Transistores

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Transistores


Histria do Transistor

O transistor foi inventado nos Laboratrios da Beel Telephone em dezembro de 1947 (
e no em 1948 como freqentemente dito) por Bardeen e Brattain.

Descoberto por assim dizer, ( visto que eles estavam procurando um dispositivo de
estado slido equivalente vlvula eletrnica ), acidentalmente durante os estudos de
superfcies em torno de um diodo de ponto de contato.

Os transistores eram portanto do tipo "point-contact", e existe evidncia que Shockley,
o teorista que chefiava as pesquisas estava chateado porque esse dispositivo no era
o que estava procurando. Na poca, le estava procurando um amplificador
semicondutor similar ao que hoje chamamos de "juno FET".

O nome transistor foi derivado de suas propriedades intrnsecas "resistor de
transferncia", em ingls: (TRANsfer reSISTOR). Os Laboratrios Bell mantiveram
essa descoberta em segredo at junho de 1948 ( da a confuso com as datas de
descobrimento ).

Com uma estrondosa publicidade, eles anunciaram ao pblico suas descobertas,
porem, poucas pessoas se deram conta do significado e importncia dessa
publicao, apesar de ter sado nas primeiras pginas dos jornais.

Embora fosse uma realizao cientfica formidvel, o transistor no alcanou, de
imediato, a supremacia comercial. As dificuldades de fabricao somadas ao alto
preo do germnio, um elemento raro, mantinham o preo muito alto. Os melhores
transistores custavam 8 dlares numa poca em que o preo de uma vlvula era de
apenas 75 cents.


Shochley ignorou o transistor de ponto de contato e continuou suas pesquisas em
outras direes. Ele reorientou suas idias e desenvolveu a teoria do "transistor de
juno".

Em julho de 1951, a Bell anuncia a criao desse dispositivo. Em setembro de 1951
eles promovem um simpsio e se dispem a licenciar a nova tecnologia de ambos os
tipos de transistores a qualquer empresa que estivesse disposta a pagar $25.000,00.

Este foi o incio da industrializao do transistor.

Muitas firmas retiraram o edital de licena. Antigos fabricantes de vlvulas eletrnicas,
tais como RCA, Raytheon, GE e industrias expoentes no mercado como Texas e
Transitron.

Muitas iniciaram a produo de transistor de ponto de contato, que nessa poca,
funcionava melhor em alta freqncia do que os tipos de juno. No entanto, o
transistor de juno torna-se rapidamente, muito superior em performance e mais
simples e fcil de se fabricar.

O transistor de ponto de contato ficou obsoleto por volta de 1953 na Amrica e logo
depois, na Inglaterra.
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Somente alguns milhares foram fabricados entre 120 tipos, muitos americanos ( no
incluindo nestes nmeros, verses experimentais ).

O primeiro transistor de juno fabricado comercialmente era primitivo em comparao
aos modernos dispositivos, com uma tenso mxima entre coletor-emissor de 6 volts,
e uma corrente mxima de poucos miliamperes.

Particularmente notvel, foi o transistor CK722 da Raytheon de 1953, o primeiro
dispositivo eletrnico de estado slido produzido em massa disponvel ao construtor
amador. Vrios tipos de transistor foram desenvolvidos, aumentando a resposta de
freqncia diminuindo os nveis de rudo e aumentando sua capacidade de potncia.

Na Inglaterra, duas empresas mantiveram laboratrios de pesquisa no to adiantadas
quanto na Amrica: Standard Telephones and Cables (STC) e a General Electric
Company of England "GEC", ( no tem relao com a GE americana).
Foram feitas pesquisas na Frana e Alemanha sem efeitos comerciais.

Em 1950, um tubaro entra nessa pequena lagoa: a PHILIPS holandesa atravs da
Mullard, sua subsidiaria inglesa, com uma planta completa para industrializar o
transistor.
A meta da Philips era dominar 95% do mercado europeu, alcanando esse objetivo em
poucos anos. A srie "OC" de transistor dominou a Europa por mais de 20 anos.

Os antigos transistores eram feitos de germnio, um semicondutor metlico, porem
logo se descobriu que o silcio oferecia uma srie de vantagens sobre o germnio. O
silcio era mais difcil de refinar devido ao seu alto ponto de fuso, porem em 1955 o
primeiro transistor de silcio j era comercializado.

A Texas Instruments foi uma das empresas que mais tomou parte no desenvolvimento
inicial dessa tecnologia, lanando uma srie de dispositivos conhecidos na poca
pelas siglas "900" e "2S".

A grande reviravolta veio em 1954, quando Gordon Teal aperfeioou um transistor de
juno feito de silcio.

O silcio, ao contrrio do germnio, um mineral abundante, s perdendo em
disponibilidade para o oxignio. Tal fato, somado ao aperfeioamento das tcnicas de
produo, baixou consideravelmente o preo do transstor. Isto permitiu que ele se
popularizasse e viesse a causar uma verdadeira revoluo na indstria dos
computadores. Revoluo tal que s se repetiria com a criao e aperfeioamento dos
circuitos integrados.

O transistor um componente eletrnico muito utilizado como comutador em
Eletrnica Digital (funcionamento na regio de corte e na de saturao). Na Eletrnica
Analgica, aparece sobretudo, como dispositivo linear (funcionamento na regio ativa).

alimentado por uma tenso constante entre 5 e 15 V (valores tpicos para
transistores como os utilizados no trabalho prtico). Os transistores baseados na
tecnologia bipolar so constitudos por 2 junes de material semicondutor pn com
uma seco comum (a base). Existem 2 tipos: npn ou pnp conforme a base for do tipo
p ou do tipo n (fig. 1). A matria prima utilizada normalmente o Silcio (com menos
freqncia o Germnio).


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Transistor de juno bipolar

Transistor npn



Transistor pnp



Operao do transistor npn na regio ativa


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MONTAGENS BSICAS DO TRANSISTOR

Os transistores podem ser ligados em 3 configuraes bsicas

o Base Comum (BC),
o Emissor Comum (EC)
o Coletor Comum (CC)


Essas denominaes (Comuns) relacionam-se aos pontos onde o sinal injetado e
onde retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor referncia para a entrada
e sada de sinal.
As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm
denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra.
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CONFIGURAES BSICAS: BASE COMUM
Observa-se que o sinal injetado
entre emissor e base e retirado entre
coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a
base o terminal comum para a
entrada e sada do sinal.
CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): < 1
Ganho de tenso (G
V
): elevado
Resistncia de entrada (R
IN
): baixa
Resistncia de sada (R
OUT
): alta
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CONFIGURAES BSICAS:
EMISSOR COMUM
No circuito emissor comum, o sinal
aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor.
CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (G
V
) elevado
Resistncia de entrada (R
IN
) mdia
Resistncia de sada (R
OUT
) alta
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CONFIGURAES BSICAS: COLETOR COMUM
O sinal de entrada aplicado entre
base e coletor e retirado do circuito
de emissor.
A configurao coletor comum tambm conhecida como Seguidor de Emissor
CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado
Ganho de tenso (G
V
): 1
Resistncia de entrada (R
IN
): muito
elevada
Resistncia de sada (R
OUT
): muito baixa
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REGIES DE FUNCIONAMENTO DE UM TRANSISTOR



A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a
origem e o joelho. A parte praticamente plana chamada de regio ativa. Nesta regio
uma variao do VCE no influencia no valor da corrente de coletor (IC). IC mantm-se
constante e igual a corrente de base vezes o ganho CC do transistor (CC) IC = IB * CC.
A parte final a regio de ruptura ou Breakdown e deve ser evitada.

Na regio de saturao o diodo base-coletor est polarizado diretamente. Por isso,
perde-se o funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena
resistncia hmica entre o coletor e emissor.

Na saturao no possvel manter a relao I
C
= I
B
*
CC
.

Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa, necessria uma
polarizao reversa do diodo base-coletor. Como a tenso VBE na regio ativa de
aproximadamente 0,7V, isto requer que a tenso coletor-emissor (VCE) seja superior a
1V aproximadamente.

A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quando IB =0 (equivale ao
terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto
designada pela corrente de coletor para emissor com base aberta (ICEO).

Esta corrente muito pequena, quase zero. Em geral se considera: Se IB=0 IC =0.
Habitualmente o grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs.

Notar no grfico acima que para um dado valor de VCE existem diversas possibilidades
de valores para IC. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de IB. Ento para
cada IB h uma curva relacionando IC e VCE.

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No grfico de exemplo acima, a tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio
ativa para um IB=40A tem-se que o
CC
=IC/IB = 8mA/40A=200.

Mesmo para outros valores de IB, o
CC
se mantm constante na regio ativa.

Na realidade o
CC
no constante na regio ativa, ele varia com a temperatura
ambiente e mesmo com IC. A variao de
CC
pode ser da ordem de 3:1 ao longo da
regio ativa do transistor.

Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores.

Sendo a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada),
designam-se os circuitos com transistores na regio ativa de circuitos lineares. As
regies de corte e saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de
base, so amplamente usados em circuitos digitais.

RESUMINDO:

No funcionamento de um transistor distinguem-se 4 regies (ou zonas): a regio de
corte, a zona ativa, a regio de saturao e a regio de ruptura, dependendo do modo
como est polarizado.

FUNCIONAMENTO NA ZONA ATIVA
Um transistor encontra-se a funcionar na zona ativa se tiver a juno base-
emissor (BE) diretamente polarizada (V
BE
> tenso limiar), a juno base-coletor
(BC) inversamente polarizada e 0 < V
BC
< Vcc e 0 < V
CE
< Vcc.

Para os transistores de Slicio o valor tpico para a tenso limiar das junes PN
de 0.6V.


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Na zona ativa o transistor comporta-se como um dispositivo linear estando a
corrente na sada (I
C
) relacionada com a corrente na entrada (I
B
) atravs duma
constante
CC
(
CC
= I
C
/ I
B
).

CC
o ganho esttico de corrente do transistor . Tambm se utiliza o transistor
na zona ativa para amplificar pequenos sinais de tenso (variveis no tempo),
sendo neste caso o ganho da ordem das centenas.



FUNCIONAMENTO NAS REGIES DE CORTE E SATURAO

Em Eletrnica Digital importante a definio de 2 nveis bem distintos, a que se
associam muitas vezes os valores lgicos "0" e "1" (ou "verdadeiro" e "falso"). O
comportamento do transistor na regio de corte e na de saturao pode, numa
primeira aproximao, considerar-se em tudo idntico ao dum interruptor (fig.4)
aberto e fechado, respectivamente.



O funcionamento na zona de corte (interruptor aberto) caracteriza-se, pois pela
ausncia de corrente de coletor (Ic = 0) e conseqentemente Vce = Vcc. Para tal
necessrio fazer Ib 0.

No funcionamento na zona de saturao (interruptor fechado). Registra-se uma tenso
V
CE
praticamente nula (tipicamente da ordem de 0.2V para transistores de Slicio),
atingindo a corrente de coletor o seu valor mximo, limitado apenas pela resistncia de
coletor R
C
(I
C
= V
CC
/ R
C
).

Para garantir a saturao necessrio que Ic <<
CC
* I
B
e o valor da tenso base-
emissor (V
BE
) tipicamente 0.7V (para os transistores de Slicio).


A FUNCIONAMENTO NA REGIO DE RUPTURA (OU BREAKDOWN)

A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos
de danos.

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POLARIZAO DE UM TRANSISTOR (Ponto Quiescente)

Os transistores so utilizados, principalmente, como elementos de AMPLIFICAO de
corrente e tenso, ou como CONTROLE ON-OFF (liga-desliga). Tanto para estas,
como para outras aplicaes, o transistor deve estar polarizado.

Polarizar um transistor quer dizer escolher o seu ponto de funcionamento em corrente
contnua, ou seja, definir a regio em que vai funcionar.

A escolha do ponto quiescente (quiescent, motionless) feita em funo da aplicao
que se deseja para o transistor, ou seja, ele pode estar localizado nas regies de
corte, saturao ou ativa da curva caracterstica de sada.

O mtodo para determinao do Ponto de Operao o mesmo do utilizado nos
diodos, o da Reta de Carga.


RETA DE CARGA

A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos quiescentes possveis para
uma determinada polarizao.

1. CIRCUITO DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM (EC)

Nesta Configurao, a juno base-emissor polarizada diretamente e a juno base-
coletor reversamente. Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar
as correntes e fixar o ponto quiescente do circuito.



Malha de entrada : R
B
* I
B
+ V
BE
= V
BB


Portanto: R
B
= (V
BB
V
BE
) / I
B


Malha de sada : R
C
* I
C
+ V
CE
= V
CC

Portanto: R
C
= (V
CC
V
CE
) / I
C



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Usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente I
C
e V
CE
considerando a
existncia de um R
C
. Atravs da anlise da malha a direita do circuito obtm-se a
corrente IC como mostrado abaixo:

I
C
= (V
CC
- V
CE
) / R
C

Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE.

A soluo deste impasse utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta
Calcular os extremos da reta de carga:

V
CE
= 0 I
C
= V
CC
/ R
C
ponto superior da reta

I
C
= 0 V
CE
= V
CC
ponto inferior da reta


A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE.

Exemplo - No circuito da Figura acima, suponha RB= 500 k, R
C
= 1500 e
V
CC
=V
BB
=15V. Construa a reta de carga no grfico da curva caracterstica do transistor
e determine IC e VCE de operao ou (quiescentes).

SOLUO: Os dois pontos da reta de carga so:

VCE = 0 IC = VCC / RC = 15 /1k5 = 10mA ponto superior
IC = 0 VCE = VCC = 15V ponto inferior

O corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB:

I
B
= (15 0,7) / 500k = 29 A



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Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e
VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q - ponto quiescente).

O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a
regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. Ver
Figura a seguir. O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido
como corte. Nesse ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito
pequena (ICEO).

A interseo da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) chamada saturao. Nesse ponto a
corrente de coletor mxima.


Teremos em nosso exemplo um I
Cmax
de aproximadamente 9,8 mA.


Circuito de polarizao EC com corrente de base constante

Na prtica, no interessante utilizar mais de uma fonte de alimentao para
alimentar um circuito, a no ser em casos muito especiais. Para eliminar a fonte de
alimentao da base V
BB
, pode-se fazer um divisor de tenso entre o resistor de base
R
S
e a juno base-emissor, utilizando apenas a fonte V
CC
como mostra a figura a
seguir:

Para garantir a polarizao direta da juno base-emissor, e reversa da juno base-
coletor, R
S
deve ser maior que R
C
.

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Malha de entrada: R
S
* I
B
+ V
BE
= V
CC


Portanto: R
S
= (V
CC
V
BE
)/ I
B


Malha de sada: R
C
* I
C
+ V
CE
= V
CC


Portanto: R
C
= (V
CC
V
CE
) / I
C

Neste circuito, como V
CC
e R
S
so valores constantes e V
BE
praticamente no varia, a
variao da tenso de base desprezvel. Por isso, este circuito chamado de
polarizao EC com corrente de base constante.


2. Circuito de Polarizao Base Comum





R
E
= (V
BB
V
BE
) / I
E

R
C
= (V
CC
V
CB
) / I
C

Lembrando que V
BE
para transistor de silcio = 0,7V e para transistor de germnio =
0,3V.
O capacitor "C" ligado da base
a terra assegura que a base
seja efetivamente aterrada para
sinais alternados.
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Circuito de Polarizao BC com uma fonte de alimentao

Na prtica, no interessante utilizar mais de uma fonte de alimentao para
alimentar um circuito, a no ser em casos muito especiais. Uma forma de solucionar
este problema no circuito de polarizao de base B
C
, colocar um divisor de tenso
na base e aliment-lo com uma nica fonte V
CC
, de modo que a tenso em R
2
faa o
papel de V
BB
= V
EE
do circuito de polarizao anterior.

Para a anlise da tenso em VR2, observar que R1 e R2 formam um divisor de tenso.
Supondo I>> IB:


De posse do valor de VR2 simples o clculo de IE. Deve-se olhar a malha de entrada:

como: VE = IE RE



Anlise da malha de sada:


considerando IE = IC


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EXEMPLO: Encontre o VB, VE, VCE e IE para o circuito da Figura abaixo:

SOLUO: Clculo de VR2



clculo de VCE





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3. Circuito de Polarizao em Coletor Comum (CC)

Para a polarizao da configurao coletor comum, uma aplicao merece destaque.
o circuito Seguidor de Emissor.


Observa-se que, como no existe resistor de coletor, este terminal fica ligado
diretamente ao plo positivo da fonte de alimentao.

Porm, para sinais alternados, uma fonte de tenso constante considerada um curto.
Neste caso como se o coletor estivesse conectado ao terminal comum ou terra da
fonte de alimentao, ou seja, para sinais alternados, o coletor comum s tenses
de entrada V
E
e sada V
S
.

V
S
= V
E
V
BE


Este circuito chamado de seguidor de emissor porque a tenso de sada (tenso do
emissor) segue as variaes da tenso de entrada (tenso de base).

Outra caracterstica deste circuito que ele tem uma alta impedncia de entrada e
baixa impedncia de sada, sendo muito utilizado para fazer o casamento de
impedncias entre circuitos.

Malha de sada:

R
E
= (V
CC
V
CE
) / I
E


Malha de entrada:

R
B
= (V
CC
V
BE
R
E
* I
E
) / I
B