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Transistor PDF
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Histria do Transistor
O transistor foi inventado nos Laboratrios da Beel Telephone em dezembro de 1947 (
e no em 1948 como freqentemente dito) por Bardeen e Brattain.
Descoberto por assim dizer, ( visto que eles estavam procurando um dispositivo de
estado slido equivalente vlvula eletrnica ), acidentalmente durante os estudos de
superfcies em torno de um diodo de ponto de contato.
Os transistores eram portanto do tipo "point-contact", e existe evidncia que Shockley,
o teorista que chefiava as pesquisas estava chateado porque esse dispositivo no era
o que estava procurando. Na poca, le estava procurando um amplificador
semicondutor similar ao que hoje chamamos de "juno FET".
O nome transistor foi derivado de suas propriedades intrnsecas "resistor de
transferncia", em ingls: (TRANsfer reSISTOR). Os Laboratrios Bell mantiveram
essa descoberta em segredo at junho de 1948 ( da a confuso com as datas de
descobrimento ).
Com uma estrondosa publicidade, eles anunciaram ao pblico suas descobertas,
porem, poucas pessoas se deram conta do significado e importncia dessa
publicao, apesar de ter sado nas primeiras pginas dos jornais.
Embora fosse uma realizao cientfica formidvel, o transistor no alcanou, de
imediato, a supremacia comercial. As dificuldades de fabricao somadas ao alto
preo do germnio, um elemento raro, mantinham o preo muito alto. Os melhores
transistores custavam 8 dlares numa poca em que o preo de uma vlvula era de
apenas 75 cents.
Shochley ignorou o transistor de ponto de contato e continuou suas pesquisas em
outras direes. Ele reorientou suas idias e desenvolveu a teoria do "transistor de
juno".
Em julho de 1951, a Bell anuncia a criao desse dispositivo. Em setembro de 1951
eles promovem um simpsio e se dispem a licenciar a nova tecnologia de ambos os
tipos de transistores a qualquer empresa que estivesse disposta a pagar $25.000,00.
Este foi o incio da industrializao do transistor.
Muitas firmas retiraram o edital de licena. Antigos fabricantes de vlvulas eletrnicas,
tais como RCA, Raytheon, GE e industrias expoentes no mercado como Texas e
Transitron.
Muitas iniciaram a produo de transistor de ponto de contato, que nessa poca,
funcionava melhor em alta freqncia do que os tipos de juno. No entanto, o
transistor de juno torna-se rapidamente, muito superior em performance e mais
simples e fcil de se fabricar.
O transistor de ponto de contato ficou obsoleto por volta de 1953 na Amrica e logo
depois, na Inglaterra.
Transistores
Somente alguns milhares foram fabricados entre 120 tipos, muitos americanos ( no
incluindo nestes nmeros, verses experimentais ).
O primeiro transistor de juno fabricado comercialmente era primitivo em comparao
aos modernos dispositivos, com uma tenso mxima entre coletor-emissor de 6 volts,
e uma corrente mxima de poucos miliamperes.
Particularmente notvel, foi o transistor CK722 da Raytheon de 1953, o primeiro
dispositivo eletrnico de estado slido produzido em massa disponvel ao construtor
amador. Vrios tipos de transistor foram desenvolvidos, aumentando a resposta de
freqncia diminuindo os nveis de rudo e aumentando sua capacidade de potncia.
Na Inglaterra, duas empresas mantiveram laboratrios de pesquisa no to adiantadas
quanto na Amrica: Standard Telephones and Cables (STC) e a General Electric
Company of England "GEC", ( no tem relao com a GE americana).
Foram feitas pesquisas na Frana e Alemanha sem efeitos comerciais.
Em 1950, um tubaro entra nessa pequena lagoa: a PHILIPS holandesa atravs da
Mullard, sua subsidiaria inglesa, com uma planta completa para industrializar o
transistor.
A meta da Philips era dominar 95% do mercado europeu, alcanando esse objetivo em
poucos anos. A srie "OC" de transistor dominou a Europa por mais de 20 anos.
Os antigos transistores eram feitos de germnio, um semicondutor metlico, porem
logo se descobriu que o silcio oferecia uma srie de vantagens sobre o germnio. O
silcio era mais difcil de refinar devido ao seu alto ponto de fuso, porem em 1955 o
primeiro transistor de silcio j era comercializado.
A Texas Instruments foi uma das empresas que mais tomou parte no desenvolvimento
inicial dessa tecnologia, lanando uma srie de dispositivos conhecidos na poca
pelas siglas "900" e "2S".
A grande reviravolta veio em 1954, quando Gordon Teal aperfeioou um transistor de
juno feito de silcio.
O silcio, ao contrrio do germnio, um mineral abundante, s perdendo em
disponibilidade para o oxignio. Tal fato, somado ao aperfeioamento das tcnicas de
produo, baixou consideravelmente o preo do transstor. Isto permitiu que ele se
popularizasse e viesse a causar uma verdadeira revoluo na indstria dos
computadores. Revoluo tal que s se repetiria com a criao e aperfeioamento dos
circuitos integrados.
O transistor um componente eletrnico muito utilizado como comutador em
Eletrnica Digital (funcionamento na regio de corte e na de saturao). Na Eletrnica
Analgica, aparece sobretudo, como dispositivo linear (funcionamento na regio ativa).
alimentado por uma tenso constante entre 5 e 15 V (valores tpicos para
transistores como os utilizados no trabalho prtico). Os transistores baseados na
tecnologia bipolar so constitudos por 2 junes de material semicondutor pn com
uma seco comum (a base). Existem 2 tipos: npn ou pnp conforme a base for do tipo
p ou do tipo n (fig. 1). A matria prima utilizada normalmente o Silcio (com menos
freqncia o Germnio).
Transistores
Transistor pnp
Transistores
Transistores
CONFIGURAES BSICAS:
BASE COMUM
Observa-se que o sinal injetado
entre emissor e base e retirado entre
coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a
base o terminal comum para a
entrada e sada do sinal.
CARACTERSTICAS:
Transistores
CONFIGURAES BSICAS:
EMISSOR COMUM
Transistores
CONFIGURAES BSICAS:
COLETOR COMUM
CARACTERSTICAS:
elevada
Resistncia de sada (ROUT): muito baixa
Transistores
Transistores
Transistores
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos
de danos.
Transistores
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RETA DE CARGA
A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos quiescentes possveis para
uma determinada polarizao.
RB = (VBB VBE) / IB
Transistores
RC = (VCC VCE) / IC
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IC = (VCC - VCE) / RC
Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE.
A soluo deste impasse utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta
Calcular os extremos da reta de carga:
A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE.
Exemplo - No circuito da Figura acima, suponha RB= 500 k, RC= 1500 e
VCC=VBB=15V. Construa a reta de carga no grfico da curva caracterstica do transistor
e determine IC e VCE de operao ou (quiescentes).
SOLUO: Os dois pontos da reta de carga so:
VCE = 0 IC = VCC / RC = 15 /1k5 = 10mA
IC = 0 VCE = VCC = 15V
ponto superior
ponto inferior
Transistores
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Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e
VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q - ponto quiescente).
O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a
regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. Ver
Figura a seguir. O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido
como corte. Nesse ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito
pequena (ICEO).
A interseo da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) chamada saturao. Nesse ponto a
corrente de coletor mxima.
Para garantir a polarizao direta da juno base-emissor, e reversa da juno basecoletor, RS deve ser maior que RC.
Transistores
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RS = (VCC VBE)/ IB
RE = (VBB VBE) / IE
RC = (VCC VCB) / IC
Lembrando que VBE para transistor de silcio = 0,7V e para transistor de germnio =
0,3V.
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De posse do valor de VR2 simples o clculo de IE. Deve-se olhar a malha de entrada:
como: VE = IE RE
considerando IE = IC
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clculo de VCE
Transistores
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3.
Observa-se que, como no existe resistor de coletor, este terminal fica ligado
diretamente ao plo positivo da fonte de alimentao.
Porm, para sinais alternados, uma fonte de tenso constante considerada um curto.
Neste caso como se o coletor estivesse conectado ao terminal comum ou terra da
fonte de alimentao, ou seja, para sinais alternados, o coletor comum s tenses
de entrada VE e sada VS.
VS = VE VBE
Este circuito chamado de seguidor de emissor porque a tenso de sada (tenso do
emissor) segue as variaes da tenso de entrada (tenso de base).
Outra caracterstica deste circuito que ele tem uma alta impedncia de entrada e
baixa impedncia de sada, sendo muito utilizado para fazer o casamento de
impedncias entre circuitos.
Malha de sada:
RE = (VCC VCE) / IE
Malha de entrada:
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