TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO JFET

Transistores bipolares dispositivos controlados por corrente

(corrente do coletor controlada pela corrente da base).


Transistores de efeito de campo (FET Field Effect Transistor)
tipo de transistor o qual a corrente controlada pela tenso.


A grande vantagem do FET sobre o TBJ: altssima impedncia de
entrada (Megaohms) e baixo rudo.



Aspectos Construtivos do JFET



O JFET um dispositivo unipolar : que significa que apenas um
tipo de portador (eltron ou lacuna) responsvel pela corrente
controlada.


Existem dois tipos de JFET: JFET Canal N e JFET Canal P


O JFET formado por trs terminais:

Fonte (source) por onde os eltrons entram;

Dreno (drain) de onde os eltrons saem;

Porta (gate) que faz o controle da passagem dos eltrons.


Ser abordado nesta aula o JFET Canal N, pois o JFET Canal P
complementar, ou seja, considerar as correntes e tenses de forma inversa.














Funcionamento do JFET


O objetivo: controlar a corrente ID que circula entre a fonte e o
dreno, aplicando-se uma tenso na porta.

Com o potencial de porta igual a zero, ou seja, VGS = 0, aplicando-
se uma tenso entre o dreno e a fonte VDS, surge uma corrente ID.





Curvas de Dreno


Com uma pequena tenso entre dreno e fonte V
DS
, a regio N
funciona como uma resistncia, com a corrente I
D
aumentando
linearmente com V
DS
.

Conforme a tenso V
DS
aumenta, aparece uma tenso entre a fonte e
a regio de porta, polarizando reversamente essa juno.

Isso faz com que a camada de depleo aumente, estreitando o canal,
o que aumenta a resistncia da regio N, fazendo com que diminua a
taxa de crescimento de I
D.






A partir de um certo valor de V
DS
ocorre o estrangulamento do canal
(estreitamento mximo), fazendo com que a corrente I
D
permanea
praticamente constante.


Essa tenso chamada de tenso de estrangulamento (pinch off -
V
po
) e corresponde tenso mxima de saturao do JFET.


A corrente de dreno para V
GS
= 0, no seu ponto mximo,
denominada corrente de curto-circuito entre dreno e fonte (drain-
source shorted current - I
DSS
) e corresponde corrente mxima de
dreno que o JFET pode produzir.










Curva caracterstica de sada de um JFET (I
D
x V
DS
) para V
GS
= 0V -
Curva de Dreno




Aplicando-se entre porta e fonte uma tenso de polarizao reversa
(V
GS1
< 0), haver um aumento na camada de depleo, fazendo com
que o estrangulamento do canal ocorra para valores menores de V
DS
e I
D
.


Para cada valor de V
GS
obtm-se uma curva caracterstica de dreno,
at que ele atinja a tenso de corte = V
P
, na qual I
D
praticamente
zero.


importante observar que, para qualquer JFET, a tenso de corte V
P
igual, em mdulo, tenso de estrangulamento do canal (V
po
).


V
po
= V
P



O fato de V
GS
ser negativo faz com que a corrente atravs da porta
(I
G
) seja desprezvel, garantindo uma altssima impedncia de
entrada (Z
E
).


Essa resistncia pode ser calculada atravs da tenso mxima V
GS
que causa o corte do JFET (com V
DS
= 0) e da corrente de porta de
corte I
GSS
.

GSS
GS
E
I
V
Z =



EXEMPLO:

No JFET BF245, para V
GS
= 20V, com V
DS
= 0, tem-se I
GSS
= 5 nA.
Portanto:

= = = =

G x
x I
V
Z
GSS
GS
E
4 10 4
10 5
20
9
9



Note que h uma grande semelhana entre as curvas de dreno do JFET e a
curva caracterstica de sada do transistor bipolar, tendo, inclusive, as
mesmas regies: corte, saturao, ativa e ruptura.





Parmetros encontrados nos manuais tcnicos:





CURVA DE TRANSFERNCIA ou de TRANSCONDUTNCIA


Mostra como I
D
varia em funo da tenso V
GS
aplicada porta:



Note que um de seus pontos I
DSS
, isto , esta curva obtida para o
maior valor de V
DS
indicado na curva de dreno.


Porm, como na regio ativa da curva de dreno a variao de V
DS
causa uma variao muito pequena em I
D
, esta curva pode ser
considerada vlida para qualquer valor de V
DS
nesta regio.


Esta curva um trecho da parbola que tem como equao:


2
) 1 (
P
GS
DSS D
V
V
I I =


Esta equao vlida para qualquer JFET, pois , deduzida a partir das
caractersticas fsicas de funcionamento do dispositivo.


O JFET um dispositivo com tolerncia muito elevadas. Por isso os
manuais fornecem as curvas tpicas (ou mdias) de dreno e de
transferncia, ou valores mximos e mnimos para o par I
DSS
e V
P,
o
que resultaria numa curva de transferncia com duas parbolas,
sendo uma para valores mximos e outra para valores mnimos.



EXEMPLO:

Para o JFET BF245A, o manual do fabricante fornece as seguintes curvas e
dados:







Assim, com os dados mximos e mnimos de I
DSS
e V
P
e atravs da
equao da curva de transferncia, as duas parbolas podem ser
traadas: