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INSTITUTO SUPERIOR POLITÉCNICO DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA

Disciplina: TEORIA DOS CIRCUITOS E FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA Ano: 2023-2024


Curso: Licenciatura em Engenharia de Redes e Telecomunicações
40 Ano
Professor: Eng0. Francisco Joaquim Capassola. “El_Más_Duro”
Email: franciscokapassola@gmail.com

Aula Prática # 3: Exercícios práticos de transístores BJT, FET e Amplificadores

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1. Calcule R1 para que Ic=0.25mA (b=100).

2. Nos circuitos abaixo, calcule o valor de IC e VCE (VEC no item c). Considere VBE = 0,7V
(VEB no item c = 0,7V):

a)

b)

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c)

3. Considere o circuito e a curva característica do transístor da figura abaixo, e determine


os valores de VCE e IC quiescentes pelo traçado da reta de carga, sabendo-se que
IB=20μA

4. Calcular o ponto de funcionamento dos circuitos em números P1.2.a, PI2.b e P1.2.c


assumindo que os transístores são a trabalhar na região linear (Activa). Dados: ß=200

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5. Calcular o ponto de operação dos transístores nas figuras P1.3.a, P1.3.b e P1.3.c e
indicar a sua zona de operação. Dados: NPN: ß=100, VBE(sat) =0.2 V, VBE(sat) = 0.8 V,
VBE(lin) =0.7V, VBEγ = 0.6V PNP: ß=100, VBE(sat) =-0.2V, VBE(sat) = -0.8 V, VBE(lin) =-
0.7V, VBEγ =-0.6V.

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6. Para o circuito mostrado na figura P1.4, perguntamos:


a) Calcular IC, IB e Vi que fazem o transístor entre a saturação e o limite linear.
b) Calcular IC, IB e Vi que fazem com que o transístor fique entre o limite de corte e o
limite linear.
c) Calcular IC, IB e VCE para Vi = 0, 2, 4, 10 V.

Dados: VBEγ = 0.6V, VBE(lin) = 0.7V, VBE(sat) =0.8V, VCE(sat)= 0.2V, hFE = 50.

7. Calcular o ponto de operação do transístor na Figura P1.5 para hFE=50, 100 e 200.

Dados: VCE(sat) = -0.2 V, VBE(sat) =-0.8 V, VBE=-0.6 V.

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8. O circuito na figura P1.6 é uma fonte de corrente (IC é independente do valor de RL).
Se ß=200, calcular:
a) Valor do CI.
b) Alcance de RL para que o circuito funcione corretamente como fonte de corrente.

9. Calcular o valor das resistências que enviesam os transístores no ponto de operação


indicado nas figuras P1.8.a e P1.8.b.

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10. Polarizar os transístores em figuras P1.10.a e P1.10.b no ponto de operação indicado.


Verificar o resultado por métodos gráficos.

11. Determinar o ponto de operação dos transístores NMOS mostrados na figura a P1.11.a
e P1.11.b. Dados: k = 33μA/V2, VT = 1V

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Exercícios relacionado aplicações de transístores (Amplificador)

1. Para o circuito mostrado na figura P2.4, é necessário o seguinte:

a) Ponto de trabalho.
b) AV, AVS, AI, AIS, Zi e Zo. (Nota: hre~0, hoe~0).
c) Determinar a amplitude máxima de vs de modo a que não haja cortes da tensão de saída.
d) (d) Repetir (b) e (c) se uma resistência de carga RL = 1kΩ estiver ligada ao nó de saída.
resistência de carga RL = 1kΩ (desacoplada por um condensador) para o nó de saída.
um condensador).

2. Calcular os AVS, AIS, Zi e Zo dos amplificadores básicos nas figuras P2.6. amplificadores
básicos de figuras P2.6.a, P2.6.b. e P2.6.c.

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3. Calcular o AV, AI, Zi e Zo dos amplificadores baseados em JFET nas figuras P2.7.a e P2.7.b.

4. Obter o AV, Zi e Zo do amplificador MOS amplificador na figura P2.8. Dados: k = 33μA/V2,


VT = 1V, W = 20μm, L = 4μm.

5. Calcular o AV, AVS, AI, AIS, Zi, e Zo do amplificador multicelular na Figura 2.10. Dados: hie
= 2kΩ, hfe = 250, hre~0, hoe~0. Repetir o problema com hie=1/40kΩ. o problema com hoe =
1/40kΩ.

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Problemas práticos

1 Para o circuito determine:

a) re
b) Zi (com ro=∞Ω)
c) Zo (com ro=∞Ω)
d) Av (com ro=∞Ω)
e) Ai (com ro=∞Ω)
f) Repita as alíneas anteriores incluindo ro=50KΩ em todos os cálculos e compare os
resultados.

Figura 1.

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Figura 2.

2. Determine sem CE (não desviado):

a) re
b) Zi
c) Zo
d) Av
e) Ai
f) Repita a analise com CE (desviado) no lugar:

Figura 1

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Figura 2

Figura 3

Figura 4

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3. Determine re,Zi, Zo, Av e Ai do circuito abaixo

Figura 1

Figura 2

4. Determine Vcc para um ganho de tensão Av=-200.

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5. Calcule IB, Ic, re, Zi, Zo, Av e Ai.

6. Determine Vcc, se Av = -160 e ro =100 KΩ.

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7 Determine re, Zi, Zo , Av e Ai.

TRANSISTOR DE JUNÇÃO DE EFEITO DE CAMPO-JFET

a) Configuração com polarização fixa

1. Para a configuração com polarização fixa abaixo:

a) Esboce a curva de transferência do dispositivo.


b) Superponha a equação do circuito (recta de carga) no mesmo gráfico.
c) Determine IDQ e VGSQ.
d) Utilizando a equação de Shockley, solucione para IDQ e depois ache VGSQ. Compare
com as soluções da alínea c).

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2. Para a configuração com polarização fixa abaixo, determine:

a) IDQ e VGSQ utilizando análise puramente matemática.


b) Repita a alínea anterior utilizando uma análise gráfica e compare os resultados.
c) Ache VDS, VD, VG e VS utilizando os resultados da alínea a).

3. Dado o valor de VD na figura abaixo, determine:

a) ID
b) VDS
c) VGG

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4. Determine VD para a configuração de polarização fixa abaixo.

5. Determine VD para a configuração com polarização fixa abaixo.

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6. Determine todas as correntes e tensões para o circuito abaixo. Trace a curva


característica e a recta de carga.

b) Configuração com Autopolarização

1. Para a configuração com polarização fixa abaixo:

a) Esboce a curva de transferência do dispositivo.


b) Superponha a equação do circuito no mesmo gráfico.
c) Determine IDQ e VGSQ.
d) Determine VDS, VD, VG e VS.

2. Para o circuito abaixo:

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a) Determine IDQ e VGSQ.


b) Determine VDS, VD, VG e VS.

3. Dada a leitura VS = 1,7 V para o circuito abaixo, determine:

a) IDQ
b) VGSQ
c) IDSS
d) VD
e) VDS

4 Para o circuito abaixo, determine:

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a) ID
b) VDS
c) VD
d) VS

5 Determine VS para o circuito abaixo.

6 Determine todas as correntes e tensões para o circuito abaixo. Trace a curva característica e
a recta de carga.

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c) Polarização por Divisor de Tensão

1. Determine as seguintes quantidades para o circuito abaixo.

a) IDQ e VGSQ.
b) VD .
c) VS .
d) VDS.
e) VDG.

2. Para o circuito abaixo, determine:

a) VG
b) IDQ e VGSQ.

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c) VDS.
d) VD e VS.

3. Para o circuito abaixo, VD = 9 V. Determine:

a) ID .
b) VS e VDS
c) VG .
d) VP .

4. Para o circuito abaixo determine:

a) ID e VGS
b) VS e VDS

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5. Determine as seguintes quantidades para o circuito abaixo.

a) IDQ e VGSQ.
b) VDS.
c) VD .
d) VS .

6. Dado VDS = 4 V para o circuito abaixo determine:

a) ID
b) VD e VS
c) VGS

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Referência Bibliografica:

• Materiais de apoio (Notas do professor, aulas prácticas, laborátorios).


• Boylestad R, “Introductory Circuit Analysis”, 1997.
• Cunningham D., Stuller J., “Basic Circuit Analysis”. 1991.

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