MOSFET

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR

 PROPRIEDADES

- Tamanho: o MOSFET ocupa de 20 a 30% da área

ocupada em um chip por um TBJ;
- Resistência controlada por tensão: ocupa menor área
do que um resistor;
- Alta resistência e pequena capacitância de entrada:
utilizado como elemento de armazenamento em
circuitos digitais;
- Capacidade para dissipar alta potência e chavear
grandes correntes em menos do que 1ns.
Possibilitando seu uso em chaveamento de alta
frequência e alta potência.
CARACTERÍSTICAS

• Disponível em duas polaridades: canais N e P;

• Possui 3 terminais: dreno/drain (D), porta/gate (G)
e fonte/source (S);
• Possui alta impedância de entrada;
• Utilizado como amplificador ou chave analógica;
• Um MOSFET canal n consiste de um substrato tipo
p onde duas regiões tipo n, fortemente dopadas,
são difundidas. Estas duas regiões formam a fonte
e o dreno.
 COMPOSIÇÃO

• A porta (gate) é formada cobrindo a

região entre o dreno e a fonte com uma
camada de dióxido de silício, do qual em
cima é colocada uma placa de metal, daí o
nome MOS de MOSFET (Metal, Óxido e
Semicondutor).
FUNCIONAMENTO

• Alta resistência entre Dreno e Fonte (MΩ);

• Corrente 0 entre Dreno e Fonte;
• Quando Vgs > 0, um canal tipo n é induzido, entre
fonte e dreno, como resultado dos elétrons, da
banda de condução, atraídos à superfície do
substrato p, diretamente abaixo da Porta.
• O valor de Vgs na qual um número suficiente de
elétrons móveis se acumulam na região do canal,
para formá-lo, é chamada tensão de limiar
(Threshold Voltage) e é denominada Vt ou Vth.
 OPERAÇÃO COM AUMENTO DE VDS

• Mantemos Vgs constante com um valor

maior do que Vth;
• Portanto, a tensão entre a porta e os
pontos ao longo do canal diminui de VGS
na fonte até VGS – VDS no dreno;
• Com isso, o canal será mais profundo no
final da fonte e mais superficial no final
do dreno;
REGIÃO DE SATURAÇÃO

• Quando Vds = Vgs – Vth, a profundidade do

canal no final do dreno diminui até próximo
de zero;
• A corrente de Dreno se mantém constante e
dizemos que o MOSFET inicia sua operação
na região de saturação;
• Para cada valor de Vgs ≥ Vth, existe um
correspondente valor de Vdssat = Vgs – Vth;
REGIÕES DE OPERAÇÃO
APLICAÇÕES DE TRANSISTORES MOSFET

• Os transistores MOSFET tem uma variedade de aplicações em circuitos digitais e são

largamente utilizados em computadores.
• têm um quarto terminal, correspondente ao substrato, que deve ser mantido em um
potencial que faz as junções não conduzirem.
• Em geral ele é ligado à fonte no MOSFET de canal n e ao dreno no de canal p .
 CARACTERÍSTICA DO MOSFET
• Isolamento elétrico da porta. Sua impedância de entrada é da ordem de 1014 Ω.

• Nos circuitos integrados digitais utilizando MOSFETs, é possível reduzir

drasticamente o consumo de potência com o emprego de pares de transistores
interligados, sendo um de canal n e o outro de canal p.

• Esta tecnologia, chamada de par complementar ou CMOS, possibilita a

fabricação de relógios, calculadoras e computadores com dissipação de potência
extremamente pequena.
 EXEMPLO DE EMPREGO DE PAR
COMPLEMENTAR

• O ponto de operação do circuito é

dado pela intersecção das curvas de
T 1 e T2, pois:

V D1 + V D2 = +V DD
I D1 = I D2 .
• O circuito da figura é um circuito lógico inversor do tipo NOT.
• Seu objetivo é dar na saída um sinal nulo (0) quando o sinal de entrada for Ve =+V
DD (bit 1), e saída +V DD (bit 1) quando a entrada for nula (bit 0).
% Se o sinal de entrada é nulo, as tensões nas portas de T 1 e T2 (em relação as
respectivas fontes) são, respectivamente, V P 1 = 0 e V P 2 = − V DD . Nesta situação T1
se encontra no estado off e T2 no estado on . A interseção das duas curvas é o ponto 1
da figura, sendo a tensão de saída +V DD .
• E se a entrada é +V DD , T1 está on e T2 está off , sendo o sinal de saída, dado pelo
ponto 0,V D ≈ 0.
• Note que nas duas situações a corrente no circuito é muito pequena. Este fato
permite construir circuitos CMOS com dissipação de potencia inferior a 10 nW.
• As propriedades peculiares dos transistores e capacitores MOS também são
utilizadas para a construção de vários tipos de dispositivos que transferem ou
armazenam informação digital. Dentre os mais importantes estão as memórias
de semicondutores e os dispositivos de acoplamento de carga, ou CCD.