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Tiristor
Tiristor
INDUSTRIAL
I
SCRs
O SCR (tiristor) um componente eletrnico semicondutor que trabalha
de forma semelhante a um diodo, ou seja, permite a passagem da corrente
em um nico sentido, mas no incio de sua conduo regulado por um
eletrodo especial, que recebe o nome de gate (porta).
O gate, atravs de um impulso eltrico, permite ento a conduo do
SCR.
O SCR formado por uma estrutura de 4 regies semicondutoras
PNPN. Se dividirmos essa estrutura em duas partes, veremos que cada uma
delas forma um transistor.
O SCR (Silicon Controlled Rectifier) conhecido como tiristor.
O nome tiristor proveniente do ingls THYRISTOR (thyratron +
transistor, onde o thyratron um retificador a gs usado antigamente).
A aplicao principal do SCR est no chaveamento eletrnico, onde as
tenses de bloqueio e controle de corrente de um transistor no so
suficientes.
Veja a seguir a estrutura das quatro regies semicondutoras de um
tiristor ou SCR.
C1 = 100nF/400V
C2 = 100nF/400V
L1 = L2 = 50 a 60 espiras de fio de cobre esmaltado bitola 18,
enrolados num basto de ferrite 10mm, com 5 a 10cm. de comprimento.
Ligado em srie com o aparelho interferido, o filtro evita que os sinais
interferentes que venham pela rede cheguem at ele.
Ligado em srie com o aparelho interferente (que usa o SCR), o filtro
evita que as interferncias geradas saiam do aparelho e se propaguem pela
rede.
A figura a seguir mostra um SCR com encapsulamento T0-220AB
(plstico), fabricado pela STMicroelectronics.
Sua corrente de operao de 10A e sua tenso de trabalho pode
variar de 200V at 1.000V (TYN210=200V; TYN410=400V; TYN610=600V;
TYN810=800V e TYN1010=1.000V).
A figura a seguir mostra o aspecto fsico do TIC 106, visto por cima;
tanto o TIC 106 como o SCR mostrado anteriormente (TYN) tem o seu
anodo(A) interligado internamente parte metlica que serve para acopl-lo
mecanicamente a um dissipador de calor.
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APLICAO: ALARME 1
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APLICAO: ALARME 2
O circuito a seguir tem o funcionamento idntico ao primeiro, exceto
que, o disparo ocorre quando no existe iluminao sobre o LDR.
Quando o LDR est iluminado sua resistncia baixa, fazendo com que
o SCR opere no bloqueio.
Quando a iluminao interrompida (por exemplo, corte de um feixe
luminoso) a resistncia do LDR aumenta, aumentando a tenso e corrente de
gate, levando o SCR conduo. Nestas condies o rel atraca e o alarme
acionado.
Para interromper o alarme basta pressionar o boto reset como no
caso anterior.
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SKT 10 SEMIKRON
Corrente de operao
(ITAV) 10A
Corrente mxima (ITRMS)
30A
Tenso (VRRM, VDRM)
SKT 10/06D = 600V
SKT 10/08D = 800V
SKT 10/12E = 1.200V
SKT 40 SEMIKRON
Corrente de operao
(ITAV) 40A
Corrente mxima (ITRMS)
63A
Tenso (VRRM, VDRM)
SKT 40/04D = 400V
SKT 40/06D = 600V
SKT 40/08D = 800V
SKT 40/12E = 1.200V
SKT 40/14E = 1.400V
SKT 40/16E = 1.600V
SKT 40/18E = 1.800V
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TRIACs
O TRIAC um componente semicondutor que nasceu da necessidade
de se dispor de interruptor controlado, que apresentasse as caractersticas
funcionais de um SCR, mas que permitisse o controle do ciclo completo da
corrente alternada.
A palavra TRIAC uma abreviao da denominao inglesa Triode AC
que significa triodo para corrente alternada. Como o prprio nome indica, o
componente dispe de trs eletrodos.
O circuito equivalente mostrado na figura a seguir.
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Por exemplo, 0 BTA24-600 significa que o TRIAC opera com 600 volts e
o terminal MT2 isolado da base de fixao; BTB24-600 o mesmo TRIAC,
porm com o terminal MT2 no isolado da base de fixao, ambos com
encapsulamento do tipo TO-220AB.
Observa-se que esse fabricante especifica a isolao ou no desse
terminal com a base de fixao, usando as letras A ou B.
O TRIAC BTA25-800 (por exemplo), opera com 800 volts, seu terminal
MT2 isolado da base de fixao e seu encapsulamento do tipo RD91. Este
tipo de encapsulamento permite que o TRIAC seja montado em radiadores
para encapsulamento TO-3.
CIRCUITOS PRTICOS PARA DISPARO DE TRIACs:
Como vimos anteriormente existem muitas possibilidades de se realizar
na prtica o disparo de um TRIAC. Pode-se ento escolher o modo mais
adequado para isso, dependendo do tipo de aplicao.
De qualquer forma, a realizao do disparo resume-se em duas
variantes fundamentais:
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DIACs
O DIAC tem uma estrutura semelhante a do TRIAC, exceto que, no
possui o terminal do gate (da abreviao inglesa DIODE AC)
Basicamente possui cinco camadas P e N. A figura a seguir ilustra sua
estrutura interna e respectivos smbolos.
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Especificaes:
IFRM = 2A
VBO = 28 a 36V
IBO = 50A
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TRANSISTOR DE UNIJUNO
(UJT)
OBJETIVOS: Verificar experimentalmente o funcionamento de um transistor
de unijuno, atravs de um oscilador de relaxao.
INTRODUO TERICA
O transistor de unijuno (UJT do ingls Uni-junction-Transistor) um
dispositivo de trs terminais, cuja construo bsica mostrada na figura
abaixo:
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Consideraes:
a) A resistncia RB1 mostrada como uma resistncia varivel uma
vez que variar de acordo com a intensidade da corrente IE; em um transistor
de unijuno tpico RB1 pode variar de 5k para 50.
b)RBB a resistncia entre os terminais B2 e B1 quando Ie = 0; RBB
tpico para os transistores de unijuno varia de 4k at 10k.
para IE = 0
podemos ento afirmar:
para IE = 0
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No ponto de vale: IE = Iv e VE = Vv
Exemplo: supondo os valores tpicos:
V = 30V
= 0,5
Vv = 1V
Iv = 10mA
Ip = 10A
RBB = 5k
VD = 0,5V
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PARTE PRTICA
MATERIAIS NECESSRIOS
1 - Fonte de alimentao 0-20V
1 - Mdulo de ensaios ELO-1
1 - Multmetro analgico ou digital
1 - Osciloscpio
1. Monte o circuito abaixo:
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6. Calcule a freqncia das oscilaes com o trimpot totalmente aberto e
totalmente fechado.
f (trimpot aberto) = _____________________
f (trimpot fechado) = ____________________
QUESTES:
1. O que ponto de pico?
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2. O que ponto de vale?
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_______________________________________________________________________________
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3. Quando ocorre a saturao em um transistor de unijuno?
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4. O que regio de resistncia negativa?
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