Jerusa Finatto

1. Foi a grande expanso do telefone, pois era necessrio

alguma tecnologia que possibilitasse a amplificao dos sinais
telefnicos. Foi ento que surgiu o transistor, antes a
amplificao do sinal se dava com a utilizao um tubo a vcuo
que amplificava menos o sinal do que o transistor.
2. Refinao de zona: colocamos o germnio de pureza baixa
em um recipiente feito de grafite de alto grau de pureza. Com os
dois juntos em um tubo de quartzo fazemos circular gua de
forma que os materiais no se fundam devido ao calor, esse
mecanismo funciona como um grande forno de micro-ondas.
Quando uma corrente eltrica de alta frequncia enviada para
a bobina o germnio no interior derrete e as impurezas flutuam
na superfcie do liquido. Ao movimentarmos lentamente o
recipiente para a esquerda as impurezas vo para a direita.
Assim, formam-se cristais de germnio praticamente sem
impurezas.
No outro mtodo, colocam-se cristais de germnio com
elevado grau de pureza em um forno. O forno fechado e
injetado um gs inerte, enviada uma corrente de alta
frequncia atravs da bobina ao redor do tubo de quartzo e o
germnio derrete. Gros de germnio so colocados em uma
viela giratria onde so colocados em contato com a superfcie
do germnio derretido enquanto so girados. No pode haver
erro entre a temperatura da superfcie e do liquido .
3. Um grande problema estava na falta de contato com as
descobertas que ocorriam nos EUA, apenas um quartel general
perto do laboratrio deles tinha acesso a revistas e informaes
da atualidade. Para possurem os artigos sobre semicondutores
e transistores eles copiavam a mo estes materiais.
A falta de materias adequados para a fabricao de
transistores foi um problema para os japoneses, eles tinham que
realizar suas pesquisas com materiais caseiros. A purificao
dos cristais foi difcil, eles no conseguiam controlar as
variaes de 0,1 graus do forno. Conseguiram solucionar este
problema colocando um pequeno espelho na agulha, assim a luz
incidia sobre e o reflexo e era mostrada na parede.
4. Era formado por trs camadas com diferentes propriedades
eltricas, durante a produo das sementes de cristal so
acrescentados impurezas do tipo p, estes cristais formam uma
camada fundida nos cristais em crescimento que se tornam uma
camada do tipo p. depois de 10 s so acrescentadas impurezas
do tipo n, de forma que haja uma camada do tipo n crescendo
embaixo da camada do tipo p. H assim a formao de um
sanduiche npn. Se cortarmos o cristal podemos observar a
camada do tipo p no centro, onde forma-se uma linha branca,
acima e abaixo localizamos as camadas do tipo n. Ao corta-las
temos a formao de barras perfeitas, em uma das barras temos
uma que tem a camada do tipo p exatamente no centro, com as
do tipo n em ambos os lados. Ao ligarmos eletrodos a cada
camada o transistor est terminado.
5. O grande problema nos transistores de tecnologia mesa
era que quando os transistores eram colocados em uma lata e
era colocado algum tipo de material nesta lata, um pouco do
material OVNI caia sobre este material, e o material caia sobre
algum contato do transistor que poderia ocasionar em um curto
circuito, gerando a perda deste componente.
6. O transistor de mesa era vulnervel a contaminaes, o
transitor planar coberto por uma pelcula de xido o que o
protege frente contaminao, que comprometia o transistor de
mesa.
O transistor planar feito a partir de um silcio do tipo n,
colocado uma pelcula de xido e um agente fotossensvel junto
ao silcio. colocado um diagrama de uma janela que ser
aberta na pelcula de xido no topo e exposta a luz, abre-se
uma janela na pelcula fotossensvel aparecendo a pelcula de
xido. Aps tratamento a pelcula de xido derrete e retirada
aparecendo novamente o silcio. A amostra colocada em um
forno de difuso para retirar as impurezas, aps, adiciona-se um
composto de boro do tipo p, apenas a janela se transformar em
tipo p.
Acrescenta-se outra pelcula de xido e agente fotossensvel
em uma janela menor que a primeira, na parte superior da
camada do tipo p. Novamente utilizada a difuso de fase de
gs para adicionar um material do tipo n. Tudo coberto com
uma nova pelcula de xido, o agente fotossensvel e um
diagrama no topo, a amostra exposta a luz. Durante o
tratamento a camada do tipo n fica protuberante, assim
acrescentada uma pelcula de alumnio juntamente com um
agente fotossensvel e exposto com o diagrama de eletrodos.
As partes no necessrias so retiradas, permanecendo apenas
os eletrodos.
7. O vdeo muito interessante, pois mostra o passo a passo
de uma das invenes mais importantes para o desenvolvimento
da tecnologia que utilizamos hoje e que to importantes em
diversos aspectos.
Acredito que o Brasil tem um grande potencial no que diz
respeito s suas riquezas e s pessoas interessadas no
desenvolvimento da tecnologia, porm precisamos de mais
incentivo pesquisa e reconhecimento aos estudantes.