Universidade Federal de Itajub

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informao

Engenharia da Computao

ELT303 Eletrnica Analgica I

Materiais Semicondutores e Juno PN

Prof. Paulo C. Crepaldi

Prof. Carlos Waldecir de Souza

Universidade Federal de Itajub

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informao
Engenharia da Computao

Ateno
O material constante destas notas de aula foi preparado com base na
bibliografia recomendada e destina-se a servir como um apoio ao
acompanhamento da disciplina.
Em alguns slides so utilizados recursos coletados da INTERNET e
considerados de domnio pblico.

Resistividade: Conceito
Considere uma amostra de um material
submetida a uma diferena de potencial
(V) como ilustrado ao lado.
Pela lei de Ohm, a corrente (I) mantm
uma relao com V atravs de uma
grandeza que a Resistncia Eltrica
(R):
V
I
R
A Resistncia Eltrica depende da
geometria (L e A) da amostra e de uma
caracterstica intrnseca do material que
a Resistividade ():
R

L
I
A
+

L
A

OBS: Entende-se por corrente eltrica a deriva de

portadores de carga em funo da presena de um campo
eltrico (Adendo 1).

George Simon Ohm (1789 1854)

3

Resistividade: Conceito
Dependendo do valor da resistividade, podemos classificar os materiais em
condutores (opem baixa resistncia ao fluxo de corrente), isolantes (opem alta
resistncia ao fluxo de corrente) e semicondutores (apresentam valores de
resistncia entre os limites dos condutores e isolantes).
Elemento

Condutores
Semicondutores
Isolantes

Prata
Cobre
Ouro
Alumnio
Germnio (puro)
Silcio (puro)
Vidro
mbar
Mica
Quartzo (fundido)

Resistividade
(Ohm.cm)
1,6.10-6
1,7.10-6
2,3.10-6
2,8.10-6
47
21,4.104
1012 a 1013
5.1016
9.1016
75.1018

Tabela Comparativa entre nveis de Resistividade

(Observar as vrias ordens de grandeza que separam os limites inferior e superior da Resistividade)
4

Resistividade: Tabela Comparativa e Elementos Semicondutores

(simples e compostos)

Tabela Comparativa entre nveis de Resistividade e Condutividade

e
Elementos Semicondutores (Simples ou Compostos)

Materiais Semicondutores: Silcio

Principais motivos para o uso de materiais semicondutores na indstria eletrnica:
Obteno de altos graus de pureza (Adendo 2);
Disponibilidade (20% a 30% da crosta terrestre - silicatos);
Modificao de suas caractersticas eltricas em funo da Dopagem, da
Temperatura e da Luz (possibilidade de fabricao de dispositivos
especializados, por exemplo, sensores).
As anlises a seguir sero baseadas no material
semicondutor Silcio. Contudo, todos os conceitos
apresentados podem ser, qualitativamente, estendidos para
outros materiais semicondutores (simples ou compostos).

Cilindro de Silcio processado e pronto

para ser cortado para a obteno dos
Wafers
Silcio em estado bruto
6

Silcio: Estrutura Atmica (tomo de Bohr)

Para compreender as caractersticas eltricas do semicondutor
Silcio (Si) necessrio uma investigao em nvel
atmico. Para tanto, reproduz-se aqui o Modelo de Bohr
para um tomo de Si. Observar que apesar de ser uma
estrutura tridimensional, ele est representado de uma
forma planar.
Niels Henrik David Bohr (1885-1962)

Dois componentes principais:

Um ncleo, em que esto presentes 14 Prtons
(carga positiva) e 14 Nutrons (carga nula);
Ncleo

Uma eletrosfera, em que esto presentes 14

Eltrons (carga negativa).
Existe um equilbrio eletrosttico uma vez que as
cargas positivas e negativas esto em igualdade.

Silcio: Estrutura Atmica (tomo de Bohr)

A distribuio dos eltrons obedece a soluo da
equao de Schrdinger que quantifica a energia total
(potencial + cintica) destes portadores.
Esta soluo indica que existem rbitas especficas
estabelecendo nveis discretos de energia. Entre as
rbitas existe um Gap de energia que representa estados
proibidos.
Erwin Schrdinger. (1887 - 1961)

Quanto mais afastada a rbita, maior o estado de

energia.

Existe uma tendncia na natureza para que os sistemas fiquem nos seus estados
mnimos de energia. Ento, esto preenchidas as 3 primeiras rbitas o que no
significa que existam outras rbitas mais externas que tambm representam solues
para o equacionamento de Schrdinger.
A ltima rbita chamada de rbita de valncia e possui 4 eltrons. Assim, o Si
dito ser tetravalente.
A rbita de valncia, atravs de seus eltrons, responsvel pelas propriedades
qumicas e eltricas do material.

Silcio: tomo de Bohr (Nveis de Energia)

Existe a possibilidade de se alterar o posicionamento de um eltron mudando-o de
uma rbita para outra. Para ascender a uma rbita superior necessrio receber
energia externa que seja pelo menos igual energia do Gap.
Ao retornar orbita inferior (lembre-se que os sistemas tendem a estar nos estados
de energia mnima) deve liberar a diferena de energia relativa ao Gap.

E gap

E = gap

Por estarem mais fracamente

presos ao ncleo (atrao
eletrosttica), os eltrons da
rbita de valncia so os que
mais tm a maior
probabilidade de, ao receber
energia, passarem para rbitas
mais externas.

A energia externa entregue ao tomo pode estar na forma de luz, calor, ou ainda,
resultante do choque de outra partcula com o eltron. A energia liberada pode
estar na forma de calor ou de luz.
9

Silcio: Ligaes Covalentes e Estrutura Cristalina

A mecnica quntica mostra que para um material adquirir estabilidade qumica
necessrio que a rbita de valncia possua 8 eltrons. Como o tomo de Si
tetravalente, ele se une a outros 4 tomos para estabelecer um compartilhamento da
rbita de valncia e, desta forma, cada tomo possuir, dinamicamente, os 8 eltrons
necessrios para a estabilidade. Este tipo de ligao chamada de ligao
covalente.
Novamente, a representao est sendo
feita de uma forma planar. Na realidade,
Ligao
Covalente
ao formar as ligaes covalentes, o
silcio apresenta uma estrutura
tridimensional harmnica (estrutura
cristalina) que se repete no espao.

rbita de
Valncia
Ligaes Covalentes no Silcio

Cristal de Silcio

10

Silcio: Estrutura Cristalina (Semicondutor Intrnseco)

O silcio em sua forma cristalina, para ser utilizado na industria de semicondutores,
passa por um processo de purificao em alto grau (99,9999%). Isto significa algo
em torno de 1 tomo de impureza para cada 10 bilhes de tomos de silcio.
Neste caso, o cristal de silcio dito ser intrnseco, ou seja, as suas propriedades
eltricas so funo apenas dos tomos de silcio e no dos tomos de impurezas.
Deve-se observar, ainda, que o cristal de silcio permanece eletricamente neutro
pois o nmero de prtons continua sendo contrabalanado, em igualdade, pelo
nmero de eltrons.

Silcio: Modelo de Cargas Envolventes

Dependendo da posio do tomo de Si na estrutura cristalina, ele pode apresentar
uma pequena diferena nos nveis de energia que representam as suas rbitas. 1cm3
de uma amostra de Si intrnseco possui, aproximadamente, 5.1022 tomos, ou seja, ao
representar as rbitas, vai aparecer uma grande quantidade delas muito prximas
umas das outras. Este conjunto de rbitas passa a ser chamado de Banda de
Energia e, particularmente para a ltima rbita, teremos uma Banda de Valncia
(BV).
11

Cristal de Silcio: Bandas de Energia e Gerao Trmica de Pares

Eltron-Lacuna
O cristal de silcio apresenta uma Na temperatura ambiente (TAMB= 270C = 300K), a
Gap de 1,1[eV] entre a Banda de
energia trmica cedida ao cristal permite
Valncia e a Banda de Energia
quebrar algumas ligaes covalentes
relativa s prximas rbitas
(1,5.1010/cm3). Assim, eltrons passam da BV para
(Adendo 3)
a prxima de Banda de Energia deixando em seu
lugar uma ligao covalente incompleta. A
ausncia deste eltron denominada de lacuna.
E [eV]
4 a rbita

=> Banda de Energia

Gap

rbita de Valncia

=> Banda de Valncia (BV)

O processo recebe o nome de: Gerao de Pares

Eltron-Lacuna.
Como existe a tendncia do material estar no seu
estado de energia mnimo, eltrons retornam para
a BV liberando energia. Este processo chamado
Recombinao e restabelece a ligao covalente
quebrada.
Em uma situao de Equilbrio Trmico:
Taxa de Gerao = Taxa de Recombinao

12

Cristal de Silcio: Corrente de Eltrons e de Lacunas

Se aplicarmos uma diferena de potencial (ddp)a um cristal de silcio (T AMB) vamos
observar a presena de uma corrente eltrica. Contudo, diferentemente de um
material metlico, esta corrente composta por dois tipos de portadores: os eltrons
e as lacunas.
Na Banda de Energia acima da BV existem muitos nveis de energia disponveis e
uma quantidade reduzida de eltrons. Pela presena da ddp, estes eltrons, com
pequenos ajustes de energia, podem caminhar de um tomo para outro estabelecendo
um fluxo ordenado de portadores de carga. Os eltrons presentes nesta Banda de
Energia, pela sua liberdade de locomoo, so chamados de eltrons livres e por
permitir a conduo de uma corrente eltrica a banda passa a se chamar de Banda de
Conduo (BC).
ddp [V]
Cristal de Silcio
(Intrnseco)
BC

eltrons

+
lacunas

BV

corrente de eltrons (I

corrente de lacunas (I

A figura ao lado ilustra a presena desta

corrente de eltrons (IN) e a sua
representao em termos de circuito
eltrico ser a convencional (fluxo
contrrio ao fluxo dos eltrons uma vez
que so modelados como portadores de
carga negativa).
13

Cristal de Silcio: Corrente de Eltrons e de Lacunas

As lacunas tambm contribuem para
o transporte de corrente no Si. Se
consideramos que os eltrons na BV
esto em constante movimento, eles
podem (tambm com pequenos
ajustes de energia e sob ao da ddp)
ir passando de lacuna em lacuna
fazendo parecer que ela est se
deslocando em sentido contrrio.
As lacunas so modeladas, ento,
como portadores de carga positivos
e constituem uma corrente eltrica
(IP) na BV.

Movimento da Lacuna
Movimento do Eltron
ddp [V]
Cristal de Silcio
(Intrnseco)
BC

eltrons

+
lacunas

BV

corrente de eltrons (I

corrente de lacunas (I

A figura ao lado ilustra a presena desta

corrente de lacunas (IP) e a sua
representao convencional.

14

Semicondutores: Observaes Importantes

A corrente total, no cristal semicondutor, a soma das correntes de eltrons e de
lacunas (IT = IN + IP);
Por apresentar a conduo de corrente atravs de dois tipos de portadores, o
material semicondutor recebe a denominao bipolar;
Na temperatura de zero absoluto (-273,15 0C) o semicondutor comporta-se como
um isolante uma vez que no existe a gerao trmica de pares eltron-lacuna;
O coeficiente trmico da resistividade do semicondutor negativo, ou seja, um
aumento na temperatura representa uma diminuio na resistividade (Si = -0,075
[0C-1] e Ge -0,048 [0C-1]) ;
Por estarem na BC, onde existe uma grande disponibilidade de estados de energia,
os eltrons apresentam uma maior Mobilidade () em relao s lacunas que esto
na BV ( N 1400 [cm2/V.s] e P 450 [cm2/V.s]). Em termos prticos,
considerar a mobilidade dos eltrons de 2 a 3 vezes maior.

15

Semicondutores: Cristais Extrnsecos

Para aumentar a capacidade de corrente dos semicondutores intrnsecos e, com isto,
poder produzir dispositivos eletrnicos dentro de uma realidade prtica de uso,
estes cristais passam por um processo chamado de Dopagem. Um cristal dopado
, ento, dito ser Extrnseco.
Atravs deste processo, de forma muito bem controlada, possvel alterar a
disponibilidade tanto de eltrons na BC quanto de lacunas na BV.
A idia fundamental inserir impurezas no cristal intrnseco de modo a provocar
a substituio de alguns tomos de sua estrutura.
Dependendo da valncia (quantidade de eltrons na rbita de valncia) desta
impureza obtm-se dois tipos de cristais:
Um, denominado de Cristal N, em que houve uma aumento dos portadores
eltrons;
Outro, denominado Cristal P, em que houve um aumento dos portadores lacunas.
Os nveis de dopagem situam-se, tipicamente, na faixa de uma parte para 10
milhes (compare com o grau de pureza de uma parte para cada 10 bilhes).
Entretanto, cristais fortemente dopados podem degenerar e migrar o seu
comportamento de semicondutor para condutor.
16

Semicondutores: Cristal N
Para aumentar o nmero de eltrons na BC, a dopagem feita com tomos
pentavalentes (5 eltrons na rbita de valncia). Assim, 4 eltrons do dopante so
usados para formar as ligaes covalentes com os tomos de S i e o quinto eltron
fica muito fracamente preso ao tomo original. Em outras palavras, a energia trmica
do meio ambiente mais do que suficiente para lev-lo BC. Diz-se que os
dopantes estabelecem um Nvel de Energia dos Doadores pois cada um deles doa
um eltron para a BC.
Cristais N com nveis de dopagem mais leves so simbolizados por N- e com nveis
de dopagem mais elevados por N+
Banda de Conduo
0,05 [eV]
1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Doadores

Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna

Banda de Valncia

Observar que a gerao trmica de pares

eltrons continua a existir, contudo, a
maioria dos eltrons na BC so advindos
do processo de dopagem. Por esta razo
so chamados de Portadores
Majoritrios. As lacunas, por sua vez,
constituem os Portadores Minoritrios.
17

Semicondutores: Cristal P
Para aumentar o nmero de lacunas na BC, a dopagem feita com tomos
trivalentes (3 eltrons na rbita de valncia). Assim, 3 eltrons do dopante so
usados para formar as ligaes covalentes com os tomos de S i e fica faltando um
eltron, ou seja, inseriu-se uma lacuna. Diz-se que os dopantes estabelecem um
Nvel de Energia dos Aceitadores pois cada um deles aceita um eltron para a
este nvel deixando uma lacuna na BV. Este nvel est muito prximo da BV de
modo que a temperatura ambiente, todos dopantes contribuem com uma lacuna.
Cristais P com nveis de dopagem mais leves so simbolizados por P- e com nveis
de dopagem mais elevados por P+
Banda de Conduo
Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna
1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Aceitadores

0,05 [eV]
Banda de Valncia

Observar que a gerao trmica de pares

eltrons continua a existir, contudo, a
maioria dos lacunas na BV so advindas
do processo de dopagem. Por esta razo
so chamados de Portadores
Majoritrios. Os eltrons, por sua vez,
constituem os Portadores Minoritrios.
18

Cristais N e P: Observaes Complementares

Considerando-se o nvel atmico, cada tomo dopante um on. Positivo no caso
do dopante pentavalente (perdeu um eltron) e negativo no caso do dopante
trivalente (perdeu uma lacuna);
Macroscopicamente, entretanto, os cristais N e P permanecem eletricamente
neutros ;
Os dopantes pentavalentes mais comuns so: Fsforo (P), Arsnio (AS) e
Antimnio (Sb) ;
Os dopantes trivalentes mais comuns so: Boro (B), Glio (Ga) e ndio (In).

on Positivo

on Negativo
Exemplos de Cristais N e P (Bohr)

19

Juno PN: Gradiente de Concentrao

Representa uma das estruturas mais importantes na fabricao de diversos
componentes eletrnicos.
formada pela unio de um cristal do tipo N com um cristal do tipo P. Algumas
literaturas referem-se a esta juno como juno metalrgica.
Como o cristal P tem lacunas em maioria
(portadores majoritrios) e o cristal N tem
eltrons em maioria (portadores majoritrios),
ao se juntar os dois existe, na regio da
juno, um Gradiente de Concentrao.

Juno PN

Este Gradiente fora a difuso de portadores

majoritrios do lado em que est mais
concentrado para o lado em que est menos
concentrado, ou seja, lacunas vo se difundir
do lado P para N e eltrons do lado N para P.
O processo de difuso se inicia com os
portadores que esto mais prximos da
juno.
20

Juno PN: Difuso de Portadores e Formao da Regio de Depleo

Ao atravessarem a juno, os portadores majoritrios deixam atrs de si os seus
tomos originais descobertos, ou seja, deixam atrs de si ons. Positivos no cristal
N (tomos pentavalentes que perdem eltrons) e negativos no cristal P (tomos
trivalentes que perdem uma lacuna).
Os portadores majoritrios ao cruzarem a
juno esto em um cristal em que so
minoria. Portanto, existe uma grande
probabilidade de recombinao. Em outras
palavras: o portador majoritrio que cruza a
juno no consegue ir muito longe pois
logo encontra um portador de sinal oposto
para recombinar.
Juno PN: Formao da regio de Depleo

Vai se formando no entorno da juno uma

regio de cargas espaciais, fixas na estrutura,
que se denomina de Regio de Depleo ou
Regio de Exausto (Adendo 4)
Observar que esta regio caracteriza pela
presena de dipolos eltricos que tm
associado a eles um Campo Eltrico.
21

Juno PN: Barreira de Potencial

O campo eltrico criado pelos dipolos est em um sentido que contraria a difuso de
portadores majoritrios atravs da juno. Ele pode atingir um valor, grande o
suficiente, para impedir que o processo de difuso continue.
O cristal N perdeu eltrons para o cristal P e
ele est ligeiramente positivo em relao ao P.
O cristal P perdeu lacunas para o cristal N e
est ligeiramente negativo em relao ao N.
Esta situao pode ser modelada pela
presena de uma bateria (interna, presente
na regio da juno) e atua como uma
barreira para que o processo de difuso
continue. Esta bateria a chamada Barreira
de Potencial (VT ou V).

Barreira de potencial

Outro ponto a se comentar diz respeito a

largura da regio de depleo (W). Na prtica
este valor da ordem de micrometros e
varia em funo dos nveis de dopagem dos
cristais. Quanto maior a dopagem, menor a
penetrao da regio no respectivo cristal.
22

Juno PN: Anlise com a Presena dos Portadores Minoritrios

Os portadores minoritrios (eltrons em P e lacunas em N), ao contrrio dos

majoritrios, so acelerados pelo campo eltrico e caminham em direo juno.
Este processo de movimentao pela presena de um campo eltrico chamado de
Deriva dos portadores.
Ao irem em direo juno podem neutralizar os ons presentes na regio de
depleo; em N um on positivo que ganha um eltron e em P um on negativo que
ganha uma lacuna.
O valor do campo eltrico diminui e o processo de difuso pode recomear
restabelecendo os ons. Resumindo: Tem-se um processo dinmico em que se
alcana um equilbrio entre o fluxo de portadores majoritrios por difuso e o
fluxo de portadores minoritrios por deriva.
Se for associado a este fluxo de portadores uma corrente eltrica pode-se dizer que:
IDERIVA = IDIFUSO
23

Juno PN: Observaes Importantes

Toda anlise aqui desenvolvida pressupe que a juno PN esteja em equilbrio
trmico e no esteja sob ao de nenhum tipo de campo eletromagntico;
O valor de VT depende dos nveis de dopagem dos cristais, do tipo de material
semicondutor e da temperatura;
Para o Si, VT vale aproximadamente 700mV@TAMB e tem um coeficiente
trmico de -2mV/0C. Para o Ge, VT vale aproximadamente 300mV@TAMB;
No possvel medir a tenso VT com um multmetro (escala voltimtrica)!!
Algumas literaturas fazem meno a esta tenso como sendo Vbi (built-in
voltage), uma tenso embutida. Para se avaliar o seu valor necessrio tirar a
juno PN da condio de equilbrio;
Macroscopicamente, a juno PN, em equilbrio, permanece eletricamente
neutra;
A regio de depleo pode ser modelada como um isolante uma vez que no
possui portadores de carga (qualquer portador nesta regio ser acelerado para
fora pela presena do campo eltrico). As regies restantes dos cristais N e P so,
normalmente, referenciadas como regies neutras e continuam a ser consideradas
semicondutoras.
24

Adendo 1: Corrente de Deriva

Alguns dispositivos eletrnicos, por exemplo os transistores de efeito de campo,
caracterizam-se por apresentar a predominncia da corrente de deriva em seu
funcionamento. A corrente de deriva est relacionada com a presena de um
campo eltrico. Observar a figura na seqncia.
Os portadores de carga (no caso est
representado um lacuna) apresentam um
movimento aleatrio devido a presena da
energia trmica do meio ambiente.
O deslocamento resultante zero por se tratar,
justamente, de um fenmeno aleatrio.
Corrente de Deriva:
Presena de um Campo Eltrico

Contudo, com a presena de um campo eltrico

existe a superposio dos efeitos aleatrios e
dos efeitos causados pelo campo.
Desta forma, existe um deslocamento resultante
diferente de zero.

retornar
25

Adendo 2: Fabricao de Circuitos Integrados

DIE

retornar

Algumas fotos que exemplificam partes do processo de fabricao de

um CI (Circuito Integrado).
Observar a necessidade de se trabalhar com roupas especiais para
evitar a contaminao de impurezas.
As salas recebem a denominao de salas limpas.
Uma sala limpa classe 1 (usada para a fabricao de dispositivos com
geometria sub-micron) representa, no mximo, uma partcula (maior
que 0,5mm) por p cbico (ft3) ( 0,03m3) de ar.
26

Adendo 3: Comparao entre Bandas de Energia

retornar

Como informao complementar, verificar na figura a seguir, a diferena entre

bandas de energia para metais, materiais semicondutores e isolantes. Observar a
facilidade (ou dificuldade) que os portadores de carga tm, em cada tipo de
material, para transitar entre as bandas de valncia (VB Valence Band)) e
conduo (CB Conduction Band).

Bandas de Energia para Metais, Semicondutores e Isolantes

Nos metais existe uma superposio das bandas, indicando que o seu comportamento se
mantm mesmo a baixas temperaturas. J o isolante, para haver conduo, necessrio
romp-lo, ou seja, o material dever ser exposto a uma grande quantidade de energia.
27

Adendo 4: Juno PN (outra abordagem)

E X

retornar

xN

dx

xP

V X

xN

dx

xP

O valor mximo do campo

eltrico ocorre na juno
metalrgica entre os dois
cristais.
-xP

+xN

As regies em que o campo

eltrico zero so denominadas
de Neutras.
Observar que existe uma
diferena de potencial associada
regio de dpleo ( nesta
regio o cristal N mais
positivo que o cristal P).
28

Adendo 5: Propriedades do Silcio

Silcio Policristalino
Linhas Espectrais

O silcio (latim: silex, slex ou "pedra dura") um elemento qumico de smbolo Si de

nmero atmico 14 (14 prtons e 14 eltrons) com massa atmica igual a 28u.
temperatura ambiente, o silcio encontra-se no estado slido. Foi descoberto por Jns
Jacob Berzelius, em 1823. O silcio o segundo elemento mais abundante na crosta
terrestre, perfazendo mais de 28% de sua massa. Aparece na argila, feldspato, granito,
quartzo e areia, normalmente na forma de dixido de silcio (tambm conhecido como
slica) e silicatos (compostos contendo silcio, oxignio e metais). O silcio o principal
componente do vidro, cimento, cermica, da maioria dos componentes semicondutores e
dos silicones, que so substncias plsticas muitas vezes confundidas com o silcio.
Pertence ao grupo 14 (IVA) da Classificao Peridica dos Elementos. Se apresenta na
forma amorfa e cristalina; o primeiro na forma de um p pardo mais reativo que a
variante cristalina, que se apresenta na forma octadrica de colorao azul grisceo e
brilho metlico.

Distribuio Eletrnica

29

Adendo 6: Um pouco de histria

Diodo a vlvula de Fleming (1904)

Estes dispositivos tambm so referenciados
como Tubo Vcuo ou Vlvula Terminica

John Ambrose Fleming (1849-1945)

30

Exerccios
1)
2)
3)
4)

Considere um fio de cobre com 100m de comprimento e 2mm de dimetro, (a) Qual a sua resitncia? (b) Um segundo fio do
mesmo material tem o mesmo peso que o anterior, mas seu dimetro o dobro. Qual a sua resistncia?
Na descrio da teoria das Bandas de Energia, quais so as exigncias fundamentais para que um slido possa ser considerado
(a) um metal, (b) um isolante ou (c) um semicondutor?
Descrever, utilizando o diagrama de bandas de energia, o que so materiais semicondutores, metlicos e isolantes. Por que ocorre
a formao de bandas de energia ao invs de nveis de energia discretos? A condutividade eltrica de um determinado elemento
pode ser influenciada pela sua estrutura de bandas de energia?
Explicar o que uma dopagem do tipo N e uma dopagem do tipo P e o que so tomos aceitadores e doadores de eltrons. A
dopagem em semicondutores se d em nvel substitucional e geralmente tratada como adio de impureza ao semicondutor
intrnseco altamente puro. O que acontece se o nvel de dopagem for muito elevado (da ordem de dcimos percentuais de
dopagem)? Utilize as figuras a seguir para auxiliar na resposta desta questo.

(a)

(b)

(a) Mobilidade eletrnica em funo da temperatura em Si tipo N, para vrias concentraes de impurezas Nd.
(b) Mobilidade de eltrons e lacunas em Si e GaAs em funo da concentrao de impurezas em T = 300K.
31

Exerccios
5)
6)
7)
8)
9)
10)

11)
12)

13)
14)
15)
16)

17)

18)

Explique a diferena entre um semicondutor intrnseco e extrnseco.

Explique como uma lacuna contribui para o transporte de corrente em um semicondutor.
Na temperatura ambiente (considerada 300K), um certo campo eltrico aplicado a uma amostra de silcio puro gera uma
corrente de deriva dos eltrons de conduo que cerca de 40 vezes maior que a velocidade de deriva dos eltrons de conduo
em uma amostra de cobre. Por que o silcio no melhor condutor que o cobre?
Que outros elementos, alm do fsforo (P) e do boro (B), seriam candidatos para ser usados como impurezas doadoras e
aceitadoras para o silcio? Consulte a Tabela Peridica.
Como possvel explicar o fato da resistividade dos metais aumentar com a temperatura e a dos semicondutores diminuir?
O Gap de Energia (EG) existente entre as bandas de valncia (BV) e conduo (BC) para o silcio e o germnio so,
respectivamente, 1,14[eV] e 0,67[eV]. Qual dos dois elementos apresenta maior densidade de portadores de carga temperatura
ambiente (300K)? E temperatura de zero absoluto?
Por que um semicondutor dopado do tipo n (p) tem muito mais eltrons (lacunas) que lacunas (eltrons)?
O silcio e o germnio so materiais semicondutores semelhantes. A diferena fundamental est no Gap de Energia (E G). Se for
necessrio construir uma juno PN com a menor corrente reversa possvel, qual dois semicondutores deveramos utilizar?
Explique.
Explique detalhadamente a formao da regio de depleo em uma juno PN.
Por que a largura da regio de depleo (W) varia em funo do nvel de dopagem dos cristais N e P?
Por que no possvel medir o valor da barreira de potencial (VT) com um multmetro utilizando a seo voltmetro? Usando a
seo ohmmetro esta medida possvel? Explique.
A barreira de potencial (VT) para uma juno PN de silcio de aproximadamente 700mV na temperatura ambiente (considere
25C). Faa uma tabela indicando o valor desta barreira entre 0C e 100C com intervalos de 10C. possvel estabelecer uma
equao que defina este comportamento?
Pesquise na literatura pertinente uma equao que relacione o valor da barreira de potencial (V T) com os nveis de dopagens dos
cristais N (ND) e P (NA) . Faa uma tabela comparativa considerando (a) o cristal N mais fortemente dopado que o cristal P, (b)
o cristal P mais fortemente dopado que o cristal N, (c) os cristais N e P apresentam dopagens iguais.
Pesquise na literatura pertinente sobre a mobilidade dos eltrons (N) e das lacunas (P). Por que elas so diferentes?

32