DIODO

DIODO

Um diodo um dispositivo constitudo por uma juno de dois materiais semicondutores (em geral silcio ou germnio dopados), um do tipo n e o outro do tipo p, ou de um material semicondutor e de um metal, sendo usualmente representado pelo smbolo da figura 1.
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DIODO

Os terminais A e K so respectivamente o nodo e o ctodo.

Este dispositivo permite a passagem de corrente, com facilidade, num sentido, e oferece uma grande resistncia sua passagem no sentido contrrio.
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DIODO

Quando o nodo (A) estiver a um potencial positivo em relao ao Ctodo (K), o diodo conduz e a corrente ter o sentido (convencional) indicado pela seta. Nestas condies diz-se que o diodo est diretamente polarizado. Quando o nodo estiver a um potencial negativo em relao ao ctodo, o diodo no conduz e a corrente, que teria o sentido contrrio ao da seta, no autorizado a passar, diz-se que o diodo est inversamente

polarizado.

DIODO
IF

Corrente direta Tenso de ruptura

UR

Corrente de Corrente fuga

fuga

de

UF

Corrente de avalanche

IR

Pode-se observar na curva caracterstica do 1 quadrante (diodo polarizado diretamente) que medida que se aumenta a tenso direta (UF) a corrente direta (IF) tambm aumenta. Na curva do 3 quadrante (diodo polarizado inversamente) podemos observar que para uma dada faixa da tenso inversa (UR) a corrente inversa (IR) desprezvel (corrente de fuga). A tenso inversa no pode atingir a tenso de ruptura pois isso acarreta que o diodo passe a conduzir em sentido contrrio (rompeu a juno PN). 5

JUNO PN

A juno de um material semicondutor do tipo P (com excesso de lacunas) com um material semicondutor do tipo N (com excesso de eltrons livres) origina uma juno PN. Na zona da juno, os eltrons livres do semicondutor N recombinam-se com as lacunas do semicondutor P formando uma zona sem portadores de carga eltrica que se designa por zona neutra ou zona de depleo.
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Formao da camada de depleo

JUNO PN

Eltrons livres

Zona neutra ou zona de depleo

Lacunas

IDENTIFICAO VISUAL DOS TERMINAIS

O terminal que se encontra mais prximo do anel o ctodo (K).
O terminal ligado parte mais estreita / afunilada o ctodo (K). O terminal ligado parte roscada o ctodo (K).

DIODO RETIFICADOR
O diodo retificador um componente unidirecional ou seja, s conduz num sentido (quando o nodo est a um potencial positivo em relao ao Ctodo). Nessa situao diz-se que o diodo est polarizado diretamente.
A + K

-9

DIODO RETIFICADOR
Quando polarizado diretamente um diodo retificador conduz porque na juno PN a zona neutra ou zona de depleo (zona sem portadores de carga eltrica) fica mais estreita. Assim a resistncia eltrica diminui e a corrente eltrica passa.

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DIODO RETIFICADOR
Quando o diodo retificador est polarizado inversamente (nodo a um potencial negativo em relao ao ctodo) no conduz (est em corte).
K
+ +

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DIODO RETIFICADOR
Quando polarizado inversamente um diodo retificador no conduz porque na juno PN a zona neutra ou zona de depleo (zona sem portadores de carga eltrica) alarga. Assim a resistncia eltrica aumenta significativamente e a corrente eltrica no passa.

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Um diodo ideal aquele cuja corrente ID 0 quando est polarizado inversamente e em que a tenso VD aos seus terminais zero quando est polarizado diretamente.

DIODO IDEAL

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DIODO IDEAL

A seguir, um exemplo do comportamento (ideal) de um diodo quando submetido a uma tenso alternada:

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DIODO IDEAL

A seguir, outro exemplo de aplicao do diodo, o retificador de onda completa:

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Diodo Zener
K K A K
Tenso de zener (UZ= 27 V)

A
A
Tenso de zener (UZ= 8,2 V)

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Diodo Zener

um diodo utilizado como regulador de tenso, ele feito para funcionar na regio de ruptura. Analisando o grfico IxV pode-se verificar a existncia de um "joelho", onde encontramos uma regio em que a tenso no diodo praticamente no se altera com um grande aumento de corrente, servindo como um regulador de tenso. Este diodo pode ser produzido com tenses de ruptura da ordem de unidades a dezenas de volts.

ZONA DE TRABALHO

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O diodo zener construdo com uma rea de dissipao de potncia suficiente para suportar o efeito avalanche. Assim, a tenso na qual este efeito ocorre denominada tenso zener (VZ), podendo variar em funo do tamanho e do nvel de dopagem da juno PN.
Comercialmente, so encontrados diodos zener com VZ de 2V a 200V.

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Curva caracterstica
O grfico de funcionamento do zener mostra-nos que, diretamente polarizado (1 quadrante), ele conduz por volta de 0,7V, como um diodo comum. Porm, na ruptura (3 quadrante), o diodo zener apresenta um joelho muito pronunciado, seguido de um aumento de corrente praticamente vertical. A tenso praticamente constante, aproximadamente igual a Vz em quase toda a regio de ruptura. As folhas de dados (data sheet) geralmente especificam o valor de Vz para uma determinada corrente zener de teste Izt.

ZONA DE TRABALHO

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Curva caracterstica
Os diodos zener so definidos pela sua tenso de zener (UZ) mas para que possa existir regulao/estabilizao de tenso aos seus terminais a corrente que circula pelo diodo zener (IZ) deve manterse entre os valores de corrente zener definidos como mximo e mnimo, pois se menor que o valor mnimo, no permite a regulao da tenso e, se maior, pode romper a juno PN por excesso de corrente. 20

ZONA DE TRABALHO

Principio de funcionamento
Vimos que o diodo retificador se comportava quase como isolador quando a polarizao era inversa. O mesmo se passa com o diodo zener at um determinado valor da tenso (VZ), a partir do qual ele comea a conduzir fortemente. Qual ser ento o fato que justifica esta transformao de isolador em condutor? A explicao dada pela teoria do efeito de zener e o efeito de avalanche.
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Principio de funcionamento

Efeito de zener ao aplicar ao diodo uma tenso inversa de determinado valor (VZ) rompida a estrutura atmica do diodo e vencida a zona neutra, originando assim a corrente eltrica inversa. Este efeito verifica-se geralmente para tenses inversas VR <5 Volt e o seu valor pode ser variado atravs do grau de dopagem (percentagem de impurezas) do silcio ou do germnio. Efeito de avalanche Para tenses inversas VR >7 Volt, a conduo do diodo explicada exclusivamente pelo efeito de avalanche. Quando se aumenta o valor da tenso inversa, aumenta tambm a velocidade das cargas eltricas (eltrons). A velocidade atingida pode ser suficiente para libertar eltrons dos tomos semicondutores, atravs do choque. Estes novos eltrons libertados e acelerados libertam outros, originando uma reao em cadeia, qual se d o nome de efeito de avalanche. Para tenses inversas VR, entre 5V e 7V, a conduo do diodo explicada cumulativamente pelos dois efeitos (efeito de zener e efeito de avalanche).
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