Unio Metropolitana de Educao e Cultura Anlise Instrumental

DETECTORES CLULAS FOTOCONDUTIVAS FOTODIODOS DE SILCIO ARRANJO DE FOTODIODOS DETECTORES COM DIODOS.

Discentes: Aislan Reis Daniele De Frana Oliveira Batista Natalia de Macedo Pimentel Wldia Magalhes Sauane Andrade

Salvador, 2013

Clulas Fotocondutivas
O funcionamento das clulas fotocondutivas baseia-se na

converso de energia luminosa em corrente eltrica.

O efeito fotocondutivo caracteriza-se por um aumento da

condutividade eltrica de um ou mais semicondutores originada pela incidncia de radiao, que geram um potencial de cargas livres permitindo a conduo da corrente eltrica.

Clulas Fotocondutivas
um tipo de tipo de transdutor fotnico entre outros

existes.
Nos fotocondutores acontece a variao da resistividade de

um certo material semicondutor depositado sobre SiO2 por incidncia da luz. Outros materiais tpicos so lnSb( l =7 mm) e CdS( l = 0,7 mm).

Fotodiodos de Silcio
Consiste de uma juno pn inversamente polarizada

formada por um chip de silcio.

A inverso da polarizao cria uma camada de depleo

que reduz a condutncia da juno a praticamente zero.

Se for permitida a incidncia de radiao sobre o chip, no

entanto, lacunas e eltrons so formados nas camadas de depleo e se deslocam pelo dispositivo produzindo uma corrente proporcional potncia radiante. 190 a 1.100 nm.

Os fotodiodos respondem na faixa espectral em torno de

Fotodiodos de Silcio

Esquema de um Diodo de Silcio

DETECTOR DE FOTODIODOS
Um detector de arranjo de fotodiodos consiste em um circuito

integrado nico composto por: Sensor de radiao Elemento de carga Elemento de leitura
Em um arranjo de fotodiodos, os elementos fotossensveis individuais

so pequenos fotodiodos de silcio, cada um consistindo em uma juno pn reversamente polarizada.

Os fotodiodos individuais so parte de um circuito micrometrico e

integrado em alta escala formado sobre um nico cristal de silcio.

ARRANJOS DE FOTODIODOS
Cada elemento consiste de uma barra tipo p, difundida em um substrato de silcio tipo n por um processo chamado fotolitografia, onde so formados as junes pn. Resultando em uma superfcie que consiste de uma srie de elementos dispostos lado a lado .Os arranjos com geometria (2,5 mm de altura e espaamento centro a centro de 25 m so utilizados para fins spectrofotometricos.

a) Corte transversal e abaixo, vista de cima.

ARRANJOS DE FOTODIODOS
Na zona de depleo onde um eltron tem maior probabilidade de

preencher uma lacuna da banda de valncia. Nesta regio, existem poucos transportadores e, portanto, a resistncia alta. a juno pn polarizada reversamente, aumenta a barreira de energia que os transportadores de carga precisam atravessar devido ao aumento da zona de depleo.

DETECTORES DE FOTODIODOS
Nas regies p e n os transportadores de cargas de ambos

semicondutores so carregadas em sentidos opostos criando um potencial de interface que permite que cada diodo do arranjo se comporte como um capacitor.
O nmero de elementos transdutores em um chip varia de 64 a 4.096,

sendo 1.024 o mais largamente utilizado.

O capacitor formado pelo diodo descarrega proporcionalmente

potncia de radiao luminosa que nele incide ao tempo de exposio esta radiao.
A sensibilidade do diodo dependente do comprimento de onda, como

pode ser verificado (ruido)

REFERENCIAS
Ivo M. Raimundo Jr. e Celio Pasquini ,

Espectrofotometria multicanal e arranjos de fotodiodos, Qum. Nova vol.20 no.1 So Paulo Jan./Feb. 1997
Fotocondutores.pdf Prof. Orlando Belloto/UNICAMP Skoog, Fumandamentos de quimica Analitica.