Aula 10

Cincia dos Materiais I - Prof.
Nilson Aula 10
LaPTec
www.sorocaba.unesp.br/gpm
Cincia dos Materiais I Prof. Nilson C. Cruz
Cincia dos Materiais I - Prof. Nilson Aula 10
LaPTec
Viso Geral Geral sobre sobre Propriedades Propriedades Fsicas Fsicas e e Viso Aplicaes de de Materiais: Materiais: metais, metais, polmeros, polmeros, Aplicaes cermicas e e vidros, vidros, semicondutores, semicondutores, compsitos compsitos cermicas
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Semicondutores
Condutividade eltrica no to alta quanto dos metais. Banda de conduo vazia Propriedades eltricas extremamente sensveis presena de impurezas mesmo em concentraes nfimas. Semicondutor intrnseco tem suas caractersticas determinadas pela estrutura eletrnica do metal puro Semicondutor extrnseco tem suas propriedades eltricas ditadas pelas impurezas
Banda de valncia preenchida
LaPTec
Par eltron-buraco
T= >0K
=eltrons + buracos =n e e + p e b
n (p) = n de eltrons (buracos)/m3 e (b) = mobilidade de eltrons (buracos)
n=p para semicondutores intrnsecos,
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Semicondutores intrnsecos
Material Gap (eV) (-m)-1 e (m2/V-s) b (m2/V-s)

Si Ge GaP GaAs InSb CdS ZnTe 1,11 0,67 2,25 1,42 0,17 2,4 2,26 4x10-4 2,2 0,14 0,38 0,05 0,85 7,7 0,03 0,03 0,05 0,18 0,002 0,45 0,07 0,01
III-V
10-6 2x104 -
II-VI
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Semicondutores extrnsecos Tipo n
Si4+ P 5+
Eltron excedente fracamente ligado Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P Si Si Si Si Si Si Si
Si Si
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Energia
Eltron livre na banda de conduo
Estado doador
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n p n e e
LaPTec
Semicondutores extrnsecos Tipo p
Si4+ B3+
Buraco na camada de valncia Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si B Si Si Si Si Si Si Si
Estado receptor
Si Si
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Energia
Buraco na camada de valncia
LaPTec
p n p e b
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Efeito da temperatura sobre a condutividade e a concentrao dos portadores de carga
Condutividade Eltrica (-cm)-1
Germnio
ln C
Eg 2kT
C= constante Eg = energia do gap k = constante Boltzmann T = temperatura (K)
Temperatura (C)
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Condutividade cresce com o aumento de T
Crescimento de
nep
superior diminuio de
e e b.
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Condutividade (-m)-1
10 10 10
4 3 2 Si+0,0052at%B
Si+0,0013at%B
10 1 10 0 10 10
-1 Si puro
=600(-m)-1 =10-2(-m)-1
-2
50
100
200
400
1000
Temperatura (K)
LaPTec
Temperatura alta = Condutividade intrnseca 10 4 Condutividade (-m)-1 10 3
ln
10 2 10 1 10 0 10-1 10-2 50 100 400 Temperatura (K) 200 1000
Saturao
Extrnseca
Si
Eg ln = 2k 1 T
Si+B
1/T
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A variao de n e p com a temperatura semelhante variao da condutividade:
ln n = ln p C
Eg 2kT
C = constante C
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Dispositivos semicondutores
O Diodo (juno retificadora) um dispositivo eletrnico que permite a passagem de corrente eltrica em apenas um sentido. Lado p + + + + + + + + Lado n - - - Lado p Lado n + + - + + - + + - + -
Polarizao direta
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Juno retificadora com polarizao direta
Zona de recombinao
Energia
LaPTec
Juno retificadora com polarizao reversa
Lado p - + + + + + + -
Lado n + - - + - -
Lado p + + - + + + + +
Lado n - - - + - -
Polarizao reversa
LaPTec
Juno retificadora com polarizao reversa
LaPTec
Curva corrente-tenso para uma juno semicondutora

Corrente, I
+
Fluxo direto
ID
Ruptura Diodo Zener
-V0 IR
Fluxo reverso
V0
Tenso, V
I D I R
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Retificao com uma juno semicondutora
ID I R
Corrente
V0
Tenso
ID
IR
-V0
Tempo
Tempo
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O transistor
Transistor = amplificador Transistor = interruptor Os dois principais tipos de transistores so os de juno e os MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor)
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O transistor de juno
Duas junes p -n em configuraes p-n-p ou n-p-n.
Emissor Base Coletor p n p
emissor
Silcio tipo n
base coletor
Emissor Base Coletor n p n
Silcio tipo p
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O transistor pnp
buracos - + + + ++ + - + + + + + - buracos + + + ++ + + + + + buracos
Tenso reversa
Tenso direta
Carga
tenso de entrada tenso de sada Tenso de sada (mV)
Tenso de entrada (mV)
10
0,1
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O transistor pnp
Emissor Base Coletor p n p
VE
IC
I C = I0 e
VE /B
I0 , B = constantes
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O transistor MOSFET
Ventrada Vsada
Porta Isolante, SiO2
Fonte Si tipo n
-----------
Dreno Si tipo n
Si tipo P 50 nm Ventrada = 0 Vsada = 0 Transistor = interruptor (sistema binrio)
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O transistor MOSFET
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Outras aplicaes de semicondutores
Termstores: como a condutividade eltrica dos semicondutores depende da temperatura, eles podem ser usados como termmetro! Sensores de presso: como a estrutura de banda e Eg so funes do espaamento entre os tomos do semicondutor, a condutividade eltrica pode ser usada para medir a presso atuando sobre o material!
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Comportamento dieltrico
Capacitor = armazenador de energia eltrica.
Q Capacitncia C = V
A C = 0 l
l
Q =carga em uma placa A = rea da placa l = separao entre placas 0 = 8,85x10-12 F/m
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Polarizao
++ ++ + + ++ +++++ + ++ + +++++
Polarizao
----- ----- - - - - - --
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Polarizao
Sem campo eltrico Com campo eltrico
Eletrnica
Inica
Orientao
(dipolos permanentes)
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Constante dieltrica
A C = l
= 0
= constante dieltrica ( P=(-1)E )
quantidade de energia armazenada
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Rigidez dieltrica
o maior campo eltrico que um dieltrico pode manter entre dois condutores.
Rigidez Dieltrica =
V lmax
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Propriedades Eltricas
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Dependncia da Constante dieltrica com a freqncia
Constante dieltrica
Orientao
Inica
Eletrnica
Freqncia (Hz)

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n (p) = n de eltrons (buracos)/m3 e (b) = mobilidade de eltrons (buracos)

n=p para semicondutores intrnsecos,

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Material Gap (eV) (-m)-1 e (m2/V-s) b (m2/V-s)

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Semicondutores extrnsecos Tipo n

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Eltron livre na banda de conduo

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Semicondutores extrnsecos Tipo n

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Semicondutores extrnsecos Tipo p

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Semicondutores extrnsecos Tipo p

Buraco na camada de valncia

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Semicondutores extrnsecos Tipo p

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Efeito da temperatura sobre a condutividade e a concentrao dos portadores de carga

Condutividade Eltrica (-cm)-1

C= constante Eg = energia do gap k = constante Boltzmann T = temperatura (K)

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Efeito da temperatura sobre a condutividade e a concentrao dos portadores de carga

Condutividade cresce com o aumento de T

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Efeito da temperatura sobre a condutividade e a concentrao dos portadores de carga

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Efeito da temperatura sobre a condutividade e a concentrao dos portadores de carga

Temperatura alta = Condutividade intrnseca 10 4 Condutividade (-m)-1 10 3

10 2 10 1 10 0 10-1 10-2 50 100 400 Temperatura (K) 200 1000

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Efeito da temperatura sobre a condutividade e a concentrao dos portadores de carga

A variao de n e p com a temperatura semelhante variao da condutividade:

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Juno retificadora com polarizao direta

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Juno retificadora com polarizao reversa

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Juno retificadora com polarizao reversa

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Curva corrente-tenso para uma juno semicondutora

Ruptura Diodo Zener

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Retificao com uma juno semicondutora

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Duas junes p -n em configuraes p-n-p ou n-p-n.

Emissor Base Coletor p n p

Emissor Base Coletor n p n

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Tenso de entrada (mV)

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Emissor Base Coletor p n p

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Si tipo P 50 nm Ventrada = 0 Vsada = 0 Transistor = interruptor (sistema binrio)

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