1

Transistores de Efeito de Campo (FETS)

Como no caso do TBJ, a tenso entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo
terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave. O nome do
dispositivo origina-se de seu pricpio de operao. O controle baseado no campo eltrico estabelecido pela tenso aplicada no
terminal de controle. O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de
efeito de campo de semicondutor de xido metlico), , de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em
circuitos tanto digitais quanto analgicos.
Smbolo

Canal N (NMOS) Canal P (PMOS)


Funo Controlar a corrente eltrica que passa por ele.

I
D
D
G
S
V
GS
+
-

Construo
Fonte (S)
Porta (G)
Dreno (D)
Corpo (B)
p
n
+
n
+ Regio de
canal
xido (SiO )
2

I
D
funo de V
GS
Geralmente o terminal corpo (B)
ligado a fonte (S).
2


Criao do canal
Considere a figura a seguir:
(S)
(G)
(D)
(B)
p
n
+
n
+
V
GS
+
-
Canal n
induzido
Regio de depleo

A tenso V
GS
, em um primeiro momento, faz as lacunas livres da regio do substrato sob a porta serem
repelidas, deixando uma regio de depleo. A tenso positiva sob a porta atrai eltrons das regies n
+
da fonte e do
dreno para a regio do canal. Quando eltrons suficientes estiverem sob a porta, o canal estar formado ligando a fonte
ao dreno. O valor mnimo de V
GS
para se formar o canal chamado de tenso de limiar (threshold) ou V
t
.
Operao do transistor
A operao de um MOSFET pode ser dividida em trs diferentes regies, dependendo das tenses aplicadas sobre seus
terminais. Para o MOSFET canal n:
Regio de Corte: quando V
GS
< V
t
, onde V
GS
a tenso entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece
desligado, e no h conduo entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero
devido chave estar desligada, h uma fraca corrente invertida.
Regio de Triodo (ou regio linear): quando V
GS
> V
t
e V
ds
< V
GS
- V
t
onde V
ds
a tenso entre dreno e fonte. O
transstor ligado, e o canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um
resistor, controlado pela tenso na porta. A corrente do dreno para a fonte :
( ) [ ]
2
2
DS DS t GS D
V V V V K I = , onde
L
W
C K
ox n

2
1
=
Regio de Saturao: quando V
GS
> V
t
e V
ds
> V
GS
- V
t
. O transstor fica ligado, e um canal que criado permite o
fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tenso de dreno maior do que a tenso na porta, uma parte do canal
desligado. A criao dessa regio chamada de pinch-off. A corrente de dreno agora relativamente independente da
tenso de dreno (numa primeira aproximao) e controlada somente pela tenso da porta de tal forma que:
( )
2
t GS D
V V K I =
OBS: Para o transistor PMOS as equaes so idnticas, lembrando que V
t
negativo e as inequaes so inversas.
3

Em circuitos digitais, os MOSFETs so usados somente em modos de corte e de triodo. O modo de saturao usado em
aplicaes de circuitos analgicos.

O transistor NMOS operando na saturao com o canal estrangulado.
(S)
(G)
(D)
(B)
p
n
+
n
+
V
GS
+
-
Canal n
deformado
Regio de depleo
V
DS
+
-
I
D
I
S
I
G
Pinch off

O terminal da porta (G), por ser eletricamente isolado atravs do oxido, possui corrente nula.
A corrente do dreno igual a corrente da fonte.
Curvas Caractersticas
Caracterstica I
D
V
DS
parametrizada por V
GS















I
D
= I
S
I
G
= 0
V
DS
= V
GS
- V
t
2mA
4mA
8mA
10mA
12mA
14mA
16mA
18mA
20mA
I
D

10V
2V 8V
6V
V
DS

4V
Regio de corte (V
GS
V
t
)
Regio de triodo
Regio de saturao
V
GS
= V
t
+ 5
V
GS
= V
t
+ 4
V
GS
= V
t
+ 3
V
GS
= V
t
+ 2
V
GS
= V
t
+ 1
4



















Caracterstica I
D
V
GS













I
D
(mA)
V
GS
(V) 1 2 3 4 5 6 7 8
9
1
2
3
4
5
6
7
8
V
t
Observao:
O grfico da caracterstica I
D
V
DS
mostra que a corrente do dreno possui uma leve dependncia
linear com V
DS
na regio de saturao. Essa dependncia pode ser considerada analiticamente pela
incorporao do fator (1+V
DS
) na equao de I
D
, onde = 1/V
A,
como se segue:
( ) ( )
DS t GS D
V V V K I + = 1
2

Onde um parmetro do MOSFET. V
A
uma tenso positiva semelhante a tenso Early
do TBJ, como mostra seguinte figura:
5


Polarizao

O termo polarizao significa a aplicao de tenses DC em um circuito para estabelecer valores fixos de
corrente e tenso. O Ponto de polarizao (ponto quiescente) deve ser localizado na regio ativa e dentro dos
valores mximos permitido.

Equaes importantes no projeto do circuito de polarizao.




Para a polarizao do MOSFET em uma sua regio de saturao, as seguintes condies devem ser
satisfeitas:






Circuitos de Polarizao

Exemplo 1:











( )
2
t GS D
V V K I = S D
I I = 0 =
G
I
t GS
V V >
t GS DS
V V V >
OBS: A equao da corrente de dreno pode fornecer dois valores de V
GS
. Desses valores, apenas um
atender as condies para a polarizao da regio de saturao, o outro valor no tem significado
fsico. Se os dois valores de V
GS
no atenderem as condies, significa que o transistor no est em sua
regio de saturao.
Projete o circuito de modo que o transistor opere com I
D
= 0,4 mA e
V
D
= +1V. O transistor NMOS tem V
t
= 2V e K = 0,4 mA/V
2
.
Suponha que = 0.
I
G
V
GS

R
S
R
D
5V
I
D
V
DS

V
D
-5V
6

Temos que:
D D D
I R V = 5
3
10 4 , 0 5 1

=
D
R
= k R
D
10
o que significa operao na regio de saturao, portanto:
( )
2
t GS D
V V K I =
( )
2
2 4 , 0 4 , 0 =
GS
V
Essa equao do segundo grau produz dois valores de V
GS
, 1V e 3V. O primeiro valor no tem significado fsico, pois
ele menor que V
t
. Portanto V
GS
= 3V. Desse modo temos que:
D
SS S
S
I
V V
R

=
( )
=

k 5
10 4 , 0
5 3
3


Exemplo 2:











Para anlise DC, X
C1
= X
C2



Como a corrente na porta nula, podemos fazer o divisor de tenso R
G1
e R
G2
:
V V
G
5
100 100
100
10 =
+
=
mA I I
G G
05 , 0
100 100
10
2 1
=
+
= =
Determine todas as tenses dos ns e as
correntes nas malhas. Suponha V
t
= 1V e
K = 0,5 mA/V
2
. Suponha = 0.
V
GS

V
DS

6K

100K

V
DD
= +10V
V
i
C
2
C
1
I
G
6K

I
D
V
0
100K

I
G1
I
G2
7

Com essa tenso positiva na porta, o transistor NMOS est em conduo. Mas no podemos determinar se ele opera na
regio de triodo ou saturao. Podemos supor uma operao na regio de saturao e verificar a validade da suposio.
A tenso na fonte :
D GS
I V 6 5 =
Portanto, I
D
dado por:
( )
2
t GS D
V V K I =
( )
2 3
1 6 5 10 5 , 0 =

D D
I I
0 8 25 18
2
= +
D D
I I
A equao de segundo grau produz dois valores para I
D
: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor no tem significado
fsico pois produz uma tenso de fonte maior que a tenso de porta. Portanto:
mA I
D
5 , 0 =
V V
S
3 6 5 , 0 = =
V V
GS
2 3 5 = =
V V
D
7 5 , 0 6 10 = =
Como V
DS
> V
GS
V
t
, o transistor est realmente operando na saturao.
Exemplo 3:










Para anlise DC, X
C1
= X
C2

Podemos escrever:
( )
2
t GS D
V V K I =
( ) [ ]
2
1 5 , 0 5 , 0 =
GS
V
V
D
C
2
V
0
R
G1
V
DD
= +5V
V
G
I
G
R
D
I
D
V
i
C
1
R
G2
I
G1
I
G2
Projete o circuito de modo que o transistor
opere na saturao com I
D
= 0,5 mA e V
D
= 3V.
Suponha o transistor PMOS tendo V
t
= -1V e K =
0,5 mA/V
2
. Suponha = 0.
8

Como V
GS
deve ser negativo (V
GS
< V
t
), a nica soluo que faz sentido fsico V
GS
= -2V. Como a tenso na fonte
5V, a tenso na porta deve ser 3V. Dessa forma, temos o divisor de tenso:
1 2
2
5 3
G G
G
R R
R
+
=
2 1
2 3
G G
R R =
Uma possvel soluo seria = M R
G
2
1
e = M R
G
3
2
.
O valor de R
D
pode ser encontrado por:
= = = k
I
V
R
D
D
D
6
5 , 0
3

A operao no modo de saturao ser mantida at o ponto em que V
D
exceder V
G
por |V
t
|, que :
V V
D
4 1 3
max
= + =
A mxima resistncia ser dada por:
= = k R
D
8
5 , 0
4

Exemplo 4:

Como V
DG
= 0, V
D
= V
G
o transistor est operando na saturao, dessa forma:
( )
2
t GS D
V V K I =
K
I
V V
D
t GS
+ =
V V
GS
1
5 , 0
08 , 0
6 , 0 = + =
A tenso de dreno ser:
V V V
G D
1 = =
O valor de R ser:
=

= k
I
V V
R
D
D DD
25
08 , 0
1 3

Projete o circuito para obter uma corrente I
D
= 80 A. Suponha o
transistor NMOS tendo V
t
= 0,6V e K = 0,5 mA/V
2
. Suponha = 0.
9

Exerccio:







































Projete o circuito para polarizar o transistor com corrente de
dreno I
D
= 2 mA e V
DS
grande o suficiente para permitir uma
excurso mxima do sinal de 2 V no dreno. Suponha que o
transistor NMOS tenha V
t
= 1,2 V e K = 1,6 mA/V
2
. Use 22
M como o maior resistor da malha de realimentao.
10

MOSFET - Modelo AC


Assim como o TBJ, o MOSFET tambm pode ser representado por um modelo para descrever, de maneira
simplificada, sua operao AC.





Modelo -hbrido

Modelo para altas freqncias




















G
D
S
Elementos
de circuito
D
G
S
S
r
0

C
GD

S
I
D

C
GS

D
g
m
v
GS

G
v
GS

+
-
G
D
S
11

Modelo para baixas freqncias (simplificado)













Nova apresentao do modelo -hbrido (simplificado)

















I
D

g
m
v
GS
= v
GS
/r
e
r
0

S
D
S
G
v
GS

+
-
( )
t GS
D
D t GS
GS
D
V V
I
KI V V K
V
I
gm

= = =

=
2
2 2
gm
r
e
1
=
D
A
o
I
V
r =

1
=
A
V

G
D
S
I
D

v
GS
/r
e
r
0

S
D
S
G
v
GS

+
-
B

v
GS

S
S
r
0

i
D

G
D
v
GS
/r
e

r
e

G
S
D
i
D

i
S

r
e

r
0

12

Modelo de pequenos sinais:











Anlise para pequenos sinais de circuitos com um transistor


Exemplo 5:
C
2
C
1
R
D
R
G
V
CC
v
i
v
o
I
D
I =0
G



Na Banda de interesse, XC
1
e XC
2
esto em curto e para anlise incremental (AC) toda fonte de tenso
constante est em curto com o terminal comum.


r
e

r
0

G
S
D
13


R
D
R
G
v
i
v
o
i
D
i
G
r
o
r
e
i
D2
i
D1
i=0
i
i
Z
o
Z
i
i
x


Parmetros importantes do circuitos

Impedncia de entrada (Z
i
)
Impedncia de sada (Z
0
)
Ganho de tenso (A
v
)
Ganho de corrente (A
i
)

Determinao dos parmetros.

Impedncia de entrada (Z
i
)

Por inspeo da figura acima, temos:
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=
i
o
G
i
G
o i
i
v
v
R
v
R
v v
i 1
onde v
o
/v
i
o ganho de tenso A
v
, dessa forma:
( )
v
G
i
i
A
R
v
i = 1
Portanto:




v
G
i
i
i
A
R
i
v
Z

=
1

14

Impedncia de sada (Z
0
)

Novamente, por inspeo da figura acima, a impedncia de sada do circuito igual :



Note que para determinao de Z
0
as tenses independentes, no caso somente v
i
, so colocadas em
curto com o terra.
A corrente i
x
mostrada para evidenciar que esta seria a corrente que uma fonte de tenso (v
0
)
conectada a sada forneceria ao circuito com uma impedncia de sada Z
0.


Ganho de tenso (A
v
)

Da figura temos:
G
i o
o
o
e
i
D
o
G D D D
R
v v
r
v
r
v
R
v
i i i i

+ + = + + =
2 1

|
|

\
|
=
|
|

\
|
+ +
e G
i
G o D
o
r R
v
R r R
v
1 1 1 1 1

|
|

\
|
=
e G
D o G
i
o
r R
R r R
v
v 1 1
// //

|
|

\
|
= =
e G
o
i
o
v
r R
Z
v
v
A
1 1


Ganho de corrente (A
i
)

Definindo a corrente de sada como a corrente i
D
, temos:
D
o
D o
i
i
i
R
v
i i
Z
v
i = = = ,
Dividindo as duas equaes temos:
i
i
D
o
i
o
v
Z
R
v
i
i
=
D
i
v
i
o
i
R
Z
A
i
i
A = =


o D G o
r R R Z // // =
15

Exerccio:
C
2
C
1
10K
10M
+15V
v
i
v
o
I
D


Primeiramente devemos avaliar o ponto de operao cc do circuito como segue:
( )
2
t GS D
V V K I =
( )
2
5 , 1 125 , 0 =
GS D
V I
Como a corrente em R
G
nula temos que V
GS
= V
D
. Assim temos:
( )
2
5 , 1 125 , 0
D D
V I (1)
Alm disso,

D D
I V 10 15 = (2)
Resolvendo as equaes (1) e (2) juntas, obtemos:

=
=
V V
mA I
D
D
4 , 4
06 , 1

(A outra soluo da equao quadrtica no fisicamente aceitvel.)
Assim temos:
= = = k
I
V
r
D
A
o
47
06 , 1
50

( ) ( )
=

=

= k
V V K
r
t GS
e
379 , 1
5 , 1 4 , 4 125 , 0 2
1
2
1





Determine (a) Z
o
, (b) A
v
, (c) Z
i
e A
i
. Suponha que o
transistor NMOS tenha V
t
= 1,5 V, K = 0,125 mA/V
2

e V
A
= 50 V. Na Banda de interesse, XC
1
e XC
2
esto
em curto.
16

Modelo AC:
10k
10M
v
i
v
o
i
D
i
G
47k
1,379k
i
D2
i
D1
i=0
i
i
Z
o
Z
i
i
x

(a) Determinar Z
o
:
o D G o
r R R Z // // =
= k Z
o
24 , 8
(b) Determinar A
v
:
|
|

\
|
= =
e G
o
i
o
v
r R
Z
v
v
A
1 1


V V A
v
97 , 5 =
(c) Determinar Z
i
:
v
G
i
i
i
A
R
i
v
Z

=
1


( )
=

= M Z
i
34 , 1
97 , 5 1
10 10
6

(d) Determinar A
i
:

D
i
v
i
o
i
R
Z
A
i
i
A = =

A A A
i
800
10 10
10 34 , 1
97 , 5
3
6
=