•PROPRIEDADES MECÂNICAS

São responsáveis pela forma com que um material responde a um esforço. É aplicada
uma tensão ao corpo de prova e a deformação gerada pode causar um regime elástico,
plástico ou ambos.

Metais:

 Fortes e podem ser moldados

 Dúcteis (deformam antes de quebrar)
 Bons condutores

Cerâmicas e vidros:

 Combinação de metais com C,O,M,P,S

 São altamente resistentes a temperatura
 Isolantes
 Frágeis (Quebram sem deformar)
 Menos densos que metal

Polímeros:

 Sintéticos
 Altamente moldáveis
 Leves e não frágeis
 Menos resistentes que metais e cerâmicas

Propriedades plásticas

 Tensão - Força que determinada peça suporta dependendo do material e

geometria.
 Resistência - Capacidade do material acomodar tensão.
 Ductilidade - É a capacidade de ser deformado antes de romper. ↑deformação
↑ ductilidade
 Encruamento - Fenômeno no qual um material dúctil se torna mais duro e mais
resistente quando é submetido a uma deformação plástica.
 Fragilidade - Capacidade do material se deformar pouquíssimo ou nem
deformar no regime plástico. Rompe sem avisar. (Não significa que ele não
suporta tensão).
 Resistência Mecânica – Quanto de tensão (σ) o material suporta.
↑Tensão o material suporta ↑ Resistente é o material.
 Dureza - ↑Resistência ↑Dureza
  Módulo Elástico (E) → Mede a rigidez do material (Lei de Hooke).
Módulos elásticos iguais significam materiais iguais. É suscetível a temperatura.
↑T, mais fácil de afrouxar as relações dos átomos, ↑ as lacunas do sistema ↓E
=E= Vale para o regime elástico, pois é onde há
uma tensão proporcional a uma deformação.

 Deformação = ΔL / Lo
 Limite de escoamento (σLE) – Ponto onde começa a deformação plástica
(observado traçando uma linha paralela à linha do regime elástico a 0,2% de deformação).

Escoamento descontínuo – Quando possuo elementos intersticiais.

 Resiliência – Energia que o material absorve para deformar no regime elástico.

Calculado pela área do triangulo.
 Tenacidade – Área da região plástica desconsiderando a recuperação elástica.
Medida de energia para deformar na região plástica.

Regime Elástico:

 Lo=Lf (Transformação reversível).

Regime Plástico

 Sucede o regime elástico. Lo ≠ Lf e Lf > Lo

O regime elástico passa a ser regime plástico quando eu tenho 0,2% de deformação.
Deformação plástica

 Afastamento interatômico irreversível, escorregamento de planos. Pode

haver uma recuperação atômica elástica, mas o que já escorregou não
recupera.

Alongamento uniforme

 Quando começo a deformar o material, ele começa a se alongar, diminui a

espessura e aumenta o comprimento. Isso acontece até a tensão máxima,
quando chega à tensão máxima acontece o fenômeno de estricção ou
empescoçamento.

•ESTRUTURAS ATÔMICAS

PONTO DE FUSÃO
RESISTÊNCIA MECÂNICA POÇO
ENERGIA DE LIGAÇÃO DUREZA DILATAÇÃO TÉRMICA
SIMÉTRICO
MÓDULO DE ELASTICIDADE
ESTABILIDADE QUÍMICA

Ligação iônica

 Transferência de elétrons
 Não direcional
 Força de ligação igual em todas as direções
 Metais + Ametais

Compostos iônicos

 Sólidos, duros, frágeis

 ↑PF ↑PE
 Condutores quando fundidos ou em solução aquosa
 Quando sólidos não são condutores

Ligação Covalente

 Compartilha elétrons
 Direcional
 Formação de moléculas
 Ametais ou Ametal + H
Covalente Apolar

 Entre átomos iguais

 Eletronegatividade é igual devido aos pares de elétrons serem equidistante

Covalente Polar

 Entre átomos diferentes, assim, o átomo com maior eletronegatividade

atrai o par de elétrons compartilhado com mais intensidade.

Compostos Covalentes

 Líquidos e gasosos. (Se sólidos, fundem facilmente)

 ↓PE↓PF
 Não condutores (exceto ácidos em solução aquosa e carbono grafite)

Ligações metálicas

 Compartilhamento de elétrons – metais + metais

 Não direcional
 Nos metais existe uma grande quantidade de elétrons quase livres, os elétrons
de condução, que não estão presos a nenhum átomo em particular. Estes
elétrons são compartilhados formando uma nuvem eletrônica responsável pela
alta condutividade elétrica e térmica desses materiais.

Compostos metálicos

 Formam retículos cristalinos metálicos

 São sólidos em temperatura ambiente (Exceção do mercúrio)
 São condutores de eletricidade e de calor na fase sólida
 São dúcteis, maleáveis e possuem brilho.

Modelo de Bandas Nível de Fermi – Nos metais os elétrons podem se movimentar

pelas bandas de valência e de condução. Isso ocorre em todo o retículo do metal e
explica o fenômeno de condutividade elétrica.

Ligações secundárias

 Ligação sem troca ou compartilhamento de elétrons → Van der Waals (fraca)

 Ligação gerada por pequenas assimetrias na distribuição de cargas do átomo
que criam dipolos. (Par de cargas opostas que mantém uma distância entre si)

Sólidos Iônicos – Alto grau de organização em redes tridimensionais.

Eletronegatividade

 Capacidade que um átomo tem de atrair elétrons de outro átomo quando os

dois formam uma ligação química
 ↓ tamanho do átomo ↑capacidade de atrair elétrons
 Átomos com maior número de elétrons na última camada exercem maior
atração sobre os elétrons de outros átomos.

Energia de ligação Iônica>Covalente>Metálica>Van der Waals

Energia de ligação ↑ T Fusão ↑

Expansão térmica (Dilatação) – Só ocorre porque o poço de energia potencial é

assimétrico.

↓Energia de ligação↑Dilatação

Propriedades Fatores
Densidade Peso atômico, raio
atômico,
empacotamento.
Rigidez Forças interatômicas,
coordenação
Expansão Térmica Força de ligação e
empacotamento
Condutividade Movimento de
elétrons livres

Diagrama Van Arkel-Ketelaar

•ESTRUTURAS CRISTALINAS

As propriedades macroscópicas dos materiais dependem essencialmente do tipo de

ligação entre os átomos e da organização no espaço desses.

Ordem e arranjos atômicos:

1. Nenhuma ordem: desorganização na posição dos átomos. (carbono amorfo,

gases inertes)
2. Ordem de curto alcance: Preenchimento do espaço aleatoriamente, entretanto
cada molécula individualmente possuí ordem bem definida. (Vitro - cerâmicos
SiO4, vapor d´água)
3. Ordem de longo alcance: Arranjo atômico repetitivo, gerando uma rede
tridimensional. A rede difere de material para material em forma e tamanho,
dependendo do tamanho dos átomos e do tipo de ligação entre eles. (Cristais
de óxido de titânio TiO2, metais, cerâmicos e alguns polímeros)

Célula unitária
 O menor agrupamento de átomos (menor tijolo) no espaço que quando
repetido em todas as direções resultará a estrutura cristalina original. A
repetição tridimensional da célula unitária gera a rede cristalina.
 Representa a simetria da estrutura cristalina

Cristal - Figura geométrica regular associada à distribuição dos átomos de um

metal.

SISTEMAS CRISTALINOS E REDES DE BRAVAIS

Só existem 7 tipos de células unitárias que preenchem o espaço que em função da

distribuição dos átomos dão origem a 14 redes de Bravais.

 Cúbica – 3 células (CS, CCC, CFC)

 Tetragonal – 2 células
 Ortorrômbica – 4 células
 Monoclínica – 2 células
 Hexagonal
 Triclínica
 Romboedral – 3 células

Características das células unitárias

 Número de átomos por célula unitária (n)

  Parâmetro de rede (a)
 Relação entre o raio atômico(R) e o parâmetro de rede (a)
 Número de coordenação (NC)
 Fator de empacotamento (FE) – O quanto do volume da célula está sendo
ocupado por átomos. (número de átomos x Volume dos átomos) / Volume da
célula unitária
nA
 Densidade (ρ)  
VcN A Vol. dos atomos = vol. esfera
Onde:
n = Número de átomos da célula unitária
A = Peso atômico
VC = Volume da célula unitária Vol. da celula unitaria = vol. Cubo
NA = Número de Avogadro

Células Cúbicas

 Cúbica simples (CS) (Cristais iônicos, cátions e ânions)

 Cúbica de corpo centrado (CCC)
 Cúbica de face centrada (CFC) Cristais metálicos
 Hexagonal Compacta (HC)

- CÚBICA SIMPLES

 Número de átomos por células unitárias (n) = 1

 Número de coordenação (NC) = 6
 Relação entre raio atômico e parâmetro de rede (a) =2R
 Fator de empacotamento = 0,52
- CCC

 Número de átomos por células unitárias (n) = 2

 Número de coordenação (NC) = 8
 Relação entre raio atômico e parâmetro de rede (a) =
 Fator de empacotamento = 0,68
 Direção <111> e a de maior empacotamento atômico
 A família de planos {110} no sistema CCC é o de maior densidade atômica.

- CFC

 Número de átomos por células unitárias (n) = 4

 Número de coordenação (NC) = 12
 Parâmetro de rede a= 2R
 Fator de empacotamento = 0,74
 Direção <110> e a de maior empacotamento atômico
 A família de planos {111} no sistema CFC é o de maior densidade atômica.
- HC

 Número de átomos por células unitárias (n) = 6

 Número de coordenação (NC) = 12
 Parâmetro de rede a= 2R
 Fator de empacotamento = 0,74

•DIREÇÕES E PLANOS CRISTALINOS

Polimorfismo/alotropia

 Capacidade que alguns metais e não-metais tem de ter mais de uma estrutura
cristalina dependendo da temperatura e pressão. Geralmente essas
transformações são acompanhadas de mudanças na densidade e outras
propriedades físicas. (Fe, Ti, C, SiC)

Cristalografia

 Ao se tratar de materiais cristalinos, torna-se necessário especificar algum

plano cristalográfico. Para determinação dos índices tem-se como base a célula
unitária com um sistema de coordenadas (x,y,x)

Procedimento para determinação dos índices direcionais:

 Usando um sistema de coordenadas, determine as coordenadas de dois pontos

contidos na direção.
 Subtraia as coordenadas do ponto final das coordenadas do ponto inicial.
 Inclua o número entre colchetes, caso obtenha-se valores negativos,
represente o sinal negativo com uma barra em cima do número.
 Uma direção deve passar pela origem do sistema.

[100] – Arestas

[110] – Diagonais das faces

[111] – Diagonais do cubo

155
IMPORTÂNCIA DOS PLANOS CRISTALINOS PARA:

Deformação plástica

 Deformação plástica (permanente) dos metais ocorre pelo deslizamento dos

átomos, escorregando uns sobre os outros no cristal. Esse deslizamento tende
a acontecer preferencialmente ao longo de planos direções específicos do
cristal.

Propriedades de transporte

 Em certos materiais, a estrutura atômica em determinados planos causa um

transporte de elétrons e/ou acelera a condução nestes planos e, relativamente
reduz a velocidade em planos distantes destes.

Família de direções

 Para algumas estruturas cristalinas, várias direções não paralelas com índices
diferentes são equivalentes; isto significa que o espaçamento entre os átomos
ao longo de cada direção é o mesmo.
 Para as diagonais das faces <110>
 Para as faces do cubo <100>
 Para a diagonal do cubo <111>

PLANOS CRISTALINOS: São representados pelos índices de Miller. Planos paralelos são
equivalentes e apresentam os mesmos índices.

O PLANO NÃO PODE PASSAR PELA ORIGEM.

1. Defina o sistema de coordenadas.

2. Determine as interseções que o Plano faz com os 3 eixos.
3. Determine o inverso destes valores e converta nos mínimos inteiros e inclua
entre parêntesis.
4. Os planos são representados entre ( )

Familia de planos

 Mesma densidade atômica

 Mesmas propriedades
 São denominados { }
  Deformação em metais envolve deslizamento de planos atômicos. O
deslizamento ocorre mais facilmente nos planos e direções de maior densidade
atômica.
 Densidade linear → átomos/cm
 Densidade planar → átomos/ unidade de área

•IMPERFEIÇÕES NOS SÓLIDOS

Qualquer coisa que cause irregularidade na posição dos átomos na rede podendo
causar irregularidade:

 Na posição dos átomos

 No tipo de átomos

O tipo e número de defeitos dependem:

 Do material
 Da “história” de processamento do material
 Do meio ambiente

Os átomos nos materiais se organizam de uma determinada forma:

 Nenhuma ordem (ex: gases)

 Ordem de curto alcance (Molécula de H2O)
 Ordem de longo alcance → Estruturas cristalinas (sólidos metálicos,
cerâmicas...)

As impurezas (ou elementos de liga) são adicionadas intencionalmente com a

finalidade de:

 Aumentar a resistência mecânica

 Aumentar a resistência à corrosão
 Aumentar a condutividade elétrica.
 Aumentar ou diminuir o limite de solubilidade

Através da introdução de defeitos, manipulando o número e arranjo desses, é possível

criar novos materiais com características desejadas. É possível, dessa forma, modificar
as propriedades e a aplicação do material, por exemplo:

 Aumento da resistência por solução sólida (Pega Fe e adiciona Níquel,

mudando as propriedades do ferro. A adição de Zi no Cu forma latão).
  Aumento da resistência por encruamento (Aumento da dureza devido a
deformação plástica, as propriedades de limite de resistência e de escoamento
é superior à matéria prima utilizada a princípio)
 Dopagem em semicondutores (Dopagem é a pequena adição de impurezas em
quantidades pequenas que fazem com que a resistência se altere)

Classificação dos defeitos cristalinos:

 Defeitos pontuais (dimensão zero): Vacâncias; Impurezas intersticiais e

substitucionais.
 Defeitos Lineares (dimensão um): Discordâncias (Responsáveis pelas
deformações plásticas, pelo deslocamento dos átomos durante a deformação)
 Defeitos Planares ou Interfaciais (dimensão dois): Superfícies externas;
Interfaces; fronteiras de grão; contornos de macla; defeitos de empilhamento
dos átomos.
 Defeitos volumétricos (dimensão três): Vazios; fraturas; Inclusões; Outras fases.

Defeitos pontuais

 Influem principalmente as propriedades ópticas e elétricas dos materiais.

 Influem em processos como difusão, transformação de fases, fluência, TT, etc.
 Contribuem para aumento de resistência mecânica (átomos intersticiais e
substitucionais).
 A presença de impurezas promove a formação de defeitos pontuais.

Defeitos Lineares

 Discordância é um defeito em torno do qual alguns atomos estão desalinhados,

separando a região perfeita da região deformada do material.
 Origem térmica, mecânica e supersaturação de defeitos pontuais
 Responsável pela deformação e fratura dos materiais. (Deformação plástica)

Tipos de discordâncias

 Aresta, Linha ou Cunha – um plano extra de atomos que causa distorções.

 Espiral ou Hélice – Rasgo que causa distorção na rede
 Mista – Mistura da discordância em hélice e em cunha. Causa distorção.
 Discordâncias geram vacâncias, influem nos processos de difusão e contribuem
para a deformação plástica.
Defeitos Planares ou Interfaciais

 Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimensões) e normalmente separam

regiões dos materiais de diferentes estruturas cristalinas ou orientações
cristalográficas
 Incluem: (Na superfície os átomos não estão
completamente ligados. Então o estado energia
 Superfície externa
dos átomos na superfície é maior que no interior
 Contorno de grão do cristal)
 Fronteiras entre fases
 Maclas ou Twins - Fronteira de simetria, formada pela aplicação de
tensão ou em tratamentos térmicos. Impede o movimento das
discordâncias e aumenta a rigidez do metal.
 Defeitos de empilhamento – A sequencia de empilhamento define
se o material vai ser HC ou CFC.

MACLAS EMPILHAMENTO ABAB DO HC EMPILHAMENTO ABC

DO CFC

Defeitos Volumétricos

 Introduzido durante o processamento do material ou fabricação do

componente
 Incluem:
 Fases – Ocorre quando o limite de solubilidade é ultrapassado devido a
presença de impurezas.
o Inclusões – Presença de impurezas estranhas
o Precipitados
 Porosidade – Origina-se devido à presença de gases durante o
processamento do material
 Estrias Segregacionais – Presente em materiais semicondutores dopados
Grãos

 São criados durante a solidificação do material

ou durante processos de deformação e
recristalização
 A forma do grão é controlada pela presença
dos grãos circunvizinhos
 O tamanho de grão é controlado pela
composição e pela taxa de cristalização ou
solidificação

Contorno de grãos

 Corresponde à região que separa dois ou mais cristais de orientação diferente.

No interior de cada grão todos os átomos estão arranjados segundo um único
modelo e única orientação, caracterizada pela célula unitária.
 É uma região de alta energia devido a sua alta densidade de defeitos cristalinos
 Um dos métodos de controle das propriedades de um metal consiste no ajuste
do tamanho dos grãos. Ao reduzirmos o tamanho do grão, aumentamos a área
superficial dos mesmos, aumentamos o limite de escoamento e dificultamos o
movimento das discordâncias. Logo a dureza e a resistência do material
aumentam (realizado com tratamentos térmicos).

Monocristal: Material com apenas uma orientação cristalina, ou seja, que contém
apenas um grão.

Policristal: Material com mais de uma orientação cristalina, ou seja, que contém vários
grãos.

Imperfeições

 Lacuna ou Vacância → Ausência de um átomo em um ponto reticulado

cristalino. Forma-se durante a solidificação de um cristal como resultado de
vibrações atômicas ou pela deformação.
 Defeitos Pontuais de Frenkel → Ocorre em sólidos iônicos quando um íon sai de
sua posição normal e vai para um interstício.
 Defeitos pontuais de Schottky → Presente em compostos altamente iônicos. Os
íons positivos e negativos (cátion e Ânion) apresentam tamanhos semelhantes.
Consiste em um “par” composto por uma lacuna de cátion e uma lacuna de
ânion.
  Volumétricas → Introduzidas no processamento do material e/ou na fabricação
do componente. (Inclusões, precipitados, fases, porosidade)
 Superfície → Associada com a presença de tensões térmicas e mecânicas e
impurezas.
 Substitucional →Átomo diferente ocupando uma vacância
 Átomos intersticiais → Envolve um átomo extra no interstício. Produz uma
distorção no reticulado, já que o átomo geralmente é maior que o espaço do
interstício. (Lembra do milho)

Soluções Sólidas (impurezas podem ser intersticiais ou substitucionais) (Em uma

solução sólida a estrutura cristalina é mantida, e nenhuma nova estrutura é formada)

Ligas: impurezas adicionadas para melhorar as características de um material.

A adição de impurezas a um metal resultará na formação de uma solução sólida e/ou

uma segunda fase.

Soluções sólidas intersticiais

 Os átomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaços dos

interstícios. Ocorre quando a impureza apresenta raio atômico bem menor que
o hospedeiro, devido ao fato dos materiais metálicos apresentarem um alto
fator de empacotamento, tornando as posições intersticiais relativamente
pequenas. (Fe+C)
Soluções sólidas substitucionais

 Ocorrem quando o soluto ocupa a posição que o solvente ocuparia no

reticulado cristalino. Ex: ligas de bronze (cobre/estanho) e latão (cobre/zinco).

Regra de Hume-Rothery: Para que haja total miscibilidade entre dois metais é preciso
que:

 Seus raios atômicos não difiram de mais de 15%

 Tenham a mesma estrutura cristalina (CCC,CFC...)
 Tenham eletronegatividade similares
 Tenham a mesma valência
 Ex: Cu+Ni

Interstícios:

 CCC → 24 posições tetraédricas(-1/4, ½, 0) e 18 octaédricas

 CFC → 8 posições tetraédricas(1/4, 3/4, 1/4) e 13 octaédricas (1/2 , 0, 0)
 HFC → 8 posições tetraédricas e 6 octaédricas.