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TRANSISTORES ESPECIAIS
At agora foi estudado os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem aplicaes nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedncia de entrada so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor depende de um s tipo de carga, da o nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (JFET - Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido metlico (MOSFET).

7.1

JFET
Na Figura 7-1, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito de campo de juno ou simplesmente JFET.

Figura 7-1 a conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O transistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons) ou com canal p (conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tenso e corrente.

POLARIZAO DE UM JFET
A Figura 7-2 mostra a polarizao convencional de um JFET com canal n. Uma alimentao positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo um fluxo de corrente atravs do canal. Esta corrente tambm depende da largura do canal. Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta fica com uma polarizao reversa, circulando apenas uma corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia entre a porta e a fonte. A polarizao reversa cria camadas de depleo em volta da regies p e Prof. Roberto A. Bertoli

Figura 7-2

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isto estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito torna-se o canal. Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG que produz o corte simbolizada por VGS(Off) .

CURVA CARACTERSTICA DE DRENO

Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Os ndices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima que um JFET pode produzir. Na Figura 7-3, mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual intensidade da tenso de corte da portafonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma propriedade inerente a todos os JFET s. Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva, na Figura 7-3, aps a condio de pinamento e esquerda da regio de tenso VDS de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de trabalho entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento.

Figura 7-3

CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia de um JFET um grfico da corrente de sada versus a tenso de entrada, ID em funo de VGS. A sua equao : Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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Eq. 7- 1

ID

I DSS 1

VGS VGS( off )

Figura 7-4

AUTOPOLARIZAO
a polarizao de um transistor JFET se faz de maneira semelhante polarizao de transistor bipolar comum. Em outras palavras, usa-se o transistor JFET como se fosse um transistor bipolar. Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que, primeiramente, o mesmo deve estar reversamente polarizado entre porta e fonte. Na Figura 7-5 vemos um JFET polarizado, ou seja, com resistores ligados ao terminais para limitar tenses e correntes convenientemente, como visto na polarizao de transistores bipolares.

Figura 7-5 Esse o tipo de polarizao mais comum e se chama autopolarizao por derivao de corrente, pois o VGS aparece devido corrente de dreno sobre RS, o que resulta em VRS.

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Essa tenso, distribui-se entre RG e a juno reversa, que, como tal, possui uma alta resistncia. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS. VRG = VRS + VGS Eq. 7- 2 o diodo porta-fonte est reversamente polarizado e a corrente IG uma pequena corrente de fuga aproximadamente igual a zero.

VRG
unindo as Eq. 7-2 e Eq. 7-3

IG R G

Eq. 7- 3

VRS

VGS

R SIS

Eq. 7- 4

A corrente de fonte a soma da corrente de dreno e de porta. Naturalmente a corrente de dreno muito maior que a de porta. Ento:

ID
Anlise da malha do lado direito do circuito:

IS

Eq. 7- 5

VDD RETA DE AUTOPOLARIZAO

I D (R D

RS)

VDS

Eq. 7- 6

Para a polarizao do JFET, uma alternativa o uso da curva de transcondutncia para encontrar o ponto Q de operao. Seja a curva da Figura 7-4 a base para encontrar o ponto Q. A corrente de dreno mxima de 13,5mA, e a tenso de corte da porta-fonte de -4V. Isso significa que a tenso da porta tem de estar entre 0 e -4V. Para descobrir este valor, pode-se fazer o grfico da Figura 7-4 e ver onde ela intercepta a curva de transcondutncia. Exemplo 7-1 Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarizao for de 300 . Qual o ponto Q. Usar o grfico da Figura 7-4.

SOL.: A equao de VGS VGS = -ID *300 para traar a reta basta considerar ID = 0 e ID = IDSS. Para ID nulo, VGS=0 e para o outro valor de ID, VGS= 13,5m*300=-4V. Aplicando na curva, o ponto Q : VGS= -1,5V e ID =5mA

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SELEO DO RS
O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal escolher um RS em que o ponto Q fique no na regio central, como o do Exemplo 7-1 . O mtodo mais simples para escolher um valor para RS

RS

VGS( off ) I DSS

Eq. 7- 7

Este valor de RS no produz um ponto Q exatamente no centro da curva, mas aceitvel para a maioria dos circuitos.

TRANSCONDUTNCIA
Grandeza designada por gm e dada por:

gm id

ID VGS

id v gs

Eq. 7- 8 Eq. 7- 9

g m v gs

gm a inclinao da curva de transcondutncia (Figura 7-4) para cada pequena variao de VGS. Ou em outras palavras, uma medida de como a tenso de entrada controla efetivamente a corrente de sada. A unidade o mho, (razo entre a corrente e a tenso 1/Ohm). O equivalente formal o Siemens. A Figura 7-6 mostra o circuito equivalente ca simples para um JFET vlida para baixas freqncias. H uma resistncia RGS muito alta entre a porta e a fonte. Esse valor est na faixa de centenas de M . O dreno do JFET funciona como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS.

Figura 7-6 A Eq. 7-10 mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente mxima de dreno e da transcondutncia para VGS= 0V (gmo ).

v gs ( off )
abaixo o valor de gm para um dado VGS.

2I DSS g mo

Eq. 7- 10

gm

g mo 1

v gs v gs ( off )

Eq. 7- 11

TRANSCONDUTNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR

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O conceito de transcondutncia pode ser usado em transistores bipolares. Ela definida como para os JFET s. Com base na Eq. 7-8:

gm
como r e = vbe/ie

IC VBE 1 re'

ic v be

gm

Eq. 7- 12

esta relao ajuda no momento de comparar circuitos bipolares com JFET s.

AMPLIFICADOR FONTE COMUM

A Figura 7-7 mostra um amplificador fonte comum. Ele similar a um amplificador emissor comum. As regras aplicadas para a anlise so as mesmas

Figura 7-7 Na Figura 7-8 o equivalente ca para a anlise do ganho.

Figura 7-8 o resistor de carga est em paralelo com a resistncia de dreno. Simplificando:

rd

R D // R L rd g m v ent
Eq. 7- 13

Quando a corrente de sada gm vent flui atravs de rd ela produz uma tenso de sada

vsada
dividindo ambos os lados por vent Prof. Roberto A. Bertoli

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v sada v ent AV rc re'

rd g m

v ent v ent

finalmente o ganho de tenso ca para fonte comum

g m rd 1 re'

Eq. 7- 14

notar a semelhana com a do amplificador em emissor comum

AV

gm

AV

g m rc

AMPLIFICADOR COM REALIMENTAO PARCIAL

Na Figura 7-9 tem um amplificador com realimentao parcial

Figura 7-9 o ganho por analogia com o transistor bipolar, considerando r e = 1/ gm, :

Av

rs1

rd 1/ gm

g m rd 1 g m rs1

Eq. 7- 15

AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE

A Figura 7-10 mostra um seguidor de fonte

Figura 7-10 Prof. Roberto A. Bertoli set-00

Colgio Tcnico de Campinas Novamente por analogia:

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Av

rs

rs 1/ gm

g m rs 1 g m rs

Eq. 7- 16

7.2

MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferena bsica para o JFET porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa.

MOSFET DE MODO DEPLEO

A Figura 7-11 mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu smbolo. O substrato em geral conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicaes usa-se o substrato para controlar tambm a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais. Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A regio p chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos eltrons livres da fonte ao dreno.

Figura 7-11 A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.

Figura 7-12

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A Figura 7-12 mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa. A tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a tenso de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente de dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos eltrons livres. Com VGS negativo o funcionamento similar ao JFET. Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva na porta (inverso de polaridade bateria VGG do circuito da Figura 7-12). A tenso positiva na porta aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso, maior a corrente de dreno. Isto que a diferencia de um JFET.

MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO

O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET de modo depleo e de uso generalizado na industria eletrnica em especial nos circuitos digitais.

Figura 7-13 A Figura 7-13 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo. O substrato estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno. Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo. Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno. O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero. Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET. A Figura 7-14 mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao e reta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste estgio o Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma fonte de corrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O incio da parbola est em VGS(th). Ela

ID

k (VGS VGS( th ) ) 2

Eq. 7- 17

onde k uma constante que depende do MOSFET em particular. O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Ento rescrevendo a frmula:

ID
onde

KI D ( on )

Eq. 7- 18

VGS VGS( th ) VGS( ON ) VGS( th )

Eq. 7- 19

Figura 7-14

TENSO PORTA-FONTE MXIMA

Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que impede a circulao de corrente de porta tanto para tenses positivas como negativas. Essa camada isolante mantida to fina quanto possvel para dar a porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. Como a camada muito fina, fcil destru-la com uma tenso porta fonte excessiva. Alm da aplicao direta de tenso excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a camada isolante devido a transientes de tenso causados por retirada/colocao do componente com o sistema ligado. O simples ato de tocar um MOSFET pode depositar cargas estticas suficiente que exceda a especificao de VGS mximo. Alguns MOSFET so protegidos por diodos zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tem como inconveniente, diminuir a impedncia de entrada.

7.3

FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO

FOTOTRANSISTOR
Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo uma janela que permite a incidncia de a luz sobre a juno base-emissor, aumentando a condutividade deste diodo emissor, com o conseqente aumento da corrente de coletor. Na Figura 7-15, um exemplo de curva IC x VCE.

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