Machine Translated by Google

BTS5215L

Interruptor de alimentação inteligente no lado superior

Dois canais: 2 x 90mÿ
Feedback de status

sumario de produtos Pacote

Tensão operacional Vbb 5,5...40V P-DSO-12

Canais ativos um dois paralelos
Resistência no estado RONY 90mÿ 45mÿ
Corrente de carga nominal ELE NOME) 3,7A 7.4A
Limitação atual IL(SCr) 12A 12A

Descrição Geral • MOSFET de

potência vertical de canal N com bomba de carga, entrada compatível com CMOS com referência de terra e feedback de diagnóstico,
monoliticamente integrado na tecnologia Smart SIPMOSÿ. • Fornecendo funções de proteção
incorporadas

Aplicações •
Chave de alimentação do lado superior compatível com µC com feedback de diagnóstico para cargas aterradas
de 12 V e 24 V • Todos os tipos de cargas resistivas, indutivas
e capacitivas • Mais adequado para cargas com altas correntes de partida,
como lâmpadas • Substitui relés eletromecânicos, fusíveis e circuitos discretos

Funções básicas •
Corrente de espera muito baixa
• Entrada compatível com
CMOS • Melhor compatibilidade eletromagnética (EMC)
• Rápida desmagnetização de cargas indutivas •
Comportamento estável em subtensão •
Ampla faixa de tensão operacional •
Aterramento lógico independente do aterramento da carga

Funções de proteção • Diagrama de bloco

Proteção contra curto-circuito
• Proteção contra Vbb
sobrecarga • Limitação
de corrente • Desligamento EM 1

térmico • Proteção contra sobretensão (incluindo descarga de carga) com ST1 Lógica
Canal 1
resistor EM 2 Canal 2
Carregar 1
• Proteção reversa da bateria com resistor externo • Perda de ST2
aterramento e perda de proteção Vbb • Proteção contra
Carregar 2
descarga eletrostática (ESD)

Função de diagnóstico • GND

Feedback de diagnóstico com saída de drenagem aberta
• Detecção de carga aberta no estado
DESLIGADO • Feedback de desligamento térmico no estado LIGADO

Infineon Technologies AG 1 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Diagrama funcional

GND limite atual

controle VBB
de portão
+
bomba
lógica braçadeira
alimentação de tensão interna de carga
para carga indutiva
SAÍDA1
EM 1
temperatura reverter
sensor
proteção
ST1 ESD
da bateria

Detecção de
carga aberta

canal 1

EM 2
circuito de controle e proteção
ST2 equivalente ao
canal 1

SAÍDA2

Infineon Technologies AG 2 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Definições e funções de pinos Configuração de pinos

Pino Função de símbolo

(vista do topo)
1 GND Terra do chip
2 EM 1 A entrada 1,2 ativa o canal 1,2 em caso de sinal lógico GND 1• 12 Vbb
4 EM 2 alto IN1 2 11NC
3 ST1 Feedback de diagnóstico 1 e 2 do canal 1,2 Vbb*
ST13 10OUT1
5 ST2 dreno aberto, baixo em caso
IN2 4 9NC
6,12, Vbb de falha Tensão positiva da fonte de alimentação. Projete o
ST2 5 8SAÍDA2
bala fiação para o máximo simultâneo. correntes de curto-
circuito do canal 1 para 2 e também para baixa Vbb 6 7NC
de calor
resistência térmica *
lesma de calor
7,9,11NC 8 Não conectado
SAÍDA2 Saída 1,2 saída de potência do lado de alta protegida
10 SAÍDA1 dos canais 1 e 2. Projete a fiação para o máx.
corrente de curto-circuito

Infineon Technologies AG 3 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Classificações máximas em Tj = 25°C, salvo especificação em contrário

Parâmetro Símbolo Valores Unidade

Tensão de alimentação (proteção contra sobretensão, consulte a página 6) Vbb 43 EM

Tensão de alimentação para proteção total contra curto- Vbb 36 EM

circuito Tj,start =-40 ...

+150°C Corrente de carga (Corrente de curto-circuito, consulte a página 6) O autolimitado A

Proteção de dump de carga1) VLoadDump = VA + Vs, VA = 13,5 V RI 2) = 2 VLoaddump3) 60 EM

ÿ, td = 400 ms; IN= baixo ou alto, cada canal

carregado com RL = 13,5 ÿ,

Faixa de temperatura operacional Faixa Tj -40...+150 °C

de temperatura de armazenamento Teste -55 ...+150

Dissipação de energia (CC)4) Ta = 25°C: Ponto 3.1 EM

(todos os canais ativos) Ta = 85°C: 1.6

Indutância máxima comutável, pulso único Vbb =12V, Tj,start

=150°C4), veja diagramas na página 10
IL = 3,5 A, EAS = 178 mJ, 0ÿ um canal: ZL 21.3 mH

IL = 7,0 A, EAS = 337 mJ, 0ÿ dois canais paralelos: Capacidade de 10

descarga eletrostática (ESD) IN: JOGÁ-LO 1,0 kV

(Modelo de Corpo Humano) ST: 4,0
saída para todos os outros pinos em 8,0
curto: acc. MIL-STD883D, método 3015.7 e ESD assn. padrão. S5.1-1993
R=1,5kÿ; C=100pF
Tensão de entrada (CC), consulte o diagrama do circuito interno, página 9 VIR -10 ... +16 EM

Corrente através do pino de entrada (DC) IIN ±0,3 mA

Corrente pulsada através do pino de entrada 5) IINp ±5,0

Corrente através do pino de status (DC) É ±5,0

1) Tensões de alimentação superiores a Vbb(AZ) requerem um limite de corrente externo para o GND e pinos de status (um 150ÿ
resistor para a conexão GND é recomendado.

2) RI = resistência interna do gerador de pulso de teste de descarga de carga

3) VLoad dump é configurado sem o DUT conectado ao gerador de acordo com ISO 7637-1 e DIN 40839 4) Dispositivo
em PCB epóxi FR4 de 50 mm * 50 mm * 1,5 mm com 6 cm2 ( uma camada, 70 µm de espessura) área de cobre para Vbb
conexão. PCB é vertical sem ar soprado. Consulte a página 14 5)
apenas para testar a

Infineon Technologies AG 4 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Características térmicas
Parâmetro e Condições Símbolo Valores Unidade

min tipo máximo

Junção de resistência
térmica - Case6) -- -- 5 K/W
cada canal: RthjC
Rthja -- -- --
junção – ambiente6) @
um canal ativo: -- 45 --
área de resfriamento de 6 cm2
todos os canais ativos: -- 40 --

características elétricas
Parâmetro e condições, cada um dos quatro canais Símbolo em Tj = -40...+150°C, Vbb = 12 V, salvo Valores Unidade

especificação em contrário min digite máx.

Capacidades e características de comutação de carga

Resistência no estado (Vbb para OUT); IL = 2 A
-- 70 90 mÿ
cada canal, Tj = 25°C: RONY
-- 140 180
Tj = 150°C:
-- 35 45
dois canais paralelos, Tj = 25°C:
veja o diagrama, página 11

Corrente de carga nominal um canal ativo: ELE NOME)

3,7 4,7 -- A
dois canais paralelos ativos: 7,4 9,5
Dispositivo na PCB6), Ta = 85°C, Tj ÿ 150°C

Corrente de saída enquanto o GND está desconectado ou puxado7 );

-- -- 2 mA
IL(GNDalto)
Vbb = 32 V, VIN = 0,

veja o diagrama na página 9

Hora de ativação8) EM para 90% VOUT: -- 100 250

tonelada µs
Hora de desligar EM para 10% VOUT:
-- 100 270
cara

RL = 12ÿ
Taxa de variação em 8) 10 a 30% VOUT, RL = 12 ÿ: dV/dton 70 a 0,2 --
1,0 V/µs
40% VOUT, RL = 12 ÿ: -dV/dtoff 0,2 --
Taxa de variação reduzida 8) 1,1 V/µs

6) Dispositivo em PCB epóxi FR4 de 50 mm * 50 mm * 1,5 mm com área de cobre de 6 cm2 (uma camada, 70 µm de espessura) para Vbb
conexão. PCB é vertical sem ar soprado. Consulte a página 14
7) não sujeito a teste de produção, especificado pelo projeto 8) Consulte o
diagrama de temporização na página 12.

Infineon Technologies AG 5 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Parâmetro e condições, cada um dos quatro canais Símbolo em Tj = -40...+150°C, Vbb = 12 Valores Unidade
V, salvo especificação em contrário
min digite máx.

Parâmetros operacionais
Vbb(ligado) 5.5 -- 40 V
Tensão operacional
-- -- 4,5 V
Desligamento de subtensão9) Tj =-40°C...25°C: Vbb(u então)
-- -- 4.510)
Tj = 125°C:
Vbb(AZ) 41 47 52V
Proteção contra sobretensão 11)
Eu bb = 40 mA
Tj =-40°C...25°C: Tj Ibb(desligado) -- 4,5 10
Corrente de espera12) ÿA
=150°C: Tj -- -- 15
VIN = 0; veja o diagrama na página 11
=125°C: -- - 1010)
Corrente de saída no estado desligado (incluída em Ibb(off)) IL(desligado) -- 1 5 µA
VIN = 0; cada canal
Corrente operacional 13), VIN = 5V,
IGND -- 0,6 1.2 mA
um canal ligado:
-- 1,2 2.4
todos os canais em:

Funções de Proteção 14)

Limite de corrente, Vout = 0V, (ver diagramas de temporização, página 12)

IL(lim) -- -- 23 A
Tj =-40°C:
Tj =25°C: -- 15
Tj =+150°C: 9 -- ----

Limite de corrente de curto-circuito repetitivo,

Tj = Tjt cada canal IL(SCr) -- 12 -- A
dois canais -- 12 --
(veja diagramas de tempo, página 12)

Tempo inicial de desligamento por curto-circuito cara (SC) -- 2 -- EM

Tj,start =25°C: (ver
Vout = 0V diagramas de temporização na página 12)
Grampo de saída (desligamento de carga indutiva)15) em DE(CL) 41 47 52V
VON(CL) = Vbb - VOUT, IL= 40 mA
Tjt 150 -- -- °C
Temperatura de disparo por sobrecarga térmica
ÿ Tjt -- 10 -- K
Histerese térmica

9) é a tensão, onde o dispositivo não altera sua condição de chaveamento por 15ms após a tensão de alimentação
caindo abaixo do limite inferior de Vbb(on) 10)
não sujeito a teste de produção, especificado pelo projeto 11)
Tensões de alimentação superiores a Vbb(AZ) requerem um limite de corrente externo para o GND e pinos de status (um 150ÿ
resistor para a conexão GND é recomendado). Veja também VON(CL) na tabela de funções de proteção e diagrama de circuito na
página 9.
12) Medido com carga; para todo o dispositivo; todos os canais desligados 13)
Adicione IST, se IST > 0 As
14
funções de proteção integradas são projetadas para evitar a destruição do IC sob condições de falha descritas na folha de dados. As
condições de falha são consideradas “fora” da faixa operacional normal. As funções de proteção não foram projetadas para operação
repetitiva contínua.
15) Se os canais estiverem conectados em paralelo, a fixação de saída geralmente é realizada pelo canal com menor
DE(CL)

Infineon Technologies AG 6 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Parâmetro e condições, cada um dos quatro canais Símbolo em Tj = -40...+150°C, Vbb = 12 Valores Unidade

V, salvo especificação em contrário min digite máx.

Bateria reversa
-Vbb -- -- 32V
Tensão reversa da bateria 16)
Tensão do diodo da fonte de drenagem (Vout > Vbb) -DE - 600 --mV
IL =-2,0A, Tj =+150°C

Características de diagnóstico
Tensão de detecção de carga aberta SAÍDA V (OL)1 1.7 2.8 4,0 V

Feedback de entrada e status 17)

Resistência de entrada RI 2,5 4,0 6,0 kÿ
(ver circuito na página 9)
-- -- 2,5V
Tensão limite de ativação de entrada VIN(T+)

VIN(T-) 1,0 -- -- EM
Tensão limite de desligamento de entrada
-- 0,2 -- EM
Histerese de limite de entrada ÿ VIN(T)
-- 10
Mudança de status após inclinação de entrada positiva td(STon) 20 µs
18) com carga aberta
30 -- --
Mudança de status após inclinação de entrada positiva td(STon) µs
18) com sobrecarga
--
Mudança de status após inclinação de entrada td (Tecido) -- 500 µs
negativa com carga aberta
-- --
Mudança de status após inclinação de entrada negativa td (Tecido) 20 µs
18) com sobretemperatura
5 --
Corrente de entrada de estado desligado VIN = 0,4 V: IIN(desligado) 20 µA
Corrente de entrada no estado VIN = 5 V: IIN(ligado) 10 35 60 µA
Saída de status (dreno aberto)
REAL = +1,6 mA: VST(alto) 5.4 -- -- EM
Tensão limite Zener
REAL = +1,6 mA:
-- -- 0,6
ST baixa tensão VST(baixo)

16) Requer um resistor de 150 ÿ na conexão GND. A corrente de carga reversa através do diodo dreno-fonte intrínseco deve ser limitada
pela carga conectada. A dissipação de energia é maior em comparação com condições normais de operação devido à queda de
tensão no diodo dreno-fonte. A proteção de temperatura não está ativa durante a operação com corrente reversa! As correntes de
entrada e de status devem ser limitadas (consulte as classificações máximas na página 4 e o circuito na página 9).

17) Se forem usados resistores de aterramento RGND , adicione a queda de tensão entre esses resistores.
18) não sujeito a teste de produção, especificado pelo projeto

Infineon Technologies AG 7 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Tabela Verdade
(cada canal)
DENTRO FORA ST

Operação normal eu eu H
H H H
Abrir carga eu COM
L19)
H H H
Acima da temperatura eu eu H
H eu eu

L = Nível "Baixo" X = não me importo Z = alta impedância, o potencial depende do circuito externo
H = Nível "Alto" Sinal de status válido após o atraso mostrado nos diagramas de temporização

A comutação paralela dos canais 1 e 2 é facilmente possível conectando as entradas e saídas em paralelo (ver tabela verdade).
Se alternar os canais 1 para 2 em paralelo, as saídas de status ST1 e ST2 deverão ser configuradas como uma função 'Wired
OR' com um único resistor pull-up.

Termos

eu bb
12,6 Quadro principal SAÍDA1

Vbb EU
VO2
EM 1
2 Vbb
EM 1 10
EU

L1
EU
SAÍDA1
EM 2
4
O PROFETA IN2
3 L2
EU

IST1 8
ST1 SAÍDA2
VIN1 VIN2 I ST2 5
ST2 GND
VOUT1
1
VST1 VST2
EU
EM

GND SAÍDA2

RGND

Leadframe (Vbb) está conectado ao pino 6,12

RGND externo opcional; resistor único RGND =150 ÿ para proteção reversa da bateria até o máx. tensão
operacional.

19) L, se o potencial na saída exceder a tensão de detecção do OpenLoad

Infineon Technologies AG 8 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Circuito de entrada (proteção ESD), IN1 ou IN2 Sobretensão. e bateria reversa. proteção
+5V
+ Vbb
R
R ST
EU

EM
VZ2
R EU

EM

ESD-ZD EU

EU

EU
Lógica

ST FORA
GND R ST

VZ1

O uso de diodos zener ESD como pinça de tensão em condições GND

R Carregar
CC não é recomendado.
R GND
Carregar GND
Sinal GND

Saída de status, ST1 ou ST2

VZ1 = 6,1 V tipo., VZ2 = 47 V tipo., RGND = 150 ÿ, RST= 15
+5V kÿ, RI= 3,5 kÿ tipo.
No caso de bateria reversa, a corrente de carga deve ser limitada
pela carga. A proteção de temperatura não está ativa
RST(LIGADO)
ST

Detecção de carga aberta, OUT1 ou OUT2

ESD-
ZD Condição de diagnóstico no estado
GND
OFF: Carga aberta, se VOUT > 3 V tipo.; Em baixa
Diodo ESD-Zener: 6,1 V tipo., máx. 0,3 mA; RST(LIGADO) <375ÿ
a 1,6 mA. O uso de diodos zener ESD como pinça de tensão em condições
CC não é recomendado. Vbb

CERTO
Braçadeira de saída indutiva e de sobretensão, DESLIGADO

OUT1 ou OUT2
VOTO
+Vbb

Lógica Abrir carga

VZ
detecção
unidade

EM SOBRE

FORA Sinal GND

Desconexão GND

Potência GND

FROM fixado em FROM(CL) = 47 V típico.

EM
EM
bb

PROFETA FORA

ST
GND

EM
Vbb VIN VST GND

Qualquer tipo de carga. No caso de IN= alto é VOUT ÿ VIN -VIN(T+).

Devido a VGND > 0, nenhum sinal VST = baixo disponível.

Infineon Technologies AG 9 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Desconexão GND com GND pull up Dissipação de energia de desligamento

de carga indutiva
E bb

EM
EM
bb EAS

ECarregar
PROFETA FORA
EM
EM
bb
ST
GND
PROFETA FORA

= ST
eu
E
eu

VIN VST GND

Vbb VGND
L{Z
E
R

Qualquer tipo de carga. Se VGND > VIN - dispositivo VIN(T+) permanecer RL

desligado Devido a VGND > 0, nenhum VST = sinal baixo disponível.

Energia armazenada na indutância de carga:
2
Desconexão Vbb com carga indutiva energizada EL = 1/2·L·I eu

Ao desmagnetizar a indutância da carga, a energia dissipada no

PROFET é

EAS= Ebb + EL - ER= VON(CL) i L(t) dt,

EM
alto EM
bb
com uma solução aproximada para RL > 0ÿ:
PROFETA FORA
DOENTE IL·RL
EAS = ) (Vbb + |VOUT(CL)|) ln (1+
ST 2·RL |VOUT(CL)|
GND

Indutância de carga máxima permitida para um

único desligamento (um canal)4)
Vbb
L = f(IL); Tj,início = 150°C, Vbb = 12 V, RL = 0 ÿ

Para correntes de carga indutivas até os limites definidos por ZL ZL [mH]

(classificações máximas e diagrama na página 10) cada chave é protegida
1000
contra perda de Vbb.

Considere no layout da sua PCB que no caso de desconexão Vbb com

carga indutiva energizada toda a corrente de carga flui através da conexão GND.

100

10

1
1 2 3 45 6

ELE TEM]

Infineon Technologies AG 10 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L
Tipo. resistência no estado
ligado RON = f (Vbb,Tj ); IL = 2 A, IN = alto

Ron [mOhm]

160 Tj = 150°C

120

80 25°C

-40°C

40

0
579 11 30 40
Vbb [V]

Tipo. corrente de espera

Ibb(desligada) = f (Tj ); Vbb = 9...34 V, IN1,2 = baixo

Ibb(desligado) [µA]
45

40

35

30

25

20

15

10

0
-50 0 50 100 150 200

Tj [°C]

Infineon Technologies AG 11 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Diagramas de tempo
Todos os canais são simétricos e consequentemente os diagramas são válidos do canal 1
ao canal 4

Figura 2b: Trocando uma lâmpada:

Figura 1a: Vbb ativado:
EM 1

EM

EM 2

EM
bb ST

EM

SAÍDA1
EM
FORA

EM
SAÍDA2

Dreno aberto ST1 EU

eu

Dreno aberto ST2

t
t

Figura 3a: Ligar em curto-circuito: desligar

Figura 2a: Chaveamento de uma carga resistiva, por superaquecimento, reiniciar por resfriamento
tempo de ativação/desativação e definição de taxa de variação:
EM 1
EM
outro canal: operação normal

VOTO EU

L1

90% EU

eu(lim)
t sobre dV/dtoff EU

L(SCr)

dV/dton t desligado

10% t
desligado (SC)
ST

EU

eu

O aquecimento do chip pode levar vários milissegundos, dependendo

t das condições externas

Infineon Technologies AG 12 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L
Figura 3b: Ligar em curto-circuito: desligar por Figura 5a: Carga aberta: detecção no estado DESLIGADO, ligar/
sobretemperatura, reiniciar por resfriamento (dois canais desligar para abrir carga
comutados em paralelo 1 e 2) Carga aberta do canal 1; outros canais operação normal

IN1/2
EM 1

eu + eu
L1 L2 EM
SAÍDA1

2xIL(lim)

IL1
EU

L(SCr)

ST
t
desligado (SC)
ST1/2

10µs 500µs
t

ST1 e ST2 devem ser configurados como uma função ST1/2 'Wired
OR' com um único resistor pull-up.
Figura 6a: Mudança de status após ligar/desligar para
superaquecimento
Superaquecimento do canal 1; outros canais operação normal
Figura 4a: Sobretemperatura:
Redefinir se Tj < Tjt
EM 1

EM

ST

ST

30µs 20µs

EM
FORA

T
J.

Infineon Technologies AG 13 2003-out-01

Machine Translated by Google

BTS5215L

Pacote e código de pedido

Padrão: P-DSO-12-2 Publicado pela
Infineon Technologies AG,
Código de vendas BTS5215L
St.-Martin-Strasse 53,
Codigi ordenado Q67060-S7023 D-81669 Munique ©
Infineon Technologies AG 2001 Todos os

6,4 ±0,1 1) 7,5 ±0,1 1)

direitos reservados.
A B
8ÿ 8ÿ
)2

-0,035

)55,1(

Atenção por FAVOR!

50,0±1),3
0

53,2

á,m
.x6 2
0

+0,075
0,25

As informações aqui contidas são fornecidas para descrever

ÿ3ÿ±
5
C
0,1 1 0,1 C 12x 0,7 ±0,15
determinados componentes e não devem ser consideradas como garantia
Assento plano de características.
5×1=5 (0,2)

0,4 +0,13
CABINE 0,25 M (4.4) Termos de entrega e os direitos a alterações técnicas reservados.
10,3 ±0,3
5,1±0,1 0,25 B
Por este meio, isentamo-nos de toda e qualquer garantia, incluindo, entre
12 7
outras, garantias de não violação, em relação aos circuitos, descrições e
1,60,±
1

)8.1(

gráficos aqui declarados.

1,20,±
4

A Infineon Technologies é um fabricante aprovado pelo CECC.

ø0,8 × 0,1-0,05 Profundidade4)
16

7,8 ±0,1
Informação
(calor)

1)
Não inclui saliências de plástico ou metal de 0,15 máx. de cada lado Para obter mais informações sobre tecnologia, termos e condições de
2) Afaste-se
3) Se destacarem entrega e preços, entre em contato com o escritório da Infineon Technologies
4)
Marcação de índice do pino 1; Acabamento polonês
mais próximo na Alemanha ou com nossos representantes
Todos os cantos da embalagem máx. R 0,25
da Infineon Technologies em todo o mundo (consulte a lista de endereços).
Todas as dimensões em milímetros

Avisos

Devido a requisitos técnicos, os componentes podem conter substâncias

perigosas. Para obter informações sobre os tipos em questão, entre
em contato com o escritório da Infineon Technologies mais próximo.
Placa de circuito impresso (FR4, 1,5 mm de espessura, uma
camada de 70 µm, área ativa do dissipador de 6 cm2) como
referência para máx. dissipação de potência Ptot, corrente de Os componentes da Infineon Technologies só podem ser usados em

carga nominal IL(NOM) e resistência térmica Rthja dispositivos ou sistemas de suporte à vida com a aprovação expressa por
escrito da Infineon Technologies, se for razoavelmente esperado que uma
falha de tais componentes cause a falha desse dispositivo ou sistema
de suporte à vida, ou que afete o segurança ou eficácia desse
dispositivo ou sistema. Os dispositivos ou sistemas de suporte à vida
destinam-se a ser implantados no corpo humano ou a apoiar e/ou manter e
sustentar e/ou proteger a vida humana. Se falharem, é razoável presumir
que a saúde do utilizador ou de outras pessoas pode estar em perigo.

Infineon Technologies AG 14 2003-out-01