4.2.2.2 Esquema de aterramento Nesta Norma são considerados os esquemas de aterramento descritos em 4.2.2.2.1 a 4.2.2.

3, cabendo as seguintes observações sobre as ilustrações e símbolos utilizados: a) as figuras 1 a 5, que ilustram os esquemas de aterramento, devem ser interpretadas de forma genérica. Elas utilizam como exemplo sistemas trifásicos. As massas indicadas não simbolizam um único, mas sim qualquer número de equipamentos elétricos. Além disso, as figuras não devem ser vistas com conotação espacial restrita. Deve-se notar, neste particular, que como uma mesma instalação pode eventualmente abranger mais de uma edificação, as massas devem necessariamente compartilhar o mesmo eletrodo de aterramento, se pertencentes a uma mesma edificação, mas podem, em princípio, estar ligadas a eletrodos de aterramento distintos, se situadas em diferentes edificações, com cada grupo de massas associado ao eletrodo de aterramento da edificação respectiva. Nas figuras são utilizados os seguintes símbolos:

b) na classificação dos esquemas de aterramento é utilizada a seguinte simbologia: primeira letra -- Situação da alimentação em relação à terra:  = um ponto diretamente aterrado; T I = isolação de todas as partes vivas em relação à terra ou aterramento de um ponto através de  impedância; segunda letra -- Situação das massas da instalação elétrica em relação à terra: T = massas diretamente aterradas, independentemente do aterramento eventual de um ponto da alimentação; N = massas ligadas ao ponto da alimentação aterrado (em corrente alternada, o ponto aterrado é normalmente o ponto neutro); outras letras (eventuais) -- Disposição do condutor neutro e do condutor de proteção: S = funções de neutro e de proteção asseguradas por condutores distintos; C = funções de neutro e de proteção combinadas em um único condutor (condutor PEN). 4.2.2.2.1 Esquema TN O esquema TN possui um ponto da alimentação diretamente aterrado, sendo as massas ligadas a esse ponto através de condutores de proteção. São consideradas três variantes de esquema TN, de acordo com a disposição do condutor neutro e do condutor de proteção, a saber: a) esquema TN-S, no qual o condutor neutro e o condutor de proteção são distintos (figura 1); b) esquema TN-C-S, em parte do qual as funções de neutro e de proteção são combinadas em um único condutor (figura 2);

c) esquema TN-C, no qual as funções de neutro e de proteção são combinadas em um único condutor, na totalidade do esquema (figura 3).

Figura 1 Esquema TN-S

NOTA As funções de neutro e de condutor de proteção são combinadas num único condutor em parte do esquema. Figura 2 Esquema TN-C-S

NOTA As funções de neutro e de condutor de proteção são combinadas num único condutor, na totalidade do esquema. Figura 3 Esquema TN-C

estando as massas da instalação ligadas a eletrodo(s) de aterramento eletricamente distinto(s) do eletrodo de aterramento da alimentação (figura 4).4.2.2. seja porque não há eletrodo de aterramento da alimentação. verificando-se as seguintes possibilidades:  massas aterradas no mesmo eletrodo de aterramento da alimentação.3 Esquema IT No esquema IT todas as partes vivas são isoladas da terra ou um ponto da alimentação é aterrado através de impedância (figura 5).2. Figura 4 Esquema TT 4.2.2. As massas da instalação são aterradas. seja porque o eletrodo de aterramento das massas é independente do eletrodo de aterramento da alimentação. A = sem aterramento da alimentação. e  massas aterradas em eletrodo(s) de aterramento próprio(s).2. .2 Esquema TT O esquema TT possui um ponto da alimentação diretamente aterrado. se existente. 1) O neutro pode ser ou não distribuído.

3 = massas coletivamente aterradas no mesmo eletrodo da alimentação. para indicar a ocorrência de uma primeira falta à massa ou à terra.4. UL.6. como por exemplo.2. Essa condição permite evitar qualquer seccionamento automático. B.2 = massas coletivamente aterradas em eletrodo independente do eletrodo de aterramento da alimentação. f) não se admite. no caso da ocorrência de uma única falta fase-massa. Figura 5 Esquema IT TN-C .2 e. o esquema TN-C deve ser convertido. é importante que a (primeira) falta seja localizada e eliminada o mais rápido possível. como se a instalação fosse TN ou TT. na variante TN-C do esquema TN. No entanto. observado o que estabelece a alínea f). que a função de seccionamento automático visando proteção contra choques elétricos seja atribuída aos dispositivos DR. 2 Admite-se também que. e) no esquema TN. no seccionamento automático visando proteção contra choques elétricos. de aterramento da alimentação. deve ser numericamente da ordem de 5 a 6 vezes o valor da tensão de fase (Uo) da instalação. superior à tensão de contato limite. na separação entre neutro e PE a que alude a nota 1. B.1.  dispositivos de proteção a corrente diferencial-residual (dispositivos DR). do lado fonte do dispositivo DR. Isto é: o condutor PEN deve ser desmembrado em dois condutores distintos para as funções de neutro e de PE. mas a um eletrodo de aterramento qualquer cuja resistência seja compatível com a corrente de atuação do dispositivo. a corrente de falta.4. o circuito assim protegido deve ser então considerado como conforme o esquema TT. ocorrerá o seccionamento automático. deve ser limitada de tal modo que não possa surgir nenhuma tensão de contato perigosa. B. NOTAS: 1 Para tornar possível o uso do dispositivo DR. de 1000  ara 230/400V. ocorrendo uma segunda falta que envolva uma outra fase. no seccionamento automático visando proteção contra choques elétricos. Neste caso. sendo esta separação feita do lado fonte do dispositivo DR. dando continuidade ao funcionamento da instalação. a) no esquema TT. p b) Em um esquema IT. o condutor responsável pela função PE não seja ligado ao PEN. porém.1 = massas aterradas em eletrodos separados e independentes do eletrodo de aterramento da alimentação. devem ser usados dispositivos a corrente diferencial-residual (dispositivos DR). na instalação. Esse dispositivo deve acionar um sinal sonoro e/ou visual.3. A impedância Z. além disso. só é admitido em instalações fixas.B = alimentação aterrada através de impedância.o uso de um mesmo e único condutor para as funções de condutor de proteção e de condutor neutro (condutor PEN) está sujeito ao disposto em 5. imediatamente a montante do ponto de instalação do dispositivo.3.2. perdendo-se a grande vantagem do esquema IT. que dev . Id. em esquema TN-C-S. d) deve ser previsto um dispositivo supervisor de isolamento (DSI). aplicando-se as prescrições de 5.4. podem ser usados os seguintes dispositivos de proteção:  dispositivos de proteção a sobrecorrente. passando então o condutor neutro internamente e o condutor PE externamente ao dispositivo.6. Caso contrário. isto é. indicada nas Figuras 28C e 29C. às prescrições de 6.

que deve perdurar até que a falta seja eliminada. as considerações aplicáveis são aquelas do esquema TN. no seccionamento automático visando proteção contra choques elétricos na ocorrência de uma segunda falta. as condições aplicáveis são aquelas prescritas para o esquema TT. segunda letra .perdurar enquanto a falta persistir. Por essa razão. com as seguintes observações: a) as figuras 1 a 6 mostram exemplos de sistemas trifásicos comumente utilizados. Caso existam as duas sinalizações.  dispositivos de proteção a corrente diferencial-residual (dispositivos DR).  quando a proteção envolver massas ou grupos de massas que estejam todas interligadas por condutor de proteção (vinculadas todas ao mesmo eletrodo de aterramento).situação da alimentação em relação à terra: · T = um ponto de alimentação (geralmente o neutro) diretamente aterrado. · N = massas ligadas diretamente ao ponto de alimentação aterrado (em corrente alternada. mas não o visual. e) o seccionamento automático da alimentação visando proteção contra choques elétricos na ocorrência de uma segunda falta deve ser equacionado seguindo-se as regras definidas para o esquema TN ou TT. · S = as massas da subestação estão ligadas a um aterramento eletricamente separado daquele do neutro e daquele das massas da instalação. sonora e visual. · I = isolação de todas as partes vivas em relação à terra ou aterramento de um ponto através de uma impedância. podem ser usados os seguintes dispositivos de proteção:  dispositivos de proteção a sobrecorrente. · N = as massas da subestação estão ligadas diretamente ao aterramento do neutro da instalação. terceira letra . independentemente do aterramento eventual de ponto de alimentação. recomenda-se o us de sistemas supervisórios de localização de faltas. Nesta Norma são considerados os esquemas de aterramento descritos a seguir. o ponto aterrado é normalmente o neutro). mas não estão ligadas às massas da instalação. quando o neutro não for distribuído: f) no esquema IT.situação de ligações eventuais com as massas da subestação: · R = as massas da subestação estão ligadas simultaneamente ao aterramento do neutro da instalação e às massas da instalação. devendo ser atendida a seguinte condição. dependendo de como as massas estão aterradas:  quando a proteção envolver massas ou grupos de massas vinculadas a eletrodos de aterramento distintos. Esquemas de aterramento para Alta Tensão. . b) para classificação dos esquemas de aterramento é utilizada a seguinte simbologia: primeira letra . NOTA A primeira falta deve ser localizada e eliminada o mais rápido possível. admite-se que o sinal sonoro possa ser cancelado.situação das massas da instalação elétrica em relação à terra: · T = massas diretamente aterradas.

onde: Rpn é a resistência do eletrodo de aterramento comum à massa da subestação e do neutro. sendo.2. toda corrente de falta direta fase-massa é uma corrente de curto-circuito (figura 1). Figura 1 Esquema TNR 4. RA é a resistência do eletrodo de aterramento das massas da instalação. sendo as massas da instalação e da subestação ligadas a esse ponto através de condutores de proteção (PE) ou condutor de proteção com função combinada de neutro (PEN). Figura 2 Esquema TTN .1 Esquema TNR O esquema TNR possui um ponto da alimentação diretamente aterrado. onde: RPnA é a resistência do eletrodo de aterramento comum à massa da subestação. a saber: a) esquema TTN. TTN e TTS. estando as massas da instalação ligadas a eletrodos de aterramento eletricamente distintos do eletrodo de aterramento da subestação. São considerados dois tipos de esquemas. as correntes de falta direta fase-massa devem ser inferiores a uma corrente de curtocircuito.3.2. do neutro e das massas da instalação. de acordo com a disposição do condutor neutro e do condutor de proteção das massas da subestação.3.2 Esquemas TTN e TTS Os esquemas TTx possuem um ponto da alimentação diretamente aterrado. no qual o condutor neutro e o condutor de proteção das massas da subestação são ligados a um único eletrodo de aterramento (figura 2). porém suficientes para provocar o surgimento de tensões de contato perigosas. Nesse esquema.4. Nesse esquema.

no qual o condutor neutro. ITN e ITS. Figura 6 Esquema ITR . do neutro e das massas da instalação.2. os condutores de proteção das massas da subestação e da instalação são ligados a um único eletrodo de aterramento (figura 6). ITN e ITS. no qual o condutor neutro e o condutor de proteção das massas da subestação são ligados a eletrodos de aterramento distintos (figura 3).3 Esquemas ITR. Nesse esquema. ITR. São considerados três tipos de esquemas.b) esquema TTS. Rn é a resistência do eletrodo de aterramento do neutro. onde: Rp é a resistência do eletrodo de aterramento da subestação. Os esquemas Itx não possuem qualquer ponto da alimentação diretamente aterrado ou possuem um ponto da alimentação aterrado através de uma impedância. Figura 3 Esquema TTS 4. a saber: a) esquema ITR. a corrente resultante de uma única falta fase-massa não deve ter intensidade suficiente para provocar o surgimento de tensões de contato perigosas.3. estando as massas da instalação ligadas a seus próprios eletrodos de aterramento. onde: Rpn é a resistência do eletrodo de aterramento comum à massa da subestação. RA é a resistência do eletrodo de aterramento das massas da instalação. de acordo com a disposição do condutor neutro e dos condutores de proteção das massas da instalação e da subestação.

onde: Rp é a resistência do eletrodo de aterramento da subestação. no qual o condutor neutro. 6 kV. Figura 5 Esquema ITS 4. As tensões nominais da instalação são as seguintes: 3 kV. RA é a resistência do eletrodo de aterramento das massas da instalação.8 kV. Cores de fios: Neutro  Azul Claro.16 kV. o aterramento do neutro na origem proporciona uma melhoria na equalização de potenciais essencial à segurança. 4. NOTA Do ponto de vista da instalação.5 kV.4 Aterramento do condutor neutro Quando a instalação for alimentada por concessionário.3.  Qualquer outra cor fora as cores acima ou amarelo quando puder se confundir com o PE. os condutores de proteção das massas da subestação e da instalação são ligados a eletrodos de aterramento distintos (figura 5). o condutor neutro.2. deve ser aterrado na origem da instalação. . Figura 4 Esquema ITN c) esquema ITS. 23. no qual o condutor neutro e o condutor de proteção das massas da subestação são ligados a um único eletrodo de aterramento e as massas da instalação ligadas a um eletrodo distinto (figura 4). PE PEN Fase  Verde-amarelo ou só verde. 13. RA é a resistência do eletrodo de aterramento das massas da instalação. onde: Rpn é a resistência do eletrodo de aterramento comum à massa da subestação e do neutro.  Azul claro com anilhas verde-amarelo nos pontos visíveis. Rn é a resistência do eletrodo de aterramento do neutro. se existir e o concessionário permitir.1 kV e 34.b) esquema ITN.

13 cm 6 cm 3 cm 2 a 5 kVA 30 cm 15 cm 8 cm > 5 kVA 60 cm 30 cm 15 cm . instalada em prumada sem elemento metálico Rede de energia sem eletroduto metálico. instalada próxima a elemento metálico aterrado Rede de energia instalada em eletroduto metálico aterrado.Tabela 1 .Separação ótima dos cabos telefônicos em relação à redes de energia ≤ 480 V Distância de separação Condição < 2 kVA Rede de energia sem eletroduto metálico.

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