Iniciao

Para a maioria de ns, faz-nos pensar numa grande variedade de coisas, desde chipes e computadores at televiso e transstores. a cincia e tecnologia do movimento de cargas num gs, vcuo ou semicondutor.

Qualquer tomo constitudo por um ncleo e por electres que giram sua volta. O ncleo constitudo por protes com carga elctrica positiva e onde se encontra quase toda a massa do tomo.

O nmero de protes do ncleo igual ao nmero de electres que giram sua volta e a carga elctrica de cada igual em mdulo, carga do electro. O tomo electricamente neutro.

A figura mostra um tomo de silcio com o nmero de carga positivas no ncleo, igual ao nmero de electres a girar sua volta.

Como a carga do ncleo positiva e a do electro negativa, existe uma fora de atraco do ncleo sobre os electres que giram sua volta. Naturalmente que os electres mais afastados do ncleo, so os que mais facilmente sero arrancados das suas orbitas, ficando assim livres da aco do ncleo.

Em qualquer corpo os electres que giro volta do ncleo encontram-se em nveis de energia bem definidos. Energia responsvel por manter os electres a circular nas suas orbitas. necessrio fornecer energia aos electres para que estes se libertem do ncleo.

A energia que necessrio aplicar para que um electro fique livre da aco do ncleo depende de material para material.

A figura representa a estrutura esquemtica das bandas de energia de um isolante, condutor e semicondutor. Banda de valncia um nvel de energia em que os electres podem atravs do fornecimento de energia ao tomo, saltar para o nvel mais afastado e assim o ncleo oferecer uma menor aco sobre os electres. Banda de conduo o nvel de energia em que os electres se encontram livres da aco do ncleo, podendo facilmente ser arrancados da sua rbita. Banda Proibida representa a energia que necessrio aplicar ao tomo, para que o electro passe da banda de valncia para a banda de conduo.

Nos isoladores, a energia que necessria aplicar para que um electro fique livre da aco do ncleo, elevada. Assim sendo, o espao entre as bandas de valncia e de conduo, designada por banda proibida, maior do que no caso dos semicondutores.

So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da corrente elctrica. O vidro, a mica, a borracha, etc., esto neste caso.

Num material isolante, os electres de valncia esto rigidamente ligados ao ncleo dos tomos, sendo que pouqussimos electres conseguem desprender-se de seus tomos para se transformarem em electres livres.

Nos condutores (metais),no estado estacionrio (normal), j existem electres livres, pelo que parte da banda de valncia sobrepe-se a parte da banda de conduo.

So materiais que possuem uma resistncia muito baixa, no oferecendo, praticamente, nenhuma oposio passagem da corrente elctrica. A prata, o chumbo, o alumnio, etc., so exemplos desses condutores.
Num material condutor os electres de valncia so atrados pelo ncleo dos tomos, com uma fora muito fraca, encontrando uma grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem "livremente" no interior da substncia. Por esse motivo que eles so chamados "electres livres".

H materiais em que a energia necessria para que um electro passe de uma banda para a outra tem um valor intermdio entre os isoladores e os condutores. Materiais que apresentam uma resistividade Intermediria, isto , uma resistividade maior que a dos condutores e menor que a dos isolantes. Como exemplo, podemos citar o Carbono, o Silcio, o Germnio, etc.

Com referncia conduo da corrente elctrica, os semicondutores a conduzem mais que os isolantes, porm menos que os condutores.

Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a distribuio e disposio desses tomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por estrutura cristalina. O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina cbica como mostrado na seguinte figura.
tomo de silcio

Nessa estrutura cristalina, cada tomo (representado por Si) une-se a outros quatro tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro electres de valncia de um tomo compartilhado com um electro do tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois electres.

Na prtica, a estrutura cristalina ilustrada na figura s conseguida quando o cristal de silcio submetido temperatura de zero graus absolutos (ou -273C). Nessa temperatura, todas as ligaes covalentes esto completas os tomos tm oito electres de valncia o que faz com que o tomo tenha estabilidade qumica e molecular, logo no h electres livres e, consequentemente o material comporta-se como um isolante.

 temperatura de zero graus absolutos (-273C) comporta-se como um isolante, mas temperatura ambiente (20C) j se torna um condutor porque o calor fornece a energia trmica necessria para que alguns dos electres de valncia deixem a ligao covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns electres livres no semicondutor.

Em sntese, medida que a temperatura aumenta, surgem os "portadores livres de carga elctrica" (electres e lacunas) no interior do cristal, tornando-o capaz de conduzir corrente elctrica quando submetido a uma diferena de potencial. Isso explica o que foi dito anteriormente: "A resistividade dos semicondutores diminui com a elevao de temperatura".

Quando um cristal submetido a uma diferena de potencial (ou tenso elctrica), a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electro, mas em sentido contrrio

Consideremos alguns tomos de um cristal semicondutor (Silcio ou Germnio), supondo que este esteja ligado aos plos de uma pilha seca. Se no tomo 1 for rompida uma ligao covalente, aparecera um electro, que ser rapidamente atrado pelo plo positivo (+) da pilha, ficando no lugar desse tomo uma lacuna. Um electro de qualquer ligao covalente do tomo 2 poder preencher a lacuna deixada pelo primeiro electro do tomo 1. Entretanto, quando o electro abandona a ligao covalente do tomo 2, surgir uma nova lacuna que, por sua vez, poder ser preenchida por qualquer electro de uma ligao covalente do tomo 3, e assim sucessivamente.

Podemos concluir, ento, que enquanto os electres se deslocam para a esquerda, em direco ao plo positivo da pilha seca (+), as lacunas se deslocam para a direita, em direco ao plo negativo (-) da pilha.

Para a fabricao de dispositivos semicondutores, exige-se um grau de pureza extremamente elevado (da ordem de 99,99999999%), que equivale a um grama de impurezas, no mximo, em cada 10.000 toneladas de material semicondutor. Portanto, quando nos referimos a um material semicondutor, estamos supondo que as impurezas contidas no cristal praticamente no interferem no seu comportamento elctrico. A esse tipo de semicondutor, em que as impurezas nele existentes so apenas as que no puderam ser eliminadas durante o processo de purificao do cristal, damos o nome de semicondutor intrnseco. As caractersticas elctricas do cristal so devidas ao prprio material semicondutor, e no s suas impurezas. Concluso: um semicondutor intrnseco um semicondutor no estado puro.

H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electro-lacuna livres no interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs da energia trmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor. Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o nmero de electres livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou de um cristal onde o nmero de lacunas seja bem superior ao nmero de electres livres. Isto conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por meio de tcnicas especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas. Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrnseco.

Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco), este passa a ser um semicondutor extrnseco.

As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos: impurezas ou tomos dadores e impurezas ou tomos aceitadores.
tomos dadores tm cinco electres de valncia (so pentavalentes): Arsnio (AS), Fsforo (P) ou Antimnio (Sb). tomos aceitadores tm trs electres de valncia (so trivalentes): ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou Alumnio (Al).

Electro livre do Arsnio

A introduo de tomos pentavalentes (como o Arsnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream electres livres no seu interior. Como esses tomos fornecem (doam) electres ao cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou tomos dadores. Todo o cristal de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas dadoras designado por semicondutor do tipo N (N de negativo, referindo-se carga do electro).

A introduo de tomos trivalentes (como o ndio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com que apaream lacunas livres no seu interior. Como esses tomos recebem (ou aceitam) electres eles so denominados impurezas aceitadoras ou tomos aceitadores. Todo o cristal puro de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas aceitadoras designado por semicondutor do tipo P (P de positivo, referindo-se falta da carga negativa do electro).

Num semicondutor extrnseco do tipo N os electres esto em maioria designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. As lacunas (que so a ausncia de um electro), por sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica. Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto em maioria designando-se por portadores maioritrios da corrente elctrica. Os electres, por sua vez, esto em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente elctrica.

Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electres ser muito mais intenso (sete larga) que o fluxo de lacunas (sete estreita) porque o nmero de electres livres (portadores maioritrios) muito maior que o nmero de lacunas (portadores minoritrios).
Electres
Electres

A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro, porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electro, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo.

Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas ser muito mais intenso (sete larga) que o fluxo de electres (sete estreita) porque o nmero de lacunas livres (portadores maioritrios) muito maior que o nmero de electres livres (portadores minoritrios).
Electres

Electres

A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro, porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electro, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga elctrica contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo positivo do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo.

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Todas as substncias encontradas na natureza so um aglomerado de molculas, constitudas por tomos. Estes por sua vez, so formados por trs tipos de partculas elementares: os electres os protes os neutres Os protes e os neutres constituem o ncleo do tomo; os electres giram em redor do ncleo. Os protes possuem carga elctrica positiva (+); os electres, carga elctrica negativa (-); e os neutres, carga elctrica neutra (ou nula). Os electres que giram em torno do ncleo distribuem-se em vrias regies ou camadas, sendo a mais externa a camada de valncia. Os electres dessa camada recebem o nome de electres de valncia e so eles que, geralmente, participam das reaces qumicas e dos fenmenos elctricos. Io negativo todo o tomo que ganhou um ou mais electres. Io positivo todo o tomo que perdeu um ou mais electres.

As substncias encontradas na natureza so classificadas em trs grupos: condutores isolantes semicondutores 7. A grandeza elctrica usada para diferenciar os diversos materiais chamada de resistividade. 8. Os condutores possuem uma resistividade muito baixa, enquanto que a dos isolantes muito elevada. Os semicondutores comportam-se de um modo intermdio, conduzindo mais corrente elctrica que os isolantes, porm menos que os condutores. 9. A resistividade dos condutores aumenta quando a temperatura aumenta e a dos semicondutores diminui quando a temperatura aumenta. 10. O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina, onde os seus tomos esto unidos por ligaes covalentes. 11. Quando uma ligao covalente rompida e um electro abandona, no lugar desse electro passa a haver uma lacuna (ausncia de electro).
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Quando um electro preenche o lugar de uma lacuna, completando a ligao covalente, dizemos que houve uma recombinao. A produo de pares electres-lacunas, pelo calor, denomina-se gerao trmica de portadores. Quanto maior a temperatura, maior ser o nmero de electres e lacunas livres no cristal do semicondutor. Os tomos diferentes do silcio e do germnio, adicionados num cristal semicondutor, chamam-se impurezas. O processo pelo qual esses tomos so introduzidos no cristal denomina-se dopagem. Semicondutor intrnseco um cristal puro. Semicondutor extrnseco um cristal impuro ou dopado. Os tomos pentavalentes, como o Fsforo (P), o Antimnio (Sb) e o arsnio (As) so impurezas doadoras. Esses tomos possuem 5 electres de valncia. Os tomos trivalentes, como o alumnio (Al), o boro (B), o glio (Ga) e o ndio (In)so impurezas aceitadoras. esses tomos possuem 3 electres de valncia.

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Cristal semicondutor tipo N todo o cristal dopado com impurezas doadoras. Cristal semicondutor tipo P todo o cristal dopado com impurezas aceitadoras. Num cristal tipo N, os electres so portadores majoritrios, pois esto em maioria e as lacunas so portadores minoritrios, porque constituem a minoria. Num cristal tipo P, as lacunas so portadores majoritrios e os electres portadores minoritrios. Quando um cristal semicondutor submetido a uma diferena de potencial (ou tenso elctrica), as lacunas movimentam-se em sentido contrrio ao dos electres.