice.

50
Tabela A2- Valores encontrados no modelo teórico

51
Tabela A3 – Valores experimentais

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UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

Francisco Antônio Tadeu Ramos

Análise de um amplificador classe B para cargas

UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

Francisco Antônio Tadeu Ramos

Análise de um amplificador classe B para cargas piezelétricas

Dissertação de Mestrado apresentado ao

Orientador: Prof. Dr. Francisco José Arnold.

Dissertação de Mestrado em Tecnologia

Análise de um amplificador classe B para cargas piezelétricas

Francisco Antônio Tadeu Ramos

Abaixo se apresentam os membros da comissão julgadora da sessão pública de defesa de

Ata da defesa, assinada pelos membros da Comissão Examinadora, consta no SIGA/Sistema de

Agradeço também aos professores e funcionários da Faculdade de Tecnologia da

O presente trabalho foi realizado com apoio da Coordenação de Aperfeiçoamento

Transdutores piezelétricos são dispositivos utilizados em diversas aplicações no

Palavras-chave: Eficiência, Amplificador de Potência, Transdutor de Potência.

Piezoelectric transducers are devices used in various applications in the field of

Keywords: Efficiency, Power Amplifiers, Piezoelectric transducer.

1.1 Objetivos ......................................................................................................................... 12

2.1) Modelo BVD ................................................................................................................. 14

3.1 Determinação da carga do amplificador ......................................................................... 23

4.1) Circuito BVD e variações .............................................................................................. 26

6. Referências bibliográficas .................................................................................................... 46

ANEXOS : RESULTADOS ..................................................................................................... 49

Os amplificadores são circuitos eletrônicos capazes de aumentar a potência elétrica

Neste trabalho foi realizado um estudo para analisar o comportamento de

Figura 1 - Diagrama de blocos de um sistema de ultrassom.

Fonte: elaborada pelo autor (2021).

transdutores piezelétricos de potência, particularmente o de classe B, visando obter subsídios

O objetivo deste trabalho é analisar o comportamento e as limitações dos

1.2 Revisão bibliográfica

1.2.1 Piezeletricidade, transdutores piezelétricos e circuitos equivalentes.

Piezeletricidade é a capacidade que alguns materiais possuem de gerar diferenças

A análise dos transdutores piezelétricos é feita de diversas formas, pela modelagem

1.2.2 Amplificadores em Classe B

A teoria sobre os amplificadores classe B é bem conhecida e encontra-se em livros

1.3 Organização do trabalho

Este trabalho está organizado em cinco capítulos, relacionados da seguinte forma:

• Capítulo 1 – é composto pela introdução do trabalho e pela revisão bibliográfica.

• Capítulo 2- apresenta o embasamento teórico necessário para a proposta do projeto:

• Capítulo 3 - apresenta os resultados em testes de: simulação, modelo teórico

• Capítulo 4 – apresenta os resultados dos testes de simulações realizadas no amplificador

• Capítulo 5 – conclui o trabalho, verificando os objetivos pretendidos na análise, quanto

Neste capítulo serão apresentados os fundamentos teóricos sobre circuitos elétricos

2.1 Modelo BVD

Figura 2– Circuito elétrico equivalente BVD de um transdutor piezelétrico.

Fonte: adaptada de Van Dyke (1928).

A impedância do transdutor modelado pelo circuito BVD (Z = ZR + jZI ) possui ZR e ZI

−(𝐿1𝐶1)2 𝐶0𝜔4 +[𝐿1𝐶1(𝐶1+2𝐶0)−(𝑅1𝐶1)2 𝐶0]𝜔2 −(𝐶0+𝐶1)

ω = 2πf é a frequência angular em rad/s;

A Figura 3 ilustra a curva da impedância elétrica típica de um transdutor

Figura 3 - Impedância e ângulo de fase em função da frequência.

Fonte: adaptada de Murata Manufacturing (2013).

Quando o transdutor é sujeito a efeitos externos como variações da carga acústica

Quando o ramo mecânico do circuito BVD está em ressonância, a impedância

Figura 4 - Circuito equivalente BVD em paralelo com indutor L0 (TPL0).

A impedância elétrica total de TPL0 é dada pela Equação 3

𝑍𝐿0 = 𝑍𝑅𝐿0 + 𝑗𝑍𝐼𝐿0 (3)

𝑋𝐿0 [𝑍𝑅2 +𝑍𝐼2 +𝑋𝐿0 𝑍𝐼 ]+𝑍𝐼 𝑅𝐿0

onde RL0 e XL0 são as componentes real e imaginária do indutor Lo.

2.2 Características de um amplificador Classe B

Nesse tópico serão apresentadas as análises teóricas de um amplificador classe B