CINCIA

DOS

MATERIAIS

RESUMO

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Captulo 1 Cincia dos materiais- envolve a investigao das relaes entre estruturas e propriedades dos materiais. Engenharia dos materiais- consiste em, com base nas inter-relaes entre estrutura e propriedade, no projeto ou engenharia de um material com propriedades predeterminadas. Estrutura- Arranjo dos componentes internos de um material. Propriedades- peculiaridade de um dado material em termos de tipo e intensidade de resposta a um est mulo espec !ico "ue lhe # imposto. $odas as propriedades podem ser agrupadas em seis categorias di!erentes% mec&nica 'relao da de!ormao ( aplicao de uma carga ou !ora ) elasticidade, resistncia*, el#trica 'devido ao est mulo de um campo el#trico ) condutividade, constante diel#trica*, t#rmica 'capacidade calor !ica, condutividade t#rmica*, magn#tica ' resposta de um material a um campo magn#tico*, +ptica 'o est mulo # a radiao eletromagn#tica ou luminosa ) re!rao e re!letividade* e deteriorativa 'reatividade "u mica dos materiais*. A inter-relao de "uatro componentes sempre ser, tratada nesta mat#ria% processamento, estrutura, propriedades e desempenho. Processamento - Estrutura - Propriedades - .esempenho Classi!icao dos materiais% /s materiais s+lidos esto agrupados de acordo com trs classi!icaes b,sicas% metais, cer&micas e pol meros. Est, classi!icao est, baseada na composio "u mica e estrutura at0mica. Al#m disso, e1istem trs outros importantes grupos de materiais utili2ados na engenharia% os comp+sitos, semicondutores e os biomateriais. 3etais% consistem basicamente em combinaes de elementos met,licos. Possuem um grande n4mero de el#trons no-locali2ados 'livres*. 5ons condutores de eletricidade e calor, no transparentes a lu2, super! cie brilhosa se polida, e al#m disso so resistentes e de!orm,veis, por isso altamente utili2ados em estruturas. Cer&micas% !ormadas entre elementos met,licos e no-met,licos, compostas na maioria das ve2es por +1idos, nitretos e carbetos. 6solantes e resistentes a altas temperaturas, so duras por#m muito !r,geis e "uebradias. 3inerais argilosos, cimento e vidro esto neste grupo. Pol meros% so os materiais de pl,stico e borracha "ue conhecemos. Compostos normalmente por carbono, hidrognio e outros materiais no-met,licos, possuem uma estrutura molecular muito grande. 5ai1a densidade e e1tremamente !le1 veis. Comp+sitos% compostos de mais de um material, buscando obter propriedades espec !ica. E1emplo% !ibra de vidro, possui a dure2a do vidro e a !le1ibilidade de um pol mero. 7emicondutores% possuem propriedades intermedi,rias entre condutores e isolantes. Pode ser neutro, isolante ou condutor, dependendo da !ai1a de temperatura. 5iomateriais% 7o utili2ados para substituir partes do corpo humano doentes ou dani!icadas. 8o podem produ2ir subst&ncias t+1icas e devem ser compat veis com o tecido do corpo. Captulo 3 3ateriais cristalinos% # um material em "ue os ,tomos esto situados de acordo com uma matri2 "ue se repete, e1iste uma periodicidade ao longo de grandes dist&ncias at0micas. /s ,tomos de posicionam de acordo com um padro tridimensional repetitivo, se unindo aos ,tomos vi2inhos mais pr+1imos. 3odelo de es!era r gida at0mica% ao descrever um material cristalino, os ,tomos so de!inidos como es!eras de di&metros bem de!inidos. 9ede cristalina% matri2 tridimensional de pontos "ue coincidem com as posies dos ,tomos 'centros das es!eras*. C#lula unit,ria% so subdivises de uma estrutura. Para a maioria das estruturas cristalinas,

consistem em paralelep pedos ou prismas com : conjuntos de !aces paralelas. ;ma c#lula unit,ria # escolhida para representar a simetria da estrutura cristalina, onde todas as posies de ,tomos no cristal podem ser geradas atrav#s de translaes dist&ncias integrais da c#lula unit,ria ao longo de cada uma das suas arestas. Estrutura cristalina dos metais% so encontradas trs estruturas cristalinas relativamente simples para a maioria dos metais mais comuns, "uais sejam% c4bica de !aces centradas, c4bica de corpo centrado e he1agonal compacta. 84mero de coordenao% n4mero de ,tomos em contato. <ator de empacotamento% !rao do volume de uma c#lula unit,ria "ue corresponde (s es!eras s+lidas, assumindo o modelo das es!eras s+lidas. <EA='> total des ,tomos em uma c#lula*?'> total das es!eras*. Cubica de !ace centrada 'C<C*@ geometria c4bica, com ,tomos em cada um dos v#rtices e no centro de cada uma das !aces da c#lula unit,ria. Cada ,tomo das v#rtices # compartilhado por A c#lulas unit,rias, en"uanto os ,tomos das !aces so compartilhados por duas. Para as C<Cs o !ator de empacotamento # B,CD. Cubica de corpo centrado 'CCC*% ,tomos locali2ados em todos os v#rtices e com um 4nico ,tomo no centro da c#lula unit,ria. Cada ,tomo dos v#rtices pertence a oito c#lulas unit,rias, en"uanto o ,tomo central pertence e1clusivamente a"uela c#lula. 84mero de coordenao # A, !ator de empacotamento # B,EA. Fe1agonal compacta% c#lula em !ormato he1agonal, composta por G HcamadasI "ue compem as bases do he1,gono, cada uma das bases contendo E ,tomos nos v#rtices e J ,tomo no centro. ;m plano entre os dos planos da base do he1,gono contribui com a !ormao da c#lula, contendo : ,tomos e um !ormato triangular. 84mero de coordenao JG e empacotamento B,CD. Estrutura cristalina dos materiais cer&micos% geralmente !ormadas por mais de um material, suas ligaes vo desde puramente i0nicas a totalmente covalentes, e1ibindo muitas ve2es combinaes dos dois tipos de ligao. Em materiais cer&micos com ligaes predominantemente i0nicas, as estruturas cristalinas podem ser consideradas como sendo compostas por ons eletricamente carregados, no ,tomos. C,tions ' ons met,licos carregados positivamente* esto ligados aos &nios ' ons no-met,licos carregados negativamente*. Caracter sticas dos ons "ue compes a estrutura cristalina% magnitude da carga el#trica dos ons e tamanhos relativos dos c,tions e dos &nions. Em relao a primeira caracter stica% os compostos "ue !ormam a estrutura cristalina devem ser eletricamente neutros. / n4mero de coordenao de um on # dado a partir da relao rc?ra, onde rc # o raio at0mico do c,tion e ra # o raio at0mico do &nion. .epois de determinada esta ra2o, consulta-se uma tabela obtendo-se o n4mero de coordenao. / valor rc tende a ser menor "ue ra, pois o c,tion perde el#trons, sendo assim a ra2o deve ser menor "ue J. Estruturas cristalinas do tipo AK% alguns dos materiais cer&micos so a"ueles em "ue o n4mero de c,tions # igual ao n4mero de &nions, so os materiais AK, onde A # o c,tion e K o &nion. E1istem v,rios materiais com esta estrutura, geralmente designados com o nome de algum material "ue assume essa !orma. Estrutura do sal-gema% talve2 a estrutura AK mais comum, a"uela do 8aCl. 84mero de coordenao tanto para c,tions "uanto para &nions # E, portanto a ra2o entre os raios do c,tion e &nion est, entre B,DJD e B,C:G. ;ma c#lula unit,ria para esta estrutura cristalina pode ser do tipo C<C para os &nions, com um c,tion locali2ado no centro do cubo e no centro de cada aresta. Esta rede ento pode ser considerada uma rede onde duas estruturas C<C se interpenetram. 3ateriais% 8aCl, 3g/, 3n7, Li< e o <e/. Estrutura do cloreto de c#sio% outra estrutura AK com n4mero de coordenao para ambos os tipos de on # A. $em uma !orma c4bica com um c,tion no centro do cubo e um &nion em cada um dos v#rtices. Estrutura da blenda de 2inco% possui n4mero de coordenao D, ou seja, todos os ons esto arranjados de !orma tetra#drica. Estrutura conehcida por blenda de 2indo, ou es!alerita, devido ao termo mineral+gico para o sul!eto de 2inco 'Mn7*. $odos os v#rtices e posies nas !aces da c#lula

c4bica esto preenchidas por ,tomos de 7, en"uanto os ,tomos de Mn preenchem as posies tetra#dricas no cubo. Assim, cada ,tomo de Mn est, ligado a D ,tomos de 7. 8a maioria das ve2es, as ligaes at0micas neste tipo de estrutura so altamente covalentes. Compostos% Mn7, Mn$e e 7iC. Estruturas cristalinas do tipo AmKp% se as cargas dos &nios e dos c,tions no !orem as mesmas, poder, e1istir um composto do tipo AmKp, onde m e?ou p # di!erente de J. ;m e1emplo # a estrutura cristalina encontrada na fluorita 'Ca<G* '# o nome utili2ado para este tipo de estrutura*. A !+rmula "u mica indica "ue para m determinado n4mero de <-, e1isti, apenas metade do n4mero de ons CaGN. /utros composto% ;/G, Pu/G e $h/G. Estruturas cristalinas do tipo Am5nKp% estruturas de compostos cer&micas podem conter mais de um tipo de c,tion, no caso de dois c,tions 'A e 5*, suas !+rmulas "u micas podem ser designadas por Am5nKp. / titanato de b,rio '5a$i/:* # um e1emplo, possuindo os c,tions 5aGN e $iDN. Esse material possui a estrutura chamada de estrutura cristalina de perovskita. Acima de JGBOC possui estrutura cristalina c4bica. ;ma c#lula unit,ria do 5a$i/: # da seguinte !orma% ons 5aGN locali2ados nos v#rtices do cubo, um on $iDN locali2ado no centro do cubo e ons /G- locali2ados no centro de cada !ace. Cer&mica ( base de silicatos% !ormados principalmente por sil cio e o1ignio, compondo a maior parte dos solos, rochas, argilas e areias. 8este material torna-se mais conveniente utili2ar arranjos de um tetraedro composto por 7i/DD-, no lugar de c#lulas unit,rias. Cada ,tomo de sil cio 'locali2ado no centro do tetraedo* est, ligado a "uatro ,tomos de o1ignio 'locali2ados nos v#rtices do tetraedo*. ;ma ve2 "ue essa # a unidade b,sica dos silicatos, # tratada normalmente como uma entidade carregada negativamente. 3uitas ve2es silicatos no so considerados i0nicos, devido a nature2a covalente de suas ligaes. 6ndependente disso, cada um dos o1ignios do 7i/DD- e1ige um el#tron adicional para !ormar uma estrutura eletr0nica est,vel. 7 lica '7/G*% material mais simples a base de silicatos. Consiste em uma rede tridimensional gerada "uando todos os ,tomos d o1ignio locali2ados nos v#rtices de cada tetraedro so compartilhados por tetraedros adjacentes. Assim, o material # neutro e com estrutura eletr0nica est,vel. <ormas de cristal polim+r!icas para a s lica% "uart2o, cristobalita e tridimita. Carbono% estruturas de carbono geralmente so polim+r!icas ou amor!as, portanto no est, se inclu no grupo de cer&micas ou metais. Por#m, em alguns casos a gra!ita # tratada como material cer&mico. .iamante% a condies normais de temperatura e presso, o diamante # um polimor!o met,estavel do carbono. 7ua estrutura # uma variao da blenda de 2inco, sendo "ue o carbono ocupa o espao de todos os ,tomos da estrutura c4bica, com cada ,tomo de carbono se ligando a outros "uatro com ligaes covalentes. P apropriadamente chamada de estrutura cristalina c4bica do diamante. Qra!ita% estrutura cristalina distinta e mais est,vel 'a temperatura ambiente* "ue a do diamante. Composta por arranjos he1agonais, onde cada ,tomo se liga covalentemente com : ,tomos do mesmo plano, e tem uma ligao !raca do tipo >an der Raals com um ,tomo de outra camada. <ullerenos 'classe dos materiais com as caracter sticas apresentadas* e nanotubos% aglomerado es!#rico oco !ormado por EB carbonos 'CEB*, arranjados em !orma de he1,gono ou pent,gono, conhecido como bucSminster!ullereno. Como s+lido cristalino puro # isolante, por#m com o processo de dopagem pode se tornar semicondutor ou altamente condutor. 8anotubos so !ormados por uma 4nica l&mina de gra!ite enrolada na !orma de tubo, com as e1tremidades tampadas com hemis!#rios de !ullereno CEB. Estimasse "ue estes nanotubos sero altamente utili2ados em aplicaes eltr0nicas, devido a suas caracter sticas 'resistentes, r gidos, ducteis, caracter sticas de semicondutores, entre outras*. Polimor!ismo% so alguns metais, assim como no metais, "ue podem ter mais de uma estrutura cristalina. Tuando encontrado em s+lidos elementares # chamado de alotropia. A estrutura "ue permanece depende tanto da temperatura "uanto presso e1terna. 7istemas cristalinos% esto baseados somente na geometria dos s+lidos, e no na !orma em "ue os ,tomos esto distribu dos nesta geometria, representando cada estrutura cristalina de acordo com a !orma de paralelep pedo da c#lula unit,ria. A geometria da c#lula unit,ria # de!inida pelo comprimento das arestas a, b e c e os trs &ngulos entre os ei1os '1,U,2*, estes so os par&metros da

rede cristalina. /s sete sistemas cristalinos so% c4bico, tetragonal, he1agonal, ortorr0mbico, rombo#drico, monocl nico e tricl nico. 3onocristais% "uando um s+lido tem um arranjo peri+dico e repetido per!eito dos ,tomos ao longo da totalidade da amostra, sem interrupes. $odas as c#lulas unit,rias se unem da mesma maneira e possuem a mesma orientao. E1istem na nature2a e podem ser produ2idos arti!icialmente. 3ateriais policristalinos% s+lidos compostos por um conjunto de muitos cristais pe"uenos ou gros. Contorno de gro # a ,rea onde ocorre um desencontro entre ,tomos de dois gros "ue se encontram. Anisotropia% as propriedades ! sicas dos monocristais de algumas subst&ncias dependem da direo cristalogr,!ica em "ue as medies so !eitas. Este e!eito # conhecido por anisotropia, e est, associado a variao do espaamento at0mico ou i0nico em !uno da direo cristalogr,!ica. 7ubst&ncias "ue no dependem disso so chamadas isotr+picas. Captulo 5 .e!eito cristalino% irregularidade na rede cristalina onde uma ou mais das suas dimenses # da ordem de um di&metro at0mico. .e!eitos pontuais nos metais% um dos de!eitos pontuais mais simples # a lacuna, um local vago na rede cristalina "ue apresenta a !alta de um ,tomo. A necessidade das lacunas nos s+lidos pode ser e1plicada atrav#s dos princ pios da termodin&mica% a presena das lacunas aumenta a entropia de um metal. / n4mero de lacunas aumenta e1ponencialmente em !uno da temperatura 'ver relao no livro*. Auto-intersticial consiste em um ,tomo do cristal comprimido no interior de um s tio intersticial, o "ual # um pe"ueno espao va2io "ue, sob circunst&ncias normais, no estaria ocupado. 8os metais este de!eito causa distores relativamente grandes nas redes cristalinas, uma ve2 "ue o ,tomo # bastante maior "ue o lugar "ue ocupar,. 7endo assim, de!eitos deste tipo ocorrem em concentraes redu2idas, signi!icativamente menores "ue as lacunas. .e!eitos pontuais nas cer&micas% podem e1istir lacunas e intersticiais, por#m, no caso dos materiais cer&micos, podem ocorrer tanto para o &nion "uanto para o c,tion. P bastante improv,vel "ue ocorra um de!eito intersticial em um &nion, devido ao tamanho "ue ele assumo devido ao ganho de el#trons, sendo di! cil ocupar pe"uenos s tios intersticiais. / termo estrutura do de!eito # utili2ada para descrever os tipos e concentraes dos de!eitos at0micos dos materiais cer&micos. Apesar dos de!eitos, as condies de eletroneutralidade dos materiais cer&micos devem ser mantidas. .e!eito de <renSel% de!eito envolvendo uma lacuna de um c,tion e um par c,tion intersticial. ;m c,tion dei1a sua posio original se movendo para um s tio intersticial. .e!eito de 7chottSU% de!eito envolvendo uma lacuna c,tion e uma lacuna &nion, ambos se movendo para uma super! cie e1terna. 7e nenhuma outra caracter stica # alterada, o material segue sendo este"uim#trico, ou seja, e1iste a ra2o c,tion-&nion e1ata prevista pela !+rmula "u mica do composto. A no este"uiometria pode ocorrer em materiais cer&micos para os "uais e1istem dois estados de valncia para um dos ons. 6mpure2as nos s+lidos 6mpure2as nos metais% # imposs vel uma rede totalmente pura, e todas as redes se encontraro de!eitos cristalinos pontuais. 3etais !amiliares no so normalmente puros, ao contr,rio eles so ligas, onde ,tomos de impure2a !oram adicionados para o material obter caracter sticas espec !icas. Qeralmente, impure2as so adicionadas a metais para se obter maiores resistncias mec&nica e a corroso. 7olvente e soluto em s+lidos% solvente # o elemento ou composto presente em maior "uantidade, ,tomos de solvente tamb#m so chamados de ,tomos hospedeiros. 7oluto # o termo utili2ado para indicar um elemento "ue est, presente em menor concentrao. 7olues s+lidas 'nova segunda !ase*% so obtidas atrav#s da adio de ,tomos de impure2as a metais. 7e !ormam "uando um soluto # adicionado a um solvente, sendo "ue sua estrutura cristalina # mantida sem a !ormao de uma nova estrutura. ;ma soluo s+lida tamb#m # homognea em termos de composio.

.e!eitos pontuais devido a impure2as nas solues s+lidas% substitucional e intersticial. 8o caso do de!eito substitucional, um ,tomo de soluto ocupa o lugar de um ,tomo de solvente. <atores "ue determinam o grau com o "ual o soluto se dissolve no solvente% tamanho at0mico 'di!erena dos raios at0micos devem ser de apro1imadamente N?-JVW*, estrutura cristalina 'ambos os s+lidos devem apresentar a mesma*, eletronegatividade '"uanto mais eletropositivo !or um elemento, e mais eletronegativo !or o outro, maior a tendncia dos s+lidos !ormarem um composto intermet,lico, em ve2 de uma soluo s+lida substitucional* e as valncias 'um metal apresentar, maior tendncia de se dissolver em outro com valncia maior*. 6mpure2as nas cer&micas% so poss veis tamb#m solues s+lidas intersticiais e substitucionais. 8o caso da soluo intersticial, o raio i0nico da impure2a deve ser relativamente menor "ue o caio do &nion do material cer&mico. ;ma ve2 "ue e1istem &nions e c,tions neste tipo de material, a impure2a substitucional ocupar, o lugar do on hospedeiro "ue mais se assemelha a ela no aspecto el#trico. Para um on de impure2a "ue possua uma carga di!erente da"uela do hospedeiro, o cristal deve compensar essa di!erena de carga buscando manter a eletroneutralidade. 6sso pode ser !eito atrav#s da criao de de!eitos na rede cristalina. Especi!icao da composio% muitas ve2es se torna necess,ria a especi!icao da composio de uma liga em termos de seus elementos constituintes. Porcentagem em peso% CJ='mJ*?'mJNmG*XJBB Porcentagem at0mica% CJY='8mJ*?'8mJN8mG*XJBB 8mJ=mJ?AJ 7endo mJ a massa e AJ o peso at0mico para o elemento J. .iscord&ncias ) de!eitos lineares% de!eito linear ou unidimensional em torno do "ual alguns dos ,tomos esto desalinhados. .iscord&ncia aresta% uma poro e1tra de um plano de ,tomos, ou semiplano, cuja aresta termina no interior do cristal. Em posies a!astadas da linha de discord&ncia, a rede cristalina tende a ser per!eita. .iscord&ncia espiral% pode ser considerada como conse"uncia de uma tenso cisalhante aplicada para produ2ir uma distoro. Espiral devido a trajet+ria ou inclinao em espiral ou helicoidal traada em torno da linha de discord&ncia pelos planos at0micos. .iscord&ncias mistas% mescla de discord&ncia aresta e espiral, encontrada na maioria dos s+lidos. >etores de burgers so utili2ados para representar a magnitude e direo da distoro da rede cristalina "ue est, associada a uma discord&ncia. .e!eitos inter!aciais% consistem em contornos "ue possuem duas dimenses e "ue normalmente separam regies dos materiais com di!erentes estruturas cristalinas e??ou orientaes cristalogr,!icas. 7uper! cies e1ternas% os ,tomos da super! cie no esto ligados ao n4mero m,1imo de vi2inhos mais pr+1imos, esto portanto em um estado de maior energia do "ue os ,tomos nas posies interiores. As ligaes desses ,tomos na super! cie "ue no esto completadas do origem a uma energia de super! cie, e1pressa em energia por unidade de ,rea. Para redu2ir esta energia, os materiais tendem a minimi2as 'se poss vel* a ,rea total de sua super! cie. Contornos de gro% contorno "ue separa pe"uenos gros ou cristais "ue possuem di!erentes direes cristalogr,!icas em materiais policristalinos. Tuando este desencontro da orientao # pe"ueno, ento # usado o termo contorno de gro de bai1o &ngulo. Assim como no de!eito das super! cies e1ternas, e1iste uma energia inter!acial ou do contorno do gro "ue # semelhante a energia de super! cie. Contornos de 3acla% # um tipo especial de contorno de gro atrav#s do "ual e1iste uma simetria espec !ica em espelho da rede cristalina, isto #, os ,tomos em um dos lados do contorno esto

locali2ados em posies de imagem em espelho em relao aos ,tomos no outro lado do contorno. E1istem as maclas de de!ormao 'devido a !oras mec&nicas de cisalhamento, observadas em metais com estruturas cristalinas CCC e FC* e as maclas de co2imento 'obtidas durante tratamento t#rmico por reco2imento reali2ado ap+s de!ormaes, observadas em metais com estruturas cristalinas C<C*. <alhas de empilhamento% encontradas nos metais com estrutura cristalina C<C "uando e1iste uma interrupo na se"uncia de empilhamento A5CA5CA5C... dos planos compactos de ,tomos. Contornos de !ase esto relacionados a materiais multi!,sicos, nos "uais h, mudanas repentinas nas caracter sticas ! sicas e?ou "u micas. 8os materiais !erromagn#ticos e !errimagn#ticos, e1iste um contorno "ue separa as regies "ue possuem di!erentes direes de magneti2ao, conhecido como parede de dom nio. ;ma energia inter!acial est, associada a cada tipo de de!eito, variando em magnitude de acordo com o tipo de contorno e material. 8ormalmente super! cies e1ternas tero maior energia inter!acial. >ibraes at0micas% todos os ,tomos do s+lido esto vibrando muito rapidamente em torno da sua posio na rede cristalina. Em um certo sentido, essas vibraes podem ser consideradas imper!eies ou de!eitos. A temperatura de um s+lido # realmente apenas uma medida da atividade vibracional m#dia dos ,tomos e mol#culas "ue compem o s+lido. Captulo 7 Conceitos de tenso e de!ormao% se uma carga e est,tica ou ela se altera de uma maneira relativamente lenta ao longo do tempo e # aplicada de !orma uni!orme sobre uma seo reta ou a super! cie de um membro, o comportamento mec&nico pode ser veri!icado atrav#s de um simples ensaio tenso-de!ormao. Ensaios de trao% um dos ensaios de tenso-de!ormao mais comum # !eito sobre trao, pode ser usado para avaliar diversas propriedades mec&nicas dos materiais. ;ma amostra geralmente # de!ormada at# sua !ratura, com o emprego de uma carga de trao aumentada gradativamente, aplicada unia1ialmente ao longo do ei1o maior de um corpo-de-prova. A m,"uina de ensaios # projetada para alongar o corpo-de-prova a uma ta1a constante, al#m de medir cont nua e simultaneamente a carga instant&nea aplicada 'com uma c#lula de carga e os alongamentos resultantes 'usando um e1tens0metro*. 8ormalmente leva v,rios minutos e # um ensaio destrutivo. A tenso de engenharia # de!inida por <?Ao. A de!ormao de engenharia # de!inida por 'L-Lo*?LB. Ensaios de compresso% # condu2ido de maneira semelhante ao ensaio de trao, e1ceto pelo !ato de "ue uma !ora compressiva # aplicada. Ensaios de cisalhamento e toro% a tenso cisalhante # dada por '<?A*, onde < # a carga ou !ora imposta em uma direo paralela (s !aces superior e in!erior, cada uma delas com uma ,rea inicial A. A de!ormao de cisalhamento gama # a tangente do &ngulo de de!ormao teta. A toro # uma variao do cisalhamento puro onde o corpo # HtorcidoI. Deformao elstica Comportamento tenso-de!ormao% a tenso e a de!ormao so proporcionais entre si, seguindo a lei de FooSe% Z=E[, sendo E o m+dulo de elasticidade. / processo de de!ormao no "ual a tenso e a de!ormao so proporcionais # chamado de de!ormao el,stica, e geralmente segue uma relao linear, sendo a constante E o coe!iciente angular da reta, portanto "uanto maior esse valor, menor ser, a de!ormao a uma dada tenso aplicada. A de!ormao el,stica no # permanente, "uando a carga aplicada # liberada, a pea retorna a !orma original. Alguns materiais no seguem uma relao tenso-de!ormao linear, como o !erro !undido cin2ento e o concreto. 8estes casos, para encontrar o m+dulo de elasticidade utili2a-se um m+dulo tangencial ou um m+dulo secante. Anelasticidade% # um comportamento el,stico dependente do tempo, a de!ormao ir, continuar

ap+s a aplicao da tenso, e com a liberao da carga ser, necess,ria a passagem de um tempo !inito para "ue se d completa recuperao. Propriedades el,sticas dos materiais% "uando # aplicada uma tenso na direo 2 a de!ormao [2 ter, a mesma direo da tenso aplicada, por#m, se o material !or isotr+pico nos ei1os 1 e U e1istiro de!ormaes compressivas [1 e [U. / coe!iciente de poisson # a ra2o entre as de!ormaes [1?[2 e [U?[2. Comportamento mec&nico ) metais% para metais, a partir de um certo valor de de!ormao 'apro1imadamente B,BBV*, a tenso dei1a de ser proporcional a de!ormao. Assim, uma de!ormao permanente e no-recuper,vel ocorre, essa # a de!ormao pl,stica. Propriedades de trao $ransio elastopl,stica% transio entre os processos el,sticos e pl,sticos. Escoamento e limite de escoamento% o limite onde a de!ormao el,stica da lugar a pl,stica # onde ocorre o !en0meno do escoamento. Este ponto # no momento inicial do !im da linearidade da curva tenso de!ormao, # onde ocorre a tenso limite de escoamento 'veri!icar no livro como se obter atrav#s do gr,!ico*. Limite de resistncia a trao% ap+s o in cio do escoamento, a tenso necess,ria para continuar a de!ormao pl,stica nos metais aumenta at# um ponto m,1imo, e ento diminui at# a !ratura !inal do material. / limite de resistncia a trao 'L9$* # a tenso no ponto m,1imo da curva tensode!ormao de engenharia. Corresponde a tenso m,1ima "ue uma estrutura pode suportar sob trao, sendo "ue se essa tenso !or mantida o resultado ser, uma !ratura. 8essa tenso m,1ima comea a se !ormar um HestrangulamentoI em uma regio do corpo-de-prova, e a !ratura ocorrer, nesse ponto. .uctilidade% # uma medida "ue representa o grau de de!ormao pl,stica "ue !oi suportado at# o momento da !ratura. 3ateriais !r,geis suportam tenses menores, materiais ducteis suportam tenses maiores at# a !ratura. / conhecimento da ductilidade # importante por dois motivos principais% da uma indicao ao projetista de "uanto uma estrutura ir, se de!ormar de maneira pl,stica antes de so!rer uma !ratura, e tamb#m especi!ica o grau de de!ormao permiss vel durante o processo de !abricao. 3+dulo de elasticidade, tenso limite de escoamento e limite de resistncia a trao diminuem com o aumento da temperatura, j, a ductilidade aumenta com o aumento da temperatura. 9esilincia% capacidade de um material de absorver energia "uando ele # de!ormado elasticamente e depois, com a remoo da carga, recuperar essa energia. A propriedade associada # m+dulo de resilincia ';r*, "ue representa a energia de de!ormao por unidade de volume e1igida para tensionar um material desde um estado com ausncia de carga at# sua tenso limite de escoamento. 3ateriais resilientes so a"ueles "ue possuem limites de escoamento elevados e m+dulos de elasticidade pe"uenos, tais ligas encontram aplicaes como molas. ;r= Z?GE $enacidade% medida de habilidade de um material para absorver energia at# sua !ratura. Para "ue um material seja tena2, ele deve apresentar tanto resistncia "uanto ductilidade. $enso verdadeira e de!ormao verdadeira% "uando o limite de resistncia a trao # atingido, analisando o gr,!ico tenso-de!ormao, observamos uma diminuio na tenso aplicada, nos levando a pensar "ue o material esta se tornando mais !raco. Por#m esta tenso no # real, portanto a concluso no # real. A resistncia do material aumenta, por#m no gr,!ico no # considerada a diminuio da ,rea no HpescooI !ormado no corpo-de-prova, assim, essa nova ,rea deve ser considerada para os c,lculos da tenso aplicada no local. .evido a diminuio da ,rea na seo reta do pescoo, ocorre uma reduo na capacidade do corpo-de-prova em suportar uma carga. 9ecuperao el,stica ap+s uma de!ormao pl,stica% com a liberao da carga durante o curso de um ensaio tenso-de!ormao, uma !rao da de!ormao total # recuperada na !orma de de!ormao el,stica.