Propriedades Eltricas

Como so caracterizadas a conduo e a resistncia?

Quais os fenmenos fsicos que distinguem os condutores,
semicondutores e isolantes?
Para os metais, como a condutividade afetada pelas
imperfeies, T e deformao?
Para os semicondutores como a condutividade afetada
por impurezas (dopagem) e T?

Imagem de um Circuito Integrado

Imagens de Scanning electron microscope de um CI:
Al

(d)

(d)

Si
(dopado)

(a)

45 m

0.5 mm

O mapa mostra a localizao do Si (semicondutor):

- - Si mostrado pelas regies mais
escuras.

(b)

O mapa mostra a

localizao do Al (condutor):
-- Al mostrado pelas regies
(c)
mais claras.

.
Fig. (d) Fig. 18.27 (a), Callister 7e.

Fig. (a), (b), (c) Fig. 18.0, Callister 7e.

Conduo Eletrica
Lei de Ohm:
Queda de tenso
(volts = J/C)
C = Coulomb

V = I R
resistncia (Ohms)
corrente (amps = C/s)
A

(seo
transversal
rea)

e-

I
V
L

Resistividade, e Conductividade, :

-- formas independentes da geometria, Lei de Ohm

-- Resistividade uma propriedade do matria & independente da amostra

V
I
E: campo

eltrico
L
A
(Intensidade)

Resistncia:

L
L
R

A A

resistividade
(Ohm-m)
J: densidade de corrente
Condutividade

Propriedades Eltricas
Qual deve conduzir mais?
D

2D

RA
VA

Analogia com fluxo de gua em um tubo

Logo a resistncia depende da geometria
da amostra, etc.

Definies
Definies:
J = <= outra forma de escrever a Lei de Ohm
J densidade de corrente =

corrente I

rea
A

como fluxo

potencial do campo eltrico = V/ or (V/ )

J = (V/ )
Fluxo de eltrons condutividade gradiente de tenso

Condutores de corrente
eltrons na maioria dos slidos
ons podem tambm portar carga (particularte em uma soluo lq.)

Condutividade: Comparao
-1 = ( - m)
-1
Valores a T amb. (Ohm-m)
CERMICAS
METAIS
conductors
Vidro comum
Prata
6.8 x 10 7
Concreto
Cobre
6.0 x 10 7
Alumina
Ferro
1.0 x 10 7

SEMICONDUTORES
Silcio
4 x 10 -4
Germnio
2 x 10 0
GaAs
10 -6
semicondutores
Tabelas 18.1, 18.3, e 18.4, Callister 7e.

POLMEROS
Poliestireno
Polietileno

10

-10

-10-11

10-9
<10 -13

-14

<10
10 -15-10-17
isolantes

Exemplo: Problema, Condutividade

Qual o dimetro mnimo (D) de um cabo, para V < 1.5 V?

e-

Cu, cabo-

100m
I = 2.5A

100m

D 2
4
Resposta:

L
V
R

A
I

D > 1.87 mm

< 1.5V
2.5A

6.07 x 107 (Ohm-m)-1

Estrutura das Bandas Eletrnicas

Fig. 18.2, Callister 7e.

Estrutura das Bandas

Banda de valncia
Banda de conduo

Conduction
band
valence band

Fig. 18.3, Callister 7e.

Transporte Eletrnico & Conduo

Metais (Condutores):
-- Energia trmica coloca
Muitos eltrons em estados
elevados de energias.

+
-

Energia

banda
vazia

GAP
parcialmente
preenchida
Banda de
valncia

banda
preenchida

Estados preenchidos

-- para metais, estados

energia prximos so
acessveis por
flutuaes trmicas.

banda
vazia

Estados preenchidos

Estados de Energia:

Energia

Bandade
valncia
preenchida
banda
preenchida

Estados de Energia: Isolantes &

Semicondutores
Isolantes:

Semicondutores:

so acessveis devido ao gap (> 2 eV).

-- Estados elevados de energia separados

por pequeno gap (< 2 eV).

Energia
Banda vazia

filled states

GAP
Banda de
Valncia
preenchida

Banda preenchida

Energia
Banda vazia

GAP
filled states

-- Estados elevados de energia no

Bandade
Valncia
preenchida

Banda preenchida

Portadores de carga
Fig. 18.6 (b), Callister 7e.

Dois mecanismos de transporte de

carga
Eltron carga negativa
Buraco igual & oposta carga
positiva
Movem-se a diferentes velocidades

Altas temp. promovem mais eltrons para a banda de conduo

as T

Eltrons so espalhados por impurezas, limites de gro, etc.

Metais: Resistividade vs T, Impurezas

Imperfeies aumentam a resistividade

6
(10 -8 Ohm-m)

Resistividade,

-- limite de gro
-- discordncias
-- tomos de impurezas
-- vacncias
5
4
3
2
1
0

Fig. 18.8, Callister 7e.

2
3.3

Isto faz com que os eltrons

espalhem, logo descrevem caminhos
efetivos menores.

Ni
%
e

i
+
Ni
N
%
%
Cu
d e 2 de
6
1
.
+ 2 u + 1.1
u
C
C
o
d
a
Ni
m
%
r
de
defo
2
1
.
+1
u
C
o
r
u
P
Cu

-200

-100

T (C)

Resistividade aumenta com:

-- temperatura
-- % impurezas
-- % trabalho a frio

= trmica
+ impurezas
+ deformao

Estimando a Condutividade
Questo:

%p Ni, (Concentrao C)

Fig. 7.16(b), Callister 7e.

50
40
30
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50

%p Ni, (Concentrao C)

Passo 2:Resistividade da curva

Passo 1:
Concentrao de Ni da
curva:
CNi = 21 %p Ni

(10 -8 Ohm-m)

180
160
140
125
120
100
21 %p Ni
80
60
0 10 20 30 40 50

Resistividade
,

Resist. trao (MPa)

-- Estimar a condutividade eltrica de liga Cu-Ni com resistncia a

Fig. 18.9, Callister 7e.
trao de 125 MPa.

Passo 3:

30 x10 8 Ohm m
1
3.3 x10 6 (Ohm m)1

Semicondutores puros: Condutividade versus T

Dados Silcio puro:

-- aumenta com T
-- oposto dos metais
Condutividade eltrica,

10 4

(Ohm-m) -1

undoped e
no dopado

Energia
Banda vazia

GAP
filled states

10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1

pure
(undoped)

10 -2
50 100
Fig. 19.15, Callister 5e.

1000
T(K)

E gap / kT

Eltrons podem saltar

Banda de atravs do gap altas T

valncia
preenchida
Banda preenchida

Material
Si
Ge
GaP
CdS

Gap (eV)
1.11
0.67
2.25
2.40

Tabela 18.3, Callister 7e.

Conduo em termos de migrao de

Eltron e de buraco eletrnico
Conceito de eltrons e buracos eletrnicos:
Eltron de
valncia

eltron
criao
do
par

Si tomo

eltron
Migrao buraco
do
par

buraco

Sem aplicao
de campo eltrico

+Campo eltrico
aplicado

+
Campo eltrico
aplicado
Fig. 18.11, Callister 7e.

Condutividade eltrica dada por:

# buracos/m3

n e e p e h
# eltrons/m 3

Mobilidade do
buraco eletrnico

Mobilidade do eltron

Conduo Intrnseca versus Extrnseca

Intrnseca:
# eltrons = # buracos (n = p)
-- cas para o Si puro

Extrinsica:
--n p
-- ocorre quando impurezas so adicionados com diferentes
# eltrons de valncia (ex. atomos Si)

tipo-n Extrnseco: (n >> p)

Tipo-p Extrnseco: (p >> n)

tomo de fosforo
4+ 4+ 4+ 4+

n e e

4+ 5+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+ 4+

Figs. 18.12(a) & 18.14(a),

Callister 7e.

Sem aplicao
de campo

Atomo de Boro
buraco
eltron
condutor

4+ 4+ 4+ 4+

Eltron de
valncia

4+ 4+ 4+ 4+

Si tomo

4+ 3+ 4+ 4+

p e h

Sem aplicao de campo

Juno p-n: Retificador

Permite passagem de eltrons em uma nica direo
(ex. til, converter CA em CC).

Processo: difuso de P em um lado de um cristal dopado-B

Fig. 18.21, Callister 7e.
Resultados:
Tipo-p
Tipo-n

+ + +
+ +

-- Sem aplicao de campo,

no h corrente.
-- Na direo: recombinao de
Eltrons e buracos, corrente
flui atravs da juno
-- Direo reversa:
Eltrons e buracos se afastam
no h recombinao,
no h corrente.

Tipop
+
+

+ - Tipon
++- - + -

+ Tipop
+ +
+ +

Tipon - -

Semicondutores Intrnsecos
Materiais puros semicondutores: silcio & germnio
Materiais do grupo IV A
Compostos semicondutores
III-V compostos
Ex: GaAs & InSb

II-VI compostos
Ex: CdS & ZnTe

Quanto maior a diference de eletronegatividade,

tanto maior ser o gap de energia.

Semicondutor dopado: Condutividade vs. T

Dados para o Silcio dopado: Comparao: conduo,

0.0052 % de B

10 3
10 2

dopado com

-- extrnseco nvel de dopagem:

1021/m3 de um doador tipo-n,
impureza P.
-- para T < 100 K: congelamento,
energia trmica insuficiente para
excitar os eltrons.
-- para 150 K < T < 450 K: "extrnseco"
-- para T >> 450 K: "intrnseco"

0.0013 % de B

10 -2
50 100

Fig. 19.15, Callister 5e.

1000
T(K)

s/dopagem

3
2
1

Fig. 18.17, Callister 7e.

intrnseco

10 -1

puro
(s/dopagem)

dopado
congelados

10 0

concentrao (1021/m3)

10 1

extrnseco

10 4

intrnseco vs extrnsecos...

conduo eletrnica

condutividade eltrica,
(Ohm-m) -1

-- aumenta com a dopagem

-- razo: stios de imperfeies
diminuem a energia de ativao
para produzir eltrons mveis.

0
0

200 400 600 T(K)

Nmero de Portadores de Carga

Condutividade Intrnseca
= n|e|e + p|e|e
para semicondutor intrnseco n = p

= n|e|(e + n)
Ex: GaAs

106 ( m)1
n

e e n
(1.6x1019 C)(0.85 0.45 m2 /V s)

Para GaAs
Para Si

n = 4.8 x 1024 m-3

n = 1.3 x 1016 m-3

Propriedades da Juno Retificadora

Fig. 18.22, Callister 7e.

Fig. 18.23, Callister 7e.

Transistor MOSFET
MOSFET: Semicondutor de xido metlico sob efeito de campo (metal oxide
semiconductor field effect transistor)

Fig. 18.24, Callister 7e.

Biasing = polarizao

Circuito Integrado

Fig. 18.26, Callister 6e.

Circuitos integrados estado da arte <=> 50 nm de

espessura das linhas
1 Mbyte cache on board
> 100,000,000 componentes no chip
chip formado camada por camada
Al o condutor

Cermicas Ferroeltricas
Cermicas Ferroeltricas so dipolares abaixo da TC = 120C
(temperatura Curie TC, acima da qual a substncia ferromagntica se comporta como
paramagntica )

Resfriada abaixo da TC em um forte campo eltrico, produz-se um material com forte momento
de dipolo
Fig. 18.35, Callister 7e.

Materiais Piezeltricos
Piezeletricidade aplicao de presso produz corrente

Em
repouso

compresso
induz voltagem

Voltagem aplicada
induz expanso

Fig. 18.36, Callister 7e.

Resumo da aula
Condutividade e resistividade, eltricas, so:
-- parmetros (propriedades) dos materiais.
-- independem da geometria.
Resistncia eltrica :
-- um parmetro dependente da geometria do material
Condutores, semicondutores, e isolantes...
-- diferem entre si no acesso dos estados de energia pelos eltrons de
conduo.
Para metais, a condutividade aumentada por:
-- reducing deformation
-- reducing imperfections
-- decreasing temperature.
Para semicondutores puros, a condutividade aumentada por:
-- aumento da temperatura
-- dopagem (ex., adio de B ao Si (tipo-p) ou P to Si (tipo-n).

RESPONDER NO CADERNO
1. O que Condutividade Eltrica?
2. O que Resistividade Eltrica ?
3. Como se comportam os materiais frente a
aplicao de um campo eltrico ?
4. O que so eltrons livres ?
5. Qual energia deve ser cedida para a conduo ?
6. O que so semicondutores ?
7. O que so semicondutores intrnsecos ?
8. O que so semicondutores extrnsecos ?
9. O que um dispositivo de juno tipo
retificador ?
10. Traduzir MOSFET.