TE143 Circuitos de Rdio Frequncia

Prof. Wilson Artuzi

2012

Sistemas de RF

TX + RX

Radar Doppler 5-7 GHz

Placa de Circuito Impresso

Programa
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. Circuitos em Rdio Frequncia Linhas de Transmisso Casamento de Impedncias Parmetros de Espalhamento Filtros Circuitos Passivos Circuitos Ativos

Avaliao
Prova escrita: nota mxima = 40 Exerccios: nota mxima = 10 Trabalho: nota mxima = 50 Nota do semestre = Soma das 3 notas Datas
Prova escrita: 23/04 Apresentaes dos trabalhos: 13, 18 e 20/06 Entrega do trabalho: 25/06 Exame final: 04/07

1.1. Rdio Frequncia

ELF e VLF: 300 Hz a 30 kHz LF, MF e HF: 30 kHz a 30 MHz VHF e UHF: 30 MHz a 3 GHz SHF e EHF: 3 GHz a 300 GHz
1. Circuitos em Rdio Frequncia

Problema de Rdio Frequncia

Placa de Circuito Impresso com trilha em U Fonte e Carga conectadas nas extremidades da trilha Azul: plano terra Verde: trilha Vermlho: corrente eltrica

Por onde passa a corrente de retorno do plano terra ?

1.1. Rdio Frequncia

Frequncia Baixa

O caminho mais curto de retorno porque apresenta a menor resistncia.

1.1. Rdio Frequncia

1 kHz

Frequncia Mdia

Alm da resistncia, o lao fechado pela corrente produz um efeito indutivo devido ao fluxo magntico atravs da rea em amarelo.

1.1. Rdio Frequncia

Frequncia Alta

medida que a frequncia aumenta, a reatncia indutiva passa a ser maior que a resistncia, logo o caminho de menor impedncia o que apresenta a menor indutncia.
1.1. Rdio Frequncia

1 MHz

Linha de Transmisso

Quando a corrente de retorno segue por debaixo da trilha, surge um efeito capacitivo que ocorre simultaneamente com o indutivo produzindo uma linha de transmisso.
1.1. Rdio Frequncia

1.2. Componentes Ideais

1.2. Componentes Ideais

1.2. Componentes Ideais

1.3. Resistor Real

R: resistncia desejada C: capacitncia interna do substrato Rs: resistncia de contato dos terminais L: indutncia dos terminais Cp: capacitncia externa dos terminais

1.4. Capacitor Real

Rp: resistncia de fuga (dieltrico) C: capacitncia desejada R: resistncia de contato dos terminais L: indutncia dos terminais Cp: capacitncia externa dos terminais

1.5. Indutor Real

R: resistncia do fio L: indutncia desejada C: capacitncia entre espiras

1.6. Transformador

L1 e L2: autoindutncias desejadas M: indutncia mtua desejada R1 e R2: resistncias dos fios C1 e C2: capacitncias entre espiras C12: capacitncia entre enrolamentos

L1.L2>M

R1,R2

1.7. Diodo

1.7. Diodo

Schottky: juno metal-semicondutor Detetor Misturador Varactor: juno gradualmente dopada Capacitncia controlada por tenso PIN: semicondutor no dopado na juno Chave controlada por corrente Atenuador controlado por corrente

1.8. Transistor Bipolar

1.8. Transistor Bipolar

BJT: Bipolar Junction Transistor (< 10 GHz) HBT: Heterojunction Bipolar Transistor (> 10 GHz)

1.8. Transistor Bipolar

Modelo de Ebers-Moll para RF

1.9. Transistor FET

1.9. Transistor FET

MESFET: Metal-Semiconductor FET HEMT: High Electron Mobility Transistor (heterojunction FET)

1.9. Transistor FET

Modelo do Transistor FET para RF