A fsica e aplicaes de lasers aleatrias

Recentes desenvolvimentos no campo de micro e nanofotnica tm mostrado que possvel fazer uso da desordem intrnseca em materiais fotnicos teis para criar estruturas pticas. Um exemplo o de um laser de forma aleatria, em que a aco do laser obtido em estruturas desordenadas, tais como ps e vidros porosos. Embora estes materiais so fceis de fabricar, s recentemente que os investigadores comearam a compreender os processos de ricos e complexos fsicos que ocorrem na amplificao sistemas desordenados. Aqui, vou dar uma viso geral dos vrios resultados recentes e discutir a imagem fsica que surgiu agora. Eu tambm ir discutir possveis aplicaes deste novo tipo de doena com base em fonte de luz laser. m laser normalmente construdo a partir de dois elementos bsicos: um material que fornece ganho ptico atravs de uma emisso estimulada e cavidade ptica que parcialmente a armadilhas de luz. Quando o ganho total em a cavidade maior do que as perdas, o sistema atinge um limiar e lases. a cavidade que determina os modos de um laser, que , determina a direo da sada e sua freqncia. Lasers aleatrios trabalhar com os mesmos princpios, mas os modos so determinado pela disperso mltipla, e no por uma cavidade de laser. spalhamento mltiplo um fenmeno bem conhecido que ocorre em quase todos os materiais pticos que aparecem opaco. , portanto, bastante comum na vida diria e determina a aparncia de, por exemplo, nuvens, tinta branca, ps e at mesmo humanos tecido. Os raios de luz que penetram esses materiais esto dispersos muitas vezes milhares de vezes de um modo aleatrio antes de sair novamente. O tipo de propagao o de um passeio aleatrio, tal como no movimento browniano das partculas em suspenso num lquido (Fig. 1). Os parmetros fundamentais que descrevem este processo so o caminho livre mdio (o tamanho do passo mdio do passeio aleatrio) econstante de difuso. Espalhando em desordenados materiais pticos complexo ainda completamente coerente. Thismeans que a fase de cada uma das ondas pticas submetidos a um passeio aleatrio bem definido e efeitos de interferncia pode ocorrer, mesmo se o material fortemente desordenada. A visualizao mais clara de interferncia no multiplicam a luz dispersa a de laser de speckle1, que o padro observado granulado quando se olha para um ponteiro laser que dispersa a partir de, por exemplo, um pedao de papel. A diferena entre o espalhamento de luz de difuso andmultiple que a difuso refere-se a uma imagem simplificada de disperso mltipla em que os efeitos de interferncia so negligenciadas.

Espalhamento mltiplo devido a aleatoriedade no ocorre apenas em materiais naturais, mas tambm intrinsecamente presente em materiais fotnicos, tais como cristais fotnicos, destinadas realizao de dispositivos pticos. Nesses materiais, a disperso mltipla tem sempre sido considerado uma propriedade indesejada decorrente de artefatos estruturais. Agora tornou-se claro que esses artefatos so difceis evitar e formar uma grande bottleneck2 industrial. Usando espalhamento mltiplo para introduzir novas funcionalidades, portanto, abre-se uma perspectiva completamente nova sobre a desordem em materiais fotnicos.

Propriedades de emisso de um laser RANDOM

Difuso da luz com o ganho j foi discutido teoricamente por Letokhov na dcada de 1960. Ele argumentou que, por um processo de difuso com a amplificao, uma situao em que o ganho total proporcional ao volume obtido, enquanto que as perdas sero proporcionais

ao surface total. Em seguida, fcil ver que no existe um volume crtico acima do qual o ganho se torna maior do que a perda, e diverge da intensidade. Se o ganho depende do comprimento de onda, o modelo tambm prev que o espectro de emisso se reduz acima do limiar com uma intensidade mxima no comprimento de onda do mximo de ganho. Alm disso, as oscilaes de relaxao, assim como cravao de laser podem ser encontrados em tal modelo difusivo 4. Vrias destas caractersticas foram efectivamente observados em experimentos. Briskina e colegas de trabalho 5 e depois Migus e colegas de trabalho 6 feita de um material desordenado amplificao por triturao laser de cristal em um p fino. Theymanaged para excitar este p opticamente e atingir o ganho ptico atravs de emisso estimulada em conjunto com a disperso mltipla. Acima de um certo limiar, o ganho nvel, o espectro de emisso foi observada para diminuir e a a intensidade do pico a aumentar (Figura 2). Uma outra estratgia para alcanar disperso mltipla com o ganho foi seguido por Lawandy et al. 7 , Que suspenso em micropartculas corante laser. As vantagens de uma tal material so que a quantidade de disperso pode ser facilmente variada alterando a concentrao de partculas e que o material um suspenso e, portanto, fluid8 . Lawandy chamado este laser de material pintar, uma vez que constitui um laser que pode ser pintado directamente numa superfcie. Em trabalho mais cedo, Lawandy no foi sempre em regime de lasing aleatria e igualmente observados efeitos semelhantes em zero ou muito pequena partcula concentration9, 10 . Ele corrigiu esta tarde em work11 . Para ligar um material de um laser aleatrio, o processo de disperso mltipla tem para desempenhar um papel na determinao do processo de laser. O termo aleatrio lasing foi introduzido em 1995 (4,9 refs). Abordagens tericas mais tarde abordou a questo interessante de estatsticas de ftons em aleatrio emisso laser. Verificou-se que as estatsticas de ftons de um laser aleatrio so muito semelhantes aos de um laser de regular, em vrios aspectos. Lasers regulares, por exemplo, exibem excesso de rudo fotnico que se origina a partir da interferncia entre emission12 espontnea e estimulada. Beenakker e um colega de trabalho mostrou, em clculos matriciais aleatrios, que o rudo de ftons excesso tambm esperado para ocorrer em lasers aleatrias acima threshold13, 14.

Figura 1 espalhamento de luz mltiplas com ganho. Um conjunto aleatrio de microesferas contendo corante laser excitado (por exemplo, por uma fonte de luz externa) para obter inverso de populao. As microesferas de disperso de luz ento e amplific-lo no processo. A propagao das ondas de luz torna-se a uma caminhada amplificado ao acaso.

Florescu e John calculado o grau de segunda ordem coerncia que uma medida da flutuao da intensidade e que caracteriza a emisso de um laser. A distribuio temporal de ftons de uma fonte catico ajuntado (ftons tm um alto probabilidade de chegar juntos ou em outras palavras, eles viajam em "cachos"), o que leva chamada condensao de Bose-Einstein estatsticas. este i em contraste com as estatsticas poissonian do estado coerente de um laser onde os ftons so mais bem distribudas no tempo. Florescu e Joo previu que um laser aleatrio acima do limiar deve apresentam estatsticas poissonian, como um laser normal 15 . este resultado poderia ser obtido por levar em conta apenas a disperso difusivo e nenhum feedback coerente. Poissonian fton estatsticas de forma aleatria emisso laser foram observadas pela primeira vez em experincias por Cao et al. 16. Embora um simplifiedmodel de difuso com o ganho, conforme originalmente discutida por Letokhov, muito potente para prever certas propriedades de emisso de um laser de forma aleatria, mas tambm negligencia alguns aspectos importantes. Em particular, ele negligencia o fato de que os raios de luz em um laser aleatrio, ao submeter-se um passeio aleatrio, so sujeitas aos efeitos de interferncia. a interferncia no processo de disperso mltipla que determina a estrutura de um laser de modo aleatrio....

Figura 2 A observao de lasing aleatria. O espectro de emisso de um material aleatrio-laser slido baseado em neodinium-(Nd3 +) dopado com xido de lantnio (La2O3). um, O espectro de fluorescncia do material abaixo do limiar. b, O material est acima do limiar e o espectro restringe fortemente. Reproduzido com permisso do ref. 5. Modos em um laser regulares so determinadas pela cavidade do laser e consistem geralmente em p padres de ondas. Em um laser aleatrio, o perfil espacial dos modos dominado por um padro de manchas com um envelope variando gradualmente. Esta interferncia tem um papel importante em todos os materiais de laser aleatrio que tm sido estudados, at agora, incluindo as primeiras estruturas realizados, por exemplo, Briskina, Migus e Lawandy e seus respectivos colegas de trabalho (ver Quadro 1). Neste contexto, a relao entre lasing aleatria e emisso espontnea amplificada pode tambm ser compreendida. Emisso espontnea amplificada luz que se origina a partir de emisso espontnea e que posteriormente amplificada por emisso estimulada. Este processo ocorre sem uma cavidade ptica e pode, portanto, ocorrer mesmo em completamente transparentes materiais ativos onde os raios pode propagar livremente. O espectro de emisso espontnea amplificada determinada pela curva de ganho do material activo. Devido ao processo de emisso estimulada, esta luz pode mesmo tornar-se altamente coerente sob certas condies (ver Quadro 2). Emisso espontnea amplificada muitas vezes classificada como de laser sem espelhos 17. Em um laser aleatrio, por outro lado, o processo de disperso mltipla-define modos pticos com uma certa frequncia central e da largura de banda, tempo de vida e um perfil rico espacial. Lasers aleatrios so, portanto, "espelho-menos", mas no "de modo menos"

ESTRUTURA DE UM MODO laser aleatrio

Para desenvolver uma teoria que pode descrever todos os aspectos de um laser aleatrio muito difcil. Um modelo completo teria de incluir a dinmica do mecanismo de ganho, porque o ganho de saturao constitui um aspecto intrnseco de um sistema de amplificao acima do limiar. Sem saturao de ganho, a intensidade iriam divergir levando a resultados no fsicas. Alm disso, os efeitos de interferncia tm de ser includos para descrever a estrutura de modo. Interferncia na disperso mltipla conduz a uma distribuio granular da intensidade chamado salpico (Fig. 3). Na maior parte dos materiais aleatrias, a intensidade espalhada em toda a amostra e os modos so estendidos. Em certos materiais aleatrias, a interferncia pode levar a um efeito chamado de luz localization1820, o qual a contrapartida ptica Anderson localizao de electres 21. Devido interferncia, a propagao de ondas livre e, assim, o processo de disperso mltipla, vem praticamente a uma parada no referido processo. Isto pode ser compreendido em termos de formao de modos aleatoriamente em forma fechada, mas com uma amplitude total decaimento exponencial (Fig. 3). A extenso mdia espacial desses modos localizados define uma escala de comprimento chamou a comprimento de localizao. Localizao s pode ter lugar em ptica materiais que so extremamente forte disperso, a exigncia sendo que A mdia de caminho livre `torna-se menor do que o recproco wavevector: k ` 1. Isto tambm conhecido como o criterion22 Ioffe-Regel. Quadro 1: Definio de um laser aleatrio Existe amisconception na literatura actual que difusivos e coerente lasers aleatrios devem ser distinguidas entre si. Esta distino pode sugerir que, em alguns materiais no processo de disperso de luz sujeito a efeitos de interferncia, enquanto que em outros, no . Em todos os materiais de random-laser, o processo de disperso mltipla elstica, de modo que os efeitos de interferncia esto presentes e uma parte do problema fsico. A 3

questo se o efeito de interferncia observado este em uma configurao especfica experimental. Por exemplo, usando pulsos de excitao ou longas pela mdia de mais de vrios disparos de laser, alguns efeitos de interferncia calculada a mdia para fora. Os efeitos remanescentes aps mdia, tal como um estreitamento suave do espectro, pode ser descrita por um modelo simplificado de difuso com o ganho que no precisa levar em conta a interferncia. No entanto, possvel observar a partir do material aleatrio mesmo laser ou um espectro liso ou picos estreitos. Este ltimo s pode ser modelado, tendo em conta os efeitos de interferncia. Para modelar um laser aleatrio corretamente requer a resoluo de equaes de Maxwell para um sistema de ndice de refrao variando aleatoriamente com uma parte positiva imaginrio. Os modos pticos que se encontram neste forma so complexas e podem ser localizadas ou Anderson confinada a um espao ou estendida, de acordo com a livre mdia caminho da amostra. Alm disso, outras propriedades podem determinar A natureza dos modos, tais como a quantidade de (a longo prazo) correlao no ndice de refraco ou a presena de ordem parcial ou forte anisotropia. Dada a larga escala de materiais que so estudadas no contexto de lasing aleatria, e os ricos fsica de amplificar sistemas aleatrios, importante fornecer uma definio clara do que se entende por um laser aleatrio. Uma boa definio de um laser uma ptica estrutura ou material que satisfaa os dois critrios seguintes: (1) a luz multiplamente dispersos devido a aleatoriedade e amplificada por emisso estimulada, e (2) existe um limiar, devido ao espalhamento mltiplo, acima do qual o ganho total maior do que a perda total . Esta definio inclui todos os sistemas de espalhamento mltiplas com o ganho em uma ampla variedade de caminhos livres mdios `. Considerando que no h limite inferior para `, um limite superior de aproximadamente o tamanho do sistema, caso contrrio, a amostra torna-se transparente.

Caixa 2: Como coerente um laser (aleatrio)? Retorno coerente no necessria para obter lasing aleatria. A razo que, tal como em um laser regular, que no a prpria cavidade, que essencial para a obteno de laser coerente emisso. Para entender isso melhor coerncia, de primeira e de segunda ordem devem ser distinguidos entre. De primeira ordem coerncia uma medida de flutuaes do campo, enquanto que as contas de segunda ordem de coerncia para as flutuaes de intensidade. Para uma fonte de largura de banda suficientemente estreito, a coerncia de primeira ordem automaticamente elevada. Portanto, qualquer mecanismo que selecciona uma banda de comprimento de onda especfico estreitos (por exemplo, um filtro passa-banda), cria de primeira ordem coherence 65 . Segunda ordem coerncia mais difcil de obter devido tendncia de ftons para 'bando', o que cria grande intensidade fluctuations.In um laser, de segunda ordem coerncia obtida pela saturao do ganho. Este efeito no linear limita as flutuaes da intensidade e, consequentemente, aumenta a coerncia de segunda ordem. Se a luz de primeira e segunda ordem coerente, a emisso pode ser chamado de "coerente". A cavidade do laser cria feedback e, assim, forma uma conveniente mecanismo que provoca automaticamente a saturao de ganho necessria para segunda ordem luz coerente. No entanto, existem outras situaes em que o ganho de saturao de luz que tem cria segunda ordem coerncia. Um exemplo o da amplificao de ftons emitidos espontaneamente por emisso estimulada. Se o ganho grande, a intensidade ir crescer tal que esgota o ganhar meio completamente. Isto ir eliminar as flutuaes do a intensidade e, assim, dar origem a segunda ordem, a coerncia ou em outras palavras, para a caracterstica "poissonian 'fton estatsticas que caracterizam a emisso coerente de uma fonte de laser. Este tambm explica como um laser aleatrio podem exibir emisso coerente, independentemente do grau de localizao dos modos e a quantidade de feedback "coerente".

necessidade de um modelo detalhado de lasing aleatria tornou-se clara depois de uma observao por Cao e colaboradores, que descobriu que as experincias realizadas cuidadosamente revelou picos estreitos no espectro de emisso em cima de um estreitamento global de 23 (Fig. 4). Tentativas de entender a origem desses picos levaram a uma discusso viva na literatura. Na primeira, foi proposto que a localizao Anderson poderia estar por trs da emisso estreita picos de 24-26. A idia de usar a localizao para lasing j tinha sido introduzido por Pradhan e Kumar 27 e foi pego por Jiang e Soukoulis 24 e Vanneste e Sebbah26. Eles calcularam o comportamento de sistemas de amplificao das dimenses inferiores, tais como pilhas e guias de onda planares randommultilayer com transtorno, e descobriu que estados localizados podem aprisionar a luz e, assim, aumentar lasing efeitos. No entanto, enquanto que a localizao relativamente fcil de obter em dimenses menores, extremamente difcil a obteno de trs dimenses (3D) sistemas de 22. A razo que o Ioffe-Regel critrio k ` 1 muito difcil de cumprir em ptica. mais aleatria opticalmaterials tem k `valores que aremuch maior que 1 e os cuidados que devem ser tidas em extrapolar os resultados tericos para sistemas de 1D e 2D para 3D materiais. Numa srie de experincias recentes, verificou-se que o estreito picos de um laser aleatrio pode ser observado em quase todo o gama de foras de disperso que facilmente acessvel experimentalmente, com valores de k `variando entre 10 e 104 (refs 28-30). como estes foras de disperso so muito fraca para produzir Anderson-efeitos de localizao, os pesquisadores comearam a procurar alternativas modelos. Um mecanismo alternativo que poderia levar a ressonncias Foi ugerido, por exemplo, por Apalkov et al., que discutiu A necessidade de um modelo detalhado de lasing aleatria tornou-se clara depois de uma observao por Cao e colaboradores, que descobriu que as experincias realizadas cuidadosamente revelou picos estreitos no espectro de emisso em cima de um estreitamento global de 23 (Fig. 4). Tentativas de entender a origem desses picos levaram a uma discusso viva na literatura. Na primeira, foi proposto que a localizao Anderson poderia estar por trs da emisso estreita de picos de 24-26. A idia de usar a localizao para lasing j tinha sido introduzido por Pradhan e Kumar 27 e foi pego por Jiang e Soukoulis 24 e Vanneste e Sebbah26. Eles calcularam o comportamento de sistemas de amplificao das dimenses inferiores, tais como pilhas e guias de onda planares randommultilayer com transtorno, e descobriu que estados localizados podem aprisionar a luz e, assim, aumentar lasing efeitos. No entanto, enquanto que a localizao relativamente fcil de obter em dimenses menores, extremamente difcil a obteno de trs dimenses (3D) sistemas de 22. A razo que o Ioffe-Regel critrio k ` 1 muito difcil de cumprir em ptica. Mais aleatria opticalmaterials tem k `valores que aremuch maior que 1 e os cuidados que devem ser tidas em extrapolar os resultados tericos para sistemas de 1D e 2D para 3D materiais.

Numa srie de experincias recentes, verificou-se que os picos estreitos de um laser aleatrio pode ser observado em quase toda a gama de foras de espalhamento, que facilmente acessvel experimentalmente, com valores de k `variando entre 10 e 104 (refs 28-30) . Como essas foras de disperso so muito fraca para produzir efeitos de localizao de Anderson, os pesquisadores comearam a buscar modelos alternativos. Um mecanismo alternativo que poderia levar a ressonncias foi sugerido, por exemplo, por Apalkov et al., Que discutiu teoricamente as consequncias de ter um ndice de refraco que varia randomly31 . Eles sugerem que, num sistema de 2D, o aleatrio variaes do ndice de refrao poderia causar, por acaso, estruturas que actuam como guias de onda, deste modo formando os modos ressonantes. Para entender melhor a estrutura de um modo de laser aleatrio, os pesquisadores perceberam que era crucial para primeiro entender os modos de passivos materiais aleatrios sem ganho. Para o efeito, as estatsticas de taxa de decaimento dos modos so extremamente teis porque fornecer uma ferramenta clara para investigar a localizao e determinar se um material sustenta modos localizados ou estendida, ou both32-34. Se o ganho ento introduzida em tais materiais, ser os modos com a durao mais longa que possuem o limiar inferior de laser e que adquirem a maior intensidade 35. Chabanov et al. Estudado estas estatsticas taxa de decaimento experimentalmente e sugeriu que os modos de vida longa estendidos, em regular materiais difusivos, pode ser 5

responsvel para os picos observados estreitas aleatria-laser espectros 33. Mujumdar e colegas de trabalho ento calculada estes modos em simulaes numricas e descobriu que na verdade, em um sistema finito de tamanho aleatrio existe um subconjunto de raras modos estendidos com longa vida til, que se tornam muito importante quando o ganho introduzido 29. Mujumdar e colaboradores mostraram que os fotes da sorte '' que so espontaneamente emitida em tais modos de vida longa pode adquirir uma enorme ganho e do origem a picos no espectro de emisso de um laser de forma aleatria.

Figura 4 o espectro de emisso Complexo exibindo picos estreitos. Os espectros de emisso de um laser aleatrio exibindo uma reduo global do espectro juntamente com picos estreitos com frequncias ao acaso. A amostra composta de p de xido de zinco com gros tamanho da ordem de 100 nm e excitado por laser de impulsos de 15 ps de durao de pulso 355 nm (rea de excitao de baixo para cima: 980, 1.350 e 1.870 mm2 ). Reproduzido com permisso do ref. 23. Figura 3 Extenso contra localizadas modos pticos. Diferenas finitas no domnio do tempo clculo da distribuio da intensidade do campo electromagntico, em uma desordenada sistema. a, Um modo localizado. Aqui, a luz est confinada a um modo com exponentiall deteriorando caudas. b, um modo estendido. O padro fortemente flutuante chamado speckle. O clculo realiza-se por um guia de ondas planar com 2D aleatrio pores. Um padro similar pode ser esperado dentro 3D materiais aleatrios. Para determinar experimentalmente o grau de localizao do aleatrio-laser, modos de van der Molen et al. analisaram experimentalmente sua extenso espacial por confocalmicroscopy 36 . Neste experimento, foi thematerial ambos analisados e animado atravs da objetiva do microscpio mesmo, o que significava que a regio animado era pequeno. Os modos que foram observados desta forma do mesmo tamanho que o dimetro da regio animado, de modo que no era capaz de discriminar entre os modos localizadas ou estendida. recentemente, os modos de um laser aleatrio foram calculados e visualizados por Sebbah et al. em directo de diferena finita no domnio do tempo de clculos (Fig. 5). Eles observaram que os modos longos que cobrem toda a amostra pode formar modos de laser e levar a emisso espectral estreita 37, mesmo se o seu fator de qualidade muito baixa. Embora seja atualmente desconhecida com certeza se lasing em xido de zinco, como estudado primeiro por Cao e colegas de trabalho, ocorre em modos localizados ou estendida, um acordo global de possveis mecanismos de laser aleatrio se apresentou. Tanto modos estendidos e localizados em sistemas aleatrios podem lase e levar sada espectralmente estreito e coerente. Dependendo da geometria experimental, isso pode ser observado como picos estreitos, ou como estreitamento global do espectro se os picos estreitos so calculadas as mdias para fora. As diferenas entre o localizado e extendedmode imagem incluem o grau de acoplamento de modo, que , obviamente, muito menor para o caso localizado. Modos localizados tambm sofrem mais com a saturao de ganho porque eles dispem de um volume menor ganho. A intensidade contida nos modos estendida pode portanto, crescer muito mais elevado antes que o ganho est esgotada. O debate que se desenvolveu na literatura sobre o assunto mostra como rico e complexo dos processos fsicos por trs espalhamento mltiplo em sistemas aleatrios so, especialmente quando o ganho introduzido o problema. Figura 5 clculo numrico do perfil de modo. Clculo numrico da ISTRIBUIO da intensidade de campo electromagntico, de um laser aleatrio. O modo de traado acima do limiar e lases. A extenso espacial do modo grande e que abrange uma parte significativa da amostra. Reproduzido com permisso do ref. 37....

COMPORTAMENTO catico e LEVY ESTATSTICAS

Um laser que sustenta um grande nmero de modos que so fortemente acopladas podem tornar-se muito sensveis s condies de contorno. Em uma configurao pulsada, como um laser pode mostrar um comportamento catico em sua resposta temporal e espectral. Se no houver uma frequncia especfica que domina as outras, o laser pode ter um espectro diferente de cada vez que ele excitado. A razo para isto que comea a partir de lasing emisso espontnea, que diferente em cada pulso. Em um laser de forma aleatria, uma situao similar pode ser esperado devido ao grande nmero de modos aleatrios que competem para o ganho disponvel. Conti e co-trabalhadores 38 mostraram que isto pode levar a um laser aleatrio a um comportamento semelhante ao de uma transio de vidro, em que uma determinada configurao "congelado". Modo de acoplamento particularmente forte para os modos estendidos que cobrem um grande volume de amostra. Vrios modos podem ocupar parcialmente o mesmo volume e, consequentemente, competir pelos mesmos gainmolecules. Acoplamento Themode, portanto, ocorre atravs do mecanismo de ganho, o que significa que os modos de diferentes comprimentos de onda pode ainda ser acoplado, mesmo que eles no so espectralmente sobreposio. Sob as condies apropriadas, um laser aleatrio pode, por conseguinte, tornam-se muito sensveis a pequenas flutuaes de intensidade, no incio de cada impulso de laser. Tais efeitos podem ser observados no espectro de emisso do laser aleatrios 39. Verificou-se que a emisso estreito picos do espectro de emisso pode mudar a frequncia de uma forma aleatria a partir de um impulso de excitao para o outro. O espectro de emisso so, ento, completamente no correlacionadas de tiro a tiro (Fig. 6a). medida que as partculas de disperso no esto em movimento nestas experincias, e todas as outras condies so mantidas perfeitamente constante, estas diferenas entre espectros s pode ser devido emisso espontnea a partir da qual o laser comea aleatria em cada tiro. Este comportamento catico observado apenas sob condies especficas, utilizando, por exemplo, uma fonte de excitao rpida e pela recolha de um nico tiro espectros de emisso. Modo de acoplamento em lasers aleatrias foi mostrado para levar a repulso nvel, o que significa que as ressonncias que esto muito prximos do comprimento de onda se repelem, aumentando assim o seu comprimento de onda difference36, 40. Alm disso, o limiar de um sistema aleatrio laser pode apresentar um comportamento catico, no sentido em que, em condies repeatableexperimental o sistema salta por cima e abaixo do limiar, conforme mostrado por Anglos e colegas de trabalho 41 (Fig. 7). Isto pode novamente ser entendida como sendo devido a uma sensibilidade muito elevada do sistema de pequenas flutuaes de intensidade 42. Uma consequncia interessante destas fortes flutuaes que a distribuio de intensidade no obedece estatsticas regulares gaussianas, mas torna-se do tipo de Levy. Levy distribuies tm uma variao infinita, devido ocorrncia de valores raras, mas muito grande, e so caracterizadas por uma lenta decomposio cauda (lei de potncia). Tais distribuies aparecem em vrios processos na natureza. O padro alimentar de busca de albatrozes foram, por exemplo, encontrou a obedecer Levy estatsticas 43. Apesar de ser muito raro encontrar tais comportamento em ptica, os grupos de Kumar e Ramachandran conseguiu identificar as estatsticas Levy na distribuio da intensidade de um laser aleatrio 44. Mais tarde, esse tipo de comportamento tambm foi encontrada em dinmica molecular do tipo simulaes 45 (Fig. 6b). Em particular, ela verificou-se que existe um regime em torno do limiar de laser onde as estatsticas Levy aplicar, ao passo que ambos muito abaixo e muito acima limiar das estatsticas permanecem gaussiana. Este regime Levy provavelmente tambm o intervalo em que os espectros de comportar caoticamente. Figura 6 comportamento catico e estatsticas Levy. uma srie, de espectros de emisso tomado em tiros de excitao sucessivas. O espectro de um nico tiro so claramente muito diferente, indicando um comportamento catico. A amostra composta de vidro poroso dopado com laser corante e est animado por pulsos de um nico tiro de laser de 15 ps durao de pulso e 532 nm comprimento de onda. b, o diagrama de fase de aleatrios-laser flutuaes (ganho comprimento versus tamanho da amostra). No regime de vermelho, as estatsticas das flutuaes 7

de intensidade devem ser do tipo de Levy. A linha azul indica a soleira. a razo entre o comprimento de ganho e o comprimento do percurso mdio da luz no interior da amostra. Note-se que = 1 corresponde, por conseguinte, para o limite de laser. Reproduzido com permisso do ref. 39 (a) e ref. 45 (b). Figura 7 flutuaes de limite. Srie de espectros de emisso a partir de um laser aleatrio com base em um polmero de xido de zinco composto. um, picossegundo, a intensidade do pico elevado excitao. b Nanosecond, excitao intensidade modesto pico perto do limiar. O srie corresponde a espectros de emisso observada em impulsos de excitao sucessivas. Embora a energia de excitao constante, o sistema salta por cima de forma aleatria e abaixo do limiar em eventos de excitao sucessivas, como claramente visvel na b. estes fortes flutuaes novamente indicam um comportamento catico do sistema. Reproduzido com permisso do ref. 41. As flutuaes tiro-a-tiro-so provavelmente a razo por que alguns estudos iniciais experimentais ter perdido a observao de picos estreitos 46. Se vrios tiros de emisso so calculados sobre, com o laser aleatrio estar no regime catico, os espiges ser a mdia para fora. O mesmo poderia possivelmente ocorrer mesmo dentro de um nico impulso de excitao, se a durao do impulso suficientemente longo. Portanto, as condies ideais para a observao de picos parecem ser de excitao (picosegundo) de curto e de um nico tiro de observao. Os detalhes deste comportamento catico so, no entanto, ainda no totalmente compreendida e pesquisas futuras necessrio para entender melhor o rico fsica envolvida... Materiais e mecanismos GANHO Uma vasta gama de random-a laser de materiais que podem ser produzidos de forma relativamente fcil a uma escala industrial se encontra disponvel. Ao realizar um material aleatrio-laser, importante para criar a disperso suficiente forte para o material a ser opticamente espesso. Isto , o percurso livre mdio `deve tornar-se, pelo menos, menor do que a espessura da amostra. Desta forma, o material ir aparecer opaco, em contraste com as amostras opticamente finas que parecem quase transparente. Disperso suficiente forte pode ser alcanado atravs da triturao de um material em p, suspendendo os espalhadores em soluo, ou, por exemplo, por decapagem uma rede porosa de ar para dentro de um vidro slido ou cristal semicondutor 47. O ltimo destes tem a vantagem de que ele pode levar a disperso muito forte, enquanto o tamanho do poro e, portanto, a fora de disperso, pode ser controlada no processo de corroso. A desvantagem de solo e materiais gravados que o dimetro e forma dos elementos de disperso permanece mal definida. Uma abordagem diferente para alcanar disperso forte e controlvel foi recentemente apresentado pela montagem esferas monodispersas de forma aleatria 48 (Fig. 8a). Em analogia com cristais fotnicos, que consistem de um conjunto ordenado de microesferas, os investigadores batizaram este novo material aleatria de um vidro fotnico. Usando esferas monodispersas, um material em que a disperso de determinados comprimentos de onda ressonante com o dimetro da esfera pode ser obtida. Isto leva disperso ressonante forte, o que favorece a laser aleatrio modos nos comprimentos de onda especficos das ressonncias. Assim, as bandas de emisso do laser aleatrio poderia ser ajustado deste modo, variando o dimetro da partcula. Essencial para a realizao de um laser aleatria suficiente para se obter o ganho para atingir o limiar de laser. Felizmente, um cristal de laser mantm a sua capacidade para amplificar a luz por emisso estimulada aps triturao. Um bom candidato para este de titnio dopado com safira, que emite no comprimento de onda visvel e do infravermelho prximo. Um material cristalino alternativo o xido de zinco, o que muito adequado para lasing aleatrio na regio perto do ultravioleta, devido ao seu alto ganho e um forte potencial de espalhamento. para visvel comprimentos de onda, o ganho pode ser obtido por laser de corantes que incorporam, em soluo ou incorporados nos elementos de espalhamento ou o slido em torno deles. Em todos os casos, o material tem de ser ganho animado para atingir um inverso de populao. Como em muitos lasers de corantes e de estado slido, este pode ser conseguido atravs de bombeamento ptico. Quase todos os 8

lasers aleatrias que tm sido realizados at agora funciona em regime pulsado, e esto excitada por um laser de bomba de alta potncia. O mecanismo de excitao no to simples como um laser regular, porque a bomba luz tambm multiplamente disperso na estrutura desordenada. Este essencialmente leva propagao difusora da luz de excitao e, portanto, a, a dependncia de primeira ordem, linear da excitao energia com a profundidade. Embora seja relativamente fcil de sintetizar um laser aleatrio material que suporta os modos longos, extremamente difcil para realizar um em que os modos so localizadas. Isto requer disperso muito forte e, por conseguinte, elementos de espalhamento com uma dimenso comparvel ao comprimento de onda e do ndice de refraco muito elevado. Em ao mesmo tempo, a absoro tem de ser evitada, porque seria contraproducente para laser. Uma abordagem possvel tentar induzir uma inverso de populao na arsenieto de glio ou desordenada outras estruturas semicondutoras 49 . Evidncias de Anderson localizada modos de ondas de luz infravermelha, at agora, foi encontrado na multa ps de arsenieto de glio, que tem um ndice de refraco to elevado como 3.5 (refs 50-52). Para luz visvel, assinaturas de modos localizados com vida longa tm sido encontrados no p de dixido de titnio, que tem um ndice de refraco de cerca de 2,7 (refs 53-55). Figura 8 Random-laser de materiais. de um vidro, Photonic consistindo de um conjunto aleatrio de microesferas altamente monodispersas. As ressonncias de levar as esferas a disperso forte em comprimentos de onda especficos, que podem ser usados para ajustar o espectro de emisso de um laser de forma aleatria. b, caminhada Quasi-2D aleatria com o ganho de um laser aleatrio com base no polmero disperso cristais lquidos. A disperso mltipla nestes materiais devido a pequenas gotas de cristal lquido (mostrado como esferas laranja) incorporada em uma matriz de polmero. As gotculas conter dye laser para obter simultaneamente a disperso e ganho ptico. Se um campo elctrico E aplicada na direco vertical, as molculas de cristal lquido se alinham ao longo do campo (como mostrado na vista ampliada) ea disperso torna-se altamente anisotrpica. Esta anisotropia to forte que ela conduz a um processo de difuso quasi-2D. O efeito permite o controlo elctrico sobre a emisso de um laser aleatrio: quando o campo elctrico aplicado, a emisso recupera (planar) direccionalidade e torna-se polarizada. Reproduzido com permisso do ref. 48 (a) e ref. 56 (b). APLICAES Uma grande vantagem dos lasers aleatrias mais lasers regulares que a sua produo barata e a tecnologia necessria relativamente simples. Os mtodos de alta preciso necessrios para criar microcavidades ultraprecise, utilizados em favor, por exemplo, lasers de diodo, no so necessrias aqui. Alm disso, os materiais podem ser produzidos em grande escala e tm uma eficincia de emisso elevada. As propriedades que tornam um laser aleatrio especial no que diz respeito aos lasers regulares so a sua cor e dependncia angular, bem como as suas caractersticas complexas em espectros de emisso. A distribuio angular da sada de um laser aleatrio muito ampla e pode ser distribuda ao longo do ngulo slido de 4 completa. Esta emisso gama angular em princpio ideal para aplicaes de exibio. No entanto, para desenvolver tais aplicaes, fundamental ter o controle sobre a eltrica emisso. Verificou-se por Gottardo et al. 56 que esta direccionalidade pode, efectivamente, ser electricamente ligado atravs da realizao de um laser aleatrio de uma polmero de cristal lquido disperso, um material geralmente aplicado a perceber telas de cristal lquido. Nestas experincias, um novo tipo de activapolmero de cristal lquido disperso foi realizada utilizando-lquido gotas de cristal em uma matriz de polmero com adio de corante laser. O gotculas de cristal lquido so opticamente birrefringentes e, por conseguinte, dar origem a um processo de difuso extremamente anisotrpico, quasi-2D, quando todas alinhadas na mesma direco por um campo elctrico (Fig. 8B). o resultado um laser que emite aleatrio principalmente num plano e de que a sada polarizada com polarizao controlvel. Uma vantagem particular de random-laser de materiais a de que eles podem ser preparados sob a forma de suspenses de partculas que podem ser aplicados como revestimentos sobre as superfcies de 57 forma arbitrria. 9

Isto tem um potencial interessante para a iluminao ambiente, por exemplo, sob a forma de iluminao de rua, que aplicado directamente na estrada. Um tal revestimento pode tambm ser aplicado a veculos rodovirios, navios e aeronaves. A mesma tecnologia foi patenteada para uso na identificao de veculos amigos / inimigos 58. Alm de controle eltrico sobre aleatrio emisso laser, ajuste da temperatura tem sido demonstrada como bem 59 . Neste caso, o espectro aleatrio-laser depende fortemente ambiente temperatura e do laser aleatrio pode ainda ser levado acima e abaixo do limiar por mudanas de temperatura. Isto pode ser aplicado para temperatura de sensoriamento remoto em ambientes hostis, inserindo um gro de random-laser de materiais no meio ambiente e de sondagem seu espectro de emisso remotamente com um telescpio. Alm disso, esta propriedade pode ser aplicada para criar revestimentos de qual a cor dependente da temperatura e, por exemplo, com janelas inteligentes diferentes propriedades pticas no vero / inverno. A combinao da localizao e lasing aleatrio particularmente interessante porque cada indivduo aleatrio-laser fonte daria um espectro de emisso original definida pela modos especficos localizados em cada amostra. Para complicar catico efeitos devido concorrncia de modo seriam tambm muito mais fraco em Neste caso. Isto iria permitir a codificao de objectos e, por exemplo, documentos ou notas de banco, por incorporao de uma pequena quantidade de random-laser de material que se manifestaria com uma nica espectro de emisso, mas apenas quando excitada por uma fonte de luz brilhante. A localizao pode ser relativamente facilmente obtido em menor sistemas dimensionais, tais como multicamadas aleatrios e planares guias de onda com transtorno. Recentemente, Milner e Genack demonstrado experimentalmente que os modos localizados em amplificar multicamadas aleatrios podem realmente ser criado, e que estes 1D sistemas podem ser trazidos para lase 60 . A sada neste caso completamente direccional, a partir de um laser de regular. O espectro pode tornam-se muito estreitas e a sada novamente coerente. Um til propriedade deste laser aleatria que a cavidade intrinsecamente robusto contra a desordem. Erros de fabricao pequenas podem mudar a frequncia dos modos de laser, mas no estragar a eficincia de o sistema. Recentemente, um aplicativo foi proposto para lasers aleatrias em uma rea muito diferente, ou seja, de diagnsticos mdicos. Vardeny e colaboradores descobriram que o espectro de emisso do tecido canceroso humano, quando dopados com laser de corante, podem ser distinguidos de tecido saudvel 61. Isto permitiria uma estratgia alternativa para o diagnstico de tumores. Os links dos resultados para o campo muito ativo de imagens biomdicas com andmakes luz difusa usar o fato de que o tecido diferente e tipos de osso tm diferentes estruturas pticas e mdia caminhos livres. Tcnicas como a densidade de fotes anlise e espectroscopia de onda da onda de difuso, todas baseadas no conhecimento de espalhamento de luz mltiplo em sistemas aleatrios, j provaram o seu valor na aracterizao do tecido e do fluxo sanguneo monitoramento durante o tratamento e cirurgia 62. Outro tema para pesquisas futuras poderia ser o estudo dos efeitos de interferncia de luz de excitao espalhada e multiplicar a olhar para as correlaes de fase entre as molculas excitadas resultantes do padro de modo a luz de bomba. Tais correlaes de fase pode, por exemplo, levar a efeitos, tais como super-radincia, em que a fase bem definida entre as molculas emissores leva a efeitos de emisso coerentes. Em particular, a interferncia construtiva conduz, neste caso, a um pico de emisso elevada e rapidamente decadente que depende do quadrado do nmero de molculas. O principal desafio para o desenvolvimento de futuras aplicaes a de excitao elctrica de um material aleatriolaser, que crucial para a exibio e tecnologia da iluminao. Condutncia eltrica vai ser uma questo importante aqui, devido ao carter desordenado e muitas vezes porosa dos materiais em estudo. estudos iniciais de ps de terra-rara-dopados xido, que pode ser excitado electricamente foram realizadas por Rand e colegas de trabalho 63. Curiosamente, lasing aleatria por bombeamento elctrico tem sido recentemente realizado no regime terahertz por Mahler e Tredicucci 64. Eles conseguiram observar lasing aleatria de modos localizadas num 1D quasi-peridica estrutura, o dispositivo de bombeamento elctrico com uma eficincia muito alta. Embora o desenvolvimento de aplicaes de lasers aleatrias agora est em seu caminho, ele tambm se tornou claro que a fsica destes materiais muito rica e obrigado a fornecer-nos com mais surpresas no futuro prximo. Em estudos futuros, seria interessante para combinar forte espalhando com ganho e tentar observar assinaturas diretas de Anderson 10

localizao de um lado e de laser aleatrio do outro, a partir do mesmo material. Uma abordagem possvel para alcanar este poderia ser a introduo de ganho bastante alto em GaAs fortemente espalhamento ps, por exemplo, por bombeamento elctrico dos GaAs por si prpria ou a introduo do quantum dot-estruturas. A primeira etapa neste direo foi feita por Noginov, que conseguiu atingir o ganho e em estruturas de laser random GaAs 49 . Alternativamente, as abordagens poderiam envolver estruturas compsitos base de titnio dispersando fortemente dixido combinado com gainmaterials eficientes, tais como xido de zinco ou possivelmente pontos qunticos coloidais. Gallium arsenieto (GaAs) um composto dos elementos de glio e arsnio. um semicondutor III / V, e utilizado na fabricao de dispositivos, tais como os circuitos de microondas de frequncia integrados, circuitos de microondas monolticos integrados, infravermelho diodos emissores de luz, diodos laser, clulas solares e janelas pticas. No composto, glio tem um estado de oxidao +3. Arseneto de glio pode ser preparado por reaco directa dos elementos, tal como utilizado num certo nmero de processos industriais: [2] Crescimento do cristal utilizando um forno de fuso horizontal na tcnica Bridgman-Stockbarger, no qual os vapores de glio e arsnico e reagir depsito molculas livres em um cristal semente no refrigerador da extremidade do forno. Lquido encapsulado Czochralski crescimento (LEC) utilizado para a produo de cristais nicos de elevada pureza, que exibem caractersticas de semi-isolantes. Os mtodos alternativos para a produo de filmes de GaAs incluem: [2] [3] VPE reaco de metal de glio gasoso e tricloreto de arsnio: 2 GA + 2 AsCl3 2 + 3 Cl2 GaAs Reaco de MOCVD trimethylgallium e arsina: Ga (CH3) 3 + AsH3 GaAs + 3 CH4 Epitaxia de feixe molecular (MBE) de glio e arsnio: 4 GA + AS4 4 GaAs ou 2 GA + AS2 2 GaAs Decapagem hmida de GaAs industrialmente utiliza um agente oxidante tal como perxido de hidrognio ou gua de bromo, [4], e a mesma estratgia tem sido descrito em uma patente relativa a componentes de processamento de sucata contendo GaAs onde o + Ga3 complexado com um cido hidroxmico ("HA" ), por exemplo: [5]: GaAs + H2O2 + "HA" "GAA" complexo + + 4 H2O H3AsO4 Oxidao de GaAs ocorre no ar e degrada o desempenho do semicondutor. A superfcie pode ser passivado pela deposio de uma camada de sulfeto de glio cbico (II) utilizando um composto terc-butil-sulfureto de glio tal como (tBuGaS) 7. [6] [Editar] Comparao com silicone

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[Editar] Vantagens de GaAs Algumas propriedades electrnicas de arsenieto de glio so superiores aos de silcio. Ele tem uma velocidade mais elevada de electres saturada e uma maior mobilidade de electres, permitindo que os transistores de arsenieto de glio de funcionar a frequncias superiores a 250 GHz. Ao contrrio de silcio junes, dispositivos GaAs so relativamente insensveis ao calor devido sua maior bandgap. Alm disso, dispositivos de GaAs tendem a ter menos rudo do que os dispositivos de silcio, especialmente em altas freqncias. Este um resultado de mobilidades superiores e inferiores de suporte de dispositivo parasitas resistentes. Estas propriedades recomendar GaAs circuito em telefones celulares, comunicaes via satlite, microondas ponto-a-ponto links e sistemas de radar mais elevados de frequncia. utilizado para o fabrico de diodos Gunn para gerao de micro-ondas. Outra vantagem de GaAs que ele tem uma lacuna de banda directa, o que significa que ela pode ser usada para emitir luz eficientemente. O silcio tem um bandgap indireta e por isso muito pobre em emisso de luz. No entanto, os avanos recentes podem fazer LEDs e lasers de silcio possvel. Como material de lacuna directo de banda larga com a resistncia resultante ao dano por radiao, GaAs um material excelente para a electrnica de espao e as janelas pticas em aplicaes de alta potncia. Devido sua bandgap largo, GaAs puro altamente resistivo. Combinado com a constante dieltrica alta, esta propriedade faz GaAs um substrato muito bom eltrica e ao contrrio de Si oferece isolamento natural entre dispositivos e circuitos. Isso fez com que um material ideal para microondas e ondas milimtricas circuitos integrados, MMICs, onde ativos e essencial componentes passivos podem ser facilmente produzidos em uma nica fatia de GaAs. Um dos primeiros microprocessadores de GaAs foi desenvolvido no incio de 1980 pela empresa RCA e foi considerado para o programa Star Wars dos Estados Unidos Departamento de Defesa. Esses processadores foram vrias vezes mais rpido e vrias ordens de magnitude mais radiao do que colegas de silcio duro, mas eles foram bastante caros. [7] Outros processadores de GaAs foram implementadas pelo supercomputador Cray fornecedores Computer Corporation, Convexo, e Alliant, em uma tentativa de permanecer frente do microprocessador CMOS cada vez melhores. Cray eventualmente construdo uma mquina de GaAs baseado no incio de 1990, o Cray-3, mas o esforo no foi adequadamente capitalizados, ea empresa entrou em falncia em 1995. Complexas estruturas em camadas de arseneto de glio em combinao com arseneto de alumnio (ALAS) ou a liga AlxGa1-xAs podem ser cultivadas utilizando epitaxia de feixe molecular (MBE) ou usando metalorgnicos fase de vapor epitaxia (MOVPE). Porque GaAs e alas tm quase a mesma estrutura constante, as camadas tm muito pouca tenso induzida, o que lhes permite ser cultivadas quase arbitrariamente espessura. Isto permite uma extremamente elevada mobilidade de electres de alta performance, os transistores HEMT e outros dispositivos bem quntica. [Editar] vantagens do Silcio O silcio tem trs grandes vantagens sobre GaAs para fabricao integrada circuito. Primeiro, o silcio abundante e barata para processar. Si altamente abundante na crosta terrestre, na forma de minerais de silicato. A economia de escala disposio da indstria de silcio tambm reduziu a adopo de GaAs. Alm disso, um cristal de Si tem uma estrutura extremamente estvel mecanicamente e pode ser cultivado para lingotes de dimetro muito grandes e podem ser processados com rendimentos muito elevados. tambm um condutor decente trmica, permitindo assim que a embalagem muito densa de transistores que precisam se livrar de seu pleno funcionamento, tudo muito desejvel para o projeto e fabricao de CIs muito grandes. Essas boas caractersticas mecnicas tambm o torna um material adequado para o campo em rpido desenvolvimento da nanoelectrnica. 12

A segunda vantagem importante de Si a existncia de um xido nativo (dixido de silcio), a qual usada como um isolador em dispositivos electrnicos. O dixido de silcio pode ser facilmente incorporado nos circuitos de silcio, e tais camadas so aderentes ao Si subjacente. GaAs no tem um xido nativa e no facilmente suportar uma camada aderente estvel isolante. A terceira vantagem, e talvez o mais importante, de silcio a de que ele possui uma mobilidade muito maior do furo. Esta elevada mobilidade permite a fabricao de uma maior velocidade de canal P-transistores de efeito de campo, que so necessrios para a lgica CMOS. Porque eles no tm uma estrutura CMOS rpido, circuitos lgicos GaAs tem consumo de energia muito maior, o que os tornou incapazes de competir com circuitos lgicos de silcio. O silcio tem absortividade relativamente baixa para o significado da luz solar a cerca de 100 micrmetros de Si necessrio para absorver a maior parte da luz solar. Uma tal camada relativamente robusto e fcil de manusear. Em contraste, a absortividade de GaAs to elevada que a camada correspondente seria apenas alguns micrmetros de espessura e mecanicamente instvel [8]. O silcio um elemento puro, evitando os problemas de desequilbrio estequiomtrico e desmistura trmica de GaAs. O silcio tem uma estrutura quase perfeita, a densidade de impureza muito baixa e permite a construo de estruturas muito pequenas (actualmente at 25 nm). GaAs em contraste tem uma densidade muito elevada de impurezas, o que torna difcil a construo de ICs com estruturas pequenas, de modo que o processo de 500 nm um processo comum para GaAs. De alta eficincia, de tripla juno de glio arsenieto de clulas solares que cobrem o satlite MidSTAR-1 [Editar] Outras aplicaes [Editar] As clulas solares e detectores Outra aplicao importante de GaAs para clulas solares de alta eficincia. Arseneto de glio (GaAs) tambm conhecido como um nico cristalina de pelcula fina so de alto custo e as clulas solares de alta eficincia. Em 1970, as primeiras clulas solares heteroestruturas de GaAs foram criados pela equipe liderada por Zhores Alferov na URSS. [9] [10] [11] No incio de 1980, a eficincia dos melhores GaAs clulas solares superou a de clulas solares de silcio e, na dcada de 1990 GaAs clulas solares assumiu a partir de silcio como o tipo celular mais comumente usado para painis fotovoltaicos para aplicaes de satlites. Mais tarde, dual e tripla juno de clulas solares baseadas em GaAs com germnio e camadas de fosforeto de ndio e glio foram desenvolvidos como a base de uma clula solar de tripla juno que realizou uma eficincia recorde de mais de 32% e pode funcionar tambm com a luz to concentrado como 2000 sis. Este tipo de poderes de clulas solares do Spirit e Opportunity, que esto explorando a superfcie de Marte. Alm disso, muitos carros solares utilizam GaAs em painis solares. Complexos desenhos de AlxGa1-xAs-GaAs dispositivos podem ser sensveis a radiao infravermelha (QWIP). GaAs diodos podem ser utilizados para a deteco de raios-X. [12] [Editar] dispositivos de emisso de luz Estrutura de bandas do GaAs. A diferena direta dos resultados de GaAs na emisso eficiente de luz infravermelha em 1,424 eV (~ 870 nm). GaAs tem sido usada para produzir (infravermelho prximo), diodos laser desde 1962 [13]. Um nico cristal de arseneto de glio pode ser fabricado por meio da tcnica Bridgeman, como o processo Czochralski difcil para este material, devido s suas propriedades mecnicas. No entanto, um mtodo de Czochralski encapsulado utilizado para a produo de GaAs pureza ultra-elevada para a semi-isolantes. GaAs frequentemente usado como um material de substrato para o crescimento epitaxial de outros semicondutores III-V, incluindo: InGaAs e GaInNAs. 13

[Editar] Segurana As propriedades toxicolgicas arseneto de glio no foram completamente investigadas. Por um lado, devido ao seu teor de arsnico, considerado altamente txicos e cancergenos. Por outro lado, o cristal suficientemente estvel que as peas podem ser ingeridas com absoro desprezvel passou pelo corpo. Quando modo em partculas muito finas, tais como a bolacha-polimento processos, a rea de superfcie elevada permite que mais de reaco com gua libertando algum arsina e / ou arsnio dissolvido. Os aspectos de sade, ambiente e segurana de fontes de arsenieto de glio (como trimethylgallium e arsina) e estudos de monitoramento de higiene industrial precursores metalorgnicos foram relatados. [14] Califrnia lista arseneto de glio como cancergeno. [15] .

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